JP2013061219A - 検査方法および検査装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】フォトデバイスを検査する検査方法である。この検査方法は、(a) フェムト秒レーザーから出射されるパルス光の光強度を変更しつつ、フォトデバイスの受光面に前記パルス光を照射することによって、前記フォトデバイスから発生する電磁波の電界強度を検出器にて検出する工程と、(b) 前記(a)工程において検出された電磁波の電界強度が最大となるときの前記パルス光の最大時光強度を取得する工程と、(c) 前記(b)工程において取得された前記最大時光強度に基づいて定められる光強度のパルス光を前記フォトデバイスに照射することによって、前記フォトデバイスにて発生する前記電磁波パルスの電界強度を前記検出器にて検出する工程とを含む。
【選択図】図1
Description
図1は、第1実施形態に係る検査装置100の概略構成図である。また、図2は、図1に示した照射部12と検出部13の概略構成図である。検査装置100は、フォトデバイスが形成された基板の一種である太陽電池パネル90の空乏層の特性を検査するのに適した構成を備えている。
図6は、フォトデバイスである太陽電池パネル90を検査するときの流れ図である。なお、以下に説明する検査装置100の動作は、特に断らない限り制御部16によって制御されるものとする。また、図6に示した流れ図は、一例である。したがって、工程内容によっては、複数の工程を並列に実行したり、または、各工程の実行順序を適宜変更したりしてもよい。検査装置100においては、フォトデバイスである太陽電池パネル90の検査をするにあたって、まず、フェムト秒レーザー121から出射するパルス光の光強度の最適化が行われる(ステップS11〜ステップS19)。そしてその後、最適な光強度のパルス光が太陽電池パネル90に照射されることによって、太陽電池パネル90の検査が行われる(ステップS20)。
図13は、検査(2)の詳細な流れ図である。上記検査(1)では、太陽電池パネル90上の特定の領域について、ポンプ光LP11を照射に応じて発生するテラヘルツ波パルスの時間波形とスペクトル解析が行われる。これに対して、検査(2)では、太陽電池パネル90の全面について、光励起キャリア発生領域の状態を検査する。
上記実施形態では、太陽電池パネル90の受光面91Sに対して、パルス光(ポンプ光LP11)の光軸が斜め(入射角度45°)に入射するようにしているが、入射角度はこのようなものに限定されるものではない。
第2実施形態では、受光面91S側に出射されるテラヘルツ波パルスLT1を検出するようにしているが、太陽電池パネル90の裏面側に透過するテラヘルツ波パルスLT1を検出するようにしてもよい。
以上、実施形態について説明してきたが、本発明は上記のようなものに限定されるものではなく、様々な変形が可能である。
10M 折り返しミラー
12,12A,12B 照射部
121 フェムト秒レーザー
13,13A,13B 検出部
131 遅延部
132 検出器
14 可視カメラ
15 モーター
16 制御部
17 モニター
18 操作入力部
21 時間波形構築部
23 スペクトル解析部
25 画像生成部
27 光強度設定部
41 時間波形
51 スペクトル分布
90 太陽電池パネル
97 接合部
99 逆バイアス電圧印加回路
B1 ビームスプリッタ
CD1〜CD3 相関データ
I1 電界強度分布画像
LP1 パルス光
LP11 ポンプ光
LP12 プローブ光
LT1 テラヘルツ波パルス
t1〜t8 検出タイミング
Claims (7)
- フォトデバイスを検査する検査方法において、
(a) フェムト秒レーザーから出射されるパルス光の光強度を変更しつつ、フォトデバイスの受光面に前記パルス光を照射することによって、前記フォトデバイスから発生する電磁波の電界強度を検出器にて検出する工程と、
(b) 前記(a)工程において検出された電磁波の電界強度が最大となるときの前記パルス光の最大時光強度を取得する工程と、
(c) 前記(b)工程において取得された前記最大時光強度に基づいて定められる光強度のパルス光を前記フォトデバイスに照射することによって、前記フォトデバイスにて発生する前記電磁波パルスの電界強度を前記検出器にて検出する工程と、
を含む検査方法。 - 請求項1に記載の検査方法において、
前記(c)工程は、前記最大時光強度を超えない光強度のパルス光を前記フォトデバイスに照射する工程である検査方法。 - 請求項1または2に記載の検査方法において、
(e) 前記(a)工程を行う際に、前記フォトデバイスに対して逆バイアス電圧を印加する工程、
をさらに含む検査方法。 - 請求項1から3までのいずれか1項に記載の検査方法であって、
前記(a)工程は、
(a-1) 前記フェムト秒レーザーからパルス光を、前記フォトデバイスに向かうポンプ光と、前記検出器に向かうプローブ光とに分岐する工程と、
(a-2)前記ポンプ光の第1光路または前記プローブ光の第2光路のいずれか一方の光路長を変更する工程と、
を含む検査方法。 - 請求項4に記載の検査方法において、
前記(a)工程は、
(a-3) 前記(a-2)工程において前記第1光路または前記第2光路の光路長を変更したときに、前記検出器により検出される電界強度が略最大となるときの最大時光路長を取得する工程、
をさらに含み、
前記第1光路または前記第2光路の光路長が前記最大時光路長に固定された状態で、前記パルス光の光強度が変更される検査方法。 - 請求項1または2に記載の検査方法であって、
前記(a)工程において、
前記検出器がショットキーバリアダイオードで構成されている検査方法。 - フォトデバイスを検査する検査装置において、
フェムト秒レーザーから出射されるパルス光をフォトデバイスの受光面に照射する照射部と、
前記パルス光の照射に応じて、前記フォトデバイスから発生する電磁波の電界強度を検出する検出部と、
前記パルス光の光強度が変更されるように前記照射部を制御する制御部と、
前記制御部により光強度を変更したときに、電磁波の電界強度が最大となるときの前記パルス光の最大時光強度に基づいて、前記フェムト秒レーザーから出射するパルス光の非光強度を設定する光強度設定部と、
を備える検査装置。
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