JP2013051375A - 発光装置 - Google Patents
発光装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2013051375A JP2013051375A JP2011189814A JP2011189814A JP2013051375A JP 2013051375 A JP2013051375 A JP 2013051375A JP 2011189814 A JP2011189814 A JP 2011189814A JP 2011189814 A JP2011189814 A JP 2011189814A JP 2013051375 A JP2013051375 A JP 2013051375A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light
- light emitting
- emitting device
- irradiation
- irradiation region
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
- H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/45001—Core members of the connector
- H01L2224/45099—Material
- H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
- H01L2224/45138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
- H01L2224/45144—Gold (Au) as principal constituent
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48135—Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip
- H01L2224/48137—Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip the bodies being arranged next to each other, e.g. on a common substrate
Landscapes
- Led Device Packages (AREA)
Abstract
【解決手段】発光装置10は、基板1と、基板1上の実装領域1aに配列された発光素子4と、基板1上の実装領域1aの周囲に形成された枠体7と、枠体7の内側に充填されて発光素子4を封止して当該発光素子4が発光した光を透過させる封止部材と、を備え、平面視において枠体7に囲まれた照射領域が、中央部の第1照射領域11、それを囲う第2照射領域12に区画されて異なる発光色で照射する。発光装置10は、第1照射領域11に、蛍光体を含有する第2照射領域12の第2封止部材82を分離するために、第2照射領域12と区切る透光壁6をさらに備える。透光壁6は埋設した発光素子4が発光した光を透過するため、第2照射領域12との境界近傍においても均一に光を照射する。
【選択図】図3
Description
図1に示すように、本発明の第1実施形態に係る発光装置10は、矩形平板状の基板1の上面の中央部に矩形の環(四角環)状の枠体7が設けられ、枠体7の内側に透明部材(透光部材)9が、その下に封止部材8が、それぞれ透光性樹脂で形成されている。さらに発光装置10は、封止部材8に被覆されて搭載された発光素子4(図1不図示)により、枠体7の内側を照射領域として光を上方へ照射する。発光装置10は、基板1の上面の枠体7の外側に、発光素子4の駆動電圧を外部から印加するための一対のパッド電極(アウターリード)として、正極21および負極22の各パッド部21c,22cが金属膜で形成されている。発光装置10においては、基板1の上面に、カソードマークおよび認識マークが、パッド部21c,22cと同様に金属膜で形成されている。カソードマークは「−」形状で、発光装置10の使用時にパッド部21c,22cを識別するために、負極22のパッド部22c近傍に設けられている。認識マークは、発光装置10の製造において、基板1に発光素子4を実装する際の、位置を認識するための目印である。カソードマークおよび認識マークは、発光装置10の仕様によって位置および形状が設計され、あるいはなくてもよく、例えばカソードマークに代えてアノードマークが正極21のパッド部21c近傍に設けられていたり(図5に示す第2実施形態参照)、アノードマークとカソードマークの両方が設けられてもよい。
基板1は、発光装置10の基材であり、発光素子4等を配置する支持体であって、図1に示すように矩形平板状に形成されている。基板1は、一般的な半導体素子のCOBパッケージ用の基板と同様に、ある程度の強度を有する絶縁性材料で形成されたものが好ましく、また、発光素子4の発光した光や外光の透過し難い光透過率の低い材料で形成されたものが好ましい。具体的には、セラミックス(Al2O3,AlN等)、あるいはフェノール樹脂、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、BTレジン(bismaleimide triazine resin)、ポリフタルアミド(PPA)等の樹脂が挙げられる。これらの材料は、公知の方法で平板状に形成される。なお、基板1の形状および大きさは限定されず、製品としてユーザに提供する発光装置の形態や用途に応じて、適宜設計される。
正極21および負極22は、一対の電極として、基板1の上面に、実装領域1aを挟んで対向するように互いに離間した2つの金属膜として形成されている。正極21および負極22はそれぞれ、外部から発光素子4の駆動電圧を印加するためのパッド部21c,22c、発光素子4のパッド電極を電気的に接続するためのインナーリード部21a,22a、およびパッド部21c(22c)とインナーリード部21a(22a)を接続する配線部21b,22bからなる。パッド部21c,22cの形状および大きさならびに基板1における位置は、発光装置10において(封止後に)露出して、外部から電気的に接続可能であれば特に限定されず、発光装置10の形態や用途に応じて適宜設計される。インナーリード部21a,22aは、発光素子4,4,…のうちの配列の端に配置された発光素子4をワイヤボンディングにて接続可能なように、実装領域1aの周囲に実装領域1aから所定の間隔を空けてカギ型に形成される。
反射層3は、発光装置10の発光効率を向上させるために、発光素子4から下方へ出射した光を反射して発光装置10から上方へ照射させる反射膜である。さらに、本実施形態に係る発光装置10においては、両面電極構造の発光素子4(発光素子41)が搭載されるため、下面側の電極が電気的に反射層3に接続される。反射層3は、基板1の実装領域1aの発光素子4のそれぞれが載置される位置に、発光素子4の平面視形状よりも一回り大きく、かつ互いに短絡しないように反射層3,3間を空けて形成される。反射層3は、光反射率の高い金属膜であれば特に材料は限定されないが、Ag,Auが好ましく、可視光に対する反射率が高いAgが特に好ましい。AuはAgよりも光を吸収し易いが、例えば導電層2と共にAuめっき膜で反射層3を形成した後、Auめっき膜表面にTiO2膜をさらに形成することで、光反射率を高くすることができる。反射層3は、導電層2と同様に無電解めっきまたは電解めっきで基板1表面に形成することが好ましく、また反射層3の厚さは特に限定されないので、例えば導電層2と同じ厚さとして、基板1表面に同時に形成してもよい。あるいは、導電層2はAuめっき膜、反射層3はAgめっき膜として、別工程にてめっきを行ってもよい。
発光素子4は、電圧を印加することで自ら発光する半導体素子であり、窒化物半導体等から構成される公知の半導体発光素子を適用でき、面状発光装置の光源としては広い面積に光を出射する発光ダイオード(LED)が好ましい。発光素子4は、所望の発光色を得るために任意の波長のものを選択すればよい。具体的には、青色の光(波長430nm〜490nm)や緑色の光(波長490nm〜570nm)を発光する発光ダイオードとしては、InXAlYGa1-X-YN(0≦X、0≦Y、X+Y≦1)で表される窒化物系半導体を、赤色の光(波長620nm〜750nm)を発光する発光ダイオードとしては、GaAlAs,AlInGaP等で表されるヒ素系化合物やリン系化合物の半導体をそれぞれ適用することができ、さらに混晶比により発光色を変化させた発光ダイオードとなる。発光装置10から照射される光を赤色とする場合はGaAlAs等を適用すればよく、それ以外の色とする場合は、窒化物系半導体を適用し、さらに必要に応じて後記するように封止部材81,82に蛍光体を含有させる。本実施形態に係る発光装置10には、発光色の異なる2種類の発光ダイオードである発光素子41,42を搭載し、これらを適宜まとめて発光素子4と表す。
保護素子5は、ツェナーダイオードやコンデンサ等であり、過電圧印加による発光素子4の破壊を防止するために搭載される。保護素子5は、発光素子4から出射する光を遮らないように照射領域の外に配置されることが好ましく、したがって、枠体7に埋設されていることが好ましい。本実施形態に係る発光装置10においては、保護素子5は底面に図示しないアノード電極を備えてインナーリード部21a表面にはんだや導体ペースト等にて接続され、上面に備えたカソード電極がインナーリード部22aにワイヤボンディングにて接続される。
ワイヤWは、発光素子4(41,42)や保護素子5のような電子部品を正極21および負極22のインナーリード部21a,22aへ電気的に接続するための導電性の配線である。ワイヤWは、ワイヤボンディングにて一般的に使用されるワイヤであり、材料としては、Au,Cu,Pt,Alまたはそれらの合金が挙げられる。特に熱伝導率等に優れ、また発光素子4のパッド電極材料に一般に適用されるAuが好ましい。また、ワイヤWの径は特に限定されず、ワイヤWの材料、抵抗、ワイヤボンディングの条件、発光素子4や保護素子5の仕様等に応じて適宜選択される。
枠体7は基板1上に発光装置10の照射領域全体を区画し、この照射領域を透光壁6がさらに2つの照射領域11,12に区画する。透光壁6および枠体7は、後記するように、透光性樹脂材料を当該透光壁6、枠体7の内側、透光壁6と枠体7との間にそれぞれ充填して封止部材81,82および透明部材9を形成するための堰である。
本発明に係る発光装置10は、発光素子4およびワイヤWを封止(埋設)してこれらを保護し、かつ発光素子4が発光した光を透過させて外部へ取り出すための封止部材8として、図2に示すように、平面視で2つに区画された領域(照射領域11,12)のそれぞれに第1封止部材81および第2封止部材82を備える。詳しくは、第1封止部材81は透光壁6の内側に、第2封止部材82は透光壁6の外側であって枠体7との間に、それぞれ基板1上に液状の樹脂材料を充填して、前記したように発光素子4およびワイヤWを完全に埋設して露出させない高さに形成される。さらに、第1封止部材81および第2封止部材82の少なくとも一方は、蛍光物質(蛍光体)を含有して光が透過する際にその波長を変換する。
発光装置10においては、その照射領域の全体を被覆する透明部材9を備えることが好ましい。透明部材9は、図3に示すように、透光壁6および封止部材81,82により形成された表面の凹凸を均すようにこれらの上に形成されて発光装置10の外観を整え、また、透光壁6および封止部材81,82のそれぞれから照射した光を一体として取り出すことができる。透明部材9は、封止部材81,82と同様に、透光性樹脂材料を枠体7の内側に充填して形成される。透光壁6の表面形状は限定されず、例えば平坦であっても凸レンズ状(図5参照)であってもよく、製品としてユーザに提供する発光装置10の形態や用途に応じて適宜設計される。
次に、本発明の実施形態に係る発光装置の製造方法の一例を説明する。発光装置10は、一般的な半導体素子のCOBパッケージや従来の発光装置と同様の方法で製造できる。また、基板1が面方向に発光装置10の複数台分が連結した状態で製造されてもよく、この場合は、最後(透明部材9を形成した後)に、1台ずつに基板1を切断、分離して完成となる。
面状発光装置において、2以上に区画された照射領域のそれぞれから異なる色の光を照射して、全体で混色された一体の光とするためには、照射領域中心から外周に向けて色を変化させることが好ましい。発光素子として発光ダイオードを配列して搭載した発光装置においては、発光素子のそれぞれが光を全方位に放射することから、照射領域の境界近傍で混色される光が均一となる。以下、本発明の第1実施形態に係る発光装置の設計の一例を説明する。
このように設計された第1実施形態に係る発光装置の動作(光の照射)について、図4(a)を参照して説明する。図4(a)では、発光素子4(41,42)のパッド電極、ワイヤW、および反射層3を省略する。
第1実施形態に係る発光装置は、照射領域をマトリクス状の発光素子の配列に沿うように区画して、それぞれの照射領域に異なる発光色の発光素子を搭載したが、発光素子の配列に合わせることなく任意の平面視形状に区画されてもよい。以下、第2実施形態に係る発光装置について、図5および図6を参照して説明する。第1実施形態に係る発光装置10と同一の要素については同じ符号を付して説明を省略する。
次に、本発明の第2実施形態に係る発光装置の設計の一例およびその動作(光の照射)を説明する。本実施形態に係る発光装置10Aは、第1実施形態に係る発光装置10と同様に、照射領域の全体と中心が略一致する第1照射領域11Aと、これを囲む第2照射領域12Aとが区画され、それぞれ異なる色の光を照射する。ここでは、第1照射領域11Aにおいて、発光素子43を緑色LEDとし、波長変換をせずに緑色の光を照射する。一方、第2照射領域12Aにおいて、発光素子42を青色LEDとし、赤色蛍光体により赤紫(マゼンタ)色の光を照射する。したがって、発光装置10Aにおいては、第1実施形態と同様に、透光壁6Aは蛍光体を要しない第1照射領域11Aに設けられることが好ましい。なお、当然ながら発光装置10と同じ配色としてもよい。
第1、第2実施形態に係る発光装置は、区画した照射領域のそれぞれに、発光色の異なる発光素子を搭載し、さらに隣り合う照射領域の一方のみに蛍光体を含有した封止部材を設けて波長変換された光を照射するが、照射領域の他方にも、透光壁を含めて蛍光体にて波長変換された光を照射することもできる。以下、図5に示す第2実施形態に係る発光装置と同じ外観の発光装置について、透光壁に蛍光体を含有させた態様について、図7および図4(b)、(c)を参照して説明する。第1、第2実施形態と同一の要素については同じ符号を付して説明を省略する。
次に、本発明の第3実施形態に係る発光装置の設計の一例を説明する。本実施形態に係る発光装置10Bは、第1、第2実施形態と同様に、照射領域の全体と中心が略一致する第1照射領域11Bと、これを囲む第2照射領域12Bとが区画され、それぞれ異なる色の光を照射して全体として自然光に近い白色光となるように設計される。1種類の発光素子4を備える発光装置10Bにおいては、発光素子4として青色LEDを搭載し、赤色蛍光体と緑色蛍光体を用いて、照射領域11B,12Bからそれぞれ波長変換された異なる色の光を照射するものとする。
このように設計された第2実施形態に係る発光装置の動作(光の照射)について、図4(b)、(c)を参照して説明する。図4(b)、(c)では、図4(a)と同様に発光素子4のパッド電極、ワイヤW、および反射層3Aを省略する。前記した通り、発光素子4は青色LEDであり、第1封止部材81Aに含有される蛍光体FL1は緑色蛍光体、第2封止部材82および透光壁6Bに含有される蛍光体FL2は赤色蛍光体である。
さらに演色性をいっそう向上させるために、第3実施形態の変形例に係る発光装置として、図7に示す前記第3実施形態に係る発光装置10Bの、第1照射領域11Bから波長555nmの光(黄緑色)にできるだけ近い光を、第2照射領域12Bから色温度2700〜4000Kの光(黄色みがかった白色)またはそれに近い光を、それぞれ照射するように設計する。前記した通り、照射領域の中心から波長555nmの光を照射することが好ましく、一方、照射領域の最外周から当該照射領域の全体で表そうとする色温度2700〜4000Kの光に近い光を照射することにより、発光装置の照射面に正対していない方向から見ても比較的均一な色の光が照射される。
第1、第2、第3実施形態に係る発光装置は、いずれも照射領域を中心領域とその周囲の環状領域とに区画して配色された光を照射するが、照射領域の形状はこれに限られない。以下、図5に示す第2、第3実施形態に係る発光装置と同じ外観の発光装置について、照射領域の形状を変えて区画したものについて図8および図9を参照して説明する。発光装置10,10A,10Bと同一の要素については同じ符号を付して説明を省略する。
1,1A 基板
1a 実装領域
11,11A,11B,11C,11D 第1照射領域(照射領域)
12,12A,12B,12C,12D 第2照射領域(照射領域)
21,21A 正極
21a インナーリード部(リード電極)
21b 配線部
21c パッド部
22,22A 負極
22a インナーリード部(リード電極)
22b 配線部
22c パッド部
3,3A 反射層
4 発光素子
41,42,43 発光素子
5 保護素子
6,6A,6B,6C,6D 透光壁(壁体)
7,7A 枠体
8 封止部材
81,81A 第1封止部材(封止部材)
82 第2封止部材(封止部材)
9,9A 透明部材(透光部材)
FL,FL1,FL2 蛍光体
Claims (10)
- 基板と、前記基板上の実装領域に配列された複数の発光素子と、前記基板上に形成された一対のリード電極と、前記基板上の前記実装領域の周囲に形成された枠体と、前記複数の発光素子を封止して当該複数の発光素子が発光した光を透過させる封止部材と、を備え、前記複数の発光素子のそれぞれの一対の電極が前記一対のリード電極に電気的に接続され、前記実装領域が2以上の照射領域に区画されて、前記複数の発光素子が発光した光を前記照射領域のそれぞれから異なる色の光として照射する発光装置において、
隣り合う2つの前記照射領域の一方に、他方と区切る壁体をさらに備え、
前記封止部材は、前記壁体にまたは前記壁体と前記枠体とに囲まれた内側に充填されて、前記照射領域毎に分離されて備えられ、
前記隣り合う2つの照射領域のそれぞれにおける前記封止部材は、いずれか一方のみが蛍光体を含有し、あるいは互いに異なる蛍光体を含有し、
前記壁体は、当該壁体が設けられた照射領域に載置された前記発光素子の少なくとも一部を被覆し、前記被覆された発光素子が発光した光を透過させる材料からなることを特徴とする発光装置。 - 前記壁体は、当該壁体が設けられた照射領域から照射する光の色に対応した蛍光体を含有することを特徴とする請求項1に記載の発光装置。
- 前記壁体は、隣接する封止部材の少なくとも1つと屈折率が異なる材料からなることを特徴とする請求項1または請求項2に記載の発光装置。
- 前記発光素子は、異なる色の光を発光する2種類以上が配列されていることを特徴とする請求項1ないし請求項3のいずれか一項に記載の発光装置。
- 前記発光素子は、隣り合う2つの前記照射領域の境界上に載置されていないことを特徴とする請求項1ないし請求項4のいずれか一項に記載の発光装置。
- 前記枠体は、前記複数の発光素子が発光した光を上方へ照射するように内壁面を反射面とすることを特徴とする請求項1ないし請求項5のいずれか一項に記載の発光装置。
- 前記枠体の内側に充填されて、前記壁体および前記封止部材の上に形成され、前記発光素子が発光した光を透過させる透光部材をさらに備えることを特徴とする請求項1ないし請求項6のいずれか一項に記載の発光装置。
- 前記照射領域の1つは、その平面視における中心が、前記実装領域の平面視における中心と略一致し、
前記1つの照射領域を囲うように隣り合う他の前記照射領域が区画されていることを特徴とする請求項1ないし請求項7のいずれか一項に記載の発光装置。 - 平面視における最外周の前記照射領域から照射する光は、色温度が2700〜4000Kの範囲に最も近いことを特徴とする請求項8に記載の発光装置。
- 前記2以上の照射領域は、前記実装領域の平面視における周縁寄りの前記照射領域の方が波長の長い光を照射することを特徴とする請求項8または請求項9に記載の発光装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011189814A JP5810758B2 (ja) | 2011-08-31 | 2011-08-31 | 発光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011189814A JP5810758B2 (ja) | 2011-08-31 | 2011-08-31 | 発光装置 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2013051375A true JP2013051375A (ja) | 2013-03-14 |
JP2013051375A5 JP2013051375A5 (ja) | 2014-09-25 |
JP5810758B2 JP5810758B2 (ja) | 2015-11-11 |
Family
ID=48013195
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011189814A Active JP5810758B2 (ja) | 2011-08-31 | 2011-08-31 | 発光装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5810758B2 (ja) |
Cited By (35)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2014022435A (ja) * | 2012-07-13 | 2014-02-03 | Toyoda Gosei Co Ltd | 発光装置及びその製造方法 |
JP2014229759A (ja) * | 2013-05-23 | 2014-12-08 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
JP2015046513A (ja) * | 2013-08-28 | 2015-03-12 | 日亜化学工業株式会社 | 波長変換部材、発光装置、及び発光装置の製造方法 |
KR101527430B1 (ko) * | 2014-06-17 | 2015-06-11 | (주)에너브레인 | 씨오비 타입 발광다이오드 램프 및 그 제조방법 |
WO2015110875A1 (en) * | 2014-01-21 | 2015-07-30 | Koninklijke Philips N.V. | Hybrid chip-on-board led module with patterned encapsulation |
JP2016029720A (ja) * | 2014-07-18 | 2016-03-03 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置およびその製造方法 |
USD751045S1 (en) | 2014-06-16 | 2016-03-08 | Citizen Electronics Co., Ltd. | Light emitting diode |
USD751046S1 (en) | 2014-06-16 | 2016-03-08 | Citizen Electronics Co., Ltd. | Light emitting diode |
USD751517S1 (en) | 2014-06-16 | 2016-03-15 | Citizen Electronics Co., Ltd. | Light emitting diode |
JP2016092373A (ja) * | 2014-11-11 | 2016-05-23 | 豊田合成株式会社 | 発光装置 |
JP2016129229A (ja) * | 2015-01-05 | 2016-07-14 | シチズン電子株式会社 | Led発光装置 |
JP2016523443A (ja) * | 2013-12-17 | 2016-08-08 | フィリップス ライティング ホールディング ビー ヴィ | 固体発光体パッケージ、発光デバイス、可撓性ledストリップ及び照明器具 |
JP2016167572A (ja) * | 2015-03-02 | 2016-09-15 | 豊田合成株式会社 | 発光装置 |
WO2016208245A1 (ja) * | 2015-06-26 | 2016-12-29 | オリンパス株式会社 | 光ファイババンドルおよびそれを用いた内視鏡のための照明装置 |
JP2017022150A (ja) * | 2015-07-07 | 2017-01-26 | 日亜化学工業株式会社 | 線状光源 |
JP2017054996A (ja) * | 2015-09-10 | 2017-03-16 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 発光装置、及び照明装置 |
JP2017103416A (ja) * | 2015-12-04 | 2017-06-08 | シチズン電子株式会社 | Led発光モジュール |
CN106887507A (zh) * | 2015-10-30 | 2017-06-23 | 日亚化学工业株式会社 | 发光装置及其制造方法 |
JP2017143104A (ja) * | 2016-02-08 | 2017-08-17 | シチズン電子株式会社 | 発光装置 |
US9741698B2 (en) | 2014-06-10 | 2017-08-22 | Toyoda Gosei Co., Ltd. | Light-emitting device |
JP2017152666A (ja) * | 2016-02-25 | 2017-08-31 | 豊田合成株式会社 | 発光装置 |
JP2018022859A (ja) * | 2015-10-30 | 2018-02-08 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置及びその製造方法 |
JP2018046113A (ja) * | 2016-09-13 | 2018-03-22 | シチズン電子株式会社 | 発光装置 |
JP2018085356A (ja) * | 2016-11-21 | 2018-05-31 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置の製造方法 |
JP2018518059A (ja) * | 2015-06-17 | 2018-07-05 | オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツングOsram Opto Semiconductors GmbH | 発光ダイオード装置および該発光ダイオード装置を製造するための方法 |
US10153408B2 (en) | 2016-09-07 | 2018-12-11 | Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. | Light-emitting apparatus and illumination apparatus |
JP2018206886A (ja) * | 2017-06-01 | 2018-12-27 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 発光装置、及び、照明装置 |
JP2019096741A (ja) * | 2017-11-22 | 2019-06-20 | シチズン電子株式会社 | 発光装置 |
JP2019121678A (ja) * | 2018-01-04 | 2019-07-22 | シチズン電子株式会社 | 発光装置 |
EP3531515A1 (en) | 2018-02-06 | 2019-08-28 | Seiko Epson Corporation | Light source apparatus, illuminator, and projector |
US10461065B2 (en) | 2015-11-30 | 2019-10-29 | Nichia Corporation | Method of manufacturing light emitting device |
JP2020161649A (ja) * | 2019-03-27 | 2020-10-01 | 日亜化学工業株式会社 | 発光モジュールの製造方法 |
EP2996164B1 (en) * | 2013-05-08 | 2021-06-16 | LG Innotek Co., Ltd. | Light emitting device |
JP2021108384A (ja) * | 2016-06-29 | 2021-07-29 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置及び光源 |
JP2021163807A (ja) * | 2020-03-31 | 2021-10-11 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011096739A (ja) * | 2009-10-27 | 2011-05-12 | Panasonic Electric Works Co Ltd | 発光装置 |
WO2012031704A1 (de) * | 2010-09-06 | 2012-03-15 | Heraeus Noblelight Gmbh | Verfahren zur beschichtung eines optoelektronischen chip-on-board-moduls und optoelektronisches chip-on-board-modul |
-
2011
- 2011-08-31 JP JP2011189814A patent/JP5810758B2/ja active Active
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011096739A (ja) * | 2009-10-27 | 2011-05-12 | Panasonic Electric Works Co Ltd | 発光装置 |
WO2012031704A1 (de) * | 2010-09-06 | 2012-03-15 | Heraeus Noblelight Gmbh | Verfahren zur beschichtung eines optoelektronischen chip-on-board-moduls und optoelektronisches chip-on-board-modul |
JP2013538458A (ja) * | 2010-09-06 | 2013-10-10 | ヘレーウス ノーブルライト ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング | オプトエレクトロニクスチップオンボードモジュールのコーティング方法及びオプトエレクトロニクスチップオンボードモジュール |
Cited By (53)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2014022435A (ja) * | 2012-07-13 | 2014-02-03 | Toyoda Gosei Co Ltd | 発光装置及びその製造方法 |
EP2996164B1 (en) * | 2013-05-08 | 2021-06-16 | LG Innotek Co., Ltd. | Light emitting device |
JP2014229759A (ja) * | 2013-05-23 | 2014-12-08 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
JP2015046513A (ja) * | 2013-08-28 | 2015-03-12 | 日亜化学工業株式会社 | 波長変換部材、発光装置、及び発光装置の製造方法 |
US9537062B2 (en) | 2013-12-17 | 2017-01-03 | Philips Lighting Holding B.V. | Solid state light emitter package, a light emission device, a flexible LED strip and a luminaire |
JP2016523443A (ja) * | 2013-12-17 | 2016-08-08 | フィリップス ライティング ホールディング ビー ヴィ | 固体発光体パッケージ、発光デバイス、可撓性ledストリップ及び照明器具 |
JP2017506003A (ja) * | 2014-01-21 | 2017-02-23 | コーニンクレッカ フィリップス エヌ ヴェKoninklijke Philips N.V. | パターン付けされた封止材を伴うハイブリッドチップオンボードledモジュール |
US10490710B2 (en) | 2014-01-21 | 2019-11-26 | Lumileds Llc | Hybrid chip-on-board LED module with patterned encapsulation |
JP2020065071A (ja) * | 2014-01-21 | 2020-04-23 | ルミレッズ ホールディング ベーフェー | パターン付けされた封止材を伴うハイブリッドチップオンボードledモジュール |
US9905737B2 (en) | 2014-01-21 | 2018-02-27 | Lumileds Llc | Hybrid chip-on-board LED module with patterned encapsulation |
TWI656664B (zh) * | 2014-01-21 | 2019-04-11 | 荷蘭皇家飛利浦有限公司 | 具有經圖案化之囊封之混合式板上晶片發光二極體模組 |
WO2015110875A1 (en) * | 2014-01-21 | 2015-07-30 | Koninklijke Philips N.V. | Hybrid chip-on-board led module with patterned encapsulation |
CN105917466A (zh) * | 2014-01-21 | 2016-08-31 | 皇家飞利浦有限公司 | 具有图案化封装的混合板上芯片led模块 |
US11075327B2 (en) | 2014-01-21 | 2021-07-27 | Lumileds Llc | Hybrid chip-on-board LED module with patterned encapsulation |
US9741698B2 (en) | 2014-06-10 | 2017-08-22 | Toyoda Gosei Co., Ltd. | Light-emitting device |
USD751045S1 (en) | 2014-06-16 | 2016-03-08 | Citizen Electronics Co., Ltd. | Light emitting diode |
USD781255S1 (en) | 2014-06-16 | 2017-03-14 | Citizen Electronics Co., Ltd. | Light emitting diode |
USD751517S1 (en) | 2014-06-16 | 2016-03-15 | Citizen Electronics Co., Ltd. | Light emitting diode |
USD751046S1 (en) | 2014-06-16 | 2016-03-08 | Citizen Electronics Co., Ltd. | Light emitting diode |
KR101527430B1 (ko) * | 2014-06-17 | 2015-06-11 | (주)에너브레인 | 씨오비 타입 발광다이오드 램프 및 그 제조방법 |
US9608182B2 (en) | 2014-07-18 | 2017-03-28 | Nichia Corporation | Light emitting device and method for manufacturing the same |
JP2016029720A (ja) * | 2014-07-18 | 2016-03-03 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置およびその製造方法 |
JP2016092373A (ja) * | 2014-11-11 | 2016-05-23 | 豊田合成株式会社 | 発光装置 |
US10539274B2 (en) | 2014-11-11 | 2020-01-21 | Toyoda Gosei Co., Ltd. | Light emitting device |
JP2016129229A (ja) * | 2015-01-05 | 2016-07-14 | シチズン電子株式会社 | Led発光装置 |
JP2016167572A (ja) * | 2015-03-02 | 2016-09-15 | 豊田合成株式会社 | 発光装置 |
JP2018518059A (ja) * | 2015-06-17 | 2018-07-05 | オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツングOsram Opto Semiconductors GmbH | 発光ダイオード装置および該発光ダイオード装置を製造するための方法 |
WO2016208245A1 (ja) * | 2015-06-26 | 2016-12-29 | オリンパス株式会社 | 光ファイババンドルおよびそれを用いた内視鏡のための照明装置 |
JP2017022150A (ja) * | 2015-07-07 | 2017-01-26 | 日亜化学工業株式会社 | 線状光源 |
JP2017054996A (ja) * | 2015-09-10 | 2017-03-16 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 発光装置、及び照明装置 |
US9812620B2 (en) | 2015-10-30 | 2017-11-07 | Nichia Corporation | Light emitting device and method of manufacturing the light emitting device |
JP2018022859A (ja) * | 2015-10-30 | 2018-02-08 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置及びその製造方法 |
CN106887507A (zh) * | 2015-10-30 | 2017-06-23 | 日亚化学工业株式会社 | 发光装置及其制造方法 |
US10461065B2 (en) | 2015-11-30 | 2019-10-29 | Nichia Corporation | Method of manufacturing light emitting device |
US11791324B2 (en) | 2015-11-30 | 2023-10-17 | Nichia Corporation | Light emitting device |
US11393803B2 (en) | 2015-11-30 | 2022-07-19 | Nichia Corporation | Light emitting device |
US10825803B2 (en) | 2015-11-30 | 2020-11-03 | Nichia Corporation | Light emitting device |
JP2017103416A (ja) * | 2015-12-04 | 2017-06-08 | シチズン電子株式会社 | Led発光モジュール |
JP2017143104A (ja) * | 2016-02-08 | 2017-08-17 | シチズン電子株式会社 | 発光装置 |
JP2017152666A (ja) * | 2016-02-25 | 2017-08-31 | 豊田合成株式会社 | 発光装置 |
JP7277804B2 (ja) | 2016-06-29 | 2023-05-19 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置及び光源 |
JP2021108384A (ja) * | 2016-06-29 | 2021-07-29 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置及び光源 |
US10153408B2 (en) | 2016-09-07 | 2018-12-11 | Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. | Light-emitting apparatus and illumination apparatus |
JP2018046113A (ja) * | 2016-09-13 | 2018-03-22 | シチズン電子株式会社 | 発光装置 |
JP2018085356A (ja) * | 2016-11-21 | 2018-05-31 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置の製造方法 |
JP2018206886A (ja) * | 2017-06-01 | 2018-12-27 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 発光装置、及び、照明装置 |
JP7063583B2 (ja) | 2017-11-22 | 2022-05-09 | シチズン電子株式会社 | 発光装置 |
JP2019096741A (ja) * | 2017-11-22 | 2019-06-20 | シチズン電子株式会社 | 発光装置 |
JP2019121678A (ja) * | 2018-01-04 | 2019-07-22 | シチズン電子株式会社 | 発光装置 |
EP3531515A1 (en) | 2018-02-06 | 2019-08-28 | Seiko Epson Corporation | Light source apparatus, illuminator, and projector |
JP2020161649A (ja) * | 2019-03-27 | 2020-10-01 | 日亜化学工業株式会社 | 発光モジュールの製造方法 |
JP2021163807A (ja) * | 2020-03-31 | 2021-10-11 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
JP7492119B2 (ja) | 2020-03-31 | 2024-05-29 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP5810758B2 (ja) | 2015-11-11 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5810758B2 (ja) | 発光装置 | |
JP6079629B2 (ja) | 発光装置 | |
US9093357B2 (en) | Light emitting device | |
US9305903B2 (en) | Light-emitting device and method of manufacturing the same | |
JP5768435B2 (ja) | 発光装置 | |
US8735914B2 (en) | Light emitting device having plural light-emitting sections with resin walls within resin frame | |
KR101251821B1 (ko) | 발광 소자 패키지 | |
CN107482099B (zh) | 发光二极管封装结构 | |
JP6107415B2 (ja) | 発光装置 | |
JP5598323B2 (ja) | 発光装置および発光装置の製造方法 | |
JP5740976B2 (ja) | 発光装置および発光装置の製造方法 | |
JP5082427B2 (ja) | 発光装置 | |
JP2009065137A (ja) | 発光装置 | |
JP2007081090A (ja) | 白色発光体及び照明装置 | |
JP2020141149A (ja) | 発光装置 | |
US10707189B2 (en) | Light-emitting device | |
JP6959548B2 (ja) | 発光装置およびその製造方法 | |
JP2017162942A (ja) | 発光装置、及び、照明装置 | |
JP2011192703A (ja) | 発光装置及び照明装置 | |
KR20110018777A (ko) | 발광 다이오드 패키지 | |
JP5573602B2 (ja) | 発光装置 | |
JP6225910B2 (ja) | 発光装置 | |
JP2017204502A (ja) | 発光装置及びその製造方法 | |
KR20140004505U (ko) | 광혼합식 발광 다이오드의 구조 | |
KR20130014755A (ko) | 발광 소자 패키지 및 조명 시스템 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20140807 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20140807 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20150526 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20150527 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20150706 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20150818 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20150831 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5810758 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |