KR20110018777A - 발광 다이오드 패키지 - Google Patents

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KR20110018777A
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light emitting
emitting diode
diode package
package
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이진복
박희석
김형근
이영진
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삼성엘이디 주식회사
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Abstract

본 발명은 발광 다이오드 패키지에 관한 것으로서, 제1 캐비티 및 상기 제1 캐비티 보다 작은 크기의 제2 캐비티가 구비된 패키지 몰드; 상기 제1 캐비티 및 상기 제2 캐비티의 바닥면에 구비된 제1 전극패드 및 제2 전극패드; 상기 제1 전극패드 상에 실장된 LED 칩; 상기 LED 칩과 상기 제2 전극패드의 전기적 연결을 위한 와이어; 및 상기 제1 캐비티 및 상기 제2 캐비티에 충진된 몰딩재;를 포함하는 발광 다이오드 패키지를 제공한다.
LED, 캐비티(cavity), 휘도

Description

발광 다이오드 패키지{Light emitting diode package}
본 발명은 발광 다이오드 패키지에 관한 것으로서, 보다 상세하게는, LED 칩이 실장되는 캐비티의 크기를 최소화하여 휘도가 향상되도록 한 발광 다이오드 패키지에 관한 것이다.
발광 다이오드(Light Emitting Diode, 이하, LED라 한다)는 GaAs, AlGaAs, GaN, InGaInP 등의 화합물 반도체(compound semiconductor) 재료의 변경을 통해 발광원을 구성함으로서, 다양한 색의 빛을 구현할 수 있는 반도체 소자를 말한다.
일반적으로, LED 제품의 특성을 결정하는 요소로는 색(color), 휘도 및 광변환 효율 등이 있다. 이러한 LED 제품의 특성은 1차적으로 LED에 사용되고 있는 화합물 반도체 재료에 의해 결정되지만, 2차적인 요소로 LED 칩을 실장하기 위한 패키지의 구조에 의해서도 큰 영향을 받는다.
이에 따라, 최근 사용자 요구에 따른 고휘도 제품을 얻기 위해서는 재료개발 등에 의한 1차적인 요소만으로 한계가 있어 패키지 구조 등에 많은 관심을 갖게 되 었다. 특히, LED 패키지의 사용 범위가 실내외 조명 장치, LCD(Liquid Crystal Display)의 백라이트 유닛(back light unit), 자동차 헤드램프 등 다양한 분야로 확대됨에 따라, 고휘도 특성이 필요하게 되었다.
휘도의 단위는 cd/㎟ 로서, 동일 광속이라면 광원의 면적이 줄어들수록 휘도가 증가하게 된다. 따라서, 고휘도의 LED를 얻기 위해서는 광원 크기의 최소화가 요구되고 있다.
종래기술에 따른 LED 패키지는, 캐비티(cavity)가 형성된 패키지 몰드 내에 LED 칩을 실장하고, 와이어 본딩한 후 상기 캐비티에 투광성 수지를 도포하여 제작한다.
그러나, 이러한 종래기술에 따른 LED 패키지는, 캐비티 내에 LED 칩과 함께 와이어가 모두 위치하므로, 캐비티의 크기를 줄이는데 큰 제약을 받는다. 이때 캐비티의 크기가 크면, 그에 따라 광학계에서 느끼는 실제 광원의 크기도 커지므로, 휘도가 저하되는 문제점이 있다.
따라서, 본 발명은 상기 문제점을 해결하기 위하여 이루어진 것으로서, 본 발명의 목적은, LED 칩이 실장되는 캐비티의 크기를 줄임으로써, 광원의 크기를 줄여 휘도를 향상시킬 수 있는 발광 다이오드 패키지를 제공하는데 있다.
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명의 실시예에 의한 발광 다이오드 패키지는, 제1 캐비티 및 상기 제1 캐비티 보다 작은 크기의 제2 캐비티가 구비된 패키지 몰드; 상기 제1 캐비티 및 상기 제2 캐비티의 바닥면에 구비된 제1 전극패드 및 제2 전극패드; 상기 제1 전극패드 상에 실장된 LED 칩; 상기 LED 칩과 상기 제2 전극패드의 전기적 연결을 위한 와이어; 및 상기 제1 캐비티 및 상기 제2 캐비티에 충진된 몰딩재;를 포함할 수 있다.
여기서, 상기 제1 캐비티와 상기 제2 캐비티는 동일한 깊이로 형성될 수 있다.
그리고, 상기 제2 캐비티는 상기 제1 캐비티 보다 얕은 깊이로 형성될 수 있다.
또한, 상기 제1 캐비티와 상기 제2 캐비티는 서로 접하도록 구비될 수 있다.
또한, 상기 제1 캐비티와 상기 제2 캐비티는 서로 이격되도록 구비될 수 있다.
또한, 상기 제1 캐비티와 상기 제2 캐비티의 상부가 서로 통하도록 상기 제1 캐비티와 상기 제2 캐비티의 사이의 상기 패키지 몰드에 형성된 홈;을 더 포함할 수 있다.
또한, 상기 홈은 상기 제2 캐비티보다 작은 크기를 갖
또한, 상기 홈은 상기 제1 캐비티보다 얕은 깊이로 형성될 수 있다.
그리고, 상기 목적을 달성하기 위한 본 발명의 다른 실시예에 의한 발광 다이오드 패키지는, 제1 캐비티 및 상기 제1 캐비티 보다 작은 크기를 갖는 복수의 제2 캐비티가 구비된 패키지 몰드; 상기 제1 캐비티의 바닥면에 상기 제2 캐비티와 동일한 갯수로 구비된 복수의 제1 전극패드; 상기 제2 캐비티의 바닥면에 구비된 제2 전극패드; 상기 각각의 제1 전극패드 상에 실장된 LED 칩; 상기 LED 칩과 상기 제2 전극패드의 전기적 연결을 위한 와이어; 및 상기 제1 캐비티 및 상기 제2캐비티에 충진된 몰딩재;를 포함할 수 있다.
여기서, 상기 제1 캐비티와 상기 제2 캐비티는 동일한 깊이로 형성될 수 있다.
또한, 상기 제2 캐비티는 상기 제1 캐비티 보다 얕은 깊이로 형성될 수 있다.
또한, 상기 제1 캐비티와 상기 제2 캐비티는 서로 접하도록 구비될 수 있다.
또한, 상기 제1 캐비티와 상기 제2 캐비티는 서로 이격되도록 구비될 수 있다.
이상에서 설명한 바와 같이, 본 발명에 따른 발광 다이오드 패키지에 의하면, LED 칩이 실장될 수 있는 최소한의 크기로 제1 캐비티를 형성하고, 상기 LED 칩과 전기적으로 연결되는 와이어가 본딩되는 제2 캐비티를 상기 제1 캐비티와 인접한 곳에 상기 제1 캐비티보다 작은 크기로 형성함으로써, 캐비티의 전체적인 크기를 줄일 수 있다.
따라서, 본 발명은 자동차 헤드램프 등에 적용되는 LED 광원의 크기를 줄여 휘도를 향상시킬 수 있는 효과가 있다.
본 발명에 따른 발광 다이오드 패키지의 상기 목적에 대한 기술적 구성을 비롯한 작용효과에 관한 사항은 본 발명의 바람직한 실시예가 도시된 도면을 참조한 아래의 상세한 설명에 의해서 명확하게 이해될 것이다.
< 제1 실시예 >
도 1 내지 도 3을 참조하여 본 발명의 제1 실시예에 따른 발광 다이오드 패키지에 대하여 상세히 설명한다.
도 1은 본 발명의 제1 실시예에 따른 발광 다이오드 패키지의 구조를 나타낸 평면도이고, 도 2는 도 1에 도시된 발광 다이오드 패키지의 구조를 나타낸 단면도 이며, 도 3은 본 발명의 제1 실시예에 따른 발광 다이오드 패키지의 변형예를 나타낸 단면도이다.
먼저 도 1 및 도 2에 도시된 바와 같이, 본 발명의 제1 실시예에 따른 발광 다이오드 패키지(100)는, 중앙부에 제1 캐비티(115a) 및 상기 제1 캐비티(115a) 보다 작은 크기의 제2 캐비티(115b)가 구비된 패키지 몰드(110)와, 상기 제1 캐비티(115a) 및 상기 제2 캐비티(115b) 각각의 바닥면에 구비된 제1 전극패드(120a) 및 제2 전극패드(120b)와, 상기 제1 캐비티(115a)의 상기 제1 전극패드(120a) 상에 실장된 LED 칩(130), 및 상기 LED 칩(130)과 상기 제2 전극패드(120b)의 전기적 연결을 위한 와이어(140)를 포함한다.
상기 제1 캐비티(115a)와 상기 제2 캐비티(115b)로 이루어진 캐비티(115)를 구비하는 상기 패키지 몰드(110)는 플라스틱 재질 등으로 이루어질 수 있고, 이는 일반적인 프리 몰딩(pre-molding) 공정 등에 의해 형성이 가능하다.
상기 제1 전극패드(120a)와 상기 제2 전극패드(120b)로 이루어진 한 쌍의 전극패드(120)는 상기 LED 칩(130)에 전류를 공급해주며, 구리 등의 도전성 재질로 이루어질 수 있다.
그리고, 상기 제1 전극패드(120a) 상에 실장되는 상기 LED 칩(130)으로는 통상적인 GaN 계열의 LED 칩 등을 사용할 수 있다.
상기 와이어(140)는 금(Au) 또는 구리(Cu) 등으로 이루어질 수 있다.
상기 제1 캐비티(115a) 및 상기 제2 캐비티(115b) 내에는 몰딩재(150)가 충진되어 상기 LED 칩(130) 및 상기 와이어(140)를 보호한다.
상기 몰딩재(150)는, 구현하려는 LED 칩(130)의 색상에 따라 투광성 수지 또는 형광체가 포함되어 있는 투광성 수지 등으로 이루어질 수 있다.
상기 투광성 수지로는 실리콘 수지 또는 에폭시 수지 등이 사용될 수 있다.
상기 몰딩재(150)는 상기한 바와 같이 형광체가 섞인 투광성 수지로 이루어질 수도 있으며, 상기 형광체는 LED 칩(130)에서 발생되어 방출되는 특정 파장의 빛을 흡수하여 다른 파장의 빛으로 변환시키는 역할을 하게 된다.
상기 몰딩재(150)는 디스펜싱(dispensing) 등과 같은 방식으로 상기 캐비티(115) 내에 충진될 수 있다.
여기서, 상기 제1 캐비티(115a)는 상기 LED 칩(130)이 실장될 수 있는 최소한의 크기로 형성되는 것이 바람직하다.
그리고, 상기 제1 캐비티(115a) 보다 작은 크기를 갖도록 형성되는 상기 제2 캐비티(115b)는, 상기 와이어(140)와 본딩되는 상기 제2 전극패드(120b)를 형성할 수 있는 최소한의 크기로 형성되는 것이 바람직하다.
이때 상기 와이어(140)의 길이가 최소화될 수 있도록, 상기 제1 캐비티(115a)와 상기 제2 캐비티(115b)는 도 1에서와 같이 서로 접하도록 구비되는 것이 바람직하다.
이와 같은 본 발명의 제1 실시예에 따른 발광 다이오드 패키지에 따르면, 상기 LED 칩(130)이 실장될 수 있는 최소한의 크기로 제1 캐비티(115a)를 형성하고, 상기 LED 칩(130)과 전기적으로 연결되는 와이어(140)가 본딩되는 제2 캐비티(115b)를 상기 제1 캐비티(115a)와 인접한 곳에 상기 제1 캐비티(115a)보다 작은 크기로 형성함으로써, LED 광원의 실제 크기에 해당하는 상기 캐비티(115)의 전체적인 크기를 줄일 수가 있다.
따라서, 본 발명의 제1 실시예에 따른 발광 다이오드 패키지는, 상기한 바와 같이 광원의 크기를 최소화하여 휘도를 향상시킬 수 있는 효과가 있다.
한편, 상기 패키지 몰드(110)의 상기 제1 캐비티(115a)와 상기 제2 캐비티(115b)는 동일한 깊이로 형성될 수도 있지만, 도 3에 도시된 본 발명의 제1 실시예에 따른 발광 다이오드 패키지의 변형예와 같이, 상기 제2 캐비티(115b)가 상기 제1 캐비티(115a) 보다 얕은 깊이로 형성될 수도 있다.
상기 제2 캐비티(115b)가 상기 제1 캐비티(115a) 보다 얕은 깊이로 형성되는 경우, 상기 제2 캐비티(115b)의 바닥면이 상기 제1 캐비티(115a)의 바닥면에 비해 높은 곳에 위치하게 된다.
따라서, 상기 제2 캐비티(115b)의 바닥면에 구비된 상기 제2 전극패드(120b)에 본딩되는 상기 와이어(140)가 구부러지는 정도를 줄여, 상기 와이어(140)의 파손을 방지할 수 있는 장점이 있다.
< 제2 실시예 >
도 4 및 도 5를 참조하여 본 발명의 제2 실시예에 따른 발광 다이오드 패키지에 대하여 상세히 설명한다. 다만, 제2 실시예의 구성 중 제1 실시예와 동일한 부분에 대한 설명은 생략하고, 제2 실시예에서 달라지는 구성에 대해서만 상술하기로 한다.
도 4는 본 발명의 제2 실시예에 따른 발광 다이오드 패키지의 구조를 나타낸 평면도이고, 도 5는 도 4에 도시된 발광 다이오드 패키지의 구조를 나타낸 단면도이다.
도 4 및 도 5에 도시된 바와 같이, 본 발명의 제2 실시예에 따른 발광 다이오드 패키지(100)는, 제1 실시예에 따른 발광 다이오드 패키지와 대부분의 구성이 동일하고, 다만 상기 제1 캐비티(115a)와 상기 제2 캐비티(115b)가 서로 접하지 않고 이격되어 있다는 점에서만 제1 실시예와 다르다.
이와 같은 본 발명의 제2 실시예에 따른 발광 다이오드 패키지(100)는, 상기 와이어(140)와 본딩되는 제2 전극패드(120b)가 바닥면에 구비되는 상기 제2 캐비티(115b)가 상기 LED 칩(130)이 실장되는 제1 캐비티(115a)와 분리되도록 형성됨으로써, 광원의 실제 크기가 상기 제1 캐비티(115a)의 크기가 되도록 할 수 있다.
즉, 본 발명의 제2 실시예에 따르면, 상기 제2 캐비티(115a)가 광학적으로 영향을 미칠 수 없게 할 수 있는 바, 광원의 실제 크기를 더욱 줄일 수 있는 장점이 있다.
< 제3 실시예 >
도 6 내지 도 8을 참조하여 본 발명의 제3 실시예에 따른 발광 다이오드 패키지에 대하여 상세히 설명한다. 다만, 제3 실시예의 구성 중 제2 실시예와 동일한 부분에 대한 설명은 생략하고, 제3 실시예에서 달라지는 구성에 대해서만 상술하기로 한다.
도 6은 본 발명의 제3 실시예에 따른 발광 다이오드 패키지의 구조를 나타낸 평면도이고, 도 7은 도 6의 Ⅰ-Ⅰ'을 따라 자른 단면도이며, 도 8은 도 6의 Ⅱ-Ⅱ'을 따라 자른 단면도이다.
도 6 내지 도 8에 도시된 바와 같이, 본 발명의 제3 실시예에 따른 발광 다이오드 패키지(100)는, 제2 실시예에 따른 발광 다이오드 패키지와 대부분의 구성이 동일하고, 다만, 서로 이격된 상기 제1 캐비티(115a)와 제2 캐비티(115b) 사이의 패키지 몰드(110)에, 상기 제1 캐비티(115a)와 제2 캐비티(115b)의 상부가 서로 통하도록 홈(160)이 추가로 형성되어 있다는 점에서만 제2 실시예와 다르다.
본 발명의 제3 실시예에 따르면 상기 제1 캐비티(115a)와 상기 제2 캐비티(115b) 사이에 홈(160)이 형성됨으로써, 상기 제1 캐비티(115a)와 제2 캐비티(115b) 사이에 위치하는 와이어(140)가 앞서의 제2 실시예에서와 같이 패키지 몰드(110) 상부로 돌출되는 것을 막을 수 있다.
즉, 상기 홈(160)은 상기 제1 캐비티(115a)와 제2 캐비티(115b) 사이의 상기 와이어(140)가 패키지 몰드(110) 내부에 포함되도록 하기 위한 것으로서, 상기 제1 캐비티(115a)보다 얕은 깊이로 형성될 수 있다.
이때 상기 홈(160)은 상기 제2 캐비티(115b)보다 작은 크기로 형성하여, 광원의 실제 크기에 영향을 주지 않도록 하는 것이 바람직하다. 즉 상기 홈(160)은 상기 와이어(140)가 통과할 수 있는 최소한의 크기로 형성될 수 있다.
상기 홈(160)의 내부에는 상기 제1 및 제2 캐비티(115a,115b)와 동일하게 몰딩재(150)가 충진되어 상기 와이어(140)를 보호할 수 있다.
< 제4 실시예 >
도 9 및 도 10을 참조하여 본 발명의 제4 실시예에 따른 발광 다이오드 패키지에 대하여 상세히 설명한다. 다만, 제4 실시예의 구성 중 제1 실시예와 동일한 부분에 대한 설명은 생략하고, 제4 실시예에서 달라지는 구성에 대해서만 상술하기로 한다.
도 9는 본 발명의 제4 실시예에 따른 발광 다이오드 패키지의 구조를 나타낸 평면도이고, 도 10은 도 9의 Ⅲ-Ⅲ'을 따라 자른 단면도이다.
도 9 및 도 10에 도시된 바와 같이, 본 발명의 제4 실시예에 따른 발광 다이오드 패키지(100)는, 제1 실시예에 따른 발광 다이오드 패키지와 대부분의 구성이 동일하고, 다만, 상기 제1 캐비티(115a)와 인접한 곳에 복수의 제2 캐비티(115b)가 형성되고, 상기 제1 캐비티(115a)에는 상기 제2 캐비티(115b)와 동일한 갯수의 LED 칩(130)이 실장되어 있다는 점에서만 제1 실시예와 다르다.
즉, 본 발명의 제4 실시예에 따른 발광 다이오드 패키지(100)는, 제1 캐비티(115a) 및 상기 제1 캐비티(115a) 보다 작은 크기를 갖는 복수의 제2 캐비티(115b)가 구비된 패키지 몰드(110)와, 상기 제1 캐비티(115a)의 바닥면에 상기 제2 캐비티(115b)와 동일한 갯수로 구비된 복수의 제1 전극패드(120a)와, 상기 제2 캐비티(115b)의 바닥면에 구비된 제2 전극패드(120b), 상기 각각의 제1 전극패드(120a) 상에 실장된 LED 칩(130), 및 상기 LED 칩(130)과 상기 제2 전극패드(120b)의 전기적 연결을 위한 와이어(140)를 포함한다.
여기서, 도면에는 제2 캐비티(115b), LED 칩(130) 및 와이어(140)가 4 개씩 형성된 것을 도시하였으나, 이는 예시적이며, 반드시 이에 한정되는 것은 아니다.
상기 제1 캐비티(115a)와 상기 제2 캐비티(115b)는, 상술한 바와 같이 서로 동일한 깊이로 형성될 수도 있으나, 상기 와이어(140)의 구부러짐 정도를 줄이기 위하여 상기 제2 캐비티(115b)가 상기 제1 캐비티(115a) 보다 얕은 깊이로 형성될 수도 있다.
또한, 상기 제1 캐비티(115a)와 상기 제2 캐비티(115b)는 서로 접하거나, 또는 이격되도록 구비될 수 있다.
이러한 제1 및 제2 캐비티(115a,115b)에는 몰딩재(150)가 충진되어 상기 LED 칩(130)과 와이어(140)를 보호한다.
이러한 본 발명의 제4 실시예에 따르면, 여러 개의 LED 칩(130)이 어레이되는 발광 다이오드 패키지(100)의 광원 크기를 줄임으로써, 휘도를 향상시킬 수 있는 효과가 있다.
이상에서 설명한 본 발명의 바람직한 실시예들은 예시의 목적을 위해 개시된 것이며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에 있어 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 여러가지 치환, 변형 및 변경이 가능할 것이나, 이러한 치환, 변경 등은 이하의 특허청구범위에 속하는 것으로 보아야 할 것이다.
도 1은 본 발명의 제1 실시예에 따른 발광 다이오드 패키지의 구조를 나타낸 평면도.
도 2는 도 1에 도시된 발광 다이오드 패키지의 구조를 나타낸 단면도.
도 3은 본 발명의 제1 실시예에 따른 발광 다이오드 패키지의 변형예를 나타낸 단면도.
도 4는 본 발명의 제2 실시예에 따른 발광 다이오드 패키지의 구조를 나타낸 평면도.
도 5는 도 4에 도시된 발광 다이오드 패키지의 구조를 나타낸 단면도.
도 6은 본 발명의 제3 실시예에 따른 발광 다이오드 패키지의 구조를 나타낸 평면도.
도 7은 도 6의 Ⅰ-Ⅰ'을 따라 자른 단면도.
도 8은 도 6의 Ⅱ-Ⅱ'을 따라 자른 단면도.
도 9는 본 발명의 제4 실시예에 따른 발광 다이오드 패키지의 구조를 나타낸 평면도.
도 10은 도 9의 Ⅲ-Ⅲ'을 따라 자른 단면도.
< 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 >
100: 발광 다이오드 패키지 110: 패키지 몰드
115: 캐비티 115a: 제1 캐비티
115b: 제2 캐비티 120: 전극패드
120b: 제2 전극패드 120a: 제1 전극패드
130: LED 칩 140: 와이어
150: 몰딩재 160: 홈

Claims (13)

  1. 제1 캐비티 및 상기 제1 캐비티 보다 작은 크기의 제2 캐비티가 구비된 패키지 몰드;
    상기 제1 캐비티 및 상기 제2 캐비티의 바닥면에 구비된 제1 전극패드 및 제2 전극패드;
    상기 제1 전극패드 상에 실장된 LED 칩;
    상기 LED 칩과 상기 제2 전극패드의 전기적 연결을 위한 와이어; 및
    상기 제1 캐비티 및 상기 제2 캐비티에 충진된 몰딩재;
    를 포함하는 발광 다이오드 패키지.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 제1 캐비티와 상기 제2 캐비티는 동일한 깊이로 형성된 발광 다이오드 패키지.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 제2 캐비티는 상기 제1 캐비티 보다 얕은 깊이로 형성된 발광 다이오드 패키지.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 제1 캐비티와 상기 제2 캐비티는 서로 접하도록 구비된 발광 다이오드 패키지.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 제1 캐비티와 상기 제2 캐비티는 서로 이격되도록 구비된 발광 다이오드 패키지.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 제1 캐비티와 상기 제2 캐비티의 상부가 서로 통하도록 상기 제1 캐비티와 상기 제2 캐비티의 사이의 상기 패키지 몰드에 형성된 홈;을 더 포함하는 발광 다이오드 패키지.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 홈은 상기 제2 캐비티보다 작은 크기를 갖는 발광 다이오드 패키지.
  8. 제6항에 있어서,
    상기 홈은 상기 제1 캐비티보다 얕은 깊이로 형성된 발광 다이오드 패키지.
  9. 제1 캐비티 및 상기 제1 캐비티 보다 작은 크기를 갖는 복수의 제2 캐비티가 구비된 패키지 몰드;
    상기 제1 캐비티의 바닥면에 상기 제2 캐비티와 동일한 갯수로 구비된 복수의 제1 전극패드;
    상기 제2 캐비티의 바닥면에 구비된 제2 전극패드;
    상기 각각의 제1 전극패드 상에 실장된 LED 칩;
    상기 LED 칩과 상기 제2 전극패드의 전기적 연결을 위한 와이어; 및
    상기 제1 캐비티 및 상기 제2 캐비티에 충진된 몰딩재;
    를 포함하는 발광 다이오드 패키지.
  10. 제9항에 있어서,
    상기 제1 캐비티와 상기 제2 캐비티는 동일한 깊이로 형성된 발광 다이오드 패키지.
  11. 제9항에 있어서,
    상기 제2 캐비티는 상기 제1 캐비티 보다 얕은 깊이로 형성된 발광 다이오드 패키지.
  12. 제9항에 있어서,
    상기 제1 캐비티와 상기 제2 캐비티는 서로 접하도록 구비된 발광 다이오드 패키지.
  13. 제9항에 있어서,
    상기 제1 캐비티와 상기 제2 캐비티는 서로 이격되도록 구비된 발광 다이오드 패키지.
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20140035213A (ko) * 2012-09-13 2014-03-21 엘지이노텍 주식회사 발광 소자 및 조명 시스템
KR20140035214A (ko) * 2012-09-13 2014-03-21 엘지이노텍 주식회사 발광 소자 및 조명 시스템

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8525213B2 (en) * 2010-03-30 2013-09-03 Lg Innotek Co., Ltd. Light emitting device having multiple cavities and light unit having the same
WO2012061184A1 (en) 2010-11-03 2012-05-10 3M Innovative Properties Company Flexible led device and method of making
KR101852388B1 (ko) * 2011-04-28 2018-04-26 엘지이노텍 주식회사 발광 소자 패키지
WO2014183800A1 (de) * 2013-05-17 2014-11-20 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches bauelement und verfahren zu seiner herstellung
KR102170218B1 (ko) * 2014-08-05 2020-10-26 엘지이노텍 주식회사 발광소자 패키지
DE102016106134A1 (de) * 2016-04-04 2017-10-05 Vishay Semiconductor Gmbh Elektronische Einheit
US20220077353A1 (en) * 2020-09-08 2022-03-10 Tek Beng Low Light emitting diode package having a small light emitting surface

Family Cites Families (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2914097B2 (ja) * 1993-06-25 1999-06-28 松下電工株式会社 射出成形プリント基板
US6583444B2 (en) * 1997-02-18 2003-06-24 Tessera, Inc. Semiconductor packages having light-sensitive chips
JPH11121488A (ja) * 1997-10-15 1999-04-30 Toshiba Corp 半導体装置の製造方法及び樹脂封止装置
US6670207B1 (en) * 1999-03-15 2003-12-30 Gentex Corporation Radiation emitter device having an integral micro-groove lens
CA2350747C (en) * 2001-06-15 2005-08-16 Ibm Canada Limited-Ibm Canada Limitee Improved transfer molding of integrated circuit packages
JPWO2003030274A1 (ja) * 2001-09-27 2005-01-20 日亜化学工業株式会社 発光装置およびその製造方法
JP4143340B2 (ja) * 2002-06-17 2008-09-03 日立マクセル株式会社 非接触通信式情報担体
KR100567559B1 (ko) * 2002-07-25 2006-04-05 마츠시다 덴코 가부시키가이샤 광전소자부품
JP2006019598A (ja) 2004-07-05 2006-01-19 Citizen Electronics Co Ltd 発光ダイオード
KR20070052636A (ko) * 2005-11-17 2007-05-22 설상진 방열 성능이 향상된 발광 다이오드 패키지 및 이를포함하는 발광 다이오드 어셈블리
KR100828891B1 (ko) * 2006-02-23 2008-05-09 엘지이노텍 주식회사 Ｌｅｄ 패키지
JP2008147203A (ja) * 2006-12-05 2008-06-26 Sanken Electric Co Ltd 半導体発光装置
KR100811723B1 (ko) * 2007-03-30 2008-03-11 서울반도체 주식회사 Ｌｅｄ 패키지
JP5052326B2 (ja) * 2007-10-31 2012-10-17 シャープ株式会社 チップ部品型ｌｅｄ及びその製造方法
US7985980B2 (en) * 2007-10-31 2011-07-26 Sharp Kabushiki Kaisha Chip-type LED and method for manufacturing the same
US7923272B2 (en) * 2007-12-28 2011-04-12 Hwang-Pao Lee Method of forming a resin cover lens of LED assembly
TW200937667A (en) * 2008-02-20 2009-09-01 Advanced Optoelectronic Tech Package structure of chemical compound semiconductor device and fabricating method thereof
US20100181594A1 (en) * 2008-03-25 2010-07-22 Lin Charles W C Semiconductor chip assembly with post/base heat spreader and cavity over post

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20140035213A (ko) * 2012-09-13 2014-03-21 엘지이노텍 주식회사 발광 소자 및 조명 시스템
KR20140035214A (ko) * 2012-09-13 2014-03-21 엘지이노텍 주식회사 발광 소자 및 조명 시스템

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