JP2012069935A5 - 半導体装置の作製方法 - Google Patents

Claims (5)

1. 少なくとも第１の金属元素及び第２の金属元素を有する酸化物よりなる第１の膜を基板上に形成する第１の工程と、
   前記第１の膜を加熱処理することにより、前記第１の金属元素を主たる金属成分とする酸化物の結晶を含む第１の層と、前記第１の層より前記基板側にあり、前記第２の金属元素を主たる金属成分とする酸化物よりなる第２の層と、を形成する第２の工程と、
   前記第１の層に接して酸化物よりなる第２の膜を形成した後、加熱処理する第３の工程と、を有することを特徴とする半導体装置の作製方法。
2. 請求項１において、
   前記第２の膜は半導体性酸化物膜であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
3. 請求項１または請求項２において、
   前記第１の工程においてＡＣスパッタリング法により前記第１の膜を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
4. 請求項１乃至３のいずれか一において、
   前記第２の工程において前記第１の膜を加熱処理することにより、前記第１の層及び前記第２の層におけるナトリウムの濃度を５×１０ ^１６ ｃｍ ^−３ 以下とすることを特徴とする半導体装置の作製方法。
5. 請求項１乃至４のいずれか一において、
   前記第２の層をゲート絶縁層として用いることを特徴とする半導体装置の作製方法。