JP2013016630A - 磁気抵抗効果素子及びこれを用いた磁気センサ - Google Patents
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Abstract
【解決手段】MR素子10は、基板11と、基板11上に設けられたMR膜12とを備えている。MR膜12は、ジグザグ状に折れ曲がる直線12aが更に多重にジグザグ状に折れ曲がる形状12bを有する。直線12aは、複数の形状部121,122,123を形成している。それぞれの形状部121,122,123は、互いに平行な複数の長方形12cがジグザグ状に直列に接続された形状を有し、かつジグザグ状に互いに直列に接続されている。
【選択図】図1
Description
基板と、この基板上に設けられたMR膜とを備え、
このMR膜は、ジグザグ状に折れ曲がる直線が更に多重にジグザグ状に折れ曲がる形状を有する。
本発明に係るMR素子と、
このMR素子で検出された磁界強度の信号を処理する電子回路と、
を備えたものである。
前記MR膜は、ジグザグ状に折れ曲がる直線が更に多重にジグザグ状に折れ曲がる形状を有する、
MR素子
前記多重は二重であり、
前記直線は複数の形状部を形成し、
それぞれの前記形状部は、互いに平行な複数の長方形がジグザグ状に直列に接続された形状を有し、かつジグザグ状に互いに直列に接続された、
MR素子
それぞれの前記長方形は、第一方向に直線状に延びるとともに、前記第一方向に直交する第二方向に互いに平行に配設され、かつ互いに直列に接続され、
それぞれの前記形状部は、前記第一方向に配設され、かつ互いに直列に接続された、
MR素子。
前記形状部を三個備えた、
MR素子。
前記長方形のアスペクト比が約7である、
MR素子。
四個の前記MR素子のうちいずれか二個の前記MR素子における前記第一方向と、残りの二個の前記MR素子における前記第一方向とが直交する、
MR素子。
このMR素子で検出された磁界強度の信号を処理する電子回路と、
を備えた磁気センサ。
前記電子回路は集積回路であり、
この集積回路と前記MR素子とが一体化された、
磁気センサ。
11 基板
12 MR膜
121,122,123 形状部
12a 直線
12b 形状
12c 長方形
12d 長辺
12e 短辺
12f 間隔
20 MR素子
21,22,23,24 MR素子
25 磁界印加方向
26 電極(VCC)
27 電極(V−)
28 電極(GND)
29 電極(V+)
30 磁気センサ
31 IC
32 アンプ回路
33 コンパレータ回路
34 インバータ回路
35 出力回路
351 PチャネルMOSFET
352 NチャネルMOSFET
Claims (8)
- 基板と、この基板上に設けられた磁気抵抗効果膜とを備え、
前記磁気抵抗効果膜は、ジグザグ状に折れ曲がる直線が更に多重にジグザグ状に折れ曲がる形状を有する、
磁気抵抗効果素子 - 請求項1記載の磁気抵抗効果素子であって、
前記多重は二重であり、
前記直線は複数の形状部を形成し、
それぞれの前記形状部は、互いに平行な複数の長方形がジグザグ状に直列に接続された形状を有し、かつジグザグ状に互いに直列に接続された、
磁気抵抗効果素子 - 請求項2記載の磁気抵抗効果素子であって、
それぞれの前記長方形は、第一方向に直線状に延びるとともに、前記第一方向に直交する第二方向に互いに平行に配設され、かつ互いに直列に接続され、
それぞれの前記形状部は、前記第一方向に配設され、かつ互いに直列に接続された、
磁気抵抗効果素子。 - 請求項2又は3記載の磁気抵抗効果素子であって、
前記形状部を三個備えた、
磁気抵抗効果素子。 - 請求項2乃至4のいずれか一つに記載の磁気抵抗効果素子であって、
前記長方形のアスペクト比が約7である、
磁気抵抗効果素子。 - 請求項3乃至5のいずれか一つに記載の磁気抵抗効果素子を四個備えた磁気抵抗効果素子であって、
四個の前記磁気抵抗効果素子のうちいずれか二個の前記磁気抵抗効果素子における前記第一方向と、残りの二個の前記磁気抵抗効果素子における前記第一方向とが直交する、
磁気抵抗効果素子。 - 請求項1乃至6記載の磁気抵抗効果素子と、
この磁気抵抗効果素子で検出された磁界強度の信号を処理する電子回路と、
を備えた磁気センサ。 - 請求項7記載の磁気センサであって、
前記電子回路は集積回路であり、
この集積回路と前記磁気抵抗効果素子とが一体化された、
磁気センサ。
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