JP2007242989A - 磁気センサ、その製造方法および電子機器 - Google Patents
磁気センサ、その製造方法および電子機器 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2007242989A JP2007242989A JP2006065336A JP2006065336A JP2007242989A JP 2007242989 A JP2007242989 A JP 2007242989A JP 2006065336 A JP2006065336 A JP 2006065336A JP 2006065336 A JP2006065336 A JP 2006065336A JP 2007242989 A JP2007242989 A JP 2007242989A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- magnetic
- magnetic field
- thin film
- metal thin
- alloy metal
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R33/00—Arrangements or instruments for measuring magnetic variables
- G01R33/02—Measuring direction or magnitude of magnetic fields or magnetic flux
- G01R33/06—Measuring direction or magnitude of magnetic fields or magnetic flux using galvano-magnetic devices
- G01R33/09—Magnetoresistive devices
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Hall/Mr Elements (AREA)
- Measuring Magnetic Variables (AREA)
- Thin Magnetic Films (AREA)
Abstract
【解決手段】各種電子機器に適用する磁気センサに用いる合金金属薄膜の組成比が、Niの組成比をx重量%、Coの組成比をy重量%とすると、21x+19y≦1869、5x+28y≧546、y≦11、x+y≧85を同時に満たす組成範囲内にある。もしくは、この合金金属薄膜の磁歪定数の絶対値が1.5×10-5以下であり、かつ異方性磁界(Hk)が8Oe以上16Oe以下であり、かつ磁気抵抗変化率が2.5%以上である。
【選択図】図1
Description
21x+19y≦1869、5x+28y≧546、y≦11、x+y≧85
を同時に満たす組成範囲内にあることを特徴としている。
また、本発明の磁気センサは、強さの異なる複数の磁界を検知する制御用の集積回路を基板上に形成する集積回路上に絶縁膜を介して合金金属薄膜が成膜されている。
21x+19y≦1869、5x+28y≧546、y≦11、x+y≧85
を同時に満たす組成範囲内にあるようになっている。このため、この合金金属薄膜を用いて、外部磁界がある一定磁界以上になると検知する磁気センサを構成すると、検知磁界が1個のセンサで2点以上あり、そのうち少なくとも1点での検知磁界が2.5mT以上であり、検知磁界となる複数の磁界のうち、最小検知磁界と最大検知磁界が0.5mT以上離れているセンサやこのセンサを使用した電子機器を構成することができる。
21x+19y≦1869、5x+28y≧546、y≦11、x+y≧85
を同時に満たす組成範囲内とする。この組成範囲とすることにより、合金金属薄膜の磁気特性が、磁歪定数(λ)の絶対値が1.5×10-5以下であり、かつ異方性磁界(Hk)が6Oe以上8Oe以下であり、かつ磁気抵抗変化率(MR比)が2.5%以上とすることができる。
5x+28y≧546 ……(2)
y≦11 ……(3)
x+y≧85 ……(4)
上記に説明した工程はあくまで一例であり、例えば金の取り除き方にリフトオフ法を用いるなど、他の加工方法を使用してもかまわない。
105 磁石
214 磁気抵抗効果膜
269 複数磁界検知回路
300、310 電子機器
311 第1の筐体
312 第2の筐体
Claims (13)
- Ni、Fe、Coを主成分とする磁気抵抗効果を示す合金金属薄膜を有する磁気センサであって、
この合金金属薄膜の組成比が、Niの組成比をx重量%、Coの組成比をy重量%とすると、
21x+19y≦1869、5x+28y≧546、y≦11、x+y≧85
を同時に満たす組成範囲内にあって、
検知磁界が2点以上あり、
そのうち少なくとも1点での検知磁界が2.5mT以上であり、
検知磁界となる複数の磁界のうち、最小検知磁界と最大検知磁界が0.5mT以上離れている
ことを特徴とする磁気センサ。 - Ni、Fe、Coを主成分とする磁気抵抗効果を示す合金金属薄膜を有する磁気センサであって、
この合金金属薄膜の磁歪定数の絶対値が1.5×10-5以下であり、かつ異方性磁界(Hk)が8Oe以上16Oe以下であり、かつ磁気抵抗変化率が2.5%以上であって検知磁界が2点以上あり、
そのうち少なくとも1点での検知磁界が2.5mT以上であり、
検知磁界となる複数の磁界のうち、最小検知磁界と最大検知磁界が0.5mT以上離れている
ことを特徴とする磁気センサ。 - 前記合金金属薄膜の膜厚が20nm以上60nm以下であることを特徴とする請求項1または請求項2記載の合金金属薄膜を有する磁気センサ。
- 前記合金金属薄膜を真空蒸着法により成膜したことを特徴とする請求項1または請求項2記載の合金金属薄膜を有する磁気センサ。
- 前記合金金属薄膜がシリコンウェハ上に形成された集積回路の上部に絶縁層膜を介して成膜されていることを特徴とする請求項1または請求項2記載の合金金属薄膜を有する磁気センサ。
- 保護膜、前記合金金属薄膜、保護膜、制御用の集積回路、シリコン基板という構造をもつウェハをチップ化し、金属端子と樹脂でパッケージングした
ことを特徴とする請求項1ないし請求項2に記載の磁気センサ。 - 組成比が、Niの組成比をx重量%、Coの組成比をy重量%とすると、
21x+19y≦1869、5x+28y≧546、y≦11、x+y≧85
を同時に満たす組成範囲内にあるNi、Fe、Coを主成分とする磁気抵抗効果を示す合金金属薄膜を成膜する成膜ステップ
を具備し、
前記合金金属薄膜は検知磁界が2点以上あり、
そのうち少なくとも1点での検知磁界が2.5mT以上であり、
検知磁界となる複数の磁界のうち、最小検知磁界と最大検知磁界が0.5mT以上離れている
ことを特徴とする磁気センサの製造方法。 - 磁歪定数の絶対値が1.5×10-5以下であり、かつ異方性磁界(Hk)が8Oe以上16Oe以下であり、かつ磁気抵抗変化率が2.5%以上となる
Ni、Fe、Coを主成分とする磁気抵抗効果を示す合金金属薄膜を成膜する成膜ステップ
を具備し、
前記合金金属薄膜は検知磁界が2点以上あり、
そのうち少なくとも1点での検知磁界が2.5mT以上であり、
検知磁界となる複数の磁界のうち、最小検知磁界と最大検知磁界が0.5mT以上離れている
ことを特徴とする磁気センサの製造方法。 - 前記合金金属薄膜の膜厚が20nm以上60nm以下となるように成膜することを特徴とする請求項7もしくは請求項8記載の磁気センサの製造方法。
- 前記成膜ステップは真空蒸着法で行うことを特徴とする請求項7もしくは請求項8記載の磁気センサの製造方法。
- 強さの異なる複数の磁界を検知する制御用の集積回路を基板上に形成する集積回路形成ステップと、
この集積回路形成ステップで形成した集積回路の上に前記合金金属薄膜を成膜する合金金属薄膜成膜ステップ
とを具備することを特徴とする請求項7もしくは請求項8記載の磁気センサの製造方法。 - 強さの異なる複数の磁界を検知する磁気センサと、
この磁気センサの磁界についての複数の検知結果で制御を異ならせる制御回路
とを具備することを特徴とする電子機器。 - 磁石と、
この磁石により生じる磁界を検出する請求項1または請求項2記載の合金金属薄膜を有する磁気センサと、
この磁気センサの磁界についての複数の検知結果で制御を異ならせる制御回路
とを具備することを特徴とする電子機器。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006065336A JP4890891B2 (ja) | 2006-03-10 | 2006-03-10 | 磁気センサ、その製造方法および電子機器 |
EP07004800A EP1832890A1 (en) | 2006-03-10 | 2007-03-08 | Magnetic sensor, method of manufacturing the same, and electronic device |
CN2007100862501A CN101034146B (zh) | 2006-03-10 | 2007-03-09 | 磁传感器及其电子设备 |
US11/715,935 US7830143B2 (en) | 2006-03-10 | 2007-03-09 | Magnetic sensor, method of manufacturing the same, and electronic device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006065336A JP4890891B2 (ja) | 2006-03-10 | 2006-03-10 | 磁気センサ、その製造方法および電子機器 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2007242989A true JP2007242989A (ja) | 2007-09-20 |
JP4890891B2 JP4890891B2 (ja) | 2012-03-07 |
Family
ID=38113391
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006065336A Active JP4890891B2 (ja) | 2006-03-10 | 2006-03-10 | 磁気センサ、その製造方法および電子機器 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7830143B2 (ja) |
EP (1) | EP1832890A1 (ja) |
JP (1) | JP4890891B2 (ja) |
CN (1) | CN101034146B (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7948234B2 (en) | 2008-01-24 | 2011-05-24 | Alps Electric Co., Ltd. | Magnetic sensor and method for producing the same |
JP2013016630A (ja) * | 2011-07-04 | 2013-01-24 | Yamanashi Nippon Denki Kk | 磁気抵抗効果素子及びこれを用いた磁気センサ |
WO2014034101A1 (ja) * | 2012-09-03 | 2014-03-06 | パナソニック株式会社 | 施解錠検出装置 |
Families Citing this family (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011027683A (ja) * | 2009-07-29 | 2011-02-10 | Tdk Corp | 磁気センサ |
CN101752051B (zh) * | 2010-03-05 | 2011-07-20 | 北京科技大学 | 一种垂直磁各向异性多层膜 |
CN102298126B (zh) * | 2011-01-17 | 2013-03-13 | 江苏多维科技有限公司 | 独立封装的桥式磁场传感器 |
JP2012173206A (ja) * | 2011-02-23 | 2012-09-10 | Yamanashi Nippon Denki Kk | 磁気センサ及びその製造方法 |
EP2835660B1 (en) * | 2012-04-04 | 2017-11-29 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Magnetic sensing device and bill validator |
KR102161059B1 (ko) | 2014-03-04 | 2020-10-20 | 삼성전자주식회사 | 모바일 전자장치, 그를 위한 액세서리 디바이스 및 그 액세서리 디바이스를 구비한 전자장치 |
TWI620290B (zh) * | 2014-05-27 | 2018-04-01 | 聯華電子股份有限公司 | 導電墊結構及其製作方法 |
DE102015115539B4 (de) * | 2015-09-15 | 2023-07-06 | Bundesrepublik Deutschland, Vertreten Durch Den Bundesminister Für Wirtschaft Und Energie, Dieser Vertreten Durch Den Präsidenten Der Bundesanstalt Für Materialforschung Und -Prüfung (Bam) | Prüfelement, Prüfkopf mit einem Prüfelement und Herstellungsverfahren dafür |
Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS61144893A (ja) * | 1984-12-18 | 1986-07-02 | Aichi Tokei Denki Co Ltd | 磁気抵抗素子 |
JPS61216369A (ja) * | 1985-03-20 | 1986-09-26 | Nec Corp | 磁気センサ− |
JPH0216780A (ja) * | 1988-07-05 | 1990-01-19 | Nippon Autom Kk | 磁気抵抗素子 |
JPH03282277A (ja) * | 1990-02-21 | 1991-12-12 | Hamamatsu Koden Kk | 磁気検出素子 |
JPH05327061A (ja) * | 1992-05-19 | 1993-12-10 | Aichi Tokei Denki Co Ltd | 磁気抵抗素子 |
JPH06310327A (ja) * | 1993-04-21 | 1994-11-04 | Nec Corp | 集積化磁気抵抗効果センサ |
JPH0816718A (ja) * | 1994-06-29 | 1996-01-19 | Tec Corp | 図形情報入力装置 |
JPH09119968A (ja) * | 1995-10-25 | 1997-05-06 | Nec Corp | 磁気抵抗センサとその製造方法 |
JPH09283735A (ja) * | 1996-04-10 | 1997-10-31 | Nec Corp | 集積化磁気センサ及びその製造方法 |
Family Cites Families (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS54148578A (en) * | 1978-04-18 | 1979-11-20 | Nec Corp | Rotating direction detector |
JPS6064484A (ja) | 1983-09-19 | 1985-04-13 | Hitachi Ltd | 強磁性磁気抵抗効果合金膜 |
JP2545935B2 (ja) | 1988-07-12 | 1996-10-23 | 日本電気株式会社 | 磁気抵抗効果薄膜およびその製造方法 |
JP2841657B2 (ja) | 1990-03-19 | 1998-12-24 | 大同特殊鋼株式会社 | 磁気抵抗効果合金 |
JP2841658B2 (ja) | 1990-03-19 | 1998-12-24 | 大同特殊鋼株式会社 | 磁気抵抗効果合金 |
JPH04133221A (ja) | 1990-09-26 | 1992-05-07 | Nec Corp | 磁気センサ |
JPH076915A (ja) | 1993-06-18 | 1995-01-10 | Tdk Corp | 磁性多層膜および磁気抵抗変化素子ならびにそれらの製造方法 |
JPH0729735A (ja) | 1993-07-09 | 1995-01-31 | Tohoku Tokushuko Kk | 強磁性磁気抵抗効果合金膜 |
JP2776314B2 (ja) | 1995-08-23 | 1998-07-16 | 日本電気株式会社 | 集積化磁気センサの積層膜構造 |
-
2006
- 2006-03-10 JP JP2006065336A patent/JP4890891B2/ja active Active
-
2007
- 2007-03-08 EP EP07004800A patent/EP1832890A1/en not_active Ceased
- 2007-03-09 US US11/715,935 patent/US7830143B2/en active Active
- 2007-03-09 CN CN2007100862501A patent/CN101034146B/zh active Active
Patent Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS61144893A (ja) * | 1984-12-18 | 1986-07-02 | Aichi Tokei Denki Co Ltd | 磁気抵抗素子 |
JPS61216369A (ja) * | 1985-03-20 | 1986-09-26 | Nec Corp | 磁気センサ− |
JPH0216780A (ja) * | 1988-07-05 | 1990-01-19 | Nippon Autom Kk | 磁気抵抗素子 |
JPH03282277A (ja) * | 1990-02-21 | 1991-12-12 | Hamamatsu Koden Kk | 磁気検出素子 |
JPH05327061A (ja) * | 1992-05-19 | 1993-12-10 | Aichi Tokei Denki Co Ltd | 磁気抵抗素子 |
JPH06310327A (ja) * | 1993-04-21 | 1994-11-04 | Nec Corp | 集積化磁気抵抗効果センサ |
JPH0816718A (ja) * | 1994-06-29 | 1996-01-19 | Tec Corp | 図形情報入力装置 |
JPH09119968A (ja) * | 1995-10-25 | 1997-05-06 | Nec Corp | 磁気抵抗センサとその製造方法 |
JPH09283735A (ja) * | 1996-04-10 | 1997-10-31 | Nec Corp | 集積化磁気センサ及びその製造方法 |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7948234B2 (en) | 2008-01-24 | 2011-05-24 | Alps Electric Co., Ltd. | Magnetic sensor and method for producing the same |
JP2013016630A (ja) * | 2011-07-04 | 2013-01-24 | Yamanashi Nippon Denki Kk | 磁気抵抗効果素子及びこれを用いた磁気センサ |
WO2014034101A1 (ja) * | 2012-09-03 | 2014-03-06 | パナソニック株式会社 | 施解錠検出装置 |
JP2014049043A (ja) * | 2012-09-03 | 2014-03-17 | Panasonic Corp | 建具用施解錠検出装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP4890891B2 (ja) | 2012-03-07 |
US7830143B2 (en) | 2010-11-09 |
EP1832890A1 (en) | 2007-09-12 |
CN101034146A (zh) | 2007-09-12 |
US20070210788A1 (en) | 2007-09-13 |
CN101034146B (zh) | 2011-08-03 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4890891B2 (ja) | 磁気センサ、その製造方法および電子機器 | |
WO2009096093A1 (ja) | 角度センサ、その製造方法及びそれを用いた角度検知装置 | |
WO1994011889A1 (en) | Magnetoresistive structure with alloy layer | |
JP2018073913A (ja) | 磁気センサおよびその製造方法 | |
JP3260921B2 (ja) | 可動体変位検出装置 | |
WO2003008987A1 (en) | Barber pole structure for magnetorestrictive sensors | |
US9523746B2 (en) | Giant magnetoresistance element and current sensor using the same | |
JP2006351563A (ja) | 薄膜磁気センサ | |
US20060164204A1 (en) | Magnetoresistance effect element and production method and application method therefor same | |
KR101541992B1 (ko) | 자발 홀 효과 마그네틱 센서 및 이를 포함하는 마그네틱 센싱 장치 | |
JP4485499B2 (ja) | 磁気検出装置およびその製造方法 | |
JP4474835B2 (ja) | 磁気インピーダンス素子 | |
JP5630247B2 (ja) | 回転角センサ | |
JP3590291B2 (ja) | 磁気抵抗素子 | |
KR100479445B1 (ko) | 풀 브리지 특성을 갖는 교환 바이어스형 스핀밸브를이용한 자기센서 제조방법 | |
JP2014016320A (ja) | 磁気センサ | |
CN112305468A (zh) | 一种可用于巨磁阻传感器退火的方法与结构 | |
EP2096689A1 (en) | Magnetoresistance effect element, magnetic sensor and method for manufacturing magnetoresistance effect element | |
JPH10233540A (ja) | 磁気抵抗効果膜 | |
KR20040020663A (ko) | 교환바이어스형 스핀밸브를 이용한 브리지센서 제조방법 | |
JP2006019484A (ja) | 磁気センサ |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20090213 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20110408 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20110419 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110608 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20110628 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110811 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20110913 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20111102 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20111129 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20111215 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4890891 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20141222 Year of fee payment: 3 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |