JP2012504304A - 有機光電子装置及び前記装置をカプセル化する方法 - Google Patents
有機光電子装置及び前記装置をカプセル化する方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2012504304A JP2012504304A JP2011528387A JP2011528387A JP2012504304A JP 2012504304 A JP2012504304 A JP 2012504304A JP 2011528387 A JP2011528387 A JP 2011528387A JP 2011528387 A JP2011528387 A JP 2011528387A JP 2012504304 A JP2012504304 A JP 2012504304A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- adhesive
- thickness
- organic
- inorganic layer
- layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 20
- 230000005693 optoelectronics Effects 0.000 title claims abstract description 14
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims abstract description 63
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 claims abstract description 36
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 claims abstract description 35
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 claims abstract description 35
- 239000002313 adhesive film Substances 0.000 claims abstract description 29
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 claims abstract description 26
- 239000010408 film Substances 0.000 claims abstract description 11
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims abstract description 10
- 230000005670 electromagnetic radiation Effects 0.000 claims abstract description 7
- 238000000231 atomic layer deposition Methods 0.000 claims description 18
- 238000000623 plasma-assisted chemical vapour deposition Methods 0.000 claims description 12
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 12
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 claims description 11
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 claims description 9
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims description 9
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 8
- 229920006332 epoxy adhesive Polymers 0.000 claims description 8
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 7
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 7
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M Acrylate Chemical compound [O-]C(=O)C=C NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 5
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 claims description 5
- SBIBMFFZSBJNJF-UHFFFAOYSA-N selenium;zinc Chemical compound [Se]=[Zn] SBIBMFFZSBJNJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 claims description 5
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- -1 Sb 2 O 3 Chemical compound 0.000 claims description 3
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 3
- 239000012080 ambient air Substances 0.000 abstract description 3
- 230000011664 signaling Effects 0.000 abstract description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 5
- 230000035699 permeability Effects 0.000 description 5
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 4
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 4
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 3
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 2
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 2
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 description 2
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 2
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920002799 BoPET Polymers 0.000 description 1
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 1
- MFHHXXRRFHXQJZ-UHFFFAOYSA-N NONON Chemical compound NONON MFHHXXRRFHXQJZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052772 Samarium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910006404 SnO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 1
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000000593 degrading effect Effects 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 238000003618 dip coating Methods 0.000 description 1
- 229910052500 inorganic mineral Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 239000011707 mineral Substances 0.000 description 1
- 239000002736 nonionic surfactant Substances 0.000 description 1
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 1
- 229920000620 organic polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 1
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 1
- 229920006254 polymer film Polymers 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- KZUNJOHGWZRPMI-UHFFFAOYSA-N samarium atom Chemical compound [Sm] KZUNJOHGWZRPMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 230000001629 suppression Effects 0.000 description 1
- 238000007738 vacuum evaporation Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K30/00—Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation
- H10K30/80—Constructional details
- H10K30/88—Passivation; Containers; Encapsulations
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K10/00—Organic devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching; Organic capacitors or resistors having potential barriers
- H10K10/80—Constructional details
- H10K10/88—Passivation; Containers; Encapsulations
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/30—Organic light-emitting transistors
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K50/844—Encapsulations
- H10K50/8445—Encapsulations multilayered coatings having a repetitive structure, e.g. having multiple organic-inorganic bilayers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/87—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K59/873—Encapsulations
- H10K59/8731—Encapsulations multilayered coatings having a repetitive structure, e.g. having multiple organic-inorganic bilayers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
- H10K2102/301—Details of OLEDs
- H10K2102/302—Details of OLEDs of OLED structures
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
- H10K2102/301—Details of OLEDs
- H10K2102/351—Thickness
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/549—Organic PV cells
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
Description
a)200nm未満の厚みを有する内部無機物層が、この装置の少なくとも1つの外側の面上に、例えば発光ユニットの外部電極上に、ALD、PECVD若しくはCVD、又はPVDを用いて堆積され、この内部無機物層は、好ましくは、化学式SiOx、SiNx、SiOxNy、ZnSe、ZnO、Sb2O3、酸化アルミニウム、及び透明導電酸化物(例えばインジウムスズ酸化物)の化合物から成る群から選択された少なくとも1つの誘電体化合物をベースとすること、
b)この内部無機物層は、(例えば、スピナー又は他の任意適当な手段、例えば浸漬被覆(dip coating)を用いて)電磁放射硬化性又は熱硬化性の接着剤をベースとする接着有機物層で被覆され、それによって得られた有機物層は、例えば500nm〜1μmの厚みを有すること、
c)それによって得られた有機物層は、真空、好ましくは低真空にさらされ、その結果、その有機物層を均一に200nm未満の厚みを有する接着膜に変え、それによって、2つの層、すなわち無機物層及び有機物層を含む第1のダイアドを得ること、
d)2つの層(無機物層及び有機物層)を含む少なくとも1つの他のダイアドが、ステップa)〜c)を繰り返すことによって連続的に堆積され、ステップa)の内部無機物層の代わりにその内部無機物層に類似している中間無機物層が堆積されること、次いで
e)中間無機物層に類似している最後の外部無機物層が、最後のダイアドの接着膜上に堆積されること
を含み、
各ダイアドの接着膜は、電磁放射によって又は熱を用いて、別々に硬化される、或いは、これらのダイアドが得られた後ですべての接着膜が一緒に硬化される(後者のケースは、ステップd)が未硬化の下にある接着膜に適合する場合にのみ可能である)ことが特徴づけられる。
この内部無機物層21aを、例えばスピナーを用いて、紫外線硬化性接着剤、好ましくは高蒸気圧単一成分液体エポキシ接着剤(Epoxy Technologyによって「OG」という一般名で販売されているものなど、接着剤OG146が好ましく、オプションとしてそれに界面活性剤、例えば3MによってFC4430という名称で販売されている非イオン性界面活性剤が添加される)をベースとする接着有機物層で被覆し、それによって得られた有機物層は500nm〜1μmの厚みを有する、
この有機物層を、約20℃、圧力1Paの低真空に60秒間さらして、その厚みを約100nmに減少させ、それによって得られた極薄接着膜21b〜25bは有利に均一な厚みを有する、次いで
それによって得られた接着膜21b〜25bを、紫外線に約40秒間さらすことによって硬化させる。
Claims (19)
- 例えば有機発光ダイオード(OLED)、光起電セル又は有機薄膜トランジスタ(TFT)を備えるディスプレイ装置、照明装置、信号装置などの有機光電子装置(1)であって、
交互する無機物層(21a〜26a)及び有機物層(21b〜25b)を含む不浸透性で多層のカプセル化構造(20)で被覆され、前記有機物層のうちの少なくとも1つが、電磁放射硬化性又は熱硬化性の接着剤をベースとする硬化した接着膜(21b〜25b)によって形成され、
前記又はそれぞれの接着膜は均一に200nm未満の厚みを有し、前記厚みは、堆積され未だ硬化していない前記接着膜を真空にさらすことによって得られ、それによって前記カプセル化構造の全厚みが最小化されることを特徴とする、有機光電子装置(1)。 - 前記カプセル化構造(20)が少なくとも3個のダイアド(21〜25)を含み、前記各ダイアドは、前記無機物層(21a〜25a)のうちの1つ及び前記有機物層(21b〜25b)のうちの1つを含むことを特徴とする、請求項1に記載の装置(1)。
- 前記無機物層(21a〜26a)は、前記構造(20)内に、内部無機物層(21a)と、それぞれが前記有機物層(21b〜25b)のうちの2つの間に置かれている少なくとも2つの中間無機物層(22a〜25a)と、外部無機物層(26a)とをそれぞれ形成することを特徴とする、請求項2に記載の装置(1)。
- 前記有機物層(21b〜25b)のそれぞれが、前記接着膜によって形成されることを特徴とする、請求項1から3のいずれか一項に記載の装置(1)。
- 前記又はそれぞれの接着膜(21b〜25b)が150nm以下の厚みを有し、前記厚みは、例えば1Paに実質的に等しい圧力で実施される低真空にさらすことによって得られることを特徴とする、請求項1から4のいずれか一項に記載の装置(1)。
- 前記又はそれぞれの接着膜(21b〜25b)が80nm〜120nmの厚みを有し、前記接着剤が、アクリレート接着剤及びエポキシ接着剤から成る群から選択された紫外線硬化性接着剤であること特徴とする、請求項5に記載の装置(1)。
- 前記接着剤が、単一成分のエポキシ接着剤、例えば、未硬化状態で且つ常規周囲条件において粘度が20mPa秒〜40mPa秒である液体接着剤であることを特徴とする、請求項6に記載の装置(1)。
- 前記無機物層(21a〜26a)のそれぞれが、200nm未満の厚みを有する薄膜によって形成され、前記薄膜は、それぞれの隣接する有機物層(21b〜25b)の化合物に適合する少なくとも1つの誘電体化合物をベースとし、好ましくは、原子層成長法(ALD)、プラズマ促進化学気相成長法(PECVD)若しくは化学気相成長法(CVD)、又は物理気相成長法(PVD)によって得られることを特徴とする、請求項1から7のいずれか一項に記載の装置(1)。
- 前記誘電体化合物が、化学式SiOx、SiNx、SiOxNy、ZnSe、ZnO、Sb2O3、酸化アルミニウム、及び透明導電酸化物(TCO)の化合物から成る群から選択されることを特徴とする、請求項8に記載の装置(1)。
- 前記各無機物層(21a〜26a)が、20nm〜50nmの厚みを有し、原子層成長法(ALD)によって得られることを特徴とする、請求項8又は9に記載の装置(1)。
- 前記各ダイアド(21〜25)が、90nm〜130nmの厚みを有することを特徴とする、請求項2及び10に記載の装置(1)。
- 少なくとも1つの面上を発光ユニット(3)で被覆された基板(2)を含み、前記発光ユニットは、少なくとも2つの電極、すなわち内部電極(7)及び外部電極(8)を備え、前記2つの電極の間には発光構造(9)が挟まれており、前記2つの電極のうちの少なくとも一方が放射光に対して透明であり、前記カプセル化構造(20)が前記外部電極を覆うことを特徴とする、請求項1から11のいずれか一項に記載の装置(1)。
- 前記カプセル化構造(20)の前記ダイアド(21〜25)の数が少なくとも4個であることを特徴とする、請求項3及び12に記載の装置(1)。
- 前記カプセル化構造(20)が前記ダイアド(21〜25)のうちの5個を含む場合において、前記カプセル化構造(20)は500nmに実質的に等しい全厚みを有することを特徴とする、請求項11及び13に記載の装置(1)。
- 前記装置(1)には保護シート(11)がさらに設けられ、前記保護シート(11)は、前記カプセル化構造(20)が載っている前記発光ユニット(3)上に加圧下で接合され、好ましくは、マイクロディスプレイの各画素の対応する色ドットに面する色フィルタ(12,13,14)すなわち色変更手段を備えることを特徴とする、カラーマイクロディスプレイ型の、請求項12から14のいずれか一項に記載の装置(1)。
- 請求項1から15のいずれか一項に記載の装置(1)をカプセル化するためのプロセスであって、連続的な以下のステップを含み、すなわち
a)200nm未満の厚みを有する内部無機物層(21a)が、前記装置の少なくとも1つの外側の面上に、例えば発光ユニット(3)の外部電極(8)上に、原子層成長法(ALD)、プラズマ促進化学気相成長法(PECVD)若しくは化学気相成長法(CVD)、又は物理気相成長法(PVD)を用いて堆積され、前記内部無機物層は、好ましくは、化学式SiOx、SiNx、SiOxNy、ZnSe、ZnO、Sb2O3、酸化アルミニウム、及び透明導電酸化物(TCO)の化合物から成る群から選択された少なくとも1つの誘電体化合物をベースとすること、
b)前記内部無機物層が、電磁放射硬化性又は熱硬化性の接着剤(10)をベースとする接着有機物層で被覆され、それによって得られた前記有機物層は、例えば500nm〜1μmの厚みを有すること、
c)それによって得られた前記有機物層は、真空、好ましくは低真空にさらされ、その結果、前記有機物層を均一に200nm未満の厚みの接着膜(21b〜25b)に変え、それによって、2つの層、すなわち無機物層(21a)及び有機物層(21b)を含む第1のダイアドを得ること、
d)2つの層(無機物層(22a〜25a)及び有機物層(22b〜25b))を含む少なくとも1つの他のダイアド(22〜25)が、前記ステップa)〜c)を繰り返すことによって連続的に堆積され、前記ステップa)の前記内部無機物層の代わりに前記内部無機物層に類似している中間無機物層(22a〜25a)が堆積されること、次いで
e)前記又はそれぞれの中間無機物層に類似している最後の外部無機物層(26a)が、最後の前記ダイアド(25)の前記接着膜(25b)上に堆積されること
を含み、
前記各ダイアド(21〜25)の接着膜(21b〜25b)が、前記電磁放射によって又は熱を用いて、別々に硬化される、或いは、前記複数のダイアドが得られた後で全ての前記接着膜が硬化されることを特徴とする、プロセス。 - 前記接着剤が、紫外線によって硬化され、アクリレート接着剤及びエポキシ接着剤から成る群から選択され、前記各ダイアド(21〜25)の前記接着膜(21b〜25b)として得られた厚みが、好ましくは80nm〜120nmであることを特徴とする、請求項16に記載のプロセス。
- 前記各無機物層(21a〜26a)が、10nm〜50nmの厚みを有し、原子層成長法(ALD)によって堆積されることを特徴とする、請求項16又は17に記載のプロセス。
- 前記各ダイアド(21〜25)が、90nm〜130nmの厚みを有することを特徴とする、請求項17及び18に記載のプロセス。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
FR0805381A FR2936651B1 (fr) | 2008-09-30 | 2008-09-30 | Dispositif optoelectronique organique et son procede d'encapsulation. |
FR0805381 | 2008-09-30 | ||
PCT/FR2009/001124 WO2010037920A1 (fr) | 2008-09-30 | 2009-09-23 | Dispositif optoelectronique organique et son procede d'encapsulation |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2013196860A Division JP5675924B2 (ja) | 2008-09-30 | 2013-09-24 | 有機光電子装置及び前記装置をカプセル化する方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2012504304A true JP2012504304A (ja) | 2012-02-16 |
Family
ID=40652707
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011528387A Pending JP2012504304A (ja) | 2008-09-30 | 2009-09-23 | 有機光電子装置及び前記装置をカプセル化する方法 |
JP2013196860A Active JP5675924B2 (ja) | 2008-09-30 | 2013-09-24 | 有機光電子装置及び前記装置をカプセル化する方法 |
Family Applications After (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2013196860A Active JP5675924B2 (ja) | 2008-09-30 | 2013-09-24 | 有機光電子装置及び前記装置をカプセル化する方法 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8638032B2 (ja) |
EP (1) | EP2345097B1 (ja) |
JP (2) | JP2012504304A (ja) |
KR (1) | KR101648016B1 (ja) |
FR (1) | FR2936651B1 (ja) |
WO (1) | WO2010037920A1 (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2013524473A (ja) * | 2010-04-12 | 2013-06-17 | コミサリア ア レネルジー アトミック エ オ ゼネルジー アルテルナティブ | 有機オプトエレクトロニックデバイス及びそれをカプセル化する方法 |
JP2016515166A (ja) * | 2013-02-27 | 2016-05-26 | ロータス アプライド テクノロジー エルエルシーLotus Applied Technology, Llc | 混合金属‐シリコン‐酸化物バリア |
JP2017511955A (ja) * | 2014-01-29 | 2017-04-27 | ノキア テクノロジーズ オサケユイチア | バリア・コーティング |
CN113906579A (zh) * | 2019-03-08 | 2022-01-07 | Dnf有限公司 | 薄膜内包含金属或金属氧化物的硅金属氧化物封装膜及其制备方法 |
Families Citing this family (51)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE102010014613A1 (de) * | 2010-04-09 | 2011-10-13 | Ledon Oled Lighting Gmbh & Co.Kg | Flächige Leuchtkörper, Anordnung von flächigen Leuchtkörpern und Verfahren zum Herstellen flächiger Leuchtkörper |
EP2628201B1 (en) * | 2010-10-12 | 2020-01-08 | Beijing Xiaomi Mobile Software Co., Ltd. | Method for manufacturing an organic electronic device with encapsulation |
FR2973941B1 (fr) * | 2011-04-11 | 2013-05-03 | Commissariat Energie Atomique | Dispositif optoelectronique organique et son procede d'encapsulation. |
KR101873476B1 (ko) | 2011-04-11 | 2018-07-03 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 이의 제조 방법 |
TWI575793B (zh) * | 2011-11-14 | 2017-03-21 | Lg化學股份有限公司 | 黏合膜 |
KR101888447B1 (ko) * | 2012-05-22 | 2018-08-16 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기 전계 발광 표시 패널의 제조 방법 |
KR101964151B1 (ko) | 2012-07-10 | 2019-04-02 | 삼성디스플레이 주식회사 | 평판 표시 장치 및 이의 제조 방법 |
KR20140018548A (ko) * | 2012-08-02 | 2014-02-13 | 삼성디스플레이 주식회사 | 광효율이 향상된 유기발광 표시장치 및 그 제조방법 |
KR101970361B1 (ko) * | 2012-08-20 | 2019-04-19 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 이의 제조방법 |
KR102072799B1 (ko) * | 2012-09-12 | 2020-02-04 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 장치 및 이의 제조 방법 |
US9196849B2 (en) | 2013-01-09 | 2015-11-24 | Research & Business Foundation Sungkyunkwan University | Polymer/inorganic multi-layer encapsulation film |
US9831468B2 (en) | 2013-02-14 | 2017-11-28 | Samsung Display Co., Ltd. | Organic electroluminescent device having thin film encapsulation structure and method of fabricating the same |
CN104078583A (zh) * | 2013-03-27 | 2014-10-01 | 海洋王照明科技股份有限公司 | 一种有机电致发光器件及其制备方法 |
CN104078584A (zh) * | 2013-03-27 | 2014-10-01 | 海洋王照明科技股份有限公司 | 一种有机电致发光器件及其制备方法 |
CN104078585A (zh) * | 2013-03-27 | 2014-10-01 | 海洋王照明科技股份有限公司 | 一种有机电致发光器件及其制备方法 |
CN104078586A (zh) * | 2013-03-27 | 2014-10-01 | 海洋王照明科技股份有限公司 | 一种有机电致发光器件及其制备方法 |
CN104078589A (zh) * | 2013-03-27 | 2014-10-01 | 海洋王照明科技股份有限公司 | 一种有机电致发光器件及其制备方法 |
CN104078596A (zh) * | 2013-03-27 | 2014-10-01 | 海洋王照明科技股份有限公司 | 一种有机电致发光器件及其制备方法 |
KR102052073B1 (ko) * | 2013-04-17 | 2019-12-05 | 삼성디스플레이 주식회사 | 평판 표시 장치 |
CN104167505A (zh) * | 2013-05-20 | 2014-11-26 | 海洋王照明科技股份有限公司 | 一种有机电致发光器件及其制备方法 |
CN104167502A (zh) * | 2013-05-20 | 2014-11-26 | 海洋王照明科技股份有限公司 | 一种有机电致发光器件及其制备方法 |
CN104167504A (zh) * | 2013-05-20 | 2014-11-26 | 海洋王照明科技股份有限公司 | 一种有机电致发光器件及其制备方法 |
KR102100631B1 (ko) * | 2013-12-26 | 2020-04-14 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 이의 제조 방법 |
CN103773235B (zh) * | 2014-01-22 | 2017-01-11 | 冠研(上海)专利技术有限公司 | 一种加成型有机硅灌封胶用底涂剂的制备方法 |
US9818976B2 (en) | 2014-05-13 | 2017-11-14 | Apple Inc. | Encapsulation layers with improved reliability |
JP2017531049A (ja) | 2014-07-25 | 2017-10-19 | カティーバ, インコーポレイテッド | 有機薄膜インク組成物および方法 |
CN107922766A (zh) | 2015-08-31 | 2018-04-17 | 科迪华公司 | 基于二‑和单(甲基)丙烯酸酯的有机薄膜油墨组合物 |
US9824893B1 (en) * | 2016-06-28 | 2017-11-21 | Lam Research Corporation | Tin oxide thin film spacers in semiconductor device manufacturing |
KR20180093798A (ko) | 2017-02-13 | 2018-08-22 | 램 리써치 코포레이션 | 에어 갭들을 생성하는 방법 |
US10546748B2 (en) | 2017-02-17 | 2020-01-28 | Lam Research Corporation | Tin oxide films in semiconductor device manufacturing |
WO2018195066A2 (en) | 2017-04-21 | 2018-10-25 | Kateeva, Inc. | Compositions and techniques for forming organic thin films |
CN109427992B (zh) * | 2017-08-28 | 2019-10-18 | 昆山国显光电有限公司 | 薄膜封装结构及具有其的显示装置 |
KR102432383B1 (ko) | 2017-12-19 | 2022-08-11 | 카티바, 인크. | 개선된 광선 출력커플링을 갖는 발광 장치 |
US11961875B2 (en) | 2017-12-20 | 2024-04-16 | Lumileds Llc | Monolithic segmented LED array architecture with islanded epitaxial growth |
US11355353B2 (en) | 2018-01-30 | 2022-06-07 | Lam Research Corporation | Tin oxide mandrels in patterning |
CN111886689A (zh) | 2018-03-19 | 2020-11-03 | 朗姆研究公司 | 无倒角通孔集成方案 |
US11271033B2 (en) | 2018-09-27 | 2022-03-08 | Lumileds Llc | Micro light emitting devices |
KR20200113079A (ko) | 2019-03-21 | 2020-10-06 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
JP7320085B2 (ja) | 2019-06-27 | 2023-08-02 | ラム リサーチ コーポレーション | 交互のエッチングプロセスおよび不動態化プロセス |
US11777059B2 (en) | 2019-11-20 | 2023-10-03 | Lumileds Llc | Pixelated light-emitting diode for self-aligned photoresist patterning |
US11735695B2 (en) | 2020-03-11 | 2023-08-22 | Lumileds Llc | Light emitting diode devices with current spreading layer |
US11569415B2 (en) | 2020-03-11 | 2023-01-31 | Lumileds Llc | Light emitting diode devices with defined hard mask opening |
US11848402B2 (en) | 2020-03-11 | 2023-12-19 | Lumileds Llc | Light emitting diode devices with multilayer composite film including current spreading layer |
US11942507B2 (en) | 2020-03-11 | 2024-03-26 | Lumileds Llc | Light emitting diode devices |
US11626538B2 (en) | 2020-10-29 | 2023-04-11 | Lumileds Llc | Light emitting diode device with tunable emission |
US11901491B2 (en) | 2020-10-29 | 2024-02-13 | Lumileds Llc | Light emitting diode devices |
US11705534B2 (en) | 2020-12-01 | 2023-07-18 | Lumileds Llc | Methods of making flip chip micro light emitting diodes |
US11955583B2 (en) | 2020-12-01 | 2024-04-09 | Lumileds Llc | Flip chip micro light emitting diodes |
US11600656B2 (en) | 2020-12-14 | 2023-03-07 | Lumileds Llc | Light emitting diode device |
CN113053915A (zh) * | 2021-03-08 | 2021-06-29 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 一种显示面板及其制备方法 |
US11935987B2 (en) | 2021-11-03 | 2024-03-19 | Lumileds Llc | Light emitting diode arrays with a light-emitting pixel area |
Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003048271A (ja) * | 2001-08-07 | 2003-02-18 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 透明水蒸気バリアフィルム |
JP2004288473A (ja) * | 2003-03-24 | 2004-10-14 | Konica Minolta Holdings Inc | 有機エレクトロルミネッセンス素子および表示装置 |
JP2005504652A (ja) * | 2001-09-28 | 2005-02-17 | ヴィテックス・システムズ・インコーポレーテッド | バリア薄膜の縁部密封の方法 |
JP2006165537A (ja) * | 2004-11-19 | 2006-06-22 | Asm Internatl Nv | 低温での金属酸化物膜の製造方法 |
JP2007053041A (ja) * | 2005-08-19 | 2007-03-01 | Sony Corp | 有機発光素子 |
JP2007141749A (ja) * | 2005-11-22 | 2007-06-07 | Seiko Epson Corp | 発光装置および電子機器 |
JP2007273515A (ja) * | 2006-03-30 | 2007-10-18 | Mitsui Eng & Shipbuild Co Ltd | 薄膜形成装置 |
WO2008057045A1 (en) * | 2006-11-06 | 2008-05-15 | Agency For Science, Technology And Research | Nanoparticulate encapsulation barrier stack |
JP2008171752A (ja) * | 2007-01-15 | 2008-07-24 | Denso Corp | カラー有機elディスプレイおよびその製造方法 |
Family Cites Families (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3401603B2 (ja) * | 1994-06-28 | 2003-04-28 | 大日本印刷株式会社 | 多層の薄膜を有する反射防止シート |
US5686360A (en) * | 1995-11-30 | 1997-11-11 | Motorola | Passivation of organic devices |
JP2000109780A (ja) * | 1998-10-07 | 2000-04-18 | Dainippon Ink & Chem Inc | 光学部材用紫外線硬化型接着剤組成物 |
US6573652B1 (en) * | 1999-10-25 | 2003-06-03 | Battelle Memorial Institute | Encapsulated display devices |
JP2001155853A (ja) * | 1999-11-24 | 2001-06-08 | Toyota Motor Corp | 有機el素子の封止方法 |
US6465853B1 (en) * | 2001-05-08 | 2002-10-15 | Motorola, Inc. | Method for making semiconductor device |
JP2005011648A (ja) * | 2003-06-18 | 2005-01-13 | Sanyo Electric Co Ltd | エレクトロルミネッセンスパネル、及びエレクトロルミネッセンスパネルの製造方法 |
JP2007090803A (ja) * | 2005-09-30 | 2007-04-12 | Fujifilm Corp | ガスバリアフィルム、並びに、これを用いた画像表示素子および有機エレクトロルミネッセンス素子 |
WO2009057045A2 (en) * | 2007-10-29 | 2009-05-07 | Nokia Corporation | Method and apparatus for reactivating a data channel |
-
2008
- 2008-09-30 FR FR0805381A patent/FR2936651B1/fr active Active
-
2009
- 2009-09-23 EP EP09741335.5A patent/EP2345097B1/fr active Active
- 2009-09-23 JP JP2011528387A patent/JP2012504304A/ja active Pending
- 2009-09-23 US US13/121,520 patent/US8638032B2/en active Active
- 2009-09-23 WO PCT/FR2009/001124 patent/WO2010037920A1/fr active Application Filing
- 2009-09-23 KR KR1020117009358A patent/KR101648016B1/ko active IP Right Grant
-
2013
- 2013-09-24 JP JP2013196860A patent/JP5675924B2/ja active Active
Patent Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003048271A (ja) * | 2001-08-07 | 2003-02-18 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 透明水蒸気バリアフィルム |
JP2005504652A (ja) * | 2001-09-28 | 2005-02-17 | ヴィテックス・システムズ・インコーポレーテッド | バリア薄膜の縁部密封の方法 |
JP2004288473A (ja) * | 2003-03-24 | 2004-10-14 | Konica Minolta Holdings Inc | 有機エレクトロルミネッセンス素子および表示装置 |
JP2006165537A (ja) * | 2004-11-19 | 2006-06-22 | Asm Internatl Nv | 低温での金属酸化物膜の製造方法 |
JP2007053041A (ja) * | 2005-08-19 | 2007-03-01 | Sony Corp | 有機発光素子 |
JP2007141749A (ja) * | 2005-11-22 | 2007-06-07 | Seiko Epson Corp | 発光装置および電子機器 |
JP2007273515A (ja) * | 2006-03-30 | 2007-10-18 | Mitsui Eng & Shipbuild Co Ltd | 薄膜形成装置 |
WO2008057045A1 (en) * | 2006-11-06 | 2008-05-15 | Agency For Science, Technology And Research | Nanoparticulate encapsulation barrier stack |
JP2008171752A (ja) * | 2007-01-15 | 2008-07-24 | Denso Corp | カラー有機elディスプレイおよびその製造方法 |
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2013524473A (ja) * | 2010-04-12 | 2013-06-17 | コミサリア ア レネルジー アトミック エ オ ゼネルジー アルテルナティブ | 有機オプトエレクトロニックデバイス及びそれをカプセル化する方法 |
JP2016105418A (ja) * | 2010-04-12 | 2016-06-09 | コミサリア ア レネルジー アトミック エ オ ゼネルジー アルテルナティブCommissariat A L’Energie Atomique Et Aux Energies Alternatives | 有機オプトエレクトロニックデバイス及びそれをカプセル化する方法 |
JP2016515166A (ja) * | 2013-02-27 | 2016-05-26 | ロータス アプライド テクノロジー エルエルシーLotus Applied Technology, Llc | 混合金属‐シリコン‐酸化物バリア |
JP2017511955A (ja) * | 2014-01-29 | 2017-04-27 | ノキア テクノロジーズ オサケユイチア | バリア・コーティング |
CN113906579A (zh) * | 2019-03-08 | 2022-01-07 | Dnf有限公司 | 薄膜内包含金属或金属氧化物的硅金属氧化物封装膜及其制备方法 |
JP2022525052A (ja) * | 2019-03-08 | 2022-05-11 | ディーエヌエフ カンパニー リミテッド | 薄膜中に金属または金属酸化物を含むシリコン金属酸化物封止膜およびその製造方法 |
JP7410964B2 (ja) | 2019-03-08 | 2024-01-10 | ディーエヌエフ カンパニー リミテッド | 薄膜中に金属または金属酸化物を含むシリコン金属酸化物封止膜およびその製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20110198627A1 (en) | 2011-08-18 |
KR101648016B1 (ko) | 2016-08-12 |
JP2014013774A (ja) | 2014-01-23 |
US8638032B2 (en) | 2014-01-28 |
EP2345097B1 (fr) | 2018-07-18 |
FR2936651A1 (fr) | 2010-04-02 |
JP5675924B2 (ja) | 2015-02-25 |
FR2936651B1 (fr) | 2011-04-08 |
EP2345097A1 (fr) | 2011-07-20 |
KR20110081215A (ko) | 2011-07-13 |
WO2010037920A1 (fr) | 2010-04-08 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5675924B2 (ja) | 有機光電子装置及び前記装置をカプセル化する方法 | |
JP5335909B2 (ja) | エレクトロルミネセント・ディスプレイ装置、照明装置または表示装置、並びに、その製造プロセス | |
JP6933435B2 (ja) | 密封封止分離oledピクセル | |
CN106848088B (zh) | 显示模组封装结构及其制备方法 | |
US9172057B2 (en) | Encapsulation structure for an opto-electronic component | |
US20030197197A1 (en) | Organic electronic devices with pressure sensitive adhesive layer | |
KR20030008818A (ko) | 표시소자의 보호막 구조 | |
US9159953B2 (en) | Organic light-emitting display device and manufacturing method thereof | |
EP2697829A1 (fr) | Dispositif optoelectronique organique et son procede d'encapsulation | |
KR20110055568A (ko) | 복사 방출 장치 및 복사 방출 장치의 제조 방법 | |
US11196021B2 (en) | Composite film layer, having alternately-stacked sub-film layers with different refractive indexes | |
KR20160135804A (ko) | 발광 장치 및 발광 장치의 제조 방법 | |
CN110391349B (zh) | 一种有机发光二极管显示面板及其制作方法 | |
WO2021027171A1 (zh) | 一种柔性显示面板及其制备方法 | |
JP2007059407A (ja) | 有機電界発光表示装置およびこれに備えられる有機薄膜トランジスタ | |
TW582186B (en) | Method of fabricating organic light emitting display with passivation structure | |
JP2011040347A (ja) | 有機el装置 | |
KR101347471B1 (ko) | 유기 el 디바이스 및 유기 el 디바이스의 제조 방법 | |
KR102013730B1 (ko) | Oled 조명 애플리케이션을 위한 엔캡슐레이션 방법 | |
JP2009295601A (ja) | 封止構造 | |
JP5049613B2 (ja) | 有機発光装置及びその製造方法 | |
KR20150014053A (ko) | 유기 발광 다이오드 표시 장치의 제조 방법 | |
US20230200111A1 (en) | Flexible oled substrate and encapsulation method thereof | |
TWI276231B (en) | Organic light-emitting diode with drying film and method for manufacturing thereof | |
CN114284326A (zh) | 柔性oled基板及其封装方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20120619 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20130322 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20130327 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20130621 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20130628 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20130722 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20130729 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20131122 |