JP5335909B2 - エレクトロルミネセント・ディスプレイ装置、照明装置または表示装置、並びに、その製造プロセス - Google Patents
エレクトロルミネセント・ディスプレイ装置、照明装置または表示装置、並びに、その製造プロセス Download PDFInfo
- Publication number
- JP5335909B2 JP5335909B2 JP2011517190A JP2011517190A JP5335909B2 JP 5335909 B2 JP5335909 B2 JP 5335909B2 JP 2011517190 A JP2011517190 A JP 2011517190A JP 2011517190 A JP2011517190 A JP 2011517190A JP 5335909 B2 JP5335909 B2 JP 5335909B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- adhesion promoting
- promoting layer
- layer
- adhesive
- transparent
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 4
- 230000001737 promoting effect Effects 0.000 claims description 54
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 claims description 26
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 claims description 26
- 238000000231 atomic layer deposition Methods 0.000 claims description 24
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 24
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 22
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims description 19
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims description 16
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 15
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 13
- 239000002243 precursor Substances 0.000 claims description 12
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 11
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 11
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 11
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 claims description 11
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 10
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 claims description 8
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 150000002484 inorganic compounds Chemical class 0.000 claims description 7
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical group O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 7
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 6
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 claims description 5
- SBIBMFFZSBJNJF-UHFFFAOYSA-N selenium;zinc Chemical compound [Se]=[Zn] SBIBMFFZSBJNJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000011575 calcium Substances 0.000 claims description 4
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 4
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 4
- 238000007738 vacuum evaporation Methods 0.000 claims description 3
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- ADCOVFLJGNWWNZ-UHFFFAOYSA-N antimony trioxide Inorganic materials O=[Sb]O[Sb]=O ADCOVFLJGNWWNZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- GHPGOEFPKIHBNM-UHFFFAOYSA-N antimony(3+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Sb+3].[Sb+3] GHPGOEFPKIHBNM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910052593 corundum Inorganic materials 0.000 claims 1
- 238000005286 illumination Methods 0.000 claims 1
- YEAUATLBSVJFOY-UHFFFAOYSA-N tetraantimony hexaoxide Chemical compound O1[Sb](O2)O[Sb]3O[Sb]1O[Sb]2O3 YEAUATLBSVJFOY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910001845 yogo sapphire Inorganic materials 0.000 claims 1
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 13
- 230000008859 change Effects 0.000 description 11
- LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N silicon monoxide Chemical compound [Si-]#[O+] LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 4
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000010408 film Substances 0.000 description 3
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 3
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 3
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 3
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 3
- 229910052772 Samarium Inorganic materials 0.000 description 2
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 2
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 238000002845 discoloration Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 229920006332 epoxy adhesive Polymers 0.000 description 2
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 2
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 2
- 230000035699 permeability Effects 0.000 description 2
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 2
- KZUNJOHGWZRPMI-UHFFFAOYSA-N samarium atom Chemical compound [Sm] KZUNJOHGWZRPMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- SMZOUWXMTYCWNB-UHFFFAOYSA-N 2-(2-methoxy-5-methylphenyl)ethanamine Chemical compound COC1=CC=C(C)C=C1CCN SMZOUWXMTYCWNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000003848 UV Light-Curing Methods 0.000 description 1
- 239000003522 acrylic cement Substances 0.000 description 1
- 239000012080 ambient air Substances 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 1
- RHZWSUVWRRXEJF-UHFFFAOYSA-N indium tin Chemical compound [In].[Sn] RHZWSUVWRRXEJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 1
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 1
- 239000007800 oxidant agent Substances 0.000 description 1
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 1
- 229920000052 poly(p-xylylene) Polymers 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- 238000007493 shaping process Methods 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 230000002195 synergetic effect Effects 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/19—Tandem OLEDs
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/87—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K59/873—Encapsulations
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/85—Arrangements for extracting light from the devices
- H10K50/852—Arrangements for extracting light from the devices comprising a resonant cavity structure, e.g. Bragg reflector pair
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K50/841—Self-supporting sealing arrangements
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K50/842—Containers
- H10K50/8426—Peripheral sealing arrangements, e.g. adhesives, sealants
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K50/844—Encapsulations
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/87—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K59/871—Self-supporting sealing arrangements
- H10K59/8722—Peripheral sealing arrangements, e.g. adhesives, sealants
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/875—Arrangements for extracting light from the devices
- H10K59/876—Arrangements for extracting light from the devices comprising a resonant cavity structure, e.g. Bragg reflector pair
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
- H10K2102/301—Details of OLEDs
- H10K2102/302—Details of OLEDs of OLED structures
- H10K2102/3023—Direction of light emission
- H10K2102/3026—Top emission
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Description
発光構造が、少なくとも1つの有機膜を備え、かつ、一方が内側にあり他方が外側にある2つの電極間に挿入され、これらの電極の少なくとも1つは、放射される光に対して透明かまたは半透明であり、外側電極は、放射が光放射領域(luminous emission region)の外面を経由するものであるかまたは基板を介するものであるかに依存してそれぞれ、薄いかまたは比較的に厚い、発光構造によって形成された光放射領域と、
電気的接触領域が、内側電極と接触する少なくとも1つの領域と、外側電極と接触する1つの領域とを備え、それぞれの領域は、場合によっては、アクセス抵抗を最小化するために、複数のコネクションから物理的に形成された、一般的にはこの放射領域に隣接して配置される電気的接触領域とを備える。
例えばガラスから作られた保護キャップによって保護され、この保護キャップは、内側に突き出た周辺エッジを有するように成形され、かつ、このエッジによって装置の放射領域の周辺に結合され、それによって、組立品に関与する圧力は、OLEDスタックを変形させることがないか、あるいは、
放射領域上に配置された1つかまたはそれ以上の薄いエンキャプスレーション層によって保護され、このエンキャプスレーション層は、典型的には、要求される透過特性(permeability specification)を満たすように有機材料および無機材料を交互に備える。
a)中間層が、エレクトロルミネセント・ユニットによって放射される光に対して透明なものであり、化学式SiOx、ZnSe、ZnO、または、Sb2O3を有する化合物および透明導電酸化物とりわけインジウムスズ酸化物からなる群から好ましくは選択された少なくとも1つの誘電化合物に基づいたものであり、この中間層は、外側電極およびステップb)の反応性副層とともに共振空洞を形成することを意図したものである、少なくとも1つの中間層を例えば真空蒸着によって外側電極上に配置するステップと、
b)アルミニウムまたはカルシウムのような少なくとも1つの金属から作られた反応性副層を中間層上に配置するステップと、
c)接着性促進層が、接着剤と相溶性のある無機化合物に基づいたものであり、酸化アルミニウム、酸化シリコン、酸化亜鉛、および、窒化シリコンからなる群から好ましくは選択され、その結果として、反応性副層が、接着性促進層の堆積の少なくとも1つの前駆体と反応し、それによって、その下にあるユニットの層をALD堆積によって悪影響を与えられることから保護し、それによって、接着性促進層が、それが被覆する表面の凹凸に沿って一様な厚さをなし、それと同時に、安定であり、かつ、放射される光に対して透明である、ALDを用いて接着性促進層を堆積するステップと、
d)接着剤が、この外側層およびこの実質的に平坦な組立面の実質的にすべてを被覆するように、接着剤を接着性促進層におよび/または保護キャップの組立面に塗布するステップと、
e)例えば、この接着剤の紫外線硬化によって、この接着性促進層でコーティングされたユニットにキャップを結合するステップと、
を含む。
必要に応じて、構造4によって放射される光に対して透明でありかつ例えば真空蒸着のような「ソフトな」法を用いて外側電極6上に配置された第1の中間キャッピング層8を備え、この中間層8は、例えばインジウムスズ酸化物のような種類かまたは化学式SiOx、ZnSe、ZnO、Sb2O3を有するその他の種類の誘電化合物に基づいたものであり、
例えばアルミニウムまたはカルシウムから作られた反応性金属副層9を備え、この副層9は、副層9が接触する次の層10のALD堆積の前駆体と反応することができ、それによって、この副層9の下にある層を、層10の堆積による悪影響から保護し、
酸化アルミニウム、酸化シリコン、酸化亜鉛、または、窒化シリコンのような無機化合物から作られた外側ALD堆積接着性促進層10を備え、その結果として、この外側層10は、それが被覆する表面の凹凸に沿って一様な厚さをなし、それと同時に、十分に濃密であり、かつ、放射される光に対して透明である。
外側電極6は、銀から作られ,15nmの厚さを有し、
中間キャッピング層8は、SiOxから作られ、30nmの厚さを有し、
反応性副層9は、アルミニウムから作られ、2nmの厚さを有し、
外側ALD堆積層10は、Al2O3から作られ、様々な厚さを有する。
外側電極6は、同様に、銀から作られ,また、この場合にも、15nmの厚さを有し、
中間キャッピング層8は、厚さが0であり(したがって、この層8は、第1の例とは異なり、存在しない)、
反応性副層9は、アルミニウムから作られ、7nmの厚さを有し(すなわち、第1の例の場合よりも5nmだけ厚い)、
外側ALD堆積層10は、同様に、Al2O3から作られ、様々な厚さを有する。
Claims (14)
- エレクトロルミネセント・ユニット(3)によってその少なくとも1つの面上をコーティングされた基板(2)を備える、電子ディスプレイ装置、照明装置またはサイネージ装置(1)であって、前記エレクトロルミネセント・ユニット(3)は、一方が内側電極(5)であり他方が外側電極(6)である少なくとも2つの電極(5、6)を備え、これらの電極間に発光構造(4)が挿入され、これらの電極の少なくとも1つは放射される光に対して透明であり、保護キャップ(7)が、前記キャップの組立面(7b)を被覆する接着剤(7a)によって、前記ユニット(3)に接合されており、
前記接着剤は前記ユニットに載せられた接着性促進層(10)も被覆し、前記接着性促進層は原子層堆積(ALD)を用いて前駆体から堆積され、また、前記接着性促進層は前記接着剤と相溶性のある少なくとも1つの無機化合物に基づいたものであり、これらの前記前駆体の少なくとも1つと反応することのできる反応性金属副層(9)は前記接着性促進層の下にかつ前記接着性促進層に接触した状態で挿入され、前記放射される光に対して透明な少なくとも1つの誘電中間層(8)は前記外側電極と前記反応性副層との間に配置され、それによって、前記外側電極および前記反応性副層とともに、共振空洞を形成する、
ことを特徴とする電子ディスプレイ装置、照明装置またはサイネージ装置(1)。 - 前記中間層(8)が、化学式SiOx、ZnSe、ZnO、または、Sb2O3を有する化合物、および、透明導電酸化物(TCO)からなる群から選択された少なくとも1つの誘電化合物に基づいたものであることを特徴とする請求項1に記載の装置(1)。
- 前記中間層(8)が、真空蒸着技術を用いて堆積され、かつ、5nmから35nmまでの厚さを有することを特徴とする請求項1または請求項2のいずれか一項に記載の装置(1)。
- 前記接着剤(7a)が、前記キャップ(7)の前記組立面(7b)のすべてを被覆し、前記組立面(7b)が、実質的に平坦であることを特徴とする請求項1から請求項3のいずれか一項に記載の装置(1)。
- 前記接着性促進層の前記無機化合物が、酸化アルミニウム、酸化シリコン、酸化亜鉛、および、窒化シリコンからなる群から選択されることを特徴とする請求項1から請求項4のいずれか一項に記載の装置(1)。
- 前記反応性副層(9)が、アルミニウムまたはカルシウムのうち少なくとも1つの金属元素から作られ、かつ、10nmかまたはそれよりも薄い厚さを有することを特徴とする請求項1から請求項5のいずれか一項に記載の装置(1)。
- 前記接着性促進層(10)が、10nmから100nmまでの厚さを有することを特徴とする請求項1から請求項6のいずれか一項に記載の装置(1)。
- 前記接着性促進層(10)が、20nmから80nmまでの厚さを有すること、および、前記反応性副層(9)が、1nmから10nmまでの厚さを有することを特徴とする請求項7に記載の装置(1)。
- 前記接着性促進層(10)が、化学式Al2O3を有する酸化アルミニウムから作られること、および、前記反応性副層(9)が、アルミニウムから作られることを特徴とする請求項1から請求項8のいずれか一項に記載の装置(1)。
- 前記外側電極(6)が、前記放射される光に対して(半)透明な少なくとも1つの金属から作られることを特徴とする請求項1から請求項9のいずれか一項に記載の装置(1)。
- 前記接着剤(7a)が、紫外線によって硬化することができるように選択され、前記保護キャップ(7)が、この紫外線に対して透明であるように選択されることを特徴とする請求項1から請求項10のいずれか一項に記載の装置(1)。
- 前記エレクトロルミネセント・ユニット(3)が、有機発光ダイオード(OLED)を備えることを特徴とする請求項1から請求項11のいずれか一項に記載の装置(1)。
- 前記基板(2)が、半導体であること、および、前記保護キャップ(7)が、前記エレクトロルミネセント・ユニット(3)によって放射される光に対して透明であり、かつ、ガラスまたはプラスチックから作られていることを特徴とする請求項1から請求項12のいずれか一項に記載の装置(1)。
- 請求項1から請求項13のいずれか一項に記載の装置(1)を製造するためのプロセスであって、
a)前記エレクトロルミネセント・ユニット(3)によって放射される光に対して透明であり、かつ、化学式SiOx、ZnSe、ZnOまたはSb2O3を有する化合物および透明導電酸化物(TCO)からなる群から選択された少なくとも1つの誘電化合物に基づいた中間層(8)であって、前記外側電極およびステップb)の前記反応性副層とともに共振空洞を形成することを意図した少なくとも1つの中間層(8)を、真空蒸着によって前記外側電極(6)上に堆積するステップと、
b)少なくとも1つの金属から作られた前記反応性副層(9)を前記中間層の上に堆積するステップと、
c)前記接着剤(7a)と相溶性のある無機化合物に基づいており、かつ、酸化アルミニウム、酸化シリコン、酸化亜鉛および窒化シリコンからなる群から選択された前記接着性促進層(10)を、ALDを用いて堆積するステップであって、その結果、ステップb)において堆積された前記反応性副層が前記接着性促進層(10)の堆積の少なくとも1つの前駆体と反応して、その下にある前記ユニットの層をALD堆積による悪影響から保護し、かつ、前記接着性促進層(10)は、前記接着性促進層が被覆する表面の凹凸に沿って一様な厚さをなすとともに、安定であり前記放射される光に対して透明である、ステップと、
d)前記接着剤が前記接着性促進層(10)および前記組立面(7b)の実質的にすべてを被覆するように、前記接着性促進層(10)に、及び/又は、前記保護キャップ(7)の前記組立面(7b)に、前記接着剤を塗布するステップと、
e)前記接着性促進層でコーティングされた前記ユニットに前記キャップ(7)を結合するステップと、
を含むプロセス。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
FR0803841 | 2008-07-07 | ||
FR0803841A FR2933538B1 (fr) | 2008-07-07 | 2008-07-07 | Dispositif electroluminescent d'affichage, d'eclairage ou de signalisation, et son procede de fabrication |
PCT/FR2009/000798 WO2010004124A1 (fr) | 2008-07-07 | 2009-06-26 | Dispositif electroluminescent d'affichage, d'eclairage ou de signalisation, et son procede de fabrication |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2011527499A JP2011527499A (ja) | 2011-10-27 |
JP5335909B2 true JP5335909B2 (ja) | 2013-11-06 |
Family
ID=40278986
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011517190A Active JP5335909B2 (ja) | 2008-07-07 | 2009-06-26 | エレクトロルミネセント・ディスプレイ装置、照明装置または表示装置、並びに、その製造プロセス |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8222811B2 (ja) |
EP (1) | EP2304824B1 (ja) |
JP (1) | JP5335909B2 (ja) |
KR (1) | KR101580860B1 (ja) |
FR (1) | FR2933538B1 (ja) |
WO (1) | WO2010004124A1 (ja) |
Families Citing this family (25)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE102010042982A1 (de) * | 2010-10-27 | 2012-05-03 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Elektronisches Bauelement und Verfahren zum Herstellen eines elektronischen Bauelements |
DE102011079160B4 (de) * | 2011-07-14 | 2023-05-17 | Osram Oled Gmbh | Verkapselungsstruktur für ein optoelektronisches bauelement und verfahren zum verkapseln eines optoelektronischen bauelements |
CN103636023B (zh) | 2011-06-30 | 2016-09-14 | 欧司朗Oled股份有限公司 | 用于光电子器件的封装结构和用于封装光电子器件的方法 |
KR101886432B1 (ko) * | 2011-12-23 | 2018-09-07 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기전계발광표시장치 및 이의 제조 방법 |
KR20140018548A (ko) * | 2012-08-02 | 2014-02-13 | 삼성디스플레이 주식회사 | 광효율이 향상된 유기발광 표시장치 및 그 제조방법 |
DE102012214411B4 (de) | 2012-08-14 | 2022-05-25 | Osram Oled Gmbh | Vorrichtung und verfahren zum herstellen hermetisch dichter kavitäten |
US9302457B2 (en) | 2012-09-07 | 2016-04-05 | Apple Inc. | Liquid optically clear adhesive lamination process control |
EP2927346A4 (en) * | 2012-11-29 | 2016-07-20 | Lg Chemical Ltd | COATING METHOD FOR REDUCING DAMAGE TO A SHOCK LAYER |
US9818976B2 (en) | 2014-05-13 | 2017-11-14 | Apple Inc. | Encapsulation layers with improved reliability |
CN105810845B (zh) * | 2016-05-17 | 2018-05-25 | 武汉华星光电技术有限公司 | Oled器件封装结构、oled器件及显示屏 |
KR101952492B1 (ko) * | 2017-01-20 | 2019-02-26 | 한양대학교 산학협력단 | 웨이퍼 본딩 방법 및 그 제조 방법에 의해 제조된 삼차원 구조의 반도체 반도체 소자 |
US11961875B2 (en) | 2017-12-20 | 2024-04-16 | Lumileds Llc | Monolithic segmented LED array architecture with islanded epitaxial growth |
US11201265B2 (en) | 2018-09-27 | 2021-12-14 | Lumileds Llc | Micro light emitting devices |
US11777059B2 (en) | 2019-11-20 | 2023-10-03 | Lumileds Llc | Pixelated light-emitting diode for self-aligned photoresist patterning |
US11569415B2 (en) | 2020-03-11 | 2023-01-31 | Lumileds Llc | Light emitting diode devices with defined hard mask opening |
US11942507B2 (en) | 2020-03-11 | 2024-03-26 | Lumileds Llc | Light emitting diode devices |
US11848402B2 (en) | 2020-03-11 | 2023-12-19 | Lumileds Llc | Light emitting diode devices with multilayer composite film including current spreading layer |
US11735695B2 (en) | 2020-03-11 | 2023-08-22 | Lumileds Llc | Light emitting diode devices with current spreading layer |
KR20210142032A (ko) * | 2020-05-14 | 2021-11-24 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기금속 화합물 및 이를 포함한 유기 발광 소자 |
US11901491B2 (en) | 2020-10-29 | 2024-02-13 | Lumileds Llc | Light emitting diode devices |
US11626538B2 (en) | 2020-10-29 | 2023-04-11 | Lumileds Llc | Light emitting diode device with tunable emission |
US11705534B2 (en) | 2020-12-01 | 2023-07-18 | Lumileds Llc | Methods of making flip chip micro light emitting diodes |
US11955583B2 (en) | 2020-12-01 | 2024-04-09 | Lumileds Llc | Flip chip micro light emitting diodes |
US11600656B2 (en) | 2020-12-14 | 2023-03-07 | Lumileds Llc | Light emitting diode device |
US11935987B2 (en) | 2021-11-03 | 2024-03-19 | Lumileds Llc | Light emitting diode arrays with a light-emitting pixel area |
Family Cites Families (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5739545A (en) * | 1997-02-04 | 1998-04-14 | International Business Machines Corporation | Organic light emitting diodes having transparent cathode structures |
US5952778A (en) * | 1997-03-18 | 1999-09-14 | International Business Machines Corporation | Encapsulated organic light emitting device |
JP3405335B2 (ja) | 2000-11-27 | 2003-05-12 | 株式会社デンソー | 有機el素子 |
US6926572B2 (en) * | 2002-01-25 | 2005-08-09 | Electronics And Telecommunications Research Institute | Flat panel display device and method of forming passivation film in the flat panel display device |
GB0222649D0 (en) | 2002-09-30 | 2002-11-06 | Microemissive Displays Ltd | Passivation layer |
US20040099862A1 (en) * | 2002-11-27 | 2004-05-27 | Harumi Suzuki | Organic EL device and repair method thereof |
EP1629543B1 (en) * | 2003-05-16 | 2013-08-07 | E.I. Du Pont De Nemours And Company | Barrier films for flexible polymer substrates fabricated by atomic layer deposition |
GB0401613D0 (en) * | 2004-01-26 | 2004-02-25 | Cambridge Display Tech Ltd | Organic light emitting diode |
WO2006134812A1 (ja) * | 2005-06-15 | 2006-12-21 | Ulvac, Inc. | 有機elパネルの製造方法、有機el表示装置の製造方法 |
US7508130B2 (en) * | 2005-11-18 | 2009-03-24 | Eastman Kodak Company | OLED device having improved light output |
TWI313395B (en) | 2006-01-13 | 2009-08-11 | Icf Technology Co Ltd | Substrate structure and method of manufacturing thin film pattern layer using the same |
US20070172971A1 (en) * | 2006-01-20 | 2007-07-26 | Eastman Kodak Company | Desiccant sealing arrangement for OLED devices |
KR100943185B1 (ko) * | 2008-04-24 | 2010-02-19 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 유기 발광 디스플레이 장치 |
-
2008
- 2008-07-07 FR FR0803841A patent/FR2933538B1/fr active Active
-
2009
- 2009-06-26 JP JP2011517190A patent/JP5335909B2/ja active Active
- 2009-06-26 US US13/001,874 patent/US8222811B2/en active Active
- 2009-06-26 KR KR1020117001994A patent/KR101580860B1/ko active IP Right Grant
- 2009-06-26 EP EP09794005.0A patent/EP2304824B1/fr active Active
- 2009-06-26 WO PCT/FR2009/000798 patent/WO2010004124A1/fr active Application Filing
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20110186871A1 (en) | 2011-08-04 |
KR101580860B1 (ko) | 2015-12-29 |
KR20110043623A (ko) | 2011-04-27 |
FR2933538B1 (fr) | 2012-09-21 |
FR2933538A1 (fr) | 2010-01-08 |
EP2304824A1 (fr) | 2011-04-06 |
JP2011527499A (ja) | 2011-10-27 |
US8222811B2 (en) | 2012-07-17 |
EP2304824B1 (fr) | 2016-12-14 |
WO2010004124A1 (fr) | 2010-01-14 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5335909B2 (ja) | エレクトロルミネセント・ディスプレイ装置、照明装置または表示装置、並びに、その製造プロセス | |
KR101648016B1 (ko) | 유기 광전자장치 및 캡슐화방법 | |
JP6577069B2 (ja) | フレキシブル有機電子デバイスの製造 | |
KR101717472B1 (ko) | 봉지용 적층체, 유기발광장치 및 이들의 제조방법 | |
JP5837191B2 (ja) | オプトエレクトロニクス素子のためのカプセル化構造及びオプトエレクトロニクス素子をカプセル化するための方法 | |
TWI578588B (zh) | 有機發光二極體裝置及其製造方法 | |
KR101335369B1 (ko) | 유기 발광 소자 | |
KR20160135804A (ko) | 발광 장치 및 발광 장치의 제조 방법 | |
TWI557962B (zh) | 有機發光二極體封裝結構及其製造方法 | |
KR20120043027A (ko) | 게터 물질을 갖는 밀폐형 패키지 | |
KR20130086052A (ko) | 전자 컴포넌트 및 전자 컴포넌트를 제조하기 위한 방법 | |
TWI338533B (en) | White organic electroluminescent elements and display using the same | |
JP2018098134A (ja) | 光透過型有機エレクトロルミネッセンスパネルおよび有機エレクトロルミネッセンス光源装置 | |
JP2019102445A (ja) | 照明装置用oledパネル及びその製造方法 | |
CN111162188A (zh) | 薄膜封装结构及其制备方法和显示面板 | |
CN111972044B (zh) | 显示装置及显示装置的制造方法 | |
JP2019102299A (ja) | 有機el素子、並びに有機el照明装置、有機el素子光源及び有機el表示装置 | |
JP7506436B2 (ja) | 有機el素子、有機el照明装置、および有機el素子の着色抑制をする光取出し用フィルム | |
JP6746635B2 (ja) | 発光装置 | |
TWM493159U (zh) | 具有阻水層之有機發光元件 | |
KR20150122856A (ko) | 유기발광소자 봉지방법 | |
TW201426916A (zh) | 電子元件封裝結構與其製作方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20120319 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20130131 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20130305 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20130604 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20130705 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20130731 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5335909 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |