JP2012235145A - 発光装置 - Google Patents
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- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 354
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims abstract description 152
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims abstract description 152
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 29
- 229910000789 Aluminium-silicon alloy Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 238000009877 rendering Methods 0.000 abstract description 22
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 172
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 31
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 17
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 17
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 17
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 16
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 9
- 239000011247 coating layer Substances 0.000 description 6
- BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N Orthosilicate Chemical compound [O-][Si]([O-])([O-])[O-] BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 4
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 3
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 description 2
- 229910052586 apatite Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 2
- VSIIXMUUUJUKCM-UHFFFAOYSA-D pentacalcium;fluoride;triphosphate Chemical compound [F-].[Ca+2].[Ca+2].[Ca+2].[Ca+2].[Ca+2].[O-]P([O-])([O-])=O.[O-]P([O-])([O-])=O.[O-]P([O-])([O-])=O VSIIXMUUUJUKCM-UHFFFAOYSA-D 0.000 description 2
- 230000009103 reabsorption Effects 0.000 description 2
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 1
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 1
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920001807 Urea-formaldehyde Polymers 0.000 description 1
- 230000009102 absorption Effects 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 150000001925 cycloalkenes Chemical class 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- 239000004205 dimethyl polysiloxane Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000000295 emission spectrum Methods 0.000 description 1
- 125000003700 epoxy group Chemical group 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- AHHWIHXENZJRFG-UHFFFAOYSA-N oxetane Chemical compound C1COC1 AHHWIHXENZJRFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920000435 poly(dimethylsiloxane) Polymers 0.000 description 1
- -1 polydimethylsiloxane Polymers 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
- C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
- C09K11/0883—Arsenides; Nitrides; Phosphides
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
- C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
- C09K11/77—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals
- C09K11/7728—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals containing europium
- C09K11/77348—Silicon Aluminium Nitrides or Silicon Aluminium Oxynitrides
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
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- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/50—Wavelength conversion elements
- H01L33/501—Wavelength conversion elements characterised by the materials, e.g. binder
- H01L33/502—Wavelength conversion materials
- H01L33/504—Elements with two or more wavelength conversion materials
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- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
- H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/45001—Core members of the connector
- H01L2224/45099—Material
- H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
- H01L2224/45138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
- H01L2224/45144—Gold (Au) as principal constituent
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- H—ELECTRICITY
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/50—Wavelength conversion elements
- H01L33/501—Wavelength conversion elements characterised by the materials, e.g. binder
- H01L33/502—Wavelength conversion materials
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- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/50—Wavelength conversion elements
- H01L33/505—Wavelength conversion elements characterised by the shape, e.g. plate or foil
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
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- Organic Chemistry (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Led Device Packages (AREA)
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Abstract
【解決手段】発光装置は、波長380nm〜470nmの光を発する発光素子12と、この発光素子上に配置され、樹脂中に分散されたCASN系の第1の赤色蛍光体と、この発光素子上に配置され、樹脂中に分散されたサイアロン系の第2の赤色蛍光体と、この発光素子上に配置され、樹脂中に分散されたサイアロン系の緑色蛍光体と、を備える。そして、第1の赤色蛍光体が、第1の赤色蛍光体層22aとして、発光素子上に配置され、第2の赤色蛍光体が、第1の赤色蛍光体層上の第2の赤色蛍光体層22bとして、発光素子上に配置され、緑色蛍光体が、第2の赤色蛍光体層上の緑色蛍光体層22として、発光素子上に配置される。
【選択図】図4
Description
(上記一般式(1)中、x1、a1、b1、c1、d1は次の関係を満たす。0<x1<0.03、0.90<a1<1.1、0.90<b1<1.1、0.20<c1<0.45、
2.40<d1≦3.00)
(上記一般式(2)中、x2、a2、b2、c2、d2は、次の関係を満たす。0<x2<1、0.55<a2<0.95、2.0<b2<3.9、0<c2<0.6、4<d2<5.7)
(上記一般式(3)中、x、y、z、u、wは、次の関係を満たす。0<x<1、−0.1<y<0.3、−3<z≦1、−3<u−w≦1.5)
本実施の形態の発光装置は、波長380nm〜470nmの光を発する発光素子と、この発光素子上に配置され、下記一般式(1)で表わされる組成を有し、樹脂中に分散された第1の赤色蛍光体と、この発光素子上に配置され、下記一般式(2)で表わされる組成を有し、樹脂中に分散された第2の赤色蛍光体と、この発光素子上に配置され、下記一般式(3)で表わされる組成を有し、樹脂中に分散された緑色蛍光体と、を備える。
(上記一般式(1)中、x1、a1、b1、c1、d1は次の関係を満たす。0<x1<0.03、0.90<a1<1.1、0.90<b1<1.1、0.20<c1<0.45、2.40<d1≦3.00)
(上記一般式(2)中、x2、a2、b2、c2、d2は、次の関係を満たす。0<x2<1、0.55<a2<0.95、2.0<b2<3.9、0<c2<0.6、4<d2<5.7)
(上記一般式(3)中、x、y、z、u、wは、次の関係を満たす。0<x<1、−0.1<y<0.3、−3<z≦1、−3<u−w≦1.5)
(上記一般式(1)中、x1、a1、b1、c1、d1は次の関係を満たす。0<x1<0.03、0.90<a1<1.1、0.90<b1<1.1、0.20<c1<0.45、2.40<d1≦3.00)
(上記一般式(2)中、x2、a2、b2、c2、d2は、次の関係を満たす。0<x2<1、0.55<a2<0.95、2.0<b2<3.9、0<c2<0.6、4<d2<5.7)
(上記一般式(3)中、x、y、z、u、wは、次の関係を満たす。0<x<1、−0.1<y<0.3、−3<z≦1、−3<u−w≦1.5)
本実施の形態の発光装置は、第1の赤色蛍光体が第1の赤色蛍光体層として発光素子上に配置され、第2の赤色蛍光体が第1の赤色蛍光体層上の第2の赤色蛍光体層として発光素子上に配置され、緑色蛍光体が第2の赤色蛍光体層上の緑色蛍光体層として、発光素子上に配置されること以外は第1の実施の形態と同様である。したがって、第1の実施の形態と重複する内容については記載を省略する。
(上記一般式(1)中、x1、a1、b1、c1、d1は次の関係を満たす。0<x1<0.03、0.90<a1<1.1、0.90<b1<1.1、0.20<c1<0.45、2.40<d1≦3.00)
(上記一般式(2)中、x2、a2、b2、c2、d2は、次の関係を満たす。0<x2<1、0.55<a2<0.95、2.0<b2<3.9、0<c2<0.6、4<d2<5.7)
本実施の形態の発光装置は、赤色蛍光体層と緑色蛍光体層との間に、さらに、透明樹脂層が設けられること以外は第1の実施の形態と同様である。したがって、第1の実施の形態と重複する内容については記載を省略する。
本実施の形態の発光装置は、第2の赤色蛍光体層と緑色蛍光体層との間に、さらに、透明樹脂層が設けられること以外は第2の実施の形態と同様である。したがって、第2の実施の形態と重複する内容については記載を省略する。
本実施の形態の発光装置は、発光素子が波長380nm〜420nmの近紫外光を発するLEDであること、緑色蛍光体層を覆う透明樹脂層にかえて青色蛍光体層を有すること以外は、第3の実施の形態と同様である。したがって、第3の実施の形態と重複する内容については記載を省略する。
本実施の形態の発光装置は、発光素子が波長380nm〜420nmの近紫外光を発するLEDであること、緑色蛍光体層を覆う透明樹脂層にかえて青色蛍光体層を有すること以外は、第4の実施の形態と同様である。したがって、第4の実施の形態と重複する内容については記載を省略する。
本実施の形態の発光装置は、蛍光体樹脂塗布層および透明樹脂層の形状が半球型ではなく、平板状になった以外は第4の実施の形態と同様である。したがって、第4の実施の形態と重複する内容については記載を省略する。
本実施の形態の発光装置は、蛍光体樹脂塗布層および透明樹脂層の形状が半球型ではなく、平板状になった以外は第5の実施の形態と同様である。したがって、第5の実施の形態と重複する内容については記載を省略する。
本実施の形態の発光装置は、蛍光体樹脂塗布層および透明樹脂層の形状が半球型ではなく、平板状になった以外は第6の実施の形態と同様である。したがって、第6の実施の形態と重複する内容については記載を省略する。
図4に示した第4の実施の形態の発光装置を製造した。発光素子としては、InGaN系化合物半導体を活性層として用いた波長455nmの青色光を発する青色LEDを用いた。この際、表1の実施例1の欄に示した組成、ピーク波長を有するサイアロン系緑色蛍光体を適用した。第1の赤色蛍光体として、表3に示すCASN系赤色蛍光体を適用した。また、表2の実施例1の欄に示した組成、ピーク波長を有するサイアロン系赤色蛍光体を第2の赤色蛍光体に適用した。第1の赤色蛍光体、第2の赤色蛍光体、緑色蛍光体の混合比等は、色温度が電球色(2800K)近傍になるよう設計した。
緑色蛍光体として、表1の実施例2の欄に示すサイアロン系緑色蛍光体を適用し、第1の赤色蛍光体として、表3の実施例2の欄に示すCASN系赤色蛍光体を適用し、第2の赤色蛍光体として、表2の実施例1の欄に示すサイアロン系赤色蛍光体を適用する以外は、実施例1と同様に発光装置を製造し評価した。結果を表4に示す。
図1に示した第1の実施の形態の発光装置を製造した。緑色蛍光体として、表1の実施例3の欄に示すサイアロン系緑色蛍光体を適用し、第1の赤色蛍光体として、表3の実施例3の欄に示すCASN系赤色蛍光体を適用し、第2の赤色蛍光体として、表2の実施例3の欄に示すサイアロン系赤色蛍光体を適用した。上記以外は、実施例1と同様に発光装置を製造し評価した。結果を表4に示す。
図2に示した第2の実施の形態の発光装置を製造した。緑色蛍光体として、表1の実施例4の欄に示すサイアロン系緑色蛍光体を適用し、第1の赤色蛍光体として、表3の実施例4の欄に示すCASN系赤色蛍光体を適用し、第2の赤色蛍光体として、表2の実施例4の欄に示すサイアロン系赤色蛍光体を適用した。上記以外は、実施例1と同様に発光装置を製造し評価した。結果を表4に示す。
図3に示した第3の実施の形態の発光装置を製造した。緑色蛍光体として、表1の実施例5の欄に示すサイアロン系緑色蛍光体を適用し、第1の赤色蛍光体として、表3の実施例5の欄に示すCASN系赤色蛍光体を適用し、第2の赤色蛍光体として、表2の実施例5の欄に示すサイアロン系赤色蛍光体を適用した。上記以外は、実施例1と同様に発光装置を製造し評価した。結果を表4に示す。
図3に示した第3の実施の形態の発光装置を製造した。発光素子にInGaN系化合物半導体を活性層とし、青色の455nmに発光ピーク波長をもちいたLEDチップ12を用い、8mm角のAlNパッケージ10上に半田を用いて接合し、金ワイヤ14を介して電極に接続した。このLED上にドーム状に透明樹脂18を塗布し、その上に第1の赤色蛍光体として、表3の実施例6の欄に示すCASN系赤色蛍光体と、第2の赤色蛍光体として、表2の実施例6の欄に示すサイアロン系赤色蛍光体を重量比で1:6.8の割合で混合した混合赤色蛍光体を30重量%分散させた透明樹脂20を層状に塗布し、さらに、この上に透明樹脂30をドーム状に塗布し、その上に緑色蛍光体として、表1の実施例6の欄に示すサイアロン系緑色蛍光体を30重量%分散させた透明樹脂22を層状に塗布し、さらにその上の最外周に透明樹脂層24を層状に塗布し、発光装置を製造した。第1の赤色蛍光体、第2の赤色蛍光体、緑色蛍光体の混合比等は、色温度が白色(4200K)近傍になるよう設計した。実施例1と同様に発光装置を評価した。結果を表4に示す。
図7に示した第7の実施の形態の発光装置を製造した。発光素子にInGaN系化合物半導体を活性層とし、青色455nmに発光ピーク波長をもちいたLEDチップ12を用い、8mm角のAlNパッケージ10上に半田を用いて接合し、金ワイヤ14を介して電極に接続した。このLED上にドーム状に透明樹脂18を塗布し、その上に第1の赤色蛍光体として、表3の実施例7の欄に示すCASN系赤色蛍光体を10重量%分散させた平板状の透明樹脂20aを層状に塗布し、その上に、第2の赤色蛍光体として、表2の実施例7の欄に示すサイアロン系赤色蛍光体を30重量%分散させた透明樹脂20bを層状に塗布し重ね、さらに、この上に透明樹脂30を平板状の層で覆い、その上に緑色蛍光体として、表1の実施例7の欄に示すサイアロン系緑色蛍光体を30重量%分散させた平板状の透明樹脂22を層状に塗布、積層し、さらにその上の最外周に透明樹脂層24を層状に塗布し、発光装置を製造した。第1の赤色蛍光体、第2の赤色蛍光体、緑色蛍光体の混合比等は、色温度が白色(4200K)近傍になるよう設計した。実施例1と同様に発光装置を評価した。結果を表4に示す。
図7に示した第7の実施の形態の発光装置を製造した。発光素子にInGaN系化合物半導体を活性層とし、青色455nmに発光ピーク波長をもちいたLEDチップ12を用い、8mm角のAlNパッケージ10上に半田を用いて接合し、金ワイヤ14を介して電極に接続した。このLED上にドーム状に透明樹脂18を塗布し、その上に第1の赤色蛍光体として、表3の実施例8の欄に示すCASN系赤色蛍光体を10重量%分散させた平板状の透明樹脂20aを層状に塗布し、その上に、第2の赤色蛍光体として、表2の実施例8の欄に示すサイアロン系赤色蛍光体を30重量%分散させた透明樹脂20bを層状に塗布し重ね、さらに、この上に透明樹脂30を平板状の層で覆い、その上に緑色蛍光体として、表1の実施例8の欄に示すサイアロン系緑色蛍光体を30重量%分散させた平板状の透明樹脂22を層状に塗布、積層し、さらにその上の最外周に透明樹脂層24を層状に塗布し、発光装置を製造した。第1の赤色蛍光体、第2の赤色蛍光体、緑色蛍光体の混合比等は、色温度が電球色(2800K)近傍になるよう設計した。実施例1と同様に発光装置を評価した。結果を表4に示す。
図5に示した第5の実施の形態の発光装置を製造した。発光素子にInGaN系化合物半導体を活性層とし、近紫外の405nmに発光ピーク波長をもちいたLEDチップ12を用い、8mm角のAlNパッケージ10上に半田を用いて接合し、金ワイヤ14を介して電極に接続した。このLED上にドーム状に透明樹脂18を塗布し、その上に第1の赤色蛍光体として、表3の実施例9の欄に示すCASN系赤色蛍光体と、第2の赤色蛍光体として、表2の実施例9の欄に示すサイアロン系赤色蛍光体を重量比で1:7.6の割合で混合した混合赤色蛍光体を30重量%分散させた透明樹脂20を層状に塗布し、さらに、この上に透明樹脂30をドーム状に塗布し、その上に緑色蛍光体として、表1の実施例9の欄に示すサイアロン系緑色蛍光体を30重量%分散させた透明樹脂22を層状に塗布し、その上に、ピーク波長445nmの(Sr,Ca)10(PO4)6Cl2:Eu2+という組成で表されるハロ燐酸塩系の青色蛍光体を30重量%分散させた透明樹脂28を層状に塗布し、発光装置を製造した。第1の赤色蛍光体、第2の赤色蛍光体、緑色蛍光体の混合比等は、色温度が白色(4200K)近傍になるよう設計した。実施例1と同様に発光装置を評価した。結果を表4に示す。
図6に示した第6の実施の形態の発光装置を製造した。発光素子にInGaN系化合物半導体を活性層とし、近紫外の405nmに発光ピーク波長をもちいたLEDチップ12を用い、8mm角のAlNパッケージ10上に半田を用いて接合し、金ワイヤ14を介して電極に接続した。このLED上にドーム状に透明樹脂18を塗布し、その上に第1の赤色蛍光体として、表3の実施例10の欄に示すCASN系赤色蛍光体を10重量%分散させた透明樹脂20aを層状に塗布し、その上に、第2の赤色蛍光体として、表2の実施例10の欄に示すサイアロン系赤色蛍光体を30重量%分散させた透明樹脂20bを層状に塗布し、さらに、この上に透明樹脂30をドーム状に塗布し、その上に緑色蛍光体として、表1の実施例10の欄に示すサイアロン系緑色蛍光体を30重量%分散させた透明樹脂22を層状に塗布して、その上に、(Sr,Ca)10(PO4)6Cl2:Eu2+という組成で表されるハロ燐酸塩系の青色蛍光体を30重量%分散させた透明樹脂28を層状に塗布し、発光装置を製造した。第1の赤色蛍光体、第2の赤色蛍光体、緑色蛍光体の混合比等は、色温度が白色(4200K)近傍になるよう設計した。実施例1と同様に発光装置を評価した。結果を表4に示す。
図5に示した第5の実施の形態の発光装置を製造した。発光素子にInGaN系化合物半導体を活性層とし、近紫外の405nmに発光ピーク波長をもちいたLEDチップ12を用い、8mm角のAlNパッケージ10上に半田を用いて接合し、金ワイヤ14を介して電極に接続した。このLED上にドーム状に透明樹脂18を塗布し、その上に第1の赤色蛍光体として、表3の実施例11の欄に示すCASN系赤色蛍光体と、第2の赤色蛍光体として、表2の実施例11の欄に示すサイアロン系赤色蛍光体を重量比で1:7.6の割合で混合した混合赤色蛍光体を30重量%分散させた透明樹脂20を層状に塗布し、さらに、この上に透明樹脂30をドーム状に塗布し、その上に緑色蛍光体として、表1の実施例11の欄に示すサイアロン系緑色蛍光体を30重量%分散させた透明樹脂22を層状に塗布し、その上に、ピーク波長445nmの(Sr,Ca)10(PO4)6Cl2:Eu2+という組成で表されるハロ燐酸塩系の青色蛍光体を30重量%分散させた透明樹脂28を層状に塗布し、発光装置を製造した。第1の赤色蛍光体、第2の赤色蛍光体、緑色蛍光体の混合比等は、色温度が電球色(2800K)近傍になるよう設計した。実施例1と同様に発光装置を評価した。結果を表4に示す。
図6に示した第6の実施の形態の発光装置を製造した。発光素子にInGaN系化合物半導体を活性層とし、近紫外の405nmに発光ピーク波長をもちいたLEDチップ12を用い、8mm角のAlNパッケージ10上に半田を用いて接合し、金ワイヤ14を介して電極に接続した。このLED上にドーム状に透明樹脂18を塗布し、その上に第1の赤色蛍光体として、表3の実施例12の欄に示すCASN系赤色蛍光体を10重量%分散させた透明樹脂20aを層状に塗布し、その上に、第2の赤色蛍光体として、表2の実施例12の欄に示すサイアロン系赤色蛍光体を30重量%分散させた透明樹脂20bを層状に塗布し、さらに、この上に透明樹脂30をドーム状に塗布し、その上に緑色蛍光体として、表1の実施例12の欄に示すサイアロン系緑色蛍光体を30重量%分散させた透明樹脂22を層状に塗布して、その上に、(Sr,Ca)10(PO4)6Cl2:Eu2+という組成で表されるハロ燐酸塩系の青色蛍光体を30重量%分散させた透明樹脂28を層状に塗布し、発光装置を製造した。第1の赤色蛍光体、第2の赤色蛍光体、緑色蛍光体の混合比等は、色温度が電球色(2800K)近傍になるよう設計した。実施例1と同様に発光装置を評価した。結果を表4に示す。
図9に示した第9の実施の形態の発光装置を製造した。発光素子にInGaN系化合物半導体を活性層とし、近紫外の405nmに発光ピーク波長をもちいたLEDチップ12を用い、8mm角のAlNパッケージ10上に半田を用いて接合し、金ワイヤ14を介して電極に接続した。このLED上にドーム状に透明樹脂16で封止し、その上に第1の赤色蛍光体として、表3の実施例13の欄に示すCASN系赤色蛍光体を、10重量%分散させた平板状の透明樹脂20aを層状に塗布し、その上に、第2の赤色蛍光体として、表2の実施例13の欄に示すサイアロン系赤色蛍光体を30重量%分散させた平板状の透明樹脂20bを層状に塗布し、さらに、この上に透明樹脂30を平板状に塗布し、その上に緑色蛍光体として、表1の実施例13の欄に示すサイアロン系緑色蛍光体を30重量%分散させた透明樹脂22を層状に塗布して、さらにその上に、(Sr,Ca)10(PO4)6Cl2:Eu2+という組成で表されるハロ燐酸塩系の青色蛍光体を30重量%分散させた透明樹脂28を層状に塗布した発光装置を製造した。第1の赤色蛍光体、第2の赤色蛍光体、緑色蛍光体の混合比等は、色温度が電球色(2800K)近傍になるよう設計した。実施例1と同様に発光装置を評価した。結果を表4に示す。
図8に示した第8の実施の形態の発光装置を製造した。発光素子にInGaN系化合物半導体を活性層とし、近紫外の405nmに発光ピーク波長をもちいたLEDチップ12を用い、8mm角のAlNパッケージ10上に半田を用いて接合し、金ワイヤ14を介して電極に接続した。このLED上に透明樹脂16で封止し、その上に第1の赤色蛍光体として、表3の実施例14の欄に示すCASN系赤色蛍光体と、第2の赤色蛍光体として、表2の実施例14の欄に示すサイアロン系赤色蛍光体を重量比で1:4.9の割合で混合した混合赤色蛍光体を30重量%分散させた平板状の透明樹脂20を層状に塗布し、さらに、この上に透明樹脂30を平板に塗布し、その上に緑色蛍光体として、表1の実施例14の欄に示すサイアロン系緑色蛍光体を30重量%分散させた透明樹脂22を層状に塗布して、さらにその上に、(Sr,Ca)10(PO4)6Cl2:Eu2+という組成で表されるハロ燐酸塩系の青色蛍光体を30重量%分散させた透明樹脂28を層状に塗布した発光装置を製造した。第1の赤色蛍光体、第2の赤色蛍光体、緑色蛍光体の混合比等は、色温度が電球色(2800K)近傍になるよう設計した。実施例1と同様に発光装置を評価した。結果を表4に示す。
図9に示した第9の実施の形態の発光装置を製造した。発光素子にInGaN系化合物半導体を活性層とし、近紫外の405nmに発光ピーク波長をもちいたLEDチップ12を用い、8mm角のAlNパッケージ10上に半田を用いて接合し、金ワイヤ14を介して電極に接続した。このLED上にドーム状に透明樹脂16で封止し、その上に第1の赤色蛍光体として、表3の実施例15の欄に示すCASN系赤色蛍光体を、10重量%分散させた平板状の透明樹脂20aを層状に塗布し、その上に、第2の赤色蛍光体として、表2の実施例15の欄に示すサイアロン系赤色蛍光体を30重量%分散させた平板状の透明樹脂20bを層状に塗布し、さらに、この上に透明樹脂30を平板状に塗布し、その上に緑色蛍光体として、表1の実施例15の欄に示すサイアロン系緑色蛍光体を30重量%分散させた透明樹脂22を層状に塗布して、さらにその上に、(Sr,Ca)10(PO4)6Cl2:Eu2+という組成で表されるハロ燐酸塩系の青色蛍光体を30重量%分散させた透明樹脂28を層状に塗布した発光装置を製造した。第1の赤色蛍光体、第2の赤色蛍光体、緑色蛍光体の混合比等は、色温度が白色(4200K)近傍になるよう設計した。実施例1と同様に発光装置を評価した。結果を表4に示す。
図8に示した第8の実施の形態の発光装置を製造した。発光素子にInGaN系化合物半導体を活性層とし、近紫外の405nmに発光ピーク波長をもちいたLEDチップ12を用い、8mm角のAlNパッケージ10上に半田を用いて接合し、金ワイヤ14を介して電極に接続した。このLED上に透明樹脂16で封止し、その上に第1の赤色蛍光体として、表3の実施例16の欄に示すCASN系赤色蛍光体と、第2の赤色蛍光体として、表2の実施例16の欄に示すサイアロン系赤色蛍光体を重量比で1:4.9の割合で混合した混合赤色蛍光体を30重量%分散させた平板状の透明樹脂20を層状に塗布し、さらに、この上に透明樹脂30を平板に塗布し、その上に緑色蛍光体として、表1の実施例16の欄に示すサイアロン系緑色蛍光体を30重量%分散させた透明樹脂22を層状に塗布して、さらにその上に、(Sr,Ca)10(PO4)6Cl2:Eu2+という組成で表されるハロ燐酸塩系の青色蛍光体を30重量%分散させた透明樹脂28を層状に塗布した発光装置を製造した。第1の赤色蛍光体、第2の赤色蛍光体、緑色蛍光体の混合比等は、色温度が白色(4200K)近傍になるよう設計した。実施例1と同様に発光装置を評価した。結果を表4に示す。
緑色蛍光体として、表5の各実施例の欄に示すサイアロン系緑色蛍光体を適用し、第1
の赤色蛍光体として、表3の実施例10の欄に示すCASN系赤色蛍光体を適用し、第2の赤色蛍光体として、表6の各実施例の欄に示すサイアロン系赤色蛍光体を適用する以外は、実施例1と同様に発光装置を製造し評価した。結果を表7に示す。
図3に示した第3の実施の形態の発光装置を製造した。発光素子にInGaN系化合物半導体を活性層とし、青色の455nmに発光ピーク波長をもちいたLEDチップ12を用い、8mm角のAlNパッケージ10上に半田を用いて接合し、金ワイヤ14を介して電極に接続した。このLED上にドーム状に透明樹脂18を塗布し、その上に第1の赤色蛍光体として、表3の実施例6の欄に示すCASN系赤色蛍光体と、第2の赤色蛍光体として、表6の実施例の欄に示すサイアロン系赤色蛍光体を適当な重量比にて混合した混合赤色蛍光体を30重量%分散させた透明樹脂20を層状に塗布し、さらに、この上に透明樹脂30をドーム状に塗布し、その上に緑色蛍光体として、表1の実施例6の欄に示すサイアロン系緑色蛍光体を30重量%分散させた透明樹脂22を層状に塗布し、さらにその上の最外周に透明樹脂層24を層状に塗布し、発光装置を製造した。第1の赤色蛍光体、第2の赤色蛍光体、緑色蛍光体の混合比等は、色温度が白色(4200K)近傍になるよう設計した。実施例1と同様に発光装置を評価した。結果を表7に示す。
図3に示した第3の実施の形態に類似の発光装置を製造した。緑色蛍光体として、表1の比較例1の欄に示すシリケート系緑色蛍光体を適用し、赤色蛍光体として、表2の比較例1の欄に示すシリケート系赤色蛍光体を適用した。上記以外は、実施例5と同様に発光装置を評価した。結果を表4に示す。
図1に示した第1の実施の形態に類似の発光装置を製造した。緑色蛍光体として、表1の比較例2の欄に示すシリケート系緑色蛍光体を適用し、赤色蛍光体として、表2の比較例2の欄に示すシリケート系赤色蛍光体を適用した。上記以外は、実施例3と同様に発光装置を評価した。結果を表4に示す。
図3に示した第3の実施の形態に類似の発光装置を製造した。緑色蛍光体として、表1の比較例3の欄に示すサイアロン系緑色蛍光体を適用し、赤色蛍光体として、表3の比較例3の欄に示すサイアロン系赤色蛍光体を適用した。上記以外は、実施例5と同様に発光装置を評価した。結果を表4に示す。
緑色蛍光体として、表1の比較例4の欄に示すサイアロン系緑色蛍光体と、赤色蛍光体として、表3の比較例4の欄に示すサイアロン系赤色蛍光体を作成した。緑色蛍光体は一般式(3)の組成範囲外であり、赤色蛍光体は一般式(2)の組成範囲外である。いずれも発光効率が低く、発光装置を製造するには不十分な特性であった。
緑色蛍光体として、表1の比較例5の欄に示すサイアロン系緑色蛍光体と、赤色蛍光体として、表3の比較例5の欄に示すサイアロン系赤色蛍光体を作成した。緑色蛍光体は一般式(3)の組成範囲外であり、赤色蛍光体は一般式(2)の組成範囲外である。いずれも発光効率が低く、発光装置を製造するには不十分な特性であった。
緑色蛍光体として、表1の比較例6の欄に示すシリケート系緑色蛍光体と、赤色蛍光体として、表3の比較例5の欄に示す窒化物系赤色蛍光体を作成した。いずれも発光効率が低く、発光装置を製造するには不十分な特性であった。
図3に示した第3の実施の形態に類似の発光装置を製造した。発光素子にInGaN系化合物半導体を活性層とし、青色の455nmに発光ピーク波長をもちいたLEDチップ12を用い、8mm角のAlNパッケージ10上に半田を用いて接合し、金ワイヤ14を介して電極に接続した。このLED上にドーム状に透明樹脂18を塗布し、その上に赤色蛍光体として、表2の比較例7の欄に示すサイアロン系赤色蛍光体を30重量%分散させた透明樹脂22を層状に塗布し、さらに、この上に透明樹脂30をドーム状に塗布し、その上に緑色蛍光体として、表1の比較例7の欄に示すサイアロン系緑色蛍光体を30重量%分散させた透明樹脂24を層状に塗布し、発光装置を製造した。色温度が白色(4200K)近傍になるよう設計した。実施例1と同様に発光装置を評価した。結果を表4に示す。
図3に示した第3の実施の形態に類似の発光装置を製造した。発光素子にInGaN系化合物半導体を活性層とし、青色の455nmに発光ピーク波長をもちいたLEDチップ12を用い、8mm角のAlNパッケージ10上に半田を用いて接合し、金ワイヤ14を介して電極に接続した。このLED上にドーム状に透明樹脂18を塗布し、その上に赤色蛍光体として、表2の比較例8の欄に示すサイアロン系赤色蛍光体を30重量%分散させた透明樹脂20を層状に塗布し、さらに、この上に透明樹脂30をドーム状に塗布し、その上に緑色蛍光体として、表1の比較例8の欄に示すサイアロン系緑色蛍光体を30重量%分散させた透明樹脂22を層状に塗布し、さらにその上の最外周に透明樹脂層24を層状に塗布し、発光装置を製造した。色温度が電球色(2800K)近傍になるよう設計した。実施例1と同様に発光装置を評価した。結果を表4に示す。
図5に示した第5の実施の形態に類似の発光装置を製造した。発光素子にInGaN系化合物半導体を活性層とし、近紫外の405nmに発光ピーク波長をもちいたLEDチップ12を用い、8mm角のAlNパッケージ10上に半田を用いて接合し、金ワイヤ14を介して電極に接続した。このLED上にドーム状に透明樹脂18を塗布し、その上に赤色蛍光体として、表2の比較例9の欄に示すサイアロン系赤色蛍光体を30重量%分散させた透明樹脂20を層状に塗布し、さらに、この上に透明樹脂30をドーム状に塗布し、その上に表1の比較例9の欄に示すサイアロン系緑色蛍光体を30重量%分散させた透明樹脂22を層状に塗布して、さらにその上に、(Sr,Ca)10(PO4)6Cl2:Eu2+という組成で表されるハロ燐酸塩系の青色蛍光体を30重量%分散させた透明樹脂28を層状に塗布した発光装置を製造した。色温度が白色(4200K)近傍になるよう設計した。実施例1と同様に発光装置を評価した。結果を表4に示す。
図5に示した第5の実施の形態に類似の発光装置を製造した。発光素子にInGaN系化合物半導体を活性層とし、近紫外の405nmに発光ピーク波長をもちいたLEDチップ12を用い、8mm角のAlNパッケージ10上に半田を用いて接合し、金ワイヤ14を介して電極に接続した。このLED上にドーム状に透明樹脂18を塗布し、その上に赤色蛍光体として、表2の比較例10の欄に示すサイアロン系赤色蛍光体を30重量%分散させた透明樹脂20を層状に塗布し、さらに、この上に透明樹脂30をドーム状に塗布し、その上に表1の比較例10の欄に示すサイアロン系緑色蛍光体を30重量%分散させた透明樹脂22を層状に塗布して、さらにその上に、(Sr,Ca)10(PO4)6Cl2:Eu2+という組成で表されるハロ燐酸塩系の青色蛍光体を30重量%分散させた透明樹脂28を層状に塗布した発光装置を製造した。色温度が電球色(2800K)近傍になるよう設計した。実施例1と同様に発光装置を評価した。結果を表4に示す。
12 LEDチップ
14 ワイヤ
16 透明樹脂層
18 透明樹脂層
20 赤色蛍光体層
20a 第1の赤色蛍光体層
20b 第2の赤色蛍光体層
22 緑色蛍光体層
24 透明樹脂層
28 青色蛍光体層
30 透明樹脂層
Claims (5)
- 波長380nm〜470nmの光を発する発光素子と、
前記発光素子上に配置され、下記一般式(1)で表わされる組成を有し、樹脂中に分散された第1の赤色蛍光体と、
前記発光素子上に配置され、下記一般式(2)で表わされる組成を有し、樹脂中に分散された第2の赤色蛍光体と、
前記発光素子上に配置され、下記一般式(3)で表わされる組成を有し、樹脂中に分散された緑色蛍光体と、
を備え、
前記第1の赤色蛍光体が、第1の赤色蛍光体層として、前記発光素子上に配置され、
前記第2の赤色蛍光体が、前記第1の赤色蛍光体層上の第2の赤色蛍光体層として、前記発光素子上に配置され、
前記緑色蛍光体が、前記第2の赤色蛍光体層上の緑色蛍光体層として、前記発光素子上に配置されることを特徴とする発光装置。
(Ca1−x1Eux1)a1AlSib1Oc1Nd1:Eu (1)
(上記一般式(1)中、x1、a1、b1、c1、d1は次の関係を満たす。0<x1<0.03、0.90<a1<1.1、0.90<b1<1.1、0.20<c1<0.45、2.40<d1≦3.00)
(Sr1−x2Eux2)a2Sib2AlOc2Nd2 (2)
(上記一般式(2)中、x2、a2、b2、c2、d2は、次の関係を満たす。0<x2<1、0.55<a2<0.95、2.0<b2<3.9、0<c2<0.6、4<d2<5.7)
(Sr1−xEux)3−ySi13−zAl3+zO2+uN21−w (3)
(上記一般式(3)中、x、y、z、u、wは、次の関係を満たす。0<x<1、−0.1<y<0.3、−3<z≦1、−3<u−w≦1.5) - 前記第2の赤色蛍光体層と前記緑色蛍光体層との間に、透明樹脂層が設けられることを特徴とする請求項1記載の発光装置。
- 前記緑色蛍光体層を覆う透明樹脂層が設けられることを特徴とする請求項1または請求項2記載の発光装置。
- 前記発光素子が波長440nm〜470nmの青色光を発することを特徴とする請求項1ないし請求項3いずれか一項記載の発光装置。
- 前記一般式(2)中、x2、a2、b2、c2、d2は、0.01<x2≦0.10、0.58≦a2≦0.70、2.1≦b2≦3.5、0.1≦c2≦0.5、4.1≦d2≦5.0の関係を満たすことを特徴とする請求項1ないし請求項4いずれか一項記載の発光装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012152211A JP5752650B2 (ja) | 2010-09-08 | 2012-07-06 | 発光装置 |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010201336 | 2010-09-08 | ||
JP2010201336 | 2010-09-08 | ||
JP2012152211A JP5752650B2 (ja) | 2010-09-08 | 2012-07-06 | 発光装置 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011177805A Division JP5319743B2 (ja) | 2010-09-08 | 2011-08-16 | 発光装置 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2012235145A true JP2012235145A (ja) | 2012-11-29 |
JP2012235145A5 JP2012235145A5 (ja) | 2014-04-24 |
JP5752650B2 JP5752650B2 (ja) | 2015-07-22 |
Family
ID=43859832
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012152211A Expired - Fee Related JP5752650B2 (ja) | 2010-09-08 | 2012-07-06 | 発光装置 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8310145B2 (ja) |
EP (1) | EP2428543B1 (ja) |
JP (1) | JP5752650B2 (ja) |
KR (1) | KR101247020B1 (ja) |
CN (1) | CN102403429B (ja) |
TW (1) | TWI411141B (ja) |
Families Citing this family (25)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5592602B2 (ja) * | 2008-07-31 | 2014-09-17 | 株式会社東芝 | 蛍光体およびそれを用いた発光装置 |
US8436527B2 (en) * | 2010-09-07 | 2013-05-07 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Light emitting device |
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JP5185421B2 (ja) * | 2010-09-09 | 2013-04-17 | 株式会社東芝 | 赤色発光蛍光体およびそれを用いた発光装置 |
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- 2011-02-24 US US13/034,120 patent/US8310145B2/en active Active
- 2011-02-24 TW TW100106191A patent/TWI411141B/zh not_active IP Right Cessation
- 2011-03-03 CN CN201110051219.0A patent/CN102403429B/zh active Active
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- 2012-07-06 JP JP2012152211A patent/JP5752650B2/ja not_active Expired - Fee Related
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TW201212292A (en) | 2012-03-16 |
CN102403429B (zh) | 2014-07-16 |
JP5752650B2 (ja) | 2015-07-22 |
CN102403429A (zh) | 2012-04-04 |
KR20120025956A (ko) | 2012-03-16 |
TWI411141B (zh) | 2013-10-01 |
KR101247020B1 (ko) | 2013-03-25 |
EP2428543B1 (en) | 2013-05-08 |
EP2428543A1 (en) | 2012-03-14 |
US20120056526A1 (en) | 2012-03-08 |
US8310145B2 (en) | 2012-11-13 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
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A521 | Request for written amendment filed |
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|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20140820 |
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A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
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