JP5127964B2 - 発光装置 - Google Patents

発光装置 Download PDF

Info

Publication number
JP5127964B2
JP5127964B2 JP2011177807A JP2011177807A JP5127964B2 JP 5127964 B2 JP5127964 B2 JP 5127964B2 JP 2011177807 A JP2011177807 A JP 2011177807A JP 2011177807 A JP2011177807 A JP 2011177807A JP 5127964 B2 JP5127964 B2 JP 5127964B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
light
light emitting
phosphor
group
emitting device
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP2011177807A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2012080084A (ja
Inventor
巌 三石
由美 福田
葵 岡田
直寿 松田
真也 布上
恵子 アルベサール
雅礼 加藤
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Toshiba Corp filed Critical Toshiba Corp
Priority to JP2011177807A priority Critical patent/JP5127964B2/ja
Priority to US13/214,608 priority patent/US8546824B2/en
Publication of JP2012080084A publication Critical patent/JP2012080084A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP5127964B2 publication Critical patent/JP5127964B2/ja
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/075—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
    • H01L25/0753—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00 the devices being arranged next to each other
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
    • C09K11/0883—Arsenides; Nitrides; Phosphides
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09F—DISPLAYING; ADVERTISING; SIGNS; LABELS OR NAME-PLATES; SEALS
    • G09F13/00—Illuminated signs; Luminous advertising
    • G09F13/20—Illuminated signs; Luminous advertising with luminescent surfaces or parts
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001—Core members of the connector
    • H01L2224/45099—Material
    • H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/45138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/45144—Gold (Au) as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50—Wavelength conversion elements
    • H01L33/501—Wavelength conversion elements characterised by the materials, e.g. binder
    • H01L33/502—Wavelength conversion materials

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)
  • Luminescent Compositions (AREA)

Description

本発明の実施の形態は、発光装置に関する。
近年、青色の発光ダイオード（ＬＥＤ）にＹＡＧ：Ｃｅなどの黄色蛍光体を組合せ、単一のチップで白色光を発する、いわゆる白色ＬＥＤに注目が集まっている。従来、ＬＥＤは赤色、緑色、青色と単色で発光するものであり、白色または中間色を発するためには、単色の波長を発する複数のＬＥＤを用いてそれぞれ駆動しなければならなかった。しかし、現在では、発光ダイオードと、蛍光体とを組合せることにより、上述の煩わしさを排し、簡便な構造によって白色光を得ることができるようになっている。
発光ダイオードを用いたＬＥＤランプは、携帯機器、ＰＣ周辺機器、ＯＡ機器、各種スイッチ、バックライト用光源、および表示板などの各種表示装置に用いられている。これらＬＥＤランプは高効率化が強く望まれており、加えて一般照明用途には高演色化、バックライト用途には高色域化の要請がある。高効率化には、蛍光体の高効率化が必要であり、高演色化あるいは高色域化には、青色の励起光と青色で励起され緑色の発光を示す蛍光体および青色で励起され赤色の発光を示す蛍光体を組み合わせた白色光源が望ましい。
また、高負荷ＬＥＤは駆動により発熱し、蛍光体の温度が１００〜２００℃程度まで上昇することが一般的である。このような温度上昇が起こると蛍光体の発光強度は一般に低下し、いわゆる温度消光が生ずる。このため、特に、高温領域、すなわち高電流範囲で発光効率が低下するという問題がある。
さらに、複数の蛍光体を用いる場合、蛍光体間の再吸収により発光効率が低下するという問題がある。特に、一つのＬＥＤチップ上に、複数の蛍光体を組み合わせることで白色光を得ようとする場合、蛍光体間の距離が近接することでこの問題が顕在化する。
特開２００９−２１２２７５号公報
本発明は、上記事情を考慮してなされたものであり、その目的とするところは、蛍光体間の再吸収を抑制し優れた発光効率を実現する発光装置を提供することにある。
実施の形態の発光装置は、基板と、前記基板上に実装され波長２５０ｎｍ乃至５００ｎｍの光を発する第１の発光素子と、前記第１の発光素子上に形成され緑色蛍光体を含有する第１の蛍光体層とを有する複数の第１の発光部と、前記基板上に実装され波長２５０ｎｍ乃至５００ｎｍの光を発する第２の発光素子と、前記第２の発光素子上に形成され赤色蛍光体を含有する第２の蛍光体層とを有する複数の第２の発光部と、前記基板上の前記第１の発光素子と前記第２の発光素子とのすべての間に実装され波長２５０ｎｍ乃至５００ｎｍの光を発する第３の発光素子と、前記第３の発光素子上に形成され前記緑色蛍光体または前記赤色蛍光体のいずれも含有しない樹脂層とを有するそれぞれが同一の複数の第３の発光部と、を備え、前記第１の蛍光体層および第２の蛍光体層がそれぞれの間に気体を挟んで非接触に分離され、前記第２の発光部を取り囲むように前記第３の発光部が実装され、前記第３の発光部を取り囲むように前記第１の発光部が実装される。
第１の実施の形態の発光装置の模式上面図である。 図１のＡ−Ａ模式断面図である。 第２の実施の形態の発光装置の模式上面図である。 第３の実施の形態の発光装置の模式上面図である。 緑色蛍光体Ｇ１のＸＲＤプロファイルである。 緑色蛍光体Ｇ２のＸＲＤプロファイルである。 赤色蛍光体Ｒ１のＸＲＤプロファイルである。 赤色蛍光体Ｒ２のＸＲＤプロファイルである。
以下、図面を用いて実施の形態を説明する。
なお、本明細書中、緑色蛍光体とは、波長２５０ｎｍ乃至５００ｎｍの光、すなわち、近紫外光もしくは青色光で励起した際、励起光よりも長波長であり、青緑色から黄緑色（以下、総称して緑色とも記載）にわたる領域の発光、すなわち波長４９０ｎｍ〜５５０ｎｍの間にピークを有する発光を示す蛍光体を意味する。
また、本明細書中、赤色蛍光体とは、波長２５０ｎｍ乃至５００ｎｍの光、すなわち、近紫外光もしくは青色光で励起した際、励起光よりも長波長であり、橙色から赤色にわたる領域の発光、すなわち波長５８０ｎｍ〜７００ｎｍ（以下、総称して赤色とも記載）の間にピークを有する発光を示す蛍光体を意味する。
また、本明細書中、黄色蛍光体とは、波長２５０ｎｍ乃至５００ｎｍの光、すなわち、近紫外光もしくは青色光で励起した際、励起光よりも長波長であり、黄色の発光、すなわち波長５５０ｎｍ〜５８０ｎｍの間にピークを有する発光を示す蛍光体を意味する。
（第１の実施の形態）
本実施の形態の発光装置は、基板と、基板上に実装され波長２５０ｎｍ乃至５００ｎｍの光を発する第１の発光素子と、第１の発光素子上に形成され緑色蛍光体を含有する第１の蛍光体層とを有する複数の第１の発光部と、基板上に実装され波長２５０ｎｍ乃至５００ｎｍの光を発する第２の発光素子と、第２の発光素子上に形成され赤色蛍光体を含有する第２の蛍光体層とを有する複数の第２の発光部と、基板上の第１の発光素子と第２の発光素子との間に実装され波長２５０ｎｍ乃至５００ｎｍの光を発する第３の発光素子と、第３の発光素子上に形成され緑色蛍光体または赤色蛍光体のいずれも含有しない樹脂層とを有する第３の発光部と、を備え、第１の蛍光体層および第２の蛍光体層がそれぞれの間に気体を挟んで非接触に分離される。
本実施の形態の発光装置は、異なる波長を発する蛍光体を含有する蛍光体層を離間させることにより、蛍光体層での蛍光の再吸収を簡易な構造で抑制する。よって、高効率かつＬＥＤが高密度で実装される白色発光装置（または白色ＬＥＤ）を実現することが可能である。
図１は、本実施の形態の発光装置の模式上面図である。図２は、図１のＡ−Ａ模式断面図である。
本実施の形態の発光装置は、基板１０上に複数の第１の発光部１２、複数の第２の発光部１４、複数の第３の発光部１６が配置される白色発光装置である。
第１の発光部１２は、基板上に実装される第１の発光素子１２ａと、第１の発光素子１２ａ上に形成され緑色蛍光体を含有する第１の蛍光体層１２ｂとで構成される。また、第２の発光部１４は、基板上に実装される第２の発光素子１４ａと、第２の発光素子１４ａ上に形成され赤色蛍光体を含有する第２の蛍光体層１４ｂとで構成される。そして、第３の発光部１６は、第１の発光素子１２ａと第２の発光素子１４ａとの間に実装される第３の発光素子１６ａと、第３の発光素子１６ａ上に形成される例えばシリコーンの透明樹脂層１６ｂとで構成される。
第１の発光素子１２ａ、第２の発光素子１４ｂ、第３の発光素子１６ｂは、近紫外から青色の光、すなわち、波長２５０ｎｍ乃至５００ｎｍの光を発する。ここでは、同一種類の青色ＬＥＤチップを例として説明する。設計、製造の容易性からはすべて同一種類であることが望ましいが、異種の発光素子であってもかまわない。
各発光素子１２ａ、１４ａ、１６ａは、例えば金のワイヤ２０を介して図示しない配線に接続されている。そして、この配線を介して外部から駆動電流が発光素子１２ａ、１４ａ、１６ａに供給されることにより、発光素子１２ａ、１４ａ、１６ａが励起用の青色光を発生する。
緑色蛍光体および赤色蛍光体は、透明樹脂、例えば、シリコーン樹脂中に分散され蛍光体層を形成する。
本実施の形態では、緑色蛍光体および赤色蛍光体として、いわゆるサイアロン系の蛍光体を適用する。サイアロン系の蛍光体は、高温での発光効率の低下、いわゆる温度消光が小さいため、高密度実装や高出力の発光装置の実現に適している。
本実施の形態のサイアロン系の緑色蛍光体は下記一般式（１）で表わされる組成を有し、赤色蛍光体は下記一般式（２）で表わされる組成を有する。
（Ｍ１−ｘ１Ｅｕｘ１）３−ｙ１Ｓｉ１３−ｚ１Ａｌ３＋ｚ１Ｏ２＋ｕＮ２１−ｗ （１）
（上記一般式（１）中、ＭはＩＡ族元素、ＩＩＡ族元素、ＩＩＩＡ族元素、Ａｌを除くＩＩＩＢ族元素、希土類元素、およびＩＶＢ族元素から選択される元素である。ｘ１、ｙ１、ｚ１、ｕ、ｗは、次の関係を満たす。
０＜ｘ１＜１、
−０．１＜ｙ１＜０．３、
−３＜ｚ１≦１、
−３＜ｕ−ｗ≦１.５）
なお、ＭはＳｒ（ストロンチウム）であることが望ましいが、Ｃａ（カルシウム）などの他元素をＭに対して約１０ｍｏｌ％以下の割合で混ぜてもよい。
上記一般式（１）で表わされる組成を有するサイアロン系蛍光体は緑色蛍光体（Ｇ）であり、波長２５０ｎｍ乃至５００ｎｍの光、すなわち、近紫外光もしくは青色光で励起した際、励起光よりも長波長であり、青緑色から黄緑色にわたる領域の発光、すなわち波長４９０〜５８０ｎｍの間にピークを有する発光を示す。
（Ｍ’１−ｘ２Ｅｕｘ２）ａ１Ｓｉｂ１ＡｌＯｃ１Ｎｄ１ （２）
（上記一般式（２）中、Ｍ’はＩＡ族元素、ＩＩＡ族元素、ＩＩＩＡ族元素、Ａｌを除くＩＩＩＢ族元素、希土類元素、およびＩＶＢ族元素から選択される元素である。ｘ２、ａ１、ｂ１、ｃ１、ｄ１は、次の関係を満たす。
０＜ｘ２＜１、
０．５５＜ａ１＜０．９５
２．０＜ｂ１＜３．９、
０＜ｃ１＜０．６、
４＜ｄ１＜５．７）
上記一般式（２）で表わされる組成を有するサイアロン系蛍光体は赤色蛍光体（Ｒ）であり、波長２５０ｎｍ乃至５００ｎｍの光、すなわち、近紫外光もしくは青色光で励起した際、励起光よりも長波長であり、橙色から赤色にわたる領域の発光、すなわち波長５８０〜７００ｎｍの間にピークを有する発光を示す。
なお、Ｍ’はＳｒ（ストロンチウム）であることが望ましいが、Ｃａ（カルシウム）などの他元素をＭ’に対して約１０ｍｏｌ％以下の割合で混ぜてもよい。
なお、上記一般式（１）で表されるサイアロン系緑色蛍光体の結晶構造は、斜方晶であり、ＣｕＫα特性Ｘ線（波長１．５４０５６Å）を用いたＸ線回折において、図５、６に示すように、３０．５−３０．９°、２５．６−３０．０°、３１．８−３２．２°、３７．２−３７．６°、３７．０−３７．４°、２９．３−２９．７°、３４．０−３４．４°、２１．７―２２．１°、４８．９―４９．３°、４５．７−４６．１°、６２．８−６３．２°、１５．２−１５．６°、６１．３−６１．７°、４０．５−４０．９°、５５．８°−５６．２°の回折角度（２θ）、１５箇所のうち、少なくとも６箇所に同時に回折ピークを示す一成分を含有するものである。図５、図６の評価に用いた組成は表１に示す。
さらに、上記一般式（２）で表されるサイアロン系赤色蛍光体の結晶構造は、斜方晶であり、ＣｕＫα特性Ｘ線（波長１．５４０５６Å）を用いたＸ線回折において、図７、８に示すように、３１．６−３１．８°、３０．９−３１．１°、２４．８５−２５．０５°、３５．２５−３５．４５°、１５．０−１５．２５°、５６．４−５６．６５°、３６．１−３６．２５°、３３．０―３３．２０°、２３．１―２３．２０°、２９．３−２９．６°、２６．９５−２６．１５°の回折角度（２θ）、１１箇所のうち、少なくとも９箇所に同時に回折ピークを示す一成分を含有するものである。図７、図８の評価に用いた組成は表２に示す。
第１の発光素子１２ａは、第１の蛍光体層１２ｂ中の緑色蛍光体を励起するための光源となり、第１の発光部１２からは緑色が発光される。また、第２の発光素子１４ａは、第２の蛍光体層１４ｂ中の赤色蛍光体を励起するための光源となり、第２の発光部１４からは赤色が発光される。そして、第３の発光素子１６ａは青色の光源となり、第３の発光部１６からは青色が発光される。
第１の発光部１２、第２の発光部１４、第３の発光部１６から発せられる緑色光、赤色光、青色光が混合され白色光となる。
例えば、一つの青色ＬＥＤチップ上にサイアロン系の赤色蛍光体層と、サイアロン系の緑色蛍光体との間を離間させずに積層させて発光させる場合、緑色蛍光体層から発せられた光が数％オーダーで赤色蛍光体層で吸収され発光装置の発光効率が低下する。
本実施の形態においては、第１の蛍光体層１２ａおよび第２の蛍光体層１４ａは、それぞれの間に気体を挟んで非接触に分離されている。本実施の形態では、気体は空気である。したがって、第１の蛍光体層１２ａおよび第２の蛍光体層１４ａが間に、散乱、拡散の要因となる樹脂等の固体層を介さず離間されている。このため、それぞれの蛍光体層で発せられる緑色光と赤色光が、他方の蛍光体層に到達する割合が低減され、再吸収を抑制する。特に、緑色発光領域の吸収率の高い赤色蛍光体による緑色光の再吸収を効果的に抑制する。
第３の発光部１６は、第１の発光部１２と第２の発光部１４との間に配置される。この配置により、第１の蛍光体層１２ａと第２の蛍光体層１４ａの離間距離がさらに大きくなる。したがって、再吸収を一層抑制することが可能となる。また、離間部分には青色を発光する第３の発光部１６が配置されるため、白色発光装置としての実装密度を低下させることもない。
本実施の形態によれば、高実装密度で蛍光体間の再吸収を抑制し優れた発光効率を実現する白色発光装置を、簡便な構成で提供することが可能になる。
（第２の実施の形態）
本実施の形態の発光装置は、第３の発光素子が、すべての第１の発光素子と第２の発光素子との間に実装されること、すなわち、第３の発光部が、すべての第１の発光部と第２の発光部との間に配置されること以外は第１の実施の形態と同様である。したがって、第１の実施の形態と重複する内容については記載を省略する。
図３は、本実施の形態の発光装置の模式上面図である。第３の発光素子が、すべての第１の発光素子と第２の発光素子との間に実装されることにより、第３の発光部１６が、すべての第１の発光部１２と第２の発光部１４との間に配置される。
本実施の形態によれば、すべての第１の蛍光体層１２ａと第２の蛍光体層１４ａの離間距離が大きくなる。したがって、再吸収を一層抑制することが可能となる。また、離間部分には青色を発光する第３の発光部１６が配置されるため、白色発光装置としての実装密度を低下させることもない。
（第３の実施の形態）
本実施の形態の発光装置は、第２の発光部が第３の発光部に取り囲まれ、第３の発光部が第１の発光部で取り囲まれる配置であること以外は、第２の実施の形態と同様である。したがって、第２の実施の形態と重複する内容については、記載を省略する。
図４は、本実施の形態の発光装置の模式上面図である。第２の発光部１４が基板１２の中心近傍に配置される。そして、この第２の発光部１４の周囲を第３の発光部１６が取り囲んでいる。また、第３の発光部１６の周囲を第１の発光部１２が取り囲む配置になっている。
この配置により、第３の発光部１６が、すべての第１の発光部１２と第２の発光部１４との間に配置されることになる。
本実施の形態によれば、第２の実施の形態同様すべての第１の蛍光体層１２ａと第２の蛍光体層１４ａの離間距離が大きくなる。したがって、再吸収を一層抑制することが可能となる。また、離間部分には青色を発光する第３の発光部１６が配置されるため、白色発光装置としての実装密度を低下させることもない。
以上、具体例を参照しつつ本発明の実施の形態について説明した。上記、実施の形態はあくまで、例として挙げられているだけであり、本発明を限定するものではない。また、各実施の形態の構成要素を適宜組み合わせてもかまわない。
例えば、発光装置に使用する励起光を発生する発光素子は、青色ＬＥＤチップに限らず、紫外領域または青色の発光をする半導体発光素子であれば足りる。例えば、窒化ガリウム系化合物半導体を用いたＬＥＤ等を用いることが可能である。但し、紫外領域の発光をする半導体素子を励起光源として用いる場合には、紫外光を遮断するフィルター機構などを発光装置内に設ける必要がある。
また、青色ＬＥＤチップ上に直接、蛍光体層が形成される場合を例に説明したが、例えば、青色ＬＥＤチップと蛍光体層との間や、蛍光体層の外面に透明樹脂層が設けられる形態であってもかまわない。
また、実施の形態においては、緑色蛍光体および赤色蛍光体にサイアロン系蛍光体を適用する場合を例に説明した。温度消光を抑制する観点からはサイアロン系蛍光体、特に上記一般式（１）、（２）で表される蛍光体を適用することが望ましいが、その他の蛍光体を適用するものであっても構わない。
また、本実施の形態において、例えば、発光装置や白色ＬＥＤの発色を調整するために、第１または第２の蛍光体層に、複数の組成の蛍光体を用いてもかまわない。蛍光体層は複数の蛍光体が混合されて形成されていても、異なる蛍光体を含有する蛍光体層が積層されるものであってもかまわない。
また、第１ないし第３の発光素子の配置パターンは、実施の形態に限られることなく、第３の発光素子が第１および第２の発光素子の間に実装されるのであれば、いかなるパターンを採用することも可能である。
また、第３の発光素子上に形成される樹脂層について、シリコーン透明樹脂を例に説明したが、その他の透明樹脂を適用することも可能である。また、発光装置の発光色を調整するために、樹脂層を、黄色蛍光体を含有する蛍光体層としてもかまわない。
そして、実施の形態の説明においては、発光装置等で、本発明の説明に直接必要としない部分等については記載を省略したが、必要とされる発光装置に関わる要素を適宜選択して用いることができる。
その他、本発明の要素を具備し、当業者が適宜設計変更しうる全ての発光装置は、本発明の範囲に包含される。本発明の範囲は、特許請求の範囲およびその均等物の範囲によって定義されるものである。
１０ 基板
１２ 第１の発光部
１２ａ 第１の発光素子
１２ｂ 第１の蛍光体層
１４ 第２の発光部
１４ａ 第２の発光素子
１４ｂ 第２の蛍光体層
１６ 第３の発光部
１６ａ 第３の発光素子
１６ｂ 樹脂層層
２０ ワイヤ

Claims (4)

  1. 基板と、
    前記基板上に実装され波長２５０ｎｍ乃至５００ｎｍの光を発する第１の発光素子と、前記第１の発光素子上に形成され緑色蛍光体を含有する第１の蛍光体層とを有する複数の第１の発光部と、
    前記基板上に実装され波長２５０ｎｍ乃至５００ｎｍの光を発する第２の発光素子と、前記第２の発光素子上に形成され赤色蛍光体を含有する第２の蛍光体層とを有する複数の第２の発光部と、
    前記基板上の前記第１の発光素子と前記第２の発光素子とのすべての間に実装され波長２５０ｎｍ乃至５００ｎｍの光を発する第３の発光素子と、前記第３の発光素子上に形成され前記緑色蛍光体または前記赤色蛍光体のいずれも含有しない樹脂層とを有するそれぞれが同一の複数の第３の発光部と、を備え、
    前記第１の蛍光体層および第２の蛍光体層がそれぞれの間に気体を挟んで非接触に分離され、
    前記第２の発光部を取り囲むように前記第３の発光部が実装され、
    前記第３の発光部を取り囲むように前記第１の発光部が実装されることを特徴とする発光装置。
  2. 前記樹脂層が透明なシリコーン樹脂、または、黄色蛍光体を含有する樹脂であることを特徴とする請求項１記載の発光装置。
  3. 前記第１、第２および第３の発光素子が同一種類の発光素子であることを特徴とする請求項１または請求項２記載の発光装置。
  4. 前記緑色蛍光体は下記一般式（１）で表わされる組成を有し、前記赤色蛍光体は下記一般式（２）で表わされる組成を有することを特徴とする請求項１ないし請求項３いずれか一項記載の発光装置。
    （Ｍ１−ｘ１Ｅｕｘ１）３−ｙ１Ｓｉ１３−ｚ１Ａｌ３＋ｚ１Ｏ２＋ｕＮ２１−ｗ （１）
    （上記一般式（１）中、ＭはＩＡ族元素、ＩＩＡ族元素、ＩＩＩＡ族元素、Ａｌを除くＩＩＩＢ族元素、希土類元素、およびＩＶＢ族元素から選択される元素である。ｘ１、ｙ１、ｚ１、ｕ、ｗは、次の関係を満たす。
    ０＜ｘ１＜１、
    −０．１＜ｙ１＜０．３、
    −３＜ｚ１≦１、
    −３＜ｕ−ｗ≦１.５）
    （Ｍ’１−ｘ２Ｅｕｘ２）ａ１Ｓｉｂ１ＡｌＯｃ１Ｎｄ１ （２）
    （上記一般式（２）中、Ｍ’はＩＡ族元素、ＩＩＡ族元素、ＩＩＩＡ族元素、Ａｌを除くＩＩＩＢ族元素、希土類元素、およびＩＶＢ族元素から選択される元素である。ｘ２、ａ１、ｂ１、ｃ１、ｄ１は、次の関係を満たす。
    ０＜ｘ２＜１、
    ０．５５＜ａ１＜０．９５
    ２．０＜ｂ１＜３．９、
    ０＜ｃ１＜０．６、
    ４＜ｄ１＜５．７）
JP2011177807A 2010-09-06 2011-08-16 発光装置 Expired - Fee Related JP5127964B2 (ja)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2011177807A JP5127964B2 (ja) 2010-09-06 2011-08-16 発光装置
US13/214,608 US8546824B2 (en) 2010-09-06 2011-08-22 Light emitting device

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2010198631 2010-09-06
JP2010198631 2010-09-06
JP2011177807A JP5127964B2 (ja) 2010-09-06 2011-08-16 発光装置

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2012163353A Division JP5677377B2 (ja) 2010-09-06 2012-07-24 発光装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2012080084A JP2012080084A (ja) 2012-04-19
JP5127964B2 true JP5127964B2 (ja) 2013-01-23

Family

ID=45770048

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2011177807A Expired - Fee Related JP5127964B2 (ja) 2010-09-06 2011-08-16 発光装置

Country Status (2)

Country Link
US (1) US8546824B2 (ja)
JP (1) JP5127964B2 (ja)

Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5127965B2 (ja) * 2010-09-02 2013-01-23 株式会社東芝 蛍光体およびそれを用いた発光装置
JP5185421B2 (ja) * 2010-09-09 2013-04-17 株式会社東芝 赤色発光蛍光体およびそれを用いた発光装置
JP2013106550A (ja) * 2011-11-18 2013-06-06 Sharp Corp 植物育成用照明装置
JP6347050B2 (ja) * 2013-01-24 2018-06-27 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 固体光源装置
JP2014146661A (ja) 2013-01-28 2014-08-14 Panasonic Corp 発光モジュール、照明装置および照明器具
CN103486466B (zh) * 2013-08-26 2015-07-08 深圳大学 一种led灯具
WO2015152568A1 (ko) * 2014-04-04 2015-10-08 송창환 연성 led 광원 패널 및 이를 이용한 영상 촬영용 연성 ｌｅｄ 조명 장치
JP6807686B2 (ja) * 2016-09-13 2021-01-06 シチズン電子株式会社 発光装置

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7887718B2 (en) 2005-03-04 2011-02-15 Dowa Electronics Materials Co., Ltd. Phosphor and manufacturing method therefore, and light emission device using the phosphor
JP2007122950A (ja) * 2005-10-26 2007-05-17 Fujikura Ltd 照明装置
EP2308946B1 (en) 2006-03-10 2013-07-24 Kabushiki Kaisha Toshiba Luminescent material and light-emitting device
JP5029203B2 (ja) * 2006-08-11 2012-09-19 三菱化学株式会社 照明装置
JP2008258356A (ja) * 2007-04-04 2008-10-23 Sharp Corp 照明光源とそれを備える照明装置
JP2009212275A (ja) 2008-03-04 2009-09-17 Stanley Electric Co Ltd 液晶表示装置用バックライト光源
CN103199185B (zh) * 2008-05-30 2015-07-08 夏普株式会社 发光装置、面光源、液晶显示装置和制造发光装置的方法
JP2010034184A (ja) * 2008-07-28 2010-02-12 Citizen Electronics Co Ltd 発光装置
JP5592602B2 (ja) 2008-07-31 2014-09-17 株式会社東芝 蛍光体およびそれを用いた発光装置
JP4881358B2 (ja) 2008-08-28 2012-02-22 株式会社東芝 発光装置
JP4869317B2 (ja) 2008-10-29 2012-02-08 株式会社東芝 赤色蛍光体およびそれを用いた発光装置
JP5190475B2 (ja) 2010-02-19 2013-04-24 株式会社東芝 蛍光体およびそれを用いた発光装置

Also Published As

Publication number Publication date
US20120056216A1 (en) 2012-03-08
US8546824B2 (en) 2013-10-01
JP2012080084A (ja) 2012-04-19

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5677377B2 (ja) 発光装置
JP5127964B2 (ja) 発光装置
JP4991958B2 (ja) 発光装置
JP5752650B2 (ja) 発光装置
KR101408508B1 (ko) 발광 장치
JP4929413B2 (ja) 発光装置
US8471277B2 (en) Light emitting device
JP4559496B2 (ja) 発光装置
JP4477854B2 (ja) 蛍光体変換発光デバイス
JP5076017B2 (ja) 発光装置
JP5740344B2 (ja) 発光装置の製造方法
JP2010106127A (ja) 赤色蛍光体およびそれを用いた発光装置
JP4825923B2 (ja) 赤色蛍光体およびそれを用いた発光装置
JP2011159809A (ja) 白色発光装置
US20120057338A1 (en) Light emitting device
JP2007081159A (ja) 発光装置及び表示装置
JP2011153320A (ja) 赤色蛍光体の製造方法
JP7511090B2 (ja) 灯具
WO2023276774A1 (ja) 灯具
KR102372071B1 (ko) 시안색 인광체 변환 led 모듈

Legal Events

Date Code Title Description
A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20120123

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20120424

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20120724

A911 Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911

Effective date: 20120731

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20121002

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20121030

R151 Written notification of patent or utility model registration

Ref document number: 5127964

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20151109

Year of fee payment: 3

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

S111 Request for change of ownership or part of ownership

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees