TWI411141B - 發光裝置 - Google Patents

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Toshiki Hikosaka
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Toshiba Kk
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Description

發光裝置
本發明係關於一種發光裝置。
本申請案係根據2010年9月8日在日本提出之專利申請第2010-201336號案主張優先權，並將其全部內容編入於此以供參考。
近年來注目焦點在於：將YAG：Ce等之黃色螢光體組合於藍色發光二極體(LED)，且以單一晶片發出白色光的所謂白色發光二極體。習知以來，LED係以單色發出紅色、綠色、藍色之光，且為了發出白色或中間色，而必須使用發出單色波長的複數個LED並予以分別驅動。但是，現在，已可藉由組合發光二極體、與螢光體，排除上述繁雜度，而藉由簡便的構造來獲得白色光。
然而，將YAG：Ce螢光體組合於藍色發光二極體而成的白色發光二極體，由於紅色成分不足，會變成藍白的發光，且在演色性上看得到偏差。因此，正檢討一種白色發光二極體，其是以另一個峰值波長位於約640nm~660nm之範圍內的紅色螢光體來補償在YAG：Ce等中不足的紅色成分。
實施形態之發光裝置，係具備：發光元件，其係發出波長380nm~470nm之光；及第1紅色螢光體，其係配置於該發光元件上，且具有以下述通式(1)表示的組成；及第2紅色螢光體，其係配置於該發光元件上，且具有以下述通式(2)表示的組成；以及綠色螢光體，其係配置於該發光元件上，且具有以下述通式(3)表示的組成，
(Ca1-x1 Eux1 )a1 AlSib1 Oc1 Nd1 :Eu　(1)
(上述通式(1)中，x1、a1、b1、c1係滿足如下之關係：0＜x1＜0.03、0.90＜a1＜1.1、0.90＜b1＜1.1、0.20＜c1＜0.45、2.40＜d1≦3.00)
(Sr1-x2 Eux2 )a2 Sib2 AlOc2 Nd2 　(2)
(上述通式(2)中，x2、a2、b2、c2、d2，係滿足如下之關係：0＜x2≦1、0.60＜a2＜0.95、2.0＜b2＜3.9、0.04≦c2≦0.6、4＜d2＜5.7)
(Sr1-x Eux )3-y Si13-z Al3+z O2+u N21-w 　(3)
(上述通式(3)中，x、y、z、u、w，係滿足如下之關係：0＜x≦1、-0.1≦y≦0.15、-1≦z≦1、-1＜u-w≦1.5)。
以下，使用圖式說明實施形態。
另外，本說明書中，有關演色性係指基於JISZ8726之評估方法評估所得的演色性之意。
(第1實施形態)
第1圖係本實施形態的發光裝置之剖面示意圖。具有被安裝於具有凹部之基板10的激勵光源用藍色LED晶片12作為發光元件。藍色LED晶片12，係發出波長440nm~470nm之藍色光。
LED晶片12，係透過例如金的金屬線14連接於未圖示的配線。然後，藉由透過該配線從外部供給驅動電流至LED晶片12，使LED晶片12發出激勵用的藍色光。
LED晶片12，係利用透明樹脂層16密封於基板10之凹部。復設置有半球形狀的透明樹脂層18，以覆蓋該透明樹脂層16。
在透明樹脂層18上，係配置有吸收從LED晶片12產生的藍色光並轉換成紅色光的紅色螢光體層20。在紅色螢光體層20，係混合以下述通式(1)及(2)表示的組成之第1紅色螢光體與第2紅色螢光體並分散至透明樹脂中。
(Ca1-x1 Eux1 )a1 AlSib1 Oc1 Nd1 :Eu　(1)
(上述通式(1)中，x1、a1、b1、c1係滿足如下之關係：0＜x1＜0.03、0.90＜a1＜1.1、0.90＜b1＜1.1、0.20＜c1＜0.45、2.40＜d1≦3.00)
(Sr1-x2 Eux2 )a2 Sib2 AlOc2 Nd2 　(2)
(上述通式(2)中，x2、a2、b2、c2、d2，係滿足如下之關係：0＜x2≦1、0.60＜a2＜0.95、2.0＜b2＜3.9、0.04≦c2≦0.6、4＜d2＜5.7)
第1紅色螢光體，為CASN系之螢光體。第1紅色螢光體係在以波長380nm~470nm之藍色光激勵時，會發出例如在波長640nm~660nm中具有峰值的紅色光。
第2紅色螢光體，為矽鋁氮氧化合物(sialon)系之螢光體。第1紅色螢光體係在以波長380nm~470nm之藍色光激勵時，會發出例如在波長590nm~630nm中具有峰值的紅色光。
有關第2紅色螢光體，從實現更高的演色性之觀點來看，通式(2)中，x2、a2、b2、c2、d2，較佳是滿足0.01＜x2≦0.10、0.62≦a2≦0.70、2.1≦b2≦2.5、0.4≦c2≦0.5、4.1≦d2≦4.5之關係。
以覆蓋紅色螢光體層20的方式，設置有：吸收從LED晶片12產生的藍色光並轉換成綠色光的綠色螢光體被分散至透明樹脂中而成的綠色螢光體層22。在綠色螢光體層22，係將具有以下述通式(3)表示的組成之綠色螢光體分散於透明樹脂中。
(Sr1-x Eux )3-y Si13-z Al3+z O2+u N21-w 　(3)
(上述通式(3)中，x、y、z、u、w，係滿足如下之關係：0＜x≦1、-0.1≦y≦0.15、-1≦z≦1、-1＜u-w≦1.5)
綠色螢光體，為矽鋁氮氧化合物系之螢光體。該綠色螢光體係在以波長380nm~470nm之藍色光激勵時，會發出例如在波長510nm~530nm中具有峰值的綠色光。
以覆蓋綠色螢光體層22的方式設置有透明樹脂層24。該透明樹脂層24之外表面係與大氣(空氣)相接。
該透明樹脂層24，係具有如下功能：抑制從LED晶片12發出之藍色光及來自紅色螢光體層20之紅色光、來自綠色螢光體層22之綠色光，在成為與大氣之界面的上述外表面被全反射之功能。
由透明樹脂層18、紅色螢光體層20、綠色螢光體層22、透明樹脂層24構成的4層結構之積層膜係形成半球形的形狀。
依據本實施形態，尤其是藉由使用所謂CASN系與矽鋁氮氧化合物系之2種螢光體作為紅色螢光體，就可針對白色(4200K)及電泡色(2800K)實現平均演色評估數Ra為97以上之較高的演色性。又，尤其是可針對特殊演色評估數R9及R15實現較高的演色性。
另外，亦可在紅色螢光體層20、與綠色螢光體層22之間，復設置抑制依紅色螢光體層20所進行的綠色光之再吸收的透明樹脂層。
又，為了實現更高的演色性，亦可在紅色螢光體層20、與綠色螢光體層22之間復設置將紅色螢光體分散於樹脂中的黃色螢光體層。
在各LED晶片12上，係配置有由如第1圖所示之透明樹脂層18、紅色螢光體層20、綠色螢光體層22、透明樹脂層24構成的4層結構之半球上的積層膜。如此可以例如以額定20mA驅動的白色LED、或是以更高輸出型之額定350mA之電流驅動的白色LED來實現。
(第2實施形態)
本實施形態之發光裝置，係除了在發光元件上配置有第1紅色螢光體作為第1紅色螢光體層，在發光元件上配置有第2紅色螢光體作為第1紅色螢光體層上的第2紅色螢光體層，在發光元件上配置有綠色螢光體作為第2紅色螢光體層上的綠色螢光體層以外，其餘與第1實施形態相同。因而，針對與第1實施形態重複的內容將省略記載。
第2圖係本實施形態的發光裝置之剖面示意圖。在半球狀之透明樹脂層18上，係形成有以下述通式(1)之組成表示的CASN系之紅色螢光體被分散於樹脂中的第1紅色螢光體層20a。又，在第1紅色螢光體層20a上，係形成有以下述通式(2)之組成表示的矽鋁氮氧化合物系之紅色螢光體被分散於樹脂中的第2紅色螢光體層20b。
(Ca1-x1 Eux1 )a1 AlSib1 Oc1 Nd1 :Eu　(1)
(上述通式(1)中，x1、a1、b1、c1係滿足如下之關係：0＜x1＜0.03、0.90＜a1＜1.1、0.90＜b1＜1.1、0.20＜c1＜0.45、2.40＜d1≦3.00)
(Sr1-x2 Eux2 )a2 Sib2 AlOc2 Nd2 　(2)
(上述通式(2)中，x2、a2、b2、c2、d2，係滿足如下之關係：0＜x2≦1、0.60＜a2＜0.95、2.0＜b2＜3.9、0.04≦c2≦0.6、4＜d2＜5.7)
依據本實施形態，藉由將紅色螢光體層分成2層，就可抑制第2紅色螢光體所發出的紅色光之依第1紅色螢光體所進行的吸收。因而，除了第1實施形態的效果以外，還可實現更高的發光效率。
(第3實施形態)
本實施形態的發光裝置，係除了在紅色螢光體層與綠色螢光體層之間復設置有透明樹脂層以外，其餘與第1實施形態相同。因而，針對與第1實施形態重複的內容將省略記載。
第3圖係本實施形態的發光裝置之剖面示意圖。在紅色螢光體層20與綠色螢光體層22之間，復設置有透明樹脂層30。藉由該透明樹脂層，可防止從綠色螢光體層發出的綠色光，在紅色螢光體層20被再吸收。因而，可實現一種比第1實施形態還更提高發光效率的發光裝置。
(第4實施形態)
本實施形態的發光裝置，係除了在第2紅色螢光體層與綠色螢光體層之間復設置有透明樹脂層以外，其餘與第2實施形態相同。因而，針對與第2實施形態重複的內容將省略記載。
第4圖係本實施形態的發光裝置之剖面示意圖。在第2紅色螢光體層20b與綠色螢光體層22之間，復設置有透明樹脂層30。藉由該透明樹脂層30，可防止從綠色螢光體層發出的綠色光，在第1及第2紅色螢光體層20a、20b被再吸收。因而，可實現一種比第2實施形態還更提高發光效率的發光裝置。
(第5實施形態)
本實施形態的發光裝置，係除了發光元件為發出波長380nm~420nm之近紫外線光的LED、具有藍色螢光體層代替覆蓋綠色螢光體層的透明樹脂層以外，其餘與第3實施形態相同。因而，針對與第3實施形態重複的內容將省略記載。
第5圖係本實施形態的發光裝置之剖面示意圖。以覆蓋綠色螢光體層22的方式，設置有藍色螢光體層28。然後，以覆蓋藍色螢光體層28的方式形成有透明樹脂層24。
在藍色螢光體層28中，係將吸收從LED晶片12產生的紫外光並轉換成藍色光的藍色螢光體分散於透明的樹脂中。藍色螢光體，係可使用例如磷灰石(apatite)系螢光體或BAM：Eu等。
藉由本實施形態，也與第1至第4實施形態同樣，可實現較高的演色性。
(第6實施形態)
本實施形態的發光裝置，係除了發光元件為發出波長380nm~420nm之近紫外線光的LED、具有藍色螢光體層代替覆蓋綠色螢光體層的透明樹脂層以外，其餘與第4實施形態相同。因而，針對與第4實施形態重複的內容將省略記載。
第6圖係本實施形態的發光裝置之剖面示意圖。以覆蓋綠色螢光體層22的方式，設置有藍色螢光體層28。
在藍色螢光體層28中，係將吸收從LED晶片12產生的紫外光並轉換成藍色光的藍色螢光體分散於透明的樹脂中。藍色螢光體，係可使用例如磷灰石系螢光體或BAM：Eu等。
藉由本實施形態，也與第1至第5實施形態同樣，可實現較高的演色性。
(第7實施形態)
本實施形態的發光裝置，係除了螢光體樹脂塗佈層及透明樹脂層之形狀非為半球型而是成為平板狀以外，其餘與第4實施形態相同。因而，針對與第4實施形態重複的內容將省略記載。
第7圖係本實施形態的發光裝置之剖面示意圖。在第2紅色螢光體層20b與綠色螢光體層22之間，復設置有透明樹脂層30。藉由該透明樹脂層30，可防止從綠色螢光體層發出的綠色光，在第1及第2紅色螢光體層20a、20b被再吸收。然後，以覆蓋綠色螢光體層22的方式形成有透明樹脂層24。
藉由本實施形態，也與第1至第6實施形態同樣，可實現較高的演色性。又，由於螢光體樹脂塗佈層及透明樹脂層為平板狀，所以有較容易製造的優點。
(第8實施形態)
本實施形態的發光裝置，係除了螢光體樹脂塗佈層及透明樹脂層之形狀非為半球型而是成為平板狀以外，其餘與第5實施形態相同。因而，針對與第5實施形態重複的內容將省略記載。
第8圖係本實施形態的發光裝置之剖面示意圖。以覆蓋綠色螢光體層22的方式，設置有藍色螢光體層28。
藉由本實施形態，也與第1至第7實施形態同樣，可實現較高的演色性。又，由於螢光體樹脂塗佈層及透明樹脂層為平板狀，所以有較容易製造的優點。
(第9實施形態)
本實施形態的發光裝置，係除了螢光體樹脂塗佈層及透明樹脂層之形狀非為半球型而是成為平板狀以外，其餘與第6實施形態相同。因而，針對與第6實施形態重複的內容將省略記載。
第9圖係本實施形態的發光裝置之剖面示意圖。以覆蓋綠色螢光體層22的方式，設置有藍色螢光體層28。
藉由本實施形態，也與第1至第8實施形態同樣，可實現較高的演色性。又，由於螢光體樹脂塗佈層及透明樹脂層為平板狀，所以有較容易製造的優點。
雖然已說明某些具體例，但是此等具體例僅屬例示，本發明並未被限定於此。事實上，已說明的發光裝置亦可作其他形式的變化，此外，只要在沒有脫離本發明之精神下均可針對已述裝置及方法作各種省略、替換及變化。隨附的申請專利範圍及其均等內容已涵蓋此等形式或變更如同落在本發明之範圍及精神內。
例如，成為密封樹脂等之基材的黏結劑樹脂，若在發光元件(激勵元件)之峰值波長近旁及比峰值波長近旁之波長還更長的長波長區域實質上為透明的話，則不論其種類均可使用。作為一般者，可考慮矽氧樹脂、環氧樹脂、或具有環氧基之聚二甲基矽氧衍生物(polydimethylsiloxane derivative)、或環氧丙烷(oxetane)樹脂、或丙烯酸樹脂、或環烯(cycloolefin)樹脂、或尿素(urea)樹脂、或氟樹脂、或聚醯亞胺樹脂等。
(實施例)
(實施例1)
製造出第4圖所示之第4實施形態的發光裝置。使用藍色LED作為發光元件，該藍色LED係使用InGaN系化合物半導體作為活性層之發出波長455nm的藍色光。此時，應用表1之實施例1之欄位所示的組成、具有峰值波長的矽鋁氮氧化合物系綠色螢光體。作為第1紅色螢光體，係應用表3所示的CASN系紅色螢光體。又，將表2之實施例1之欄位所示的組成、具有峰值波長的矽鋁氮氧化合物系紅色螢光體應用於第2紅色螢光體。第1紅色螢光體、第2紅色螢光體、綠色螢光體之混合比等，係設計成色溫度成為電泡色(2800K)近旁。
針對如此所得之以20mA驅動實施例1之發光裝置時的演色性，係根據JISZ8726之評估方法來評估出平均演色評估數Ra、特殊演色評估數R9及R15。又，也針對發光裝置之發光效率進行了評估。發光效率係使用積分球而評估。將結果顯示於表4。另外，峰值波長之評估係對螢光體單體照射依藍色LED所進行之激勵光，且測定了發出的光之波長。
另外，表1係顯示作為矽鋁氮氧化合物系綠色螢光體之上述通式(3)中的x、y、z、u、w之值。又，表2係顯示作為矽鋁氮氧化合物系紅色螢光體之上述通式(2)中的x2、a2、b2、c2及d2之值。表3係顯示作為CASN系紅色螢光體之上述通式(1)中的x1、a1、b1、c1及d1之值。
(實施例2)
除了應用表1之實施例2之欄位所示的矽鋁氮氧化合物系綠色螢光體作為綠色螢光體，應用表3之實施例2之欄位所示的CASN系紅色螢光體作為第1紅色螢光體，應用表2之實施例1之欄位所示的矽鋁氮氧化合物系紅色螢光體作為第2紅色螢光體以外，其餘與實施例1同樣地製造發光裝置並進行了評估。將結果顯示於表4。
(實施例3)
製造出第1圖所示之第1實施形態的發光裝置。應用表1之實施例3之欄位所示的矽鋁氮氧化合物系綠色螢光體作為綠色螢光體，應用表3之實施例3之欄位所示的CASN系紅色螢光體作為第1紅色螢光體，應用表2之實施例3之欄位所示的矽鋁氮氧化合物系紅色螢光體作為第2紅色螢光體。除了上述以外，其餘與實施例1同樣地製造發光裝置並進行了評估。將結果顯示於表4。
(實施例4)
製造出第2圖所示之第2實施形態的發光裝置。應用表1之實施例4之欄位所示的矽鋁氮氧化合物系綠色螢光體作為綠色螢光體，應用表3之實施例4之欄位所示的CASN系紅色螢光體作為第1紅色螢光體，應用表2之實施例4之欄位所示的矽鋁氮氧化合物系紅色螢光體作為第2紅色螢光體。除了上述以外，其餘與實施例1同樣地製造發光裝置並進行了評估。將結果顯示於表4。
(實施例5)
製造出第3圖所示之第3實施形態的發光裝置。應用表1之實施例5之欄位所示的矽鋁氮氧化合物系綠色螢光體作為綠色螢光體，應用表3之實施例5之欄位所示的CASN系紅色螢光體作為第1紅色螢光體，應用表2之實施例5之欄位所示的矽鋁氮氧化合物系紅色螢光體作為第2紅色螢光體。除了上述以外，其餘與實施例1同樣地製造發光裝置並進行了評估。將結果顯示於表4。
(實施例6)
製造出第5圖所示之第5實施形態的發光裝置。於發光元件中使用以InGaN系化合物半導體為活性層且在藍色之455nm中採用發光峰值波長的LED晶片12，並利用焊錫接合在8mm方形之AlN封裝10上，然後透過金線14連接於電極。在該LED上塗佈透明樹脂18成為圓頂狀，在該透明樹脂18上塗佈透明樹脂20成為層狀，該透明樹脂20係分散有30重量%之混合紅色螢光體，該混合紅色螢光體係以重量比1：6.8之比例混合表3之實施例6之欄位所示的CASN系紅色螢光體作為第1紅色螢光體、及表2之實施例6之欄位所示的矽鋁氮氧化合物系紅色螢光體作為第2紅色螢光體而成，進而在該透明樹脂20上塗佈透明樹脂30成為圓頂狀，且在該透明樹脂30上塗佈透明樹脂22成為層狀，該透明樹脂22係分散有30重量%之表1之實施例6之欄位所示的矽鋁氮氧化合物系綠色螢光體作為綠色螢光體，進而在該透明樹脂22上之最外周塗佈透明樹脂層24成為層狀，如此製造出發光裝置。第1紅色螢光體、第2紅色螢光體、綠色螢光體之混合比等，係設計成色溫度成為白色(4200K)近旁。與實施例1同樣地評估了發光裝置。將結果顯示於表4。
(實施例7)
製造出第7圖所示之第7實施形態的發光裝置。於發光元件中使用以InGaN系化合物半導體為活性層且在藍色之455nm中採用發光峰值波長的LED晶片12，並利用焊錫接合在8mm方形之AlN封裝10上，然後透過金線14連接於電極。在該LED上塗佈透明樹脂16，在該透明樹脂16上塗佈平板狀之透明樹脂20a成為層狀，該透明樹脂20a係分散有10重量%之表3之實施例7之欄位所示的CASN系紅色螢光體作為第1紅色螢光體，並在該透明樹脂20a上塗佈重疊透明樹脂20b成為層狀，該透明樹脂20b係分散有30重量%之表2之實施例7之欄位所示的矽鋁氮氧化合物系紅色螢光體作為第2紅色螢光體，進而在該透明樹脂20b上以平板狀之層覆蓋透明樹脂30，且在該透明樹脂30上塗佈積層平板狀之透明樹脂22成為層狀，該透明樹脂22係分散有30重量%之表1之實施例7之欄位所示的矽鋁氮氧化合物系綠色螢光體作為綠色螢光體，進而在該透明樹脂22上之最外周塗佈透明樹脂層24成為層狀，如此製造出發光裝置。第1紅色螢光體、第2紅色螢光體、綠色螢光體之混合比等，係設計成色溫度成為白色(4200K)近旁。與實施例1同樣地評估了發光裝置。將結果顯示於表4。
(實施例8)
製造出第7圖所示之第7實施形態的發光裝置。於發光元件中使用以InGaN系化合物半導體為活性層且在藍色之455nm中採用發光峰值波長的LED晶片12，並利用焊錫接合在8mm方形之AlN封裝10上，然後透過金線14連接於電極。在該LED上塗佈透明樹脂16，在該透明樹脂16上塗佈平板狀之透明樹脂20a成為層狀，該透明樹脂20a係分散有10重量%之表3之實施例8之欄位所示的CASN系紅色螢光體作為第1紅色螢光體，並在該透明樹脂20a上塗佈重疊透明樹脂20b成為層狀，該透明樹脂20b係分散有30重量%之表2之實施例8之欄位所示的矽鋁氮氧化合物系紅色螢光體作為第2紅色螢光體，進而在該透明樹脂20b上以平板狀之層覆蓋透明樹脂30，且在該透明樹脂30上塗佈積層平板狀之透明樹脂22成為層狀，該透明樹脂22係分散有30重量%之表1之實施例8之欄位所示的矽鋁氮氧化合物系綠色螢光體作為綠色螢光體，進而在該透明樹脂22上之最外周塗佈透明樹脂層24成為層狀，如此製造出發光裝置。第1紅色螢光體、第2紅色螢光體、綠色螢光體之混合比等，係設計成色溫度成為電泡色(2800K)近旁。與實施例1同樣地評估了發光裝置。將結果顯示於表4。
(實施例9)
製造出第5圖所示之第5實施形態的發光裝置。於發光元件中使用以InGaN系化合物半導體為活性層且在近紫外線之405nm中採用發光峰值波長的LED晶片12，並利用焊錫接合在8mm方形之AlN封裝10上，然後透過金線14連接於電極。在該LED上塗佈透明樹脂18成為圓頂狀，在該透明樹脂18上塗佈透明樹脂20成為層狀，該透明樹脂20係分散有30重量%之混合紅色螢光體，該混合紅色螢光體係以重量比1：7.6之比例混合表3之實施例9之欄位所示的CASN系紅色螢光體作為第1紅色螢光體、及表2之實施例9之欄位所示的矽鋁氮氧化合物系紅色螢光體作為第2紅色螢光體而成，進而在該透明樹脂20上塗佈透明樹脂30成為圓頂狀，且在該透明樹脂30上塗佈透明樹脂22成為層狀，該透明樹脂22係分散有30重量%之表1之實施例9之欄位所示的矽鋁氮氧化合物系綠色螢光體作為綠色螢光體，且在該透明樹脂22上塗佈透明樹脂28成為層狀，該透明樹脂28係分散有30重量%之峰值波長445nm之以(Sr,Ca)10 (PO4 )6 Cl2 ：Eu2+ 之組成表示的鹵磷酸鹽系藍色螢光體，如此製造出發光裝置。第1紅色螢光體、第2紅色螢光體、綠色螢光體之混合比等，係設計成色溫度成為白色(4200K)近旁。與實施例1同樣地評估了發光裝置。將結果顯示於表4。
(實施例10)
製造出第6圖所示之第6實施形態的發光裝置。於發光元件中使用以InGaN系化合物半導體為活性層且在近紫外線之405nm中採用發光峰值波長的LED晶片12，並利用焊錫接合在8mm方形之AlN封裝10上，然後透過金線14連接於電極。在該LED上塗佈透明樹脂18成為圓頂狀，在該透明樹脂18上塗佈透明樹脂20a成為層狀，該透明樹脂20a係分散有10重量%之表3之實施例10之欄位所示的CASN系紅色螢光體作為第1紅色螢光體，並在該透明樹脂20a上塗佈透明樹脂20b成為層狀，該透明樹脂20b係分散有30重量%之表2之實施例10之欄位所示的矽鋁氮氧化合物系紅色螢光體作為第2紅色螢光體，進而在該透明樹脂20b上塗佈透明樹脂30成為圓頂狀，且在該透明樹脂30上塗佈透明樹脂22成為層狀，該透明樹脂22係分散有30重量%之表1之實施例10之欄位所示的矽鋁氮氧化合物系綠色螢光體作為綠色螢光體，且在該透明樹脂22上塗佈透明樹脂28成為層狀，該透明樹脂28係分散有30重量%之以(Sr,Ca)10 (PO4 )6 Cl2 ：Eu2+ 之組成表示的鹵磷酸鹽系藍色螢光體，如此製造出發光裝置。第1紅色螢光體、第2紅色螢光體、綠色螢光體之混合比等，係設計成色溫度成為白色(4200K)近旁。與實施例1同樣地評估了發光裝置。將結果顯示於表4。
(實施例11)
製造出第5圖所示之第5實施形態的發光裝置。於發光元件中使用以InGaN系化合物半導體為活性層且在近紫外線之405nm中採用發光峰值波長的LED晶片12，並利用焊錫接合在8mm方形之AlN封裝10上，然後透過金線14連接於電極。在該LED上塗佈透明樹脂18成為圓頂狀，在該透明樹脂18上塗佈透明樹脂20成為層狀，該透明樹脂20係分散有30重量%之混合紅色螢光體，該混合紅色螢光體係以重量比1：7.6之比例混合表3之實施例11之欄位所示的CASN系紅色螢光體作為第1紅色螢光體、及表2之實施例11之欄位所示的矽鋁氮氧化合物系紅色螢光體作為第2紅色螢光體而成，進而在該透明樹脂20上塗佈透明樹脂30成為圓頂狀，且在該透明樹脂30上塗佈透明樹脂22成為層狀，該透明樹脂22係分散有30重量%之表1之實施例11之欄位所示的矽鋁氮氧化合物系綠色螢光體作為綠色螢光體，且在該透明樹脂22上塗佈透明樹脂28成為層狀，該透明樹脂28係分散有30重量%之峰值波長445nm之以(Sr,Ca)10 (PO4 )6 Cl2 ：Eu2+ 之組成表示的鹵磷酸鹽系藍色螢光體，如此製造出發光裝置。第1紅色螢光體、第2紅色螢光體、綠色螢光體之混合比等，係設計成色溫度成為電泡色(2800K)近旁。與實施例1同樣地評估了發光裝置。將結果顯示於表4。
(實施例12)
製造出第6圖所示之第6實施形態的發光裝置。於發光元件中使用以InGaN系化合物半導體為活性層且在近紫外線之405nm中採用發光峰值波長的LED晶片12，並利用焊錫接合在8mm方形之AlN封裝10上，然後透過金線14連接於電極。在該LED上塗佈透明樹脂18成為圓頂狀，在該透明樹脂18上塗佈透明樹脂20a成為層狀，該透明樹脂20a係分散有10重量%之表3之實施例12之欄位所示的CASN系紅色螢光體作為第1紅色螢光體，並在該透明樹脂20a上塗佈透明樹脂20b成為層狀，該透明樹脂20b係分散有30重量%之表2之實施例12之欄位所示的矽鋁氮氧化合物系紅色螢光體作為第2紅色螢光體，進而在該透明樹脂20b上塗佈透明樹脂30成為圓頂狀，且在該透明樹脂30上塗佈透明樹脂22成為層狀，該透明樹脂22係分散有30重量%之表1之實施例12之欄位所示的矽鋁氮氧化合物系綠色螢光體作為綠色螢光體，且在該透明樹脂22上塗佈透明樹脂28成為層狀，該透明樹脂28係分散有30重量%之以(Sr,Ca)10 (PO4 )6 Cl2 ：Eu2+ 之組成表示的鹵磷酸鹽系藍色螢光體，如此製造出發光裝置。第1紅色螢光體、第2紅色螢光體、綠色螢光體之混合比等，係設計成色溫度成為電泡色(2800K)近旁。與實施例1同樣地評估了發光裝置。將結果顯示於表4。
(實施例13)
製造出第9圖所示之第9實施形態的發光裝置。於發光元件中使用以InGaN系化合物半導體為活性層且在近紫外線之405nm中採用發光峰值波長的LED晶片12，並利用焊錫接合在8mm方形之AlN封裝10上，然後透過金線14連接於電極。以透明樹脂16密封該LED上，在該透明樹脂16上塗佈平板狀之透明樹脂20a成為層狀，該透明樹脂20a係分散有10重量%之表3之實施例13之欄位所示的CASN系紅色螢光體作為第1紅色螢光體，並在該透明樹脂20a上塗佈平板狀之透明樹脂20b成為層狀，該透明樹脂20b係分散有30重量%之表2之實施例13之欄位所示的矽鋁氮氧化合物系紅色螢光體作為第2紅色螢光體，進而在該透明樹脂20b上塗佈透明樹脂30成為平板狀，且在該透明樹脂30上塗佈透明樹脂22成為層狀，該透明樹脂22係分散有30重量%之表1之實施例13之欄位所示的矽鋁氮氧化合物系綠色螢光體作為綠色螢光體，進而在該透明樹脂22上塗佈透明樹脂28成為層狀，該透明樹脂28係分散有30重量%之以(Sr,Ca)10 (PO4 )6 Cl2 ：Eu2+ 之組成表示的鹵磷酸鹽系藍色螢光體，如此製造出發光裝置。第1紅色螢光體、第2紅色螢光體、綠色螢光體之混合比等，係設計成色溫度成為電泡色(2800K)近旁。與實施例1同樣地評估了發光裝置。將結果顯示於表4。
(實施例14)
製造出第8圖所示之第8實施形態的發光裝置。於發光元件中使用以InGaN系化合物半導體為活性層且在近紫外線之405nm中採用發光峰值波長的LED晶片12，並利用焊錫接合在8mm方形之AlN封裝10上，然後透過金線14連接於電極。以透明樹脂16密封於該LED上，在該透明樹脂16上塗佈平板狀之透明樹脂20成為層狀，該透明樹脂20係分散有30重量%之混合紅色螢光體，該混合紅色螢光體係以重量比1：4.9之比例混合表3之實施例14之欄位所示的CASN系紅色螢光體作為第1紅色螢光體、及表2之實施例14之欄位所示的矽鋁氮氧化合物系紅色螢光體作為第2紅色螢光體而成，進而在該透明樹脂20上塗佈透明樹脂30成為平板，且在該透明樹脂30上塗佈透明樹脂22成為層狀，該透明樹脂22係分散有30重量%之表1之實施例14之欄位所示的矽鋁氮氧化合物系綠色螢光體作為綠色螢光體，進而在該透明樹脂22上塗佈透明樹脂28成為層狀，該透明樹脂28係分散有30重量%之以(Sr,Ca)10 (PO4 )6 Cl2 ：Eu2+ 之組成表示的鹵磷酸鹽系藍色螢光體，如此製造出發光裝置。第1紅色螢光體、第2紅色螢光體、綠色螢光體之混合比等，係設計成色溫度成為電泡色(2800K)近旁。與實施例1同樣地評估了發光裝置。將結果顯示於表4。
(實施例15)
製造出第9圖所示之第9實施形態的發光裝置。於發光元件中使用以InGaN系化合物半導體為活性層且在近紫外線之405nm中採用發光峰值波長的LED晶片12，並利用焊錫接合在8mm方形之AlN封裝10上，然後透過金線14連接於電極。以透明樹脂16密封該LED，在該透明樹脂16上塗佈平板狀之透明樹脂20a成為層狀，該透明樹脂20a係分散有10重量%之表3之實施例15之欄位所示的CASN系紅色螢光體作為第1紅色螢光體，並在該透明樹脂20a上塗佈平板狀之透明樹脂20b成為層狀，該透明樹脂20b係分散有30重量%之表2之實施例15之欄位所示的矽鋁氮氧化合物系紅色螢光體作為第2紅色螢光體，進而在該透明樹脂20b上塗佈透明樹脂30成為平板狀，且在該透明樹脂30上塗佈透明樹脂22成為層狀，該透明樹脂22係分散有30重量%之表1之實施例15之欄位所示的矽鋁氮氧化合物系綠色螢光體作為綠色螢光體，進而在該透明樹脂22上塗佈透明樹脂28成為層狀，該透明樹脂28係分散有30重量%之以(Sr,Ca)10 (PO4 )6 Cl2 ：Eu2+ 之組成表示的鹵磷酸鹽系藍色螢光體，如此製造出發光裝置。第1紅色螢光體、第2紅色螢光體、綠色螢光體之混合比等，係設計成色溫度成為白色(4200K)近旁。與實施例1同樣地評估了發光裝置。將結果顯示於表4。
(實施例16)
製造出第8圖所示之第8實施形態的發光裝置。於發光元件中使用以InGaN系化合物半導體為活性層且在近紫外線之405nm中採用發光峰值波長的LED晶片12，並利用焊錫接合在8mm方形之AlN封裝10上，然後透過金線14連接於電極。以透明樹脂16密封於該LED上，在該透明樹脂16上塗佈平板狀之透明樹脂20成為層狀，該透明樹脂20係分散有30重量%之混合紅色螢光體，該混合紅色螢光體係以重量比1：4.9之比例混合表3之實施例16之欄位所示的CASN系紅色螢光體作為第1紅色螢光體、及表2之實施例16之欄位所示的矽鋁氮氧化合物系紅色螢光體作為第2紅色螢光體而成，進而在該透明樹脂20上塗佈透明樹脂30成為平板，且在該透明樹脂30上塗佈透明樹脂22成為層狀，該透明樹脂22係分散有30重量%之表1之實施例16之欄位所示的矽鋁氮氧化合物系綠色螢光體作為綠色螢光體，進而在該透明樹脂22上塗佈透明樹脂28成為層狀，該透明樹脂28係分散有30重量%之以(Sr,Ca)10 (PO4 )6 Cl2 ：Eu2+ 之組成表示的鹵磷酸鹽系藍色螢光體，如此製造出發光裝置。第1紅色螢光體、第2紅色螢光體、綠色螢光體之混合比等，係設計成色溫度成為白色(4200K)近旁。與實施例1同樣地評估了發光裝置。將結果顯示於表4。
(比較例1)
製造出類似第3圖所示之第3實施形態的發光裝置。作為綠色螢光體，係應用表1之比較例1之欄位所示的矽酸鹽(silicate)系綠色螢光體；作為紅色螢光體，係應用表2之比較例1之欄位所示的矽酸鹽系紅色螢光體。除了上述以外，其餘與實施例5同樣地評估了發光裝置。將結果顯示於表4。
(比較例2)
製造出類似第1圖所示之第1實施形態的發光裝置。作為綠色螢光體，係應用表1之比較例2之欄位所示的矽酸鹽系綠色螢光體；作為紅色螢光體，係應用表2之比較例2之欄位所示的矽酸鹽系紅色螢光體。除了上述以外，其餘與實施例3同樣地評估了發光裝置。將結果顯示於表4。
(比較例3)
製造出類似第3圖所示之第3實施形態的發光裝置。作為綠色螢光體，係應用表1之比較例3之欄位所示的矽鋁氮氧化合物系綠色螢光體；作為紅色螢光體，係應用表3之比較例3之欄位所示的矽鋁氮氧化合物系紅色螢光體。除了上述以外，其餘與實施例5同樣地評估了發光裝置。將結果顯示於表4。
(比較例4)
作為綠色螢光體，係製作表1之比較例4之欄位所示的矽鋁氮氧化合物系綠色螢光體；作為紅色螢光體，係製作表3之比較例4之欄位所示的矽鋁氮氧化合物系紅色螢光體。綠色螢光體係在通式(3)之組成範圍外，紅色螢光體係在通式(2)之組成範圍外。無論哪一個的發光效率皆低，且在製造發光裝置時特性不充分。
(比較例5)
作為綠色螢光體，係製作表1之比較例5之欄位所示的矽鋁氮氧化合物系綠色螢光體；作為紅色螢光體，係製作表3之比較例5之欄位所示的矽鋁氮氧化合物系紅色螢光體。綠色螢光體係在通式(3)之組成範圍外，紅色螢光體係在通式(2)之組成範圍外。無論哪一個的發光效率皆低，且在製造發光裝置時特性不充分。
(比較例6)
作為綠色螢光體，係製作表1之比較例6之欄位所示的矽酸鹽系綠色螢光體；作為紅色螢光體，係製作表3之比較例5之欄位所示的氮化合物系紅色螢光體。無論哪一個的發光效率皆低，且在製造發光裝置時特性不充分。
(比較例7)
製造出第3圖所示之第3實施形態的發光裝置。於發光元件中使用以InGaN系化合物半導體為活性層且在藍色之455nm中採用發光峰值波長的LED晶片12，並利用焊錫接合在8mm方形之AlN封裝10上，然後透過金線14連接於電極。在該LED上塗佈透明樹脂18成為圓頂狀，在該透明樹脂18上塗佈透明樹脂22成為層狀，該透明樹脂22係分散有30重量%之表2之比較例7之欄位所示的矽鋁氮氧化合物系紅色螢光體作為紅色螢光體，進而在該透明樹脂22上塗佈透明樹脂30成為圓頂狀，且在該透明樹脂30上塗佈透明樹脂24成為層狀，該透明樹脂24係分散有30重量%之表1之比較例7之欄位所示的矽鋁氮氧化合物系綠色螢光體作為綠色螢光體，如此製造出發光裝置。設計成色溫度成為白色(4200K)近旁。與實施例1同樣地評估了發光裝置。將結果顯示於表4。
(比較例8)
製造出第3圖所示之第3實施形態的發光裝置。於發光元件中使用以InGaN系化合物半導體為活性層，且在藍色之455nm中採用發光峰值波長的LED晶片12，並利用焊錫接合在8mm方形之AlN封裝10上，然後透過金線14連接於電極。在該LED上塗佈透明樹脂18成為圓頂狀，在該透明樹脂18上塗佈透明樹脂20成為層狀，該透明樹脂22係分散有30重量%之表2之比較例8之欄位所示的矽鋁氮氧化合物系紅色螢光體作為紅色螢光體，進而在該透明樹脂20上塗佈透明樹脂30成為圓頂狀，且在該透明樹脂30上塗佈透明樹脂22成為層狀，該透明樹脂22係分散有30重量%之表1之比較例8之欄位所示的矽鋁氮氧化合物系綠色螢光體作為綠色螢光體，進而在該透明樹脂22上之最外周塗佈透明樹脂層24成為層狀，如此製造出發光裝置。設計成色溫度成為電泡色(2800K)近旁。與實施例1同樣地評估了發光裝置。將結果顯示於表4。
(比較例9)
製造出類似第5圖所示之第5實施形態的發光裝置。於發光元件中使用以InGaN系化合物半導體為活性層且在近紫外線之405nm中採用發光峰值波長的LED晶片12，並利用焊錫接合在8mm方形之AlN封裝10上，然後透過金線14連接於電極。在該LED上塗佈透明樹脂18成為圓頂狀，在該透明樹脂18上塗佈透明樹脂20成為層狀，該透明樹脂20係分散有30重量%之表2之比較例9之欄位所示的矽鋁氮氧化合物系紅色螢光體作為紅色螢光體，進而在該透明樹脂20上塗佈透明樹脂30成為圓頂狀，且在該透明樹脂30上塗佈透明樹脂22成為層狀，該透明樹脂22係分散有30重量%之表1之比較例9之欄位所示的矽鋁氮氧化合物系綠色螢光體，更在該透明樹脂22上塗佈透明樹脂28成為層狀，該透明樹脂28係分散有30重量%之以(Sr,Ca)10 (PO4 )6 Cl2 ：Eu2+ 之組成表示的鹵磷酸鹽系藍色螢光體，如此製造出發光裝置。設計成色溫度成為白色(4200K)近旁。與實施例1同樣地評估了發光裝置。將結果顯示於表4。
(比較例10)
製造出類似第5圖所示之第5實施形態的發光裝置。於發光元件中使用以InGaN系化合物半導體為活性層且在近紫外線之405nm中採用發光峰值波長的LED晶片12，並利用焊錫接合在8mm方形之AlN封裝10上，然後透過金線14連接於電極。在該LED上塗佈透明樹脂18成為圓頂狀，在該透明樹脂18上塗佈透明樹脂20成為層狀，該透明樹脂20係分散有30重量%之表2之比較例10之欄位所示的矽鋁氮氧化合物系紅色螢光體作為紅色螢光體，進而在該透明樹脂20上塗佈透明樹脂30成為圓頂狀，且在該透明樹脂30上塗佈透明樹脂22成為層狀，該透明樹脂22係分散有30重量%之表1之比較例10之欄位所示的矽鋁氮氧化合物系綠色螢光體，更在該透明樹脂22上塗佈透明樹脂28成為層狀，該透明樹脂28係分散有30重量%之以(Sr,Ca)10 (PO4 )6 Cl2 ：Eu2+ 之組成表示的鹵磷酸鹽系藍色螢光體，如此製造出發光裝置。設計成色溫度成為電泡色(2800K)近旁。與實施例1同樣地評估了發光裝置。將結果顯示於表4。
在實施例之發光裝置中，係與比較例之發光裝置相較，還可獲得較高的平均演色評估數Ra、特殊演色評估數R9及R15。又，在實施例中，於塗佈構造中具有抑制在螢光體間之再吸收的構造之發光裝置係與不具有該構造的發光裝置相較還能獲得發光效率(光束效率)較高者。
10．．．基板
12．．．LED晶片
14．．．金線(金屬線)
16．．．透明樹脂層(透明樹脂)
18．．．透明樹脂層(透明樹脂)
20．．．紅色螢光體層
20a．．．第1紅色螢光體層
20b．．．第2紅色螢光體層
22．．．綠色螢光體層
24．．．透明樹脂層(透明樹脂)
28．．．藍色螢光體層
30．．．透明樹脂層(透明樹脂)
Ra．．．平均演色評估數
R9、R15．．．特殊演色評估數
第1圖係第1實施形態的發光裝置之剖面示意圖。
第2圖係第2實施形態的發光裝置之剖面示意圖。
第3圖係第3實施形態的發光裝置之剖面示意圖。
第4圖係第4實施形態的發光裝置之剖面示意圖。
第5圖係第5實施形態的發光裝置之剖面示意圖。
第6圖係第6實施形態的發光裝置之剖面示意圖。
第7圖係第7實施形態的發光裝置之剖面示意圖。
第8圖係第8實施形態的發光裝置之剖面示意圖。
第9圖係第9實施形態的發光裝置之剖面示意圖。
第10圖係顯示實施例2的發光裝置之發光頻譜的圖。
10．．．基板
12．．．激勵光源用藍色LED晶片(LED晶片)
14．．．金屬線(金線)
16．．．透明樹脂層(透明樹脂)
18．．．透明樹脂層(透明樹脂)
20a．．．第1紅色螢光體層
20b．．．第2紅色螢光體層
22．．．綠色螢光體層
24．．．透明樹脂層(透明樹脂)
30．．．透明樹脂層(透明樹脂)

Claims (20)

  1. 一種發光裝置，其特徵為，具備：發光元件，其係發出波長380nm~470nm之光；及第1紅色螢光體，其係配置於前述發光元件上，且具有以下述通式(1)表示的組成；第2紅色螢光體，其係配置於前述發光元件上，且具有以下述通式(2)表示的組成；以及綠色螢光體，其係配置於前述發光元件上，且具有以下述通式(3)表示的組成，(Ca1-x1 Eux1 )a1 AlSib1 Oc1 Nd1 ：Eu　(1)(上述通式(1)中，x1、a1、b1、c1係滿足如下之關係：0＜x1＜0.03、0.90＜a1＜1.1、0.90＜b1＜1.1、0.20＜c1＜0.45、2.40＜d1≦3.00)(Sr1-x2 Eux2 )a2 Sib2 AlOc2 Nd2 　(2)(上述通式(2)中，x2、a2、b2、c2、d2，係滿足如下之關係：0＜x2≦1、0.60＜a2＜0.95、2.0＜b2＜3.9、0.04≦c2≦0.6、4＜d2＜5.7)(Sr1-x Eux )3-y Si13-z Al3+z O2+u N21-w 　(3)(上述通式(3)中，x、y、z、u、w，係滿足如下之關係：0＜x≦1、-0.1≦y≦0.15、-1≦z≦1、-1＜u-w≦1.5)。
  2. 如申請專利範圍第1項所述的發光裝置，其中，前述發光元件係發出波長440nm~470nm之光。
  3. 如申請專利範圍第1項所述的發光裝置，其中，前述通式(2)中，x2、a2、b2、c2、d2，係滿足0.01＜x2≦0.10、0.62≦a2≦0.70、2.1≦b2≦2.5、0.4≦c2≦0.5、4.1≦d2≦4.5之關係。
  4. 如申請專利範圍第2項所述的發光裝置，其中，前述通式(2)中，x2、a2、b2、c2、d2，係滿足0.01＜x2≦0.10、0.62≦a2≦0.70、2.1≦b2≦2.5、0.4≦c2≦0.5、4.1≦d2≦4.5之關係。
  5. 如申請專利範圍第1項所述的發光裝置，其中，復具備配置於前述發光元件上的藍色螢光體。
  6. 如申請專利範圍第5項所述的發光裝置，其中，前述發光元件係發出波長380nm~420nm之光。
  7. 一種發光裝置，其特徵為，具備：基板；前述基板上的發光元件；紅色螢光體層，其係形成於前述發光元件上，且包含被分散於樹脂中之具有以下述通式(1)表示的組成之第1紅色螢光體、及具有以下述通式(2)表示的組成之第2紅色螢光體；以及綠色螢光體層，其係形成於前述紅色螢光體層上，且包含被分散於樹脂中之具有以下述通式(3)表示的組成之綠色螢光體，(Ca1-x1 Eux1 )a1 AlSib1 Oc1 Nd1 :Eu　(1)(上述通式(1)中，x1、a1、b1、c1係滿足如下之關係：0＜x1＜0.03、0.90＜a1＜1.1、0.90＜b1＜1.1、0.20＜c1＜0.45、2.40＜d1≦3.00)(Sr1-x2 Eux2 )a2 Sib2 AlOc2 Nd2 　(2)(上述通式(2)中，x2、a2、b2、c2、d2，係滿足如下之關係：0＜x2≦1、0.60＜a2＜0.95、2.0＜b2＜3.9、0.04≦c2≦0.6、4＜d2＜5.7)(Sr1-x Eux )3-y Si13-z Al3+z O2+u N21-w 　(3)(上述通式(3)中，x、y、z、u、w，係滿足如下之關係：0＜x≦1、-0.1≦y≦0.15、-1≦z≦1、-1＜u-w≦1.5)。
  8. 如申請專利範圍第7項所述的發光裝置，其中，前述發光元件係發出波長440nm~470nm之光。
  9. 如申請專利範圍第7項所述的發光裝置，其中，前述通式(2)中，x2、a2、b2、c2、d2，係滿足0.01＜x2≦0.10、0.62≦a2≦0.70、2.1≦b2≦2.5、0.4≦c2≦0.5、4.1≦d2≦4.5之關係。
  10. 如申請專利範圍第8項所述的發光裝置，其中，前述通式(2)中，x2、a2、b2、c2、d2，係滿足0.01＜x2≦0.10、0.62≦a2≦0.70、2.1≦b2≦2.5、0.4≦c2≦0.5、4.1≦d2≦4.5之關係。
  11. 如申請專利範圍第7項所述的發光裝置，其中，復具備：形成於前述綠色螢光體層上，且包含被分散於樹脂中之藍色螢光體的藍色螢光體層。
  12. 如申請專利範圍第11項所述的發光裝置，其中，前述發光元件，係發出發光元件之波長為380nm~420nm之光。
  13. 如申請專利範圍第7項所述的發光裝置，其中，在前述紅色螢光體層、和前述綠色螢光體層之間，復具有透明樹脂層。
  14. 一種發光裝置，其特徵為，具備：基板；前述基板上的發光元件；第1紅色螢光體層，其係形成於前述發光元件上，且包含被分散於樹脂中之具有以下述通式(1)表示的組成之第1紅色螢光體；第2紅色螢光體層，其係形成於前述第1紅色螢光體層上，且包含被分散於樹脂中之具有以下述通式(2)表示的組成之第2紅色螢光體；以及綠色螢光體層，其係形成於前述第2紅色螢光體層上，且包含被分散於樹脂中之具有以下述通式(3)表示的組成之綠色螢光體，(Ca1-x1 Eux1 )a1 AlSib1 Oc1 Nd1 :Eu　(1)(上述通式(1)中，x1、a1、b1、c1係滿足如下之關係：0＜x1＜0.03、0.90＜a1＜1.1、0.90＜b1＜1.1、0.20＜c1＜0.45、2.40＜d1≦3.00)(Sr1-x2 Eux2 )a2 Sib2 AlOc2 Nd2 　(2)(上述通式(2)中，x2、a2、b2、c2、d2，係滿足如下之關係：0＜x2≦1、0.60＜a2＜0.95、2.0＜b2＜3.9、0.04≦c2≦0.6、4＜d2＜5.7)(Sr1-x Eux )3-y Si13-z Al3+z O2+u N21-w 　(3)(上述通式(3)中，x、y、z、u、w，係滿足如下之關係：0＜x≦1、-0.1≦y≦0.15、-1≦z≦1、-1＜u-w≦1.5)。
  15. 如申請專利範圍第14項所述的發光裝置，其中，前述發光元件係發出波長440nm~470nm之光。
  16. 如申請專利範圍第14項所述的發光裝置，其中，前述通式(2)中，x2、a2、b2、c2、d2，係滿足0.01＜x2≦0.10、0.62≦a2≦0.70、2.1≦b2≦2.5、0.4≦c2≦0.5、4.1≦d2≦4.5之關係。
  17. 如申請專利範圍第15項所述的發光裝置，其中，前述通式(2)中，x2、a2、b2、c2、d2，係滿足0.01＜x2≦0.10、0.62≦a2≦0.70、2.1≦b2≦2.5、0.4≦c2≦0.5、4.1≦d2≦4.5之關係。
  18. 如申請專利範圍第14項所述的發光裝置，其中，復具備：形成於前述綠色螢光體層上，且包含被分散於樹脂中之藍色螢光體的藍色螢光體層。
  19. 如申請專利範圍第18項所述的發光裝置，其中，前述發光元件，係發出發光元件之波長為380nm~420nm之光。
  20. 如申請專利範圍第14項所述的發光裝置，其中，在前述第2紅色螢光體層、和前述綠色螢光體層之間，復具有透明樹脂層。
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