JP2012204392A - リードフレームを用いた半導体発光装置の製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】 金属リードフレームを用いた半導体発光装置の製造方法において、基板の支持部分をダイシングによって切り離し個片化する際に発生するバリによる不具合を無くし、特にハンダ付けの量産性に優れた、信頼性の高い半導体発光装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】第１部分と第２部分とによる実装部分と、第１部分と第２部分とを連結している支持部分とを含む金属板からなる基板と、第１部分上に固定され、第１部分と第２部分にそれぞれ電気的に接続された発光素子と、実装部分と発光素子とを樹脂封止した後に、基板の支持部分をダイシングによって切り離して個片化する半導体発光装置の製造方法において、切り離す部分の少なくとも下面側に溝を設け、ダイシングにより発生するバリを下面側に設けた溝に吸収し、基板の底面を平坦に維持し、半導体発光装置のハンダ付けにおいて濡れを良くし、ハンダがよく流れ、優れた量産性の提供を可能にする。
【選択図】図１

Description

本発明は半導体発光装置の製造方法に関するものであり、詳しくは基板の支持部分をダイシングによって切り離し個片化する際に発生するバリによる不具合を無くし、特にハンダ付けにおいて量産性に優れた半導体発光装置の製造方法に関する。

従来、半導体発光装置において、金属板からなる基板（以後リードフレームと記す）を用い、第１部分と第２部分とによる実装部分を持ち、発光素子を第１部分上に固定し、第１部分と第２部分にそれぞれ電気的に接続し、さらに実装部分と発光素子とを樹脂封止した後に基板の支持部分をダイシング等によって切り離し、個片化する製造方法が知られており、例えば特許文献１のような例が提案されている。

以下、従来技術について、特許文献１に示す半導体発光装置およびその製造方法を図２２〜図２５を参照して説明する。図２２において、大判の金属板からなるリードフレーム３０には、第１部分３０ａと第２部分３０ｂからなる１個の実装部分３０Ａが複数設けられている。また、このリードフレーム３０には、複数の開口４０ａを有する金属製の反射枠体４０を固定することにより構成される。図２３はリードフレーム３０に反射枠体４０を固定した状態を示し、反射枠体４０の複数の開口４０ａに露出した各第１部分３０ａ上に複数個の発光素子４３を固定し、各第１部分と各第２部分にそれぞれボンディングワイヤー４４で電気的に接続した後に、各開口４０ａを透光性樹脂４５により封止する。そして、発光素子４３が実装されたリードフレーム３０および反射枠体４０集合体４００Ｌをダイシングブレード６によりＸＹの切断線に従って切り離して個片化することにより、図２４に示す半導体発光装置４００を構成する。

次に、図２４、図２５を参照して、上記半導体発光装置４００のバリの発生と、マザーボードに実装した状態について説明する。図２４に示す如く前記製造工程において半導体発光装置４００が個片化されるときに、リードフレーム３０における第１部分３０ａと第２部分３０ｂからなる実装部分３０Ａの切断面にはバリ３０ｇが発生する。一般的にはこのように金属板の切断面にバリが発生することは周知の通りである。図２５は半導体発光装置４００をマザーボード４７にハンダリフローによって実装した状態を示す。リードフレーム３０の実装部分３０Ａに発生したバリ３０ｇとハンダ４６ｂとの一般的な関係を示す。なお、４７ａ、４７ｂはマザーボード４７の電極を示し、４６ｂはクリームハンダが溶けた状態を示している。

２００９−２８３６５３

しかしながら、特許文献１に示された半導体発光装置４００の製造方法において、ダイシングにより切り離し、各半導体発光装置４００を個片化する際、リードフレーム３０の連結部分を切断するときに、図２４に示すように実装部分３０Ａの下面側にバリ３０ｇが発生する。この金属バリ３０ｇは樹脂のバリとは違い、厄介であり、取り去るためには非常に手間がかかる。また、完成した半導体発光装置４００をマザーボードにハンダ実装する際、金属バリ３０ｇが残っていると、量産性や品質に欠点が生じる結果となる。

すなわち図２５に示す如く、マザーボード電極４７ａの上面にクリームハンダ４６ｂが印刷され、半導体発光素子４００が実装され、リフロー工程でクリームハンダ４６ｂが溶けたとき、バリ３０ｇのために、濡れが悪く、ハンダ４６ｂの上に半導体発光装置４００が浮いた状態となっている。一般的にバリの発生はダイシングの条件により発生状況が不安定であり、例えば、一方には発生し、他方には発生しないこともある。その場合は一方のみ良く濡れて、他方が濡れない現象が起き、半導体発光装置４００の片方が立ち上がった状態（マンハッタン）も起きる。このようにリードフレーム３０の底面でのバリ３０ｇの発生はクリームハンダ４６ｂの濡れを阻害し、浮きやマンハッタンを引き起こし、著しく量産性を損ない、且つ、品質の低下を招く要因となっていた。

（発明の目的）
本発明の目的は、半導体発光装置の製造方法において、リードフレーム実装部の支持部分をダイシングによって切断し個片化する際に発生する金属バリによる不具合をなくし、特にハンダ付けにおいて濡れが良く、浮きやマンハッタンが発生しない、量産性に優れ、品質の高い半導体発光装置の製造方法を提供することである。

上記目的を達成するために、第１部分と第２部分とによる実装部分と、第１部分と第２部分とを連結している支持部分とを含む金属板からなる基板と、第１部分上に固定され、第１部分と第２部分にそれぞれ電気的に接続された発光素子と、実装部分と発光素子とを樹脂封止した後に、基板の支持部分をダイシングによって切り離して個片化する半導体発光装置の製造方法において、ダイシングによって切り離す基板の支持部分の少なくとも下面側に溝を設けたことを特徴とする。

上記構成によれば、ダイシングにより発生するバリを下面側に設けた溝に吸収することができるので、基板の底面を平坦に維持でき、半導体発光装置のハンダ付けにおける優れた量産性の提供を可能にする。

基板は一枚の金属板に複数の実装部分が設けられ、各実装部分が各々支持部によって連結されていると良い。

ダイシングによって切り離される基板の支持部分の上面側および下面側の両方に溝を設けると良い。

上記構成によれば、ダイシングにより発生するバリを下面側に設けた溝に吸収することに加えて、枠体樹脂が基板の上面側の溝（凹部）に充填されるので、基板との密着度が増す効果と同時に、切断部を薄くすることにより、切断の容易化と、発生するバリの少量化により精度が高い量産性と優れたハンダ付けの量産性の両方を提供できる。

基板の第１部分上に発光素子を固定し、第１部分と第２部分にそれぞれ電気的に接続し、実装部分と発光素子とを樹脂封止したあとに封止樹脂をとり囲むように枠体を樹脂モールドすると良い。

本発明によれば、基板の支持部分をダイシングによって切り離して個片化する際、リードフレームの支持部分の少なくとも下面側に溝を設けることにより、発生するバリを下面側に設けた溝に吸収することができるので、リードフレームの底面を平坦に維持でき、特にマザーボードに実装する際、ハンダリフロー工程でバリの影響によりハンダの濡れが阻害されることがなく、浮きやマンハッタンのない量産性に優れた半導体発光装置の製造方法を提供することができる。

本発明の第１実施形態におけるリードフレームの斜視図である。 本発明の第１実施形態において、図１のＭ部拡大図である。 本発明の第１実施形態において、図２のＡ−Ａ断面図である。 本発明の第１実施形態における枠体をモールドした集合体の斜視図である。 本発明の第１実施形態における発光素子を実装した集合体の斜視図である。 本発明の第１実施形態において、図５（Ｂ）のＢ−Ｂ断面図である。 本発明の第１実施形態における樹脂を封止した集合体の斜視図である。 本発明の第１実施形態における集合体を個片化した状態の斜視図である。 本発明の第１実施形態における半導体発光装置の斜視図である。 本発明の第１実施形態において、マザーボードに実装した断面図である。 本発明の第２実施形態におけるリードフレームの斜視図である。 本発明の第２実施形態において、図１１のＭ部拡大図である。 本発明の第２実施形態において、図１２のＡ−Ａ断面図である。 本発明の第２実施形態における半導体発光装置の斜視図である。 本発明の第３実施形態におけるリードフレームの斜視図である。 本発明の第３実施形態において、図１５のＭ部拡大図である。 本発明の第３実施形態において、図１６のＡ−Ａ断面図である。 本発明の第３実施形態においてマザーボードに実装した断面図である。 本発明の第４実施形態における発光素子を実装した集合体の斜視図である。 本発明の第４実施形態における樹脂を封止した集合体の斜視図である。 本発明の第４実施形態における枠体をモールドした集合体の斜視図である。 従来の製造方法のリードフレームと枠体の斜視図である。 従来の製造方法の半導体を実装した集合体の斜視図である。 従来の製造方法の半導体発光装置の斜視図である。 従来の製造方法の半導体発光装置をマザーボードに実装した断面図である。

（第１実施形態）
以下、本発明の具体的実施形態として、第１実施形態を図１〜図１０に基づいて説明する。図１は第１の製造工程（リードフレーム工程）として、リードフレーム１の斜視図を示している。金属板からなるリードフレーム１には複数の実装部分（１点鎖線で示す）が設けられており、１個の発光装置の実装部分１Ａはリードフレーム１の枠部分１ｈ（図２参照）と接続し、また隣接する他の実装部分にも接続している。また、実装部分１Ｂはそのすべての支持部分が隣接している他の実装部分と接続している。図２は図１の実装部分１Ａ付近のＭ部の拡大斜視図である。図２を参照して、実装部分１Ａについて説明する。実装部分１Ａは第１部分１ａと第２部分１ｂからなり、必要な隙間１ｉで配設されている。第１部分１ａは支持部分１ｃ、１ｅ、１ｆにより隣接する実装部分または枠１ｈと接続されている。第２部分１ｂは支持部分１ｄ、１ｅ、１ｆにより隣接する実装部分または枠１ｈと接続されている。

次に、図３は図２における支持部分１ｅ側の断面で、Ａ−Ａ断面を示している。図２、図３において、第１部分１ａから伸びる支持部分１ｃ、１ｅ、１ｆにはすべて、下面側に溝１ｊが設けられている。また、第２部分１ｂから伸びる支持部分１ｄ、１ｅ、１ｆにも同様に下面側に溝１ｊが設けられている。すなわち、実装部分１Ａの第１部分１ａ、第２部分１ｂに設けられた支持部分はすべてが隣接する実装部分または、枠１ｈとの間において、下面側に溝１ｊが設けられている。また、図１において、実装部分１Ｂはその周囲がすべて他の実装部分であるが、実装部分１Ａと同様にすべての支持部分は隣接する実装部分との間において、下面側に溝１ｊが設けられている。また、リードフレーム１上に設けられたすべての実装部分についても同様で下面側に溝１ｊが設けられている。つまり、すべての支持部分において、基本的な構成は同じであるため、実装部分１Ａを含むその周辺の構成、作用および効果を代表して説明する。

次に、図４は第２の製造工程（枠体モールド工程）を示し、リードフレーム１に枠体として樹脂をモールドした集合体の斜視図である。リードフレーム１を図示しない成形金型にセットし、所定の成形条件にて所定の樹脂をインサートモールドする。このとき、図４に示すように、リードフレーム１の上面には発光素子３を実装する開口２ａとそれを囲む枠体２が形成される。このとき、リードフレーム１の上面に枠体２が形成されると同時に、後術する如く第１部分１ａと第２部分１ｂの間の隙間１ｉにも樹脂が充填されて、２ｂ部分が形成され、第１部分１ａと第２部分１ｂとは電気的に絶縁された状態で結合される。また、各支持部分１ｃ、１ｄ、１ｅ、１ｆの下面側の溝１ｊ（凹部）にも樹脂が充填され２ｃが形成される（図６参照）。これらはすべての実装部分についても同様であり、すべての支持部分の下面側１ｊ（凹部）に樹脂が充填され、枠体２の剛性が増し、集合体全体としての剛性を増すことができる。

次に、図５（Ａ）は第３の製造工程（発光素子実装工程）を示し、発光素子３の固定とワイヤーボンディングについて説明する。リードフレーム１の各第１部分１ａに各発光素子３を実装し固定する。続いて各発光素子３と各第１部分１ａおよび各第２部分１ｂの間をボンディングワイヤー４によりボンディングし、電気的に接続する。これにより、発光素子３を実装した半導体発光装置集合体１００Ｌが形成される。なお、図５（Ｂ）は図５（Ａ）に示す１つの実装部分Ｎの拡大平面図である。

次に、図６を参照して図５（Ａ）、図５（Ｂ）に示す１つの実装部分Ｎについて説明する。図６は図５（Ｂ）に示すＢ−Ｂ断面である。断面Ｂ−Ｂは第１部分１ａの手前側の支持部分１ｃと第２部分１ｂの手前側の支持部分１ｄを通過する断面である。第１部分１ａと第２部分１ｂの上面側には枠体２が発光素子３の実装部分の周囲を取り囲むように形成され、発光素子開口２ａが形成されている。また、第１部分１ａと第２部分１ｂの隙間１ｉと第１部分１ａの下面側に設けた溝１ｊおよび第２部分１ｂの下面側に設けた溝１ｊにも樹脂が充填され、それぞれ、２ｂ、２ｃを形成している。また、樹脂２ｂの形成により第１部分１ａと第２部分１ｂとは電気的に絶縁され、機械的に結合されている。このようにして、第１部分１ａ、第２部分１ｂには発光素子開口２ａの内側を除いて、すべての空間に樹脂が充填されており、発光素子開口２ａの内部に露出した第１部分１ａ上には発光素子３が実装され、第１部分１ａと第２部分１ｂとにワイヤーボンディングされている。

次に、図７において、第４の製造工程（樹脂封止工程）である樹脂の封止について説明する。図５に示す発光素子３が実装され、ボンディングワイヤー４により電気的接続がなされた半導体発光装置集合体１００Ｌの各発光素子開口２ａに透光性樹脂５を流入し封止する。これにより、各発光素子実装部を透光性樹脂５によって封止した半導体発光装置集合体１００Ｌが完成する。

次に、図８において、第５の製造工程（ダイシング工程）であるダイシングによる個片化について説明する。図示しないダイシング装置に半導体発光装置集合体１００Ｌをセットし、枠２の部分および各発光開口２ａの各行間を矢印Ｘの方向にダイシングブレード６を用いて切断する。次に、半導体発光装置集合体１００Ｌを９０度回転させてダイシング装置にセットし、枠２の部分および各発光開口２ａの列間を矢印Ｙの方向にダイシングブレード６を用いて切断する。

図６を参照して、ダイシング時の切断位置について詳しく説明する。図６の断面図にはダイシングブレード６が通過する位置を点線にて示している。この位置は図８に示すように、ダイシングブレード６がＹ方向に切断する場合である。この切断位置は枠２の中間であると同時に、実装部分１０Ａの支持部分１ｃおよび支持部分１ｄの中間であり、各支持部の下面側の溝１ｊに充填された樹脂２ｃの中間部分であることを示している。Ｘ方向に切断する場合には図２に示す支持部分１ｅおよび支持部分１ｆの中間に相当し、同様に中間部分を切断する。つまり、金属であるリードフレーム１の各支持部分の中間で、上下の充填樹脂に挟まれた部分を同時に切断することになる。このとき、金属であるリードフレーム１の支持部分はダイシングブレード６によりバリ１ｇを発生するが、下面側に設けた溝１ｊ内に吸収されてリードフレーム１の底面は平坦な状態が保たれる。この様にして、すべての行間、すべての列間および外側の枠部分を切断することにより、半導体発光装置集合体１００Ｌは複数の半導体発光装置１００に個片化される。

次に、図９において、個片化された半導体発光装置１００について説明する。図９に示すように、個片化された半導体発光装置１００において４つの側面はすべてダイシングによって切断された面である。これら４つの面には、それぞれ、２か所、実装部分から伸びる支持部分が切断された面が現れている。４つの面を合わせて合計８か所（１ｃ、１ｄ、１ｅ、１ｆ）の切断面が現れ、それぞれの面にはバリ１ｇが発生している。しかし前述したように、バリ１ｇは各支持部分の下面側に設けた溝１ｊ内にとどまっていて、底面１ｔには到達しないように設定されている。また、ダイシングにより第１部分１ａおよび第２部分１ｂは支持部分のすべてを切断されるが、上面側の枠２部分の樹脂および支持部分の下面側に設けられた溝１ｊに充填された樹脂２ｃおよび第１部分１ａおよび第２部分１ｂの隙間１ｉに充填された樹脂２ｂにより一体化されているのでその強度は問題ない。

次に、図１０を参照して、個片化された半導体発光装置１００をマザーボードに実装した場合を説明する。図１０において、マザーボード４７には２か所の電極４７ａ、４７ｂが設けられ、それぞれ、半導体発光装置１００の電極である第１部分１ａと第２部分１ｂが対応して実装される。また、電極４７ａ、４７ｂ上には事前にクリームハンダ４６ａが印刷されている。図１０はリフローにより、クリームハンダ４６ａが溶けた状態を示しているが、クリームハンダ４６ａはマザーボード４７の電極４７ａ、４７ｂと、平坦面を保った半導体発光装置１００の電極である第１部分１ａと第２部分１ｂとの間にきれいに流れて、良好な密着性を有している。半導体発光装置１００のリードフレーム１の第１部分１ａおよびダ２部分１ｂの側面には図９で示した支持部分１ｃ、１ｄの切断面が現れており、バリ１ｇが現れている。しかし、各支持部分１ｃ、１ｄの下面側に設けられた溝１ｊには充填された樹脂２ｃがあり、バリ１ｇは底面１ｔには到達しないような深さに溝１ｊが設定されているため、発生したバリ１ｇは下面側に設けた溝１ｊ内にとどまって吸収されている。そのため、電極である第１部分１ａと第２部分１ｂの底面１ｔを平坦に維持することができ、溶けたクリームハンダ４６ａはバリ１ｇに濡れを阻害されず、図１０に示す如くリードフレーム１の底面１ｔに良く濡れて、きれいに流れ、良好な密着状態となっている。

図２５に示した従来技術では、ダイシング工程で基板の底面３０ｔにバリ３０ｇが発生し、溶けたクリームハンダの濡れが阻害され、浮きやマンハッタンが発生し、量産性や品質に欠点があったが、本発明ではその欠点が改善され、リードフレーム１の第１部分と第２部分からなる金属基板にそれぞれ発光素子を電気的に接続し、発光素子と実装部分を樹脂封止した後に、支持部分をダイシングにより切り離す際、支持部分の下面側に溝を設けたことにより、発生するバリを下面側に設けた溝に吸収することができる。その結果、基板の底面を平坦に維持でき、半導体発光装置のハンダ付けにおいて濡れが阻害されることがなく、ハンダがよく流れ、優れた量産性の提供を可能にすることができる。

なお、リードフレーム１の各支持部分１ｃ、１ｄ、１ｅ、１ｆの下面側の溝１ｊの幅は本実施例のように連結した支持部分の長さに一致する必要はなく、狭くしても良いし広くしても良い。その場合はダイシングブレード６の幅とダイシング装置の送りピッチ精度等を考慮して決めることができる。また、下面側の溝１ｊの深さについては発生するバリの高さや支持部分の強度などを考慮して決めることができる。また、各支持部分の本数については、多くしても良いし、少なくして幅を広くしてもよい。また、上記製造工程には便宜上、第１の製造工程〜第５の製造工程の名称を付したが、必要な部分のみを示し、実際の半導体発光素子として完成までの詳細な製造工程は省略する。

（第２実施形態）
以下、本発明による第２実施形態について図１１、図１２、図１３、図１４を参照して説明する。図１１は第１の製造工程（リードフレーム工程）を示すリードフレーム１０の斜視図であり、図１２は図１１の実装部分１０Ａ付近Ｍ部の拡大斜視図であり、図１３は図１２に示すＡ−Ａ断面であり、図１４は半導体発光装置２００の斜視図である。それぞれ、第１実施例の図１、図２、図３、図９に対応し、同一構成要素には同一番号または同一名称を付し、重複する説明は省略し、また、同一製造工程も説明は省略する。第２実施形態におけるリードフレーム１０が第１実施形態におけるリードフレーム１と異なるところは、第１の製造工程（リードフレーム工程）において、実装部分１０Ａの第２部分１０ｂから伸びる支持部分１０ｅの形状が違うことであり、リードフレーム１０の集合状態での強度を上げることができる。

図１２、図１３を参照して、第２実施形態における支持部分１０ｅの形状が図２、図３に示す第実１施形態における支持部分１ｅと違うところを説明する。図２に示す第２部分１ｂに伸びる支持部１ｅが第２部分１ｂにのみ接続されていたのに対し、図１２の第２部分１０ｂから伸びる一方の支持部分１０ｅに着目すると、支持部分１０ｅは第２部分１０ｂの横側から伸び、途中で方向をかえて、隙間１０ｉを越えて第１部分１０ａの横側に接続している。接続した部分はその幅を広げて支持部分１０Ｅとなる。支持部分１０Ｅは隣の実装部分に向けて伸び、途中で再び２つに分かれて、隣の実装部分の第２部分と第１部分に再び接続する。また第２部分１０ｂから伸びる反対側の支持部分１０ｆついても同様に、支持部１０ａと接続して幅を広げて１０Ｆとなり、そのまま枠部分１０ｈに接続する。枠部分１０ｈと接続する支持部分１０Ｆは、隣接する実装部分との接続する支持部分１０Ｅとは若干、形状が異なるが、基本的な作用や効果に差はない。

このような構造を採用することにより、第１部分１０ａと第２部分１０ｂが支持部分１０Ｅと支持部分１０Ｆとにより近いところで連結しているため、実装部分１Ａの支持強度が増し、リードフレーム１０の全体の集合状態での強度が増す。このことは、第２の製造工程（枠体モールド工程）や第３の製造工程（発光素子実装工程）、第４の製造工程（樹脂封止工程）において、変形を少なくすることができ、半導体発光装置集合体２００Ｌ（図示せず）の製造精度を高めることができる。

次に、図１３において、図１２のＡ−Ａ断面を示すが、図３に示した第１実施形態と異なるところは、第１実施形態では第２部分１ｂと接続された支持部分１ｅの断面が１つであったのに対し、図１３に示す第２実施形態では、第１部分１０ａと第２部分１０ｂとの隙間１０ｉを挟んで、２か所に支持部分１０ｅの断面が現れている点である。この２か所を含めて、第１実施形態と同様に、すべての支持部分１０ｃ、１０ｄ、１０ｅ、１０ｆの下面側に溝１０ｊが設けられている。

次に、図１４を参照して、ダイシングにより個片化された半導体発光装置２００について説明する。第１実施形態の図９に示す半導体発光装置１００と異なるところは、第１部分１０ａと第２部分１０ｂとの隙間１０ｉを挟んで１０ｅの切断面が２か所現れている点である。第１部分１０ａと第２部分１０ｂとの隙間１０ｉには第２の製造工程（枠体モールド工程）にて樹脂が充填されており、また、すべての支持部分１０ｃ、１０ｄ、１０ｅ、１０ｆの下面側を含めて、周囲にも樹脂が充填されているので、ここで支持部分１０Ｅ、１０Ｆが分離されても強度が損なわれることは無い。

また、個片化された半導体発光装置２００においては、半導体発光装置１００と同様にすべての切断面において、ダイシングにより発生するバリを下面側に設けた溝に吸収することができるので、基板の底面を平坦に維持でき、半導体発光装置２００のハンダ付けにおいても半導体発光装置１００の場合と同様に濡れが阻害されることがなく、ハンダがよく流れ、優れた量産性の提供を可能にすることができる。同時に、支持部分１０Ｅ、１０Ｆの構成により、リードフレーム１０の強度が増し、製造工程全体で精度が向上することにより、高い品質で高い信頼性の半導体発光装置の製造方法を提供できる。

なお、本実施形態では第１部分１０ａと第２部分１０ｂの２か所の実装部分の場合を説明したが、２か所以上の複数の実装部分の場合でも良い。また、途中で連結する場所は支持部分の間のどの位置でもよく、その位置は、実装部分の強度とダイシング装置の送りピッチ精度などを考慮して決めることができる。また、枠１０ｈとの連結部分（１０Ｅ、１０Ｆ）のように、隣接する他の実装部分との連結部分とは形状を変えても良い。

（第３実施形態）
以下に本発明による第３実施形態における半導体発光装置３００の製造方法について図１５、図１６、図１７、図１８を参照して説明する。図１５は第１の製造工程（リードフレーム工程）を示すリードフレーム２０の斜視図であり、図１６は図１５の実装部分２０Ａ付近Ｍ部の拡大斜視図であり、図１７は図１６に示すＡ−Ａ断面であり、図１８は半導体発光装置３００をマザーボードに実装したときの断面図である。それぞれ、第１実施例の図１、図２、図３、図１０に対応し、同一構成要素には同一番号または同一名称を付し、重複する説明は省略し、また、同一製造工程も省略する。第３実施形態が第１実施形態と異なるところは、第１の製造工程（リードフレーム工程）において、第１実施形態におけるリードフレーム１では、各支持部分の下面側のみに溝１ｊを設けていたが、第３実施形態におけるリードフレーム２０では、リードフレーム２０の下面側の溝２０ｊに加えて上面側の各部にも溝２０ｋを設けたことであり、リードフレーム２０と枠体２の密着強度を上げることができる。

次に、図１６、図１７を参照して、リードフレーム２０の形状が図２、図３に示すリードフレーム１と違うところを説明する。リードフレーム２０の上面側で、各第１部分２０ａの周囲３辺、および各第２部分２０ｂの周囲３辺、およびそれらに連結する各支持部分２０ｃ、２０ｄ、２０ｅ、２０ｆの上面側には溝２０ｋが設けられている。この上面側の溝２０ｋは、この溝２０ｋに枠体２の樹脂は入り込むことによってリードフレーム２０と枠体２の密着性を高めるために設けられている。また、各支持部分２０ｃ、２０ｄ、２０ｅ、２０ｆの下面側には実施形態１の図２、図３で示したリードフレーム１と同様の溝２０ｊが設けられているがその目的は第１実施形態と同じである。

次に、図１８に、本発明による第３実施形態における半導体発光装置３００をマザーボード４７に実装した状態の断面図を示す。第１実施形態の図１０と異なるところは、枠体２の樹脂が各支持部分の上面側の溝２０ｋに充填され、リードフレーム２０と枠体２の密着強度が増している点である。各支持部分の上面側に設けた溝２０ｋに対応して下面側に設けた溝２０ｊは少し浅くしてあるが、各支持部分を薄くしてあるため切断面に発生するバリ２０ｇも小さくなり、浅くした溝２０ｊ内に吸収できる設定にしてある。

以上のように、リードフレーム２０の支持部分の上面側および下面側の両方に溝を設けることにより、リードフレーム２０と枠体２の密着強度が増し製造工程全体で精度が向上し、高い品質で高い信頼性の半導体発光装置の製造方法を提供できる。また、溝を上面と下面の両方に設けることで、支持部分を薄くすることができ、切断時の負荷を軽減しバリの発生を小さくする効果もある。同時に、ダイシングにより発生するバリを下面側に設けた溝に吸収することができるので、基板の底面を平坦に維持でき、半導体発光装置のハンダ付けにおいて濡れが阻害されることがなく、ハンダがよく流れ、優れた量産性の提供を可能にすることができる。

なお、第３実施形態において、図１６のＡ−Ａ断面を示す図１７では上面の溝２０ｋの幅と下面の溝２０ｊ幅の関係および位置関係は、どちらが広くても良いし、左右にずれても良い。また、上面の溝２０ｋの深さと下面の溝２０ｊの深さについても支持部の強度とバリの発生具合とダイシングの条件などを考慮して決めることができる。また、第１部分、第２部分の支持部分を第２実施形態の図１２に示すような形状（１０Ｅ、１０Ｆ）にして強度を高める構造としても良い。

（第４実施形態）
以下に本発明による第４実施形態における半導体発光装置の製造方法について図１９、図２０、図２１を参照して説明する。図１９はリードフレーム１に発光素子３を実装し、ワイヤーボンディングした半導体発光装置集合体１００Ｌの斜視図であり、図２０は発光素子３の実装部分を透光性樹脂５により封止した半導体発光装置集合体１００Ｌの斜視図であり、図２１は透光性樹脂５の周囲を枠体２でモールドした半導体発光装置集合体１００Ｌの斜視図である。第１実施形態の図４、図５、図７に対応し、同一構成要素には同一番号または同一名称を付し、重複する説明は省略する。第４実施形態が第１実施形態と異なるところは、製造工程の順番が違う点である。第１の製造工程（リードフレーム工程）のあとに第２の製造工程（発光素子実装工程）、第３の製造工程（樹脂封止工程）、第４の製造工程（枠体モールド工程）、第５の製造工程（ダイシング工程）の順番に製造する点であり、構成としては半導体発光装置集合体１００Ｌと同じである。

１、１０、２０、３０ リードフレーム（基板）
１Ａ、１Ｂ、１０Ａ、１０Ｂ、 実装部分
２０Ａ、２０Ｂ、３０Ａ
１ａ、１ｂ、１０ａ、１０ｂ、 第１部分、第２部分
２０ａ、２０ｂ、３０ａ、３０ｂ
１ｃ、１ｄ、１ｅ、１ｆ、 リードフレームの支持部分
１０ｃ、１０ｄ、１０ｅ、１０ｆ、
１０Ｅ、１０Ｆ
２０ｃ、２０ｄ、２０ｅ、２０ｆ、
１ｇ、１０ｇ、２０ｇ、３０ｇ バリ
１ｈ、１０ｈ、２０ｈ 枠部分
１ｉ、１０ｉ、２０ｉ 第１部分と第２部分との隙間
１ｊ、１０ｊ、２０ｊ 支持部分の下面側の溝（凹部）
２０ｋ 支持部分の上面側の溝（凹部）
１ｔ、１０ｔ、２０ｔ、３０ｔ リードフレーム底面
２、４０ 樹脂枠体
２ａ 発光素子開口
２ｂ 第１部分と第２部分との隙間に充填された樹脂
２ｃ 下面側の溝（凹部）に充填された樹脂
３、４３ 発光素子
４、４４ ボンディングワイヤー
５、４５ 透光性樹脂
６ ダイシングブレード
４６ａ、４６ｂ ハンダ
４７ マザーボード
４７ａ マザーボード電極
１００、２００、３００、４００ 半導体発光装置

Claims (4)

1. 第１部分と第２部分とによる実装部分と、前記第１部分と第２部分とを連結している支持部分とを含む金属板からなる基板と、前記第１部分上に固定され、前記第１部分と第２部分にそれぞれ電気的に接続された発光素子と、前記実装部分と発光素子とを樹脂封止した後に、前記基板の支持部分をダイシングによって切り離して個片化する半導体発光装置の製造方法において、ダイシングによって切り離す前記基板の支持部分の少なくとも下面側に溝を設けたことを特徴とする半導体発光装置の製造方法。
2. 前記基板は一枚の金属板に複数の実装部分が設けられ、各実装部分が各々支持部によって連結されている請求項１記載の半導体発光装置の製造方法。
3. 前記ダイシングによって切り離される基板の支持部分の上面側および下面側の両方に溝を設けた請求項１または２に記載の半導体発光装置の製造方法。
4. 前記基板の前記第１部分上に前記発光素子を固定し、前記第１部分と第２部分にそれぞれ電気的に接続し、前記実装部分と前記発光素子とを樹脂封止したあとに前記封止樹脂をとり囲むように枠体を樹脂モールドすることを特徴とする請求項１〜３いずれかに記載の半導体発光装置の製造方法。
   
   

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