JP2012164995A - 基板保持装置、基板ステージ、露光装置、露光方法、デバイス製造方法、並びに撥液プレート - Google Patents
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Abstract
【解決手段】基板ホルダPHは、基材PHBと、基材PHBに形成され且つ基板Pを吸着保持する第1保持部PH1と、基材PHBに形成され且つ第1保持部PH1に吸着保持された基板Pの近傍にプレート部材Tを吸着保持する第2保持部PH2とを備えている。基板ホルダPHを備える露光装置は、プレートの交換が容易であり、メンテナンスが容易である。それゆえ、液浸露光に好適である。
【選択図】図2
Description
また、露光を行う際には、解像度と同様に焦点深度(DOF)も重要となる。解像度R、及び焦点深度δはそれぞれ以下の式で表される。
δ=±k2・λ/NA2 … (2)ここで、λは露光波長、NAは投影光学系の開口数、k1、k2はプロセス係数である。
(1)式、(2)式より、解像度Rを高めるために、露光波長λを短くして、開口数NAを大きくすると、焦点深度δが狭くなることが分かる。
また、プレートは第2保持部で吸着保持される構成であるため、プレートや基材等に局所的な力が加わることを防止できる。したがって、プレートや基材の変形を抑えることができる。なお、本願において、用語「処理基板」は、露光処理を含む各種プロセス処理が施される基板を意味し、半導体デバイス製造用の半導体ウエハ、液晶表示(LCD)用基板、薄膜磁気ヘッド用のセラミックウエハ、露光装置で用いられるマスクまたはレチクルの原版(合成石英、シリコンウエハ)などの種々の用途に使用される基板に感光性材料であるフォトレジストを塗布したものを含む。
図1は、本発明の露光装置の第1の実施形態を示す概略構成図である。図1において、露光装置EXは、マスクMを支持して移動可能なマスクステージMSTと、基板Pを保持する基板ホルダ(基板保持装置)PHを有し、基板ホルダPHに保持された基板Pを移動可能な基板ステージPSTと、マスクステージMSTに支持されているマスクMを露光光ELで照明する照明光学系ILと、露光光ELで照明されたマスクMのパターンの像を基板ステージPSTに支持されている基板Pに投影する投影光学系PLと、露光装置EX全体の動作を統括制御する制御装置CONTとを備えている。
移動鏡91は、マスクステージMSTの位置を計測するためのレーザ干渉計92用のミラーである。マスクステージMST上のマスクMの2次元方向(XY方向)の位置、及びθZ方向の回転角(場合によってはθX、θY方向の回転角も含む)はレーザ干渉計92によりリアルタイムで計測される。レーザ干渉計92の計測結果は制御装置CONTに出力される。制御装置CONTはレーザ干渉計92の計測結果に基づいてマスクステージ駆動装置MSTDを駆動することでマスクステージMSTに支持されているマスクMの位置を制御する。
液体回収機構20を構成する回収口22は、投影光学系PLの投影領域AR1に対して液体供給機構10の液体供給口12A、12Bの外側に設けられている。すなわち、回収口22は、投影領域AR1に対して液体供給口12A,12Bよりも離れた位置に配置されている。なお本実施形態における投影光学系PLの投影領域AR1は、Y軸方向を長手方向とし、X軸方向を短手方向とした平面視矩形状に設定されている。
基板ホルダPHの基材PHBは移動可能である。プレート部材Tは、基材PHBとは別の部材であって、基板ホルダPHの基材PHBに対して脱着可能に設けられており、交換可能である。なお本実施形態においては、基材PHBにプレート部材Tが吸着保持された状態を基板ステージPSTと称する。
図5において、基板Pの側面Pcと、その側面Pcに対向するプレート部材Tの側面Tcとの間には、上述したように0.1〜1.0mm程度のギャップAが確保されている。また、第1周壁部42の上面42A、及び第2周壁部62の上面62Aは平坦面となっている。なお、図5には不図示であるが、第3周壁部63の上面63Aも平坦面となっている。
そして、第1周壁部42の上面42A、第1支持部46の上面46A、第2支持部66の上面66A、第2周壁部62の上面62A、及び第3周壁部63の上面63Aは、僅かな高さの違いはあるももの、ほぼ同じ高さとなっており、第1保持部PH1に保持された基板Pの表面Paと、第2保持部PH2に保持されたプレート部材Tの表面Taとはほぼ面一となっている。
そしてこれら撥液性の材料を石英からなるプレート部材Tに塗布(被覆)することによって、プレート部材Tの表面Ta、裏面Tb、及び側面Tcのそれぞれが液体LQに対して撥液性となっている。本実施形態においては、石英からなるプレート部材Tには、旭硝子社製「サイトップ」が被覆されている。なお、プレート部材Tを撥液性にするために、上記撥液性の材料からなる薄膜をプレート部材Tに貼付するようにしてもよい。また、撥液性にするための撥液性の材料としては液体LQに対して非溶解性の材料が用いられる。また、プレート部材T自体を撥液性の材料(フッ素系の材料など)で形成してもよい。あるいはプレート部材Tをステンレス鋼などで形成して、表面Ta、裏面Tb、及び側面Tcの少なくとも一部に撥液処理を施しても良い。
更に、基板Pの裏面Pbにも上記感光材が塗布されて撥液化処理されている。なお、基板Pの裏面Pbや側面Pcを撥液性にするための材料としては、上記感光材に限らず、所定の撥液性材料であってもよい。例えば、基板Pの露光面である表面Paに塗布された感光材の上層にトップコート層と呼ばれる保護層(液体から感光材を保護する膜)を塗布する場合があるが、このトップコート層の形成材料(例えばフッ素系樹脂材料)が撥液性(撥水性)を有している場合には、基板Pの側面Pcや裏面Pbにこのトップコート層形成材料を塗布するようにしてもよい。もちろん、感光材やトップコート層形成用材料以外の撥液性を有する材料を塗布するようにしてもよい。
あるいは、露光光ELの照射量(照射時間、照度)とプレート部材Tの撥液性レベルとの関係を実験やシミュレーションによって予め求めておき、その求めた結果に基づいて、プレート部材Tを交換するタイミングを設定するようにしてもよい。プレート部材Tの交換のタイミングは、プレート部材の表面の撥液性の劣化に応じて決定する。撥液性の劣化の評価は、例えば、表面を顕微鏡または目視で観察する、液滴を評価面に垂らして液滴の状態を目視または顕微鏡で観察する、あるいは液滴の接触角を測定することで行うことができる。そのような評価を露光光などの紫外線の積算照射量(積算パルス数)との関係で予め制御装置CONTに記録しておくことにより、その関係からプレートTの寿命、すなわち交換時間(時期)を制御装置CONTは決定することができる。
次に、基板ステージPST(基板ホルダPH)の第2の実施形態について説明する。以下の説明において、上述した第1の実施形態と同一又は同等の構成部分については同一の符号を付し、その説明を簡略もしくは省略する。また、第1の実施形態と共通の変形例の説明も省略する。
図11は第3の実施形態を示す図である。なお、第1、第2の実施形態と共通の構成や変形例については、その説明を簡略化又は省略する。図11において、第2保持部PH2に保持されたプレート部材Tは、第1保持部PH1に保持された基板Pの表面Paとほぼ面一の表面(第1面)Taと、基板Pの側面Pcと対向する側面Tcと、側面Tcに沿って設けられ、表面Taとほぼ平行な液体受け面Tgと、第1保持部PH1に保持された基板Pの周縁部でその基板Pの裏面Pbと対向する対向面(第2面)Tjとを有している。
上述した実施形態同様、プレート部材Tの表面Taは、基板Pの表面Paを囲むように形成されている。また、プレート部材Tの対向面Tjは、基板Pの周縁部に沿うように円環状に形成されている。すなわち、第2保持部PH2に保持されたプレート部材Tは、第1保持部PH1に保持された基板Pの周縁に沿って、表面Taと対向面Tjとを形成している。本実施形態においても、基板Pの表面Paのエッジとプレート部材Tの表面Taのエッジとの間にギャップAが形成されており、そのギャップAは、0.1〜1.0mmとなっている。
図12は第4の実施形態を示す図である。なお、第1の実施形態やその変形例との共通の構成や変形例については、その説明を簡略化又は省略する。図12において、第1保持部PH1に保持された基板Pと第2保持部PH2に保持されたプレート部材Tとの間のギャップAから浸入した液体LQを回収するための液体回収口181は、基材PHB上のうち、第1空間31及び第2空間32の外側に設けられている。具体的には、液体回収口181は、第1保持部PH1の第1周壁部42と第2保持部PH2の第2周壁部62との間における基材PHBの上面に設けられており、ギャップAとほぼ対向する位置に設けられている。液体回収口181は、平面視において、第1周壁部42(第2周壁部62)に沿って複数スリット状に形成されている。また、基材PHBに形成された液体回収口181は、回収用真空系180に接続されている。
図13は本発明の第5の実施形態を示す図である。第5の実施形態は、第1の実施形態の変形例であって、第1の実施形態と共通部分は、その説明を簡略化又は省略する。図13において、ギャップAから浸入した液体LQを回収するための液体回収口は、図9に示した実施形態同様、プレート部材Tを吸着保持するために第2空間32の内側に形成されている第2吸引口61と兼用されている。また、第1空間31及び第2空間32の外側における基材PHBの上面には、第1周壁部42(第1空間31)から第2周壁部62(第2空間32)に向かって下がる斜面192が形成されている。斜面192は、ギャップAにほぼ対向する位置に設けられており、ギャップAから浸入した液体LQを第2周壁部62側に集める機能を有している。
次に、基板ステージPST(基板ホルダPH)の別の実施形態、特に第1実施形態の変形例について説明する。以下の説明において、上述した実施形態と同一又は同等の構成部分については同一の符号を付し、その説明を簡略もしくは省略する。
撥液性の材料は、基準マークMFM、PFMを有するリファレンス部300上及び基準板400にも被覆されており、リファレンス部300の上面及び基準板400の上面も撥液性となっている。
また、基板ステージPST1及び計測ステージPST2のXY方向の位置は、レーザ干渉計によって計測される。
しかしながら、図16の実施形態においても、基板ステージPST1及び計測ステージPST2それぞれのプレート部材T、T’を交換することができる。
この場合、上述の直線偏光照明を用いることが望ましいが、ランダム偏光光でマスクMを照明しても、投影光学系PLの開口数NAが0.9〜1.3のように大きい場合でも高い解像性能を得ることができる。
各種サブシステムから露光装置への組み立て工程は、各種サブシステム相互の、機械的接続、電気回路の配線接続、気圧回路の配管接続等が含まれる。この各種サブシステムから露光装置への組み立て工程の前に、各サブシステム個々の組み立て工程があることはいうまでもない。各種サブシステムの露光装置への組み立て工程が終了したら、総合調整が行われ、露光装置全体としての各種精度が確保される。なお、露光装置の製造は温度およびクリーン度等が管理されたクリーンルームで行うことが望ましい。
Claims (65)
- パターンの像を処理基板上に投影して、前記処理基板を露光する露光装置であって、
第1プレートと、
第2プレートと、
前記処理基板を吸着保持する第1保持部と、前記第1保持部に吸着保持された処理基板の近傍に第1プレートを吸着保持する第2保持部と、前記第1保持部に吸着保持された処理基板の近傍に第2プレートを吸着保持する第3保持部とを有する基板保持装置とを備える露光装置。 - 前記第1プレートの表面及び前記第2プレートの表面は、前記処理基板の表面とほぼ面一の平坦部を有する請求項1に記載の露光装置。
- 前記第1プレートは、前記第1保持部に保持された処理基板の周囲に平坦部を形成し、
前記第2プレートは、前記第1保持部に保持された処理基板に対して、前記第1プレートの外側に平坦部を形成する請求項1または2に記載の露光装置。 - 前記第1プレートと前記第2プレートとは異なる材質で形成されている請求項1〜3のいずれか一項に記載の露光装置。
- 前記パターンの像は液体を介して前記処理基板に投影される請求項1〜4のいずれか一項に記載の露光装置。
- 前記第1プレート及び前記第2プレートの表面は、前記液体に対して撥液性である請求項5に記載の露光装置。
- 前記第1プレートは、前記第1保持部に保持された処理基板の周囲に平坦部を形成し、前記第2プレートは、前記第1保持部に保持された処理基板に対して、前記第1プレートの外側に平坦部を形成する請求項6に記載の露光装置。
- 前記第1プレート表面の撥液性の耐久性能は、前記第2プレート表面の撥液性の耐久性能よりも高い請求項6又は7に記載の露光装置。
- 前記第2プレートは石英で形成され、その表面に撥液性の材料が被膜されている請求項6〜8のいずれか一項に記載の露光装置。
- 前記第2プレートの表面に、前記パターンの像に対する処理基板の位置を規定するためのリファレンス部が形成されている請求項1〜9のいずれか一項に記載の露光装置。
- 前記第1プレートを前記第2保持部で吸着保持するための真空系と、前記第2プレートを前記第3保持部で吸着保持するための真空系とは互いに独立である請求項1〜10のいずれか一項に記載の露光装置。
- 前記基材には、該基材の位置を計測するための干渉計用のミラーが形成されている請求項1〜11のいずれか一項に記載の露光装置。
- 請求項1〜12のいずれか一項に記載の露光装置を用いることを特徴とするデバイス製造方法。
- 基板保持装置に保持された処理基板上に液体を介して露光光を照射することによって前記処理基板を露光する露光装置で使用される撥液プレートであって、
前記基板保持装置に吸着保持され、前記基板保持装置に吸着保持された処理基板の近傍に、その表面が撥液性の平坦部を形成する撥液プレート。 - 前記撥液プレートの側面及び裏面の少なくとも一方の少なくとも一部が撥液性である請求項14に記載の撥液プレート。
- 前記撥液プレートは、前記処理基板を収容する開口部が形成されおり、その開口は前記処理基板の外寸より0.2〜2.0mm大きい請求項14または15に記載の撥液プレート。
- 前記撥液プレートは、前記処理基板を包囲する第1プレートと、さらに第1プレートを包囲する第2プレートを有する請求項14〜16のいずれか一項に記載の撥液プレート。
- 前記処理基板の位置を規定するためのリファレンス部が形成されている請求項14〜17のいずれか一項に記載の撥液プレート。
- 液体を介して露光光が照射される処理基板を保持する基板保持装置であって、
基材と、
前記基材に形成され、前記処理基板を保持する第1保持部と、
前記基材に形成され、前記第1保持部に保持された処理基板の近傍にプレートを保持する第2保持部と、
前記基材に形成され、前記第1保持部に保持された処理基板と前記第2保持部に保持されたプレートとのギャップから浸入した液体を回収するための液体回収口とを備えた基板保持装置。 - 前記第2保持部は、前記プレートの裏面側に空間が形成されるように、前記プレートを保持し、前記液体回収口は、前記第2保持部に保持されたプレートの裏面側に形成されている請求項19に記載の基板保持装置。
- 前記第2保持部は、前記プレートを吸着保持する請求項19又は20に記載の基板保持装置。
- 前記第2保持部は、前記基材に形成された凸状の支持部と、前記基材に形成された凸状の外壁部とを有し、前記基材と前記外壁部と前記プレートとで囲まれた空間を負圧にすることによって、前記プレートを前記支持部に吸着保持する請求項21に記載の基板保持装置。
- 前記第2保持部の外壁部は、前記支持部よりも低く形成されている請求項22に記載の基板保持装置。
- 前記支持部に支持されたプレートの裏面と、前記外壁部の上面との間にはギャップが形成されている請求項22又は23に記載の基板保持装置。
- 前記第1保持部に保持された処理基板と前記第2保持部に保持されたプレートとのギャップから浸入した液体が、前記プレートの裏面側に引き込まれるように、前記第2保持部の外壁部と支持部との高さが設定されている請求項23または24に記載の基板保持装置。
- 前記液体回収口は、前記基材と前記外壁部と前記プレートとで囲まれた空間を負圧にするための吸気口とは別に、前記基材に設けられている請求項22〜25のいずれか一項に記載の基板保持装置。
- 前記第1保持部は、前記基材に形成された凸状の第1支持部と、前記基材に形成された第1外壁部とを有し、前記基材と前記第1外壁部と前記処理基板とで囲まれた第1空間を負圧にすることによって、前記処理基板を前記第1支持部に吸着保持し、前記第2保持部の支持部を第2支持部、前記第2保持部の外壁部を第2外壁部とし、前記基材と前記第2外壁部と前記プレートとで囲まれた空間を第2空間として、前記液体回収口は、前記第1空間及び第2空間の外側に形成されている請求項22〜26のいずれか一項に記載の基板保持装置。
- 前記液体回収口は、前記第1保持部の第1外壁部と前記第2保持部の第2外壁部との間に形成されている請求項27に記載の基板保持装置。
- 前記基材には、前記第1保持部に保持された処理基板と前記第2保持部に保持されたプレートとのギャップから浸入した液体を液体回収口に集めるための斜面が形成されている請求項27に記載の基板保持装置。
- 前記プレートは、前記処理基板の周囲に、前記処理基板の表面とほぼ面一の平坦部を形成する請求項19〜29のいずれか一項に記載の基板保持装置。
- 前記処理基板のエッジと前記プレートのエッジとの隙間は、0.1〜1.0mmである請求項30に記載の基板保持装置。
- 前記液体回収口による液体の回収は、処理基板の交換中に実行される請求項19〜31のいずれか一項に記載の基板保持装置。
- 前記基材に形成された液体回収口は真空系に接続され、前記処理基板の交換中に、前記液体回収口からの液体の吸引が行われる請求項32に記載の基板保持装置。
- 前記平坦部は撥液性である請求項30〜33のいずれか一項に記載の基板保持装置。
- 前記処理基板の側面と対向する前記プレートの側面は撥液性である請求項19〜34のいずれか一項に記載の基板保持装置。
- 前記処理基板の厚さと前記プレートの厚さとはほぼ同一である請求項19〜35のいずれか一項に記載の基板保持装置。
- 請求項19〜36のいずれか一項に記載の基板保持装置と、前記プレートを備え、その基板保持装置に保持された処理基板に、液体を介して露光光を照射することによって、その処理基板を露光する露光装置。
- 液体を介して露光光が照射される処理基板を保持する基板保持装置であって、
基材と、
前記基材に形成され、前記処理基板を保持する第1保持部と、
前記基材に形成され、前記第1保持部に保持された処理基板の近傍にプレートを保持する第2保持部とを備え、
前記第2保持部に保持されたプレートは、前記処理基板の表面とほぼ面一の第1面と、前記第1保持部に保持された処理基板の周縁部でその処理基板の裏面と対向する第2面とを有する基板保持装置。 - 前記第1保持部に保持された処理基板の裏面と、前記第2保持部に保持されたプレートの第2面とは、非接触である請求項38に記載の基板保持装置。
- 前記第1保持部に保持された処理基板の裏面と、前記第2保持部に保持されたプレートの第2面との間隔は、液体が浸入しないように設定されている請求項39に記載の基板保持装置。
- 前記第2面は撥液性である請求項38〜40のいずれか一項に記載の基板保持装置。
- 前記第2保持部に保持されたプレートは、前記第1保持部に保持された処理基板の周縁に沿って前記第1面と前記第2面とを形成する請求項38〜41のいずれか一項に記載の基板保持装置。
- 前記処理基板の表面のエッジと前記プレートの第1面のエッジとの隙間は、0.1〜1.0mmである請求項38〜42のいずれか一項に記載の基板保持装置。
- 前記プレートには、前記処理基板の表面のエッジと前記プレートの第1面のエッジとの隙間から浸入した液体を回収するための液体回収口が形成されている請求項38〜43のいずれか一項に記載の基板保持装置。
- 前記第2保持部は、前記プレートを吸着保持する請求項38〜44のいずれか一項に記載の基板保持装置。
- 前記第1保持部は、前記処理基板を吸着保持する請求項45に記載の基板保持装置。
- 前記第1保持部は、前記基材に形成された凸状の第1支持部と、前記基材に形成された第1外壁部とを有し、前記基材と前記第1外壁部と前記処理基板とで囲まれた第1空間を負圧にすることによって、前記処理基板を前記第1支持部に吸着保持し、前記第2保持部は、前記基材に形成された凸状の第2支持部と、前記基材に形成された第2外壁部とを有し、前記基材と前記第2外壁部と前記プレートとで囲まれた第2空間を負圧にすることによって、前記プレートを前記第2支持部に吸着保持する請求項45に記載の基板保持装置。
- 前記第1面は撥液性である請求項38〜47のいずれか一項に記載の基板保持装置。
- 前記プレートは、前記処理基板の側面と対向する撥液性の面を有する請求項38〜48のいずれか一項に記載の基板保持装置。
- 前記基材は移動可能である請求項19〜49のいずれか一項に記載の基板保持装置。
- 前記基材には、前記基材の位置を計測するための干渉計用のミラーが形成されている請求項50に記載の基板保持装置。
- 請求項38〜49のいずれか一項に記載の基板保持装置と、第1及び第2プレートとを備え、その基板保持装置に保持された処理基板に、液体を介して露光光を照射することによって、その処理基板を露光する露光装置。
- 請求項37または52に記載の露光装置を用いるデバイス製造方法。
- 露光光が照射される処理基板を保持しつつ移動する基板ステージであって、
基材と、
プレートと、
前記基材に形成され、前記処理基板を着脱可能に保持する第1保持部と、
前記基材に形成され、前記プレートを第1保持部に保持された処理基板の近傍に着脱可能に保持する第2保持部とを備える基板ステージ。 - 第1保持部に保持された処理基板と第2保持部に保持されたプレートとの間のギャップから浸入した液体を回収するための液体回収口が前記基材に形成されている請求項54に記載の基板ステージ。
- 第1保持部に保持された処理基板と第2保持部に保持されたプレートとの間のギャップから浸入した液体を回収するための液体回収口が前記基材に形成されている請求項54又は55に記載の基板ステージ。
- 請求項54〜56のいずれか一項の基板ステージを備え、液体を介して露光光が処理基板に照射されて処理基板が露光される露光装置。
- さらに、第1保持部が処理基板を吸着保持するための第1真空系を有し、第2保持部がプレートを吸着保持するための第2真空系を有する請求項57に記載の露光装置。
- さらに前記回収口を通じて液体を回収するための第3真空系と、露光装置を制御する制御装置を備え、前記制御装置は、第1〜第3真空系を独立に制御する請求項58に記載の露光装置。
- 処理基板を所定パターンで露光する露光方法であって、
前記処理基板を、平坦面が設けられた基板ホルダ上に処理基板と平坦面の間に所定のギャップで設置することと、
前記処理基板に液体を介して露光光を照射して処理基板を露光することと、
前記処理基板の露光処理終了後、ギャップから浸入した液体を回収することを含む露光方法。 - 前記平坦面を有し、該平坦面が撥液性である交換可能なプレートである請求項60に記載の露光方法。
- さらに、所定期間経過後にプレートを交換することを含む請求項61に記載の露光方法。
- さらに、前記処理基板の露光処理中に処理基板とプレートを基板ホルダ側に吸引することにより基板ホルダに吸着させることを含む請求項60〜62のいずれか一項に記載の露光方法。
- 前記処理基板の露光処理中は、ギャップから浸入した液体の回収を中止しておくことを含む請求項60〜63のいずれか一項に記載の露光方法。
- 前記処理基板の露光中もギャップから浸入した液体の回収を行うとともに、前記処理基板の露光処理中にギャップから浸入した液体を回収するための吸引力を、前記露光処理終了後の吸引力よりも小さくする請求項60〜63のいずれか一項に記載の露光方法。
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WO2006030910A1 (ja) * | 2004-09-17 | 2006-03-23 | Nikon Corporation | 露光用基板、露光方法及びデバイス製造方法 |
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KR101539517B1 (ko) * | 2005-12-08 | 2015-07-24 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광 장치, 노광 방법 및 디바이스 제조 방법 |
US7649611B2 (en) | 2005-12-30 | 2010-01-19 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
JPWO2007083592A1 (ja) * | 2006-01-17 | 2009-06-11 | 株式会社ニコン | 基板保持装置及び露光装置、並びにデバイス製造方法 |
JPWO2007139017A1 (ja) * | 2006-05-29 | 2009-10-08 | 株式会社ニコン | 液体回収部材、基板保持部材、露光装置、及びデバイス製造方法 |
US8208116B2 (en) * | 2006-11-03 | 2012-06-26 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Immersion lithography system using a sealed wafer bath |
US8253922B2 (en) | 2006-11-03 | 2012-08-28 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Immersion lithography system using a sealed wafer bath |
US8040490B2 (en) * | 2006-12-01 | 2011-10-18 | Nikon Corporation | Liquid immersion exposure apparatus, exposure method, and method for producing device |
JP2008192854A (ja) * | 2007-02-05 | 2008-08-21 | Canon Inc | 液浸露光装置 |
US20080198346A1 (en) * | 2007-02-16 | 2008-08-21 | Canon Kabushiki Kaisha | Exposure apparatus and method for manufacturing device |
US20080304025A1 (en) * | 2007-06-08 | 2008-12-11 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Apparatus and method for immersion lithography |
US8705010B2 (en) | 2007-07-13 | 2014-04-22 | Mapper Lithography Ip B.V. | Lithography system, method of clamping and wafer table |
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US20100039628A1 (en) * | 2008-03-19 | 2010-02-18 | Nikon Corporation | Cleaning tool, cleaning method, and device fabricating method |
EP2128703A1 (en) * | 2008-05-28 | 2009-12-02 | ASML Netherlands BV | Lithographic Apparatus and a Method of Operating the Apparatus |
EP2131242A1 (en) * | 2008-06-02 | 2009-12-09 | ASML Netherlands B.V. | Substrate table, lithographic apparatus and device manufacturing method |
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CN107534005A (zh) | 2015-05-26 | 2018-01-02 | 罗斯柯公司 | 用于处理电子部件的船形件、组件和方法 |
KR20170016547A (ko) | 2015-08-03 | 2017-02-14 | 삼성전자주식회사 | 척 테이블 및 그를 포함하는 기판 제조 장치 |
CN105093588B (zh) * | 2015-08-24 | 2018-05-08 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种支撑销及吸附机台 |
JP6639175B2 (ja) * | 2015-09-29 | 2020-02-05 | 東京エレクトロン株式会社 | 乾燥装置及び乾燥処理方法 |
CN105467779A (zh) * | 2016-01-04 | 2016-04-06 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种曝光机及曝光方法 |
EP3455677A1 (en) * | 2016-05-12 | 2019-03-20 | ASML Netherlands B.V. | Extraction body for lithographic apparatus |
JP6758920B2 (ja) * | 2016-06-01 | 2020-09-23 | キヤノン株式会社 | チャック、基板保持装置、パターン形成装置、及び物品の製造方法 |
JP6207671B1 (ja) * | 2016-06-01 | 2017-10-04 | キヤノン株式会社 | パターン形成装置、基板配置方法及び物品の製造方法 |
JP7246325B2 (ja) * | 2017-06-06 | 2023-03-27 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | サポートテーブルから物体をアンロードする方法 |
CN107272351A (zh) * | 2017-07-28 | 2017-10-20 | 武汉华星光电技术有限公司 | 承载装置及具有该承载装置的曝光设备 |
WO2019072504A1 (en) | 2017-10-12 | 2019-04-18 | Asml Netherlands B.V. | SUBSTRATE CARRIER FOR USE IN A LITHOGRAPHIC APPARATUS |
KR102369694B1 (ko) * | 2018-02-20 | 2022-03-04 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 양면 처리를 위한 패터닝된 진공 척 |
JP7198629B2 (ja) * | 2018-10-26 | 2023-01-04 | 日本特殊陶業株式会社 | 保持装置 |
JP7154995B2 (ja) * | 2018-12-17 | 2022-10-18 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理装置 |
CN113168123A (zh) * | 2018-12-21 | 2021-07-23 | Asml控股股份有限公司 | 掩模版子场热控制 |
JP2022068575A (ja) * | 2020-10-22 | 2022-05-10 | 株式会社ディスコ | 洗浄装置 |
US11728204B2 (en) * | 2020-10-23 | 2023-08-15 | Kla Corporation | High flow vacuum chuck |
CN113727595B (zh) * | 2021-11-01 | 2022-02-15 | 广东科视光学技术股份有限公司 | 一种pcb板自动化曝光设备及方法 |
TWI838138B (zh) * | 2023-02-24 | 2024-04-01 | 南茂科技股份有限公司 | 清潔裝置 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH10270408A (ja) * | 1997-01-22 | 1998-10-09 | Tokyo Electron Ltd | 洗浄処理方法及び洗浄処理装置 |
JP2002200453A (ja) * | 2000-12-28 | 2002-07-16 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 塗布装置および塗布方法 |
JP2004289127A (ja) * | 2002-11-12 | 2004-10-14 | Asml Netherlands Bv | リソグラフィ装置およびデバイス製造方法 |
JP2005019864A (ja) * | 2003-06-27 | 2005-01-20 | Canon Inc | 露光装置及び露光方法 |
JP2005085789A (ja) * | 2003-09-04 | 2005-03-31 | Canon Inc | 露光装置 |
Family Cites Families (96)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4346164A (en) * | 1980-10-06 | 1982-08-24 | Werner Tabarelli | Photolithographic method for the manufacture of integrated circuits |
JPS57117238A (en) | 1981-01-14 | 1982-07-21 | Nippon Kogaku Kk <Nikon> | Exposing and baking device for manufacturing integrated circuit with illuminometer |
JPS57153433A (en) * | 1981-03-18 | 1982-09-22 | Hitachi Ltd | Manufacturing device for semiconductor |
JPS58202448A (ja) | 1982-05-21 | 1983-11-25 | Hitachi Ltd | 露光装置 |
JPS5919912A (ja) | 1982-07-26 | 1984-02-01 | Hitachi Ltd | 液浸距離保持装置 |
NL8204450A (nl) | 1982-11-17 | 1984-06-18 | Philips Nv | Verplaatsingsinrichting, in het bijzonder voor het stralingslithografisch behandelen van een substraat. |
DD221563A1 (de) | 1983-09-14 | 1985-04-24 | Mikroelektronik Zt Forsch Tech | Immersionsobjektiv fuer die schrittweise projektionsabbildung einer maskenstruktur |
DE3340079A1 (de) * | 1983-11-05 | 1985-05-15 | Brown, Boveri & Cie Ag, 6800 Mannheim | Speicherzellenverbindung |
DD224448A1 (de) | 1984-03-01 | 1985-07-03 | Zeiss Jena Veb Carl | Einrichtung zur fotolithografischen strukturuebertragung |
JPS6144429A (ja) | 1984-08-09 | 1986-03-04 | Nippon Kogaku Kk <Nikon> | 位置合わせ方法、及び位置合せ装置 |
JPS6265326A (ja) | 1985-09-18 | 1987-03-24 | Hitachi Ltd | 露光装置 |
JPS63157419A (ja) | 1986-12-22 | 1988-06-30 | Toshiba Corp | 微細パタ−ン転写装置 |
JP2587953B2 (ja) * | 1987-09-30 | 1997-03-05 | 日立電子エンジニアリング株式会社 | レジスト塗布装置 |
JPH01303720A (ja) * | 1988-06-01 | 1989-12-07 | Toshiba Corp | チャッキング装置 |
JP2897355B2 (ja) | 1990-07-05 | 1999-05-31 | 株式会社ニコン | アライメント方法,露光装置,並びに位置検出方法及び装置 |
JPH04305917A (ja) | 1991-04-02 | 1992-10-28 | Nikon Corp | 密着型露光装置 |
JPH04305915A (ja) | 1991-04-02 | 1992-10-28 | Nikon Corp | 密着型露光装置 |
JPH0562877A (ja) | 1991-09-02 | 1993-03-12 | Yasuko Shinohara | 光によるlsi製造縮小投影露光装置の光学系 |
JP3203719B2 (ja) * | 1991-12-26 | 2001-08-27 | 株式会社ニコン | 露光装置、その露光装置により製造されるデバイス、露光方法、およびその露光方法を用いたデバイス製造方法 |
JP3246615B2 (ja) | 1992-07-27 | 2002-01-15 | 株式会社ニコン | 照明光学装置、露光装置、及び露光方法 |
JPH06188169A (ja) | 1992-08-24 | 1994-07-08 | Canon Inc | 結像方法及び該方法を用いる露光装置及び該方法を用いるデバイス製造方法 |
JP3173928B2 (ja) | 1992-09-25 | 2001-06-04 | キヤノン株式会社 | 基板保持装置、基板保持方法および露光装置 |
JPH06124873A (ja) | 1992-10-09 | 1994-05-06 | Canon Inc | 液浸式投影露光装置 |
JP2753930B2 (ja) * | 1992-11-27 | 1998-05-20 | キヤノン株式会社 | 液浸式投影露光装置 |
JP3412704B2 (ja) | 1993-02-26 | 2003-06-03 | 株式会社ニコン | 投影露光方法及び装置、並びに露光装置 |
JPH07220990A (ja) | 1994-01-28 | 1995-08-18 | Hitachi Ltd | パターン形成方法及びその露光装置 |
US5874820A (en) | 1995-04-04 | 1999-02-23 | Nikon Corporation | Window frame-guided stage mechanism |
US5528118A (en) | 1994-04-01 | 1996-06-18 | Nikon Precision, Inc. | Guideless stage with isolated reaction stage |
JP3555230B2 (ja) | 1994-05-18 | 2004-08-18 | 株式会社ニコン | 投影露光装置 |
US5623853A (en) | 1994-10-19 | 1997-04-29 | Nikon Precision Inc. | Precision motion stage with single guide beam and follower stage |
JP3940823B2 (ja) | 1994-12-26 | 2007-07-04 | 株式会社ニコン | ステージ装置及びその制御方法 |
JPH09306802A (ja) * | 1996-05-10 | 1997-11-28 | Nikon Corp | 投影露光装置 |
JPH08316124A (ja) * | 1995-05-19 | 1996-11-29 | Hitachi Ltd | 投影露光方法及び露光装置 |
JPH08316125A (ja) | 1995-05-19 | 1996-11-29 | Hitachi Ltd | 投影露光方法及び露光装置 |
JP3709896B2 (ja) | 1995-06-15 | 2005-10-26 | 株式会社ニコン | ステージ装置 |
KR970072024A (ko) | 1996-04-09 | 1997-11-07 | 오노 시게오 | 투영노광장치 |
JP3709904B2 (ja) | 1996-11-14 | 2005-10-26 | 株式会社ニコン | 投影露光装置 |
US5825043A (en) * | 1996-10-07 | 1998-10-20 | Nikon Precision Inc. | Focusing and tilting adjustment system for lithography aligner, manufacturing apparatus or inspection apparatus |
JPH10135115A (ja) | 1996-11-01 | 1998-05-22 | Nikon Corp | 露光方法及び基準プレート |
JP4029182B2 (ja) | 1996-11-28 | 2008-01-09 | 株式会社ニコン | 露光方法 |
DE69738910D1 (de) | 1996-11-28 | 2008-09-25 | Nikon Corp | Ausrichtvorrichtung und belichtungsverfahren |
JP4029183B2 (ja) | 1996-11-28 | 2008-01-09 | 株式会社ニコン | 投影露光装置及び投影露光方法 |
WO1998028665A1 (en) | 1996-12-24 | 1998-07-02 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Two-dimensionally balanced positioning device with two object holders, and lithographic device provided with such a positioning device |
JP3747566B2 (ja) * | 1997-04-23 | 2006-02-22 | 株式会社ニコン | 液浸型露光装置 |
JP3817836B2 (ja) | 1997-06-10 | 2006-09-06 | 株式会社ニコン | 露光装置及びその製造方法並びに露光方法及びデバイス製造方法 |
JPH1116816A (ja) | 1997-06-25 | 1999-01-22 | Nikon Corp | 投影露光装置、該装置を用いた露光方法、及び該装置を用いた回路デバイスの製造方法 |
EP1030351A1 (en) * | 1997-11-12 | 2000-08-23 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, apparatus for manufacturing devices, and method of manufacturing exposure apparatuses |
JPH11176727A (ja) | 1997-12-11 | 1999-07-02 | Nikon Corp | 投影露光装置 |
US6897963B1 (en) * | 1997-12-18 | 2005-05-24 | Nikon Corporation | Stage device and exposure apparatus |
US6208407B1 (en) * | 1997-12-22 | 2001-03-27 | Asm Lithography B.V. | Method and apparatus for repetitively projecting a mask pattern on a substrate, using a time-saving height measurement |
AU2747999A (en) * | 1998-03-26 | 1999-10-18 | Nikon Corporation | Projection exposure method and system |
JP2000058436A (ja) | 1998-08-11 | 2000-02-25 | Nikon Corp | 投影露光装置及び露光方法 |
JP2001044097A (ja) * | 1999-07-26 | 2001-02-16 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 露光装置 |
WO2001035168A1 (en) | 1999-11-10 | 2001-05-17 | Massachusetts Institute Of Technology | Interference lithography utilizing phase-locked scanning beams |
JP2001183844A (ja) * | 1999-12-22 | 2001-07-06 | Sharp Corp | 露光方法 |
DE10011130A1 (de) | 2000-03-10 | 2001-09-13 | Mannesmann Vdo Ag | Entlüftungseinrichtung für einen Kraftstoffbehälter |
JP2001332609A (ja) | 2000-03-13 | 2001-11-30 | Nikon Corp | 基板保持装置及び露光装置 |
US20020041377A1 (en) | 2000-04-25 | 2002-04-11 | Nikon Corporation | Aerial image measurement method and unit, optical properties measurement method and unit, adjustment method of projection optical system, exposure method and apparatus, making method of exposure apparatus, and device manufacturing method |
JP2002014005A (ja) | 2000-04-25 | 2002-01-18 | Nikon Corp | 空間像計測方法、結像特性計測方法、空間像計測装置及び露光装置 |
JP2001319865A (ja) | 2000-05-11 | 2001-11-16 | Canon Inc | 基板ステージ装置、露光装置および半導体デバイス製造方法 |
JP2002231622A (ja) | 2000-11-29 | 2002-08-16 | Nikon Corp | ステージ装置及び露光装置 |
US6513796B2 (en) * | 2001-02-23 | 2003-02-04 | International Business Machines Corporation | Wafer chuck having a removable insert |
JP3704064B2 (ja) * | 2001-07-05 | 2005-10-05 | 東京エレクトロン株式会社 | 液処理装置および液処理方法 |
TW529172B (en) | 2001-07-24 | 2003-04-21 | Asml Netherlands Bv | Imaging apparatus |
US6801301B2 (en) * | 2001-10-12 | 2004-10-05 | Canon Kabushiki Kaisha | Exposure apparatus |
AU2002354196A1 (en) * | 2001-12-17 | 2003-06-30 | Nikon Corporation | Substrate holding apparatus, exposure apparatus, and device manufacturing method |
JP4288694B2 (ja) * | 2001-12-20 | 2009-07-01 | 株式会社ニコン | 基板保持装置、露光装置及びデバイス製造方法 |
JP3979464B2 (ja) * | 2001-12-27 | 2007-09-19 | 株式会社荏原製作所 | 無電解めっき前処理装置及び方法 |
AU2003235124A1 (en) * | 2002-04-24 | 2003-11-10 | Nikon Corporation | Exposure system and device manufacturing method |
EP1535312B1 (en) * | 2002-07-17 | 2007-09-26 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Method and apparatus for picking up semiconductor chip and suction and exfoliation tool up therefor |
TWI307526B (en) * | 2002-08-06 | 2009-03-11 | Nikon Corp | Supporting device and the mamufacturing method thereof, stage device and exposure device |
US7362508B2 (en) | 2002-08-23 | 2008-04-22 | Nikon Corporation | Projection optical system and method for photolithography and exposure apparatus and method using same |
JP2004119497A (ja) * | 2002-09-24 | 2004-04-15 | Huabang Electronic Co Ltd | 半導体製造設備と方法 |
JP4020741B2 (ja) * | 2002-10-01 | 2007-12-12 | 東京エレクトロン株式会社 | 液処理装置における気液分離回収装置 |
JP4040423B2 (ja) | 2002-10-16 | 2008-01-30 | キヤノン株式会社 | 基板保持装置 |
DE60335595D1 (de) * | 2002-11-12 | 2011-02-17 | Asml Netherlands Bv | Lithographischer Apparat mit Immersion und Verfahren zur Herstellung einer Vorrichtung |
CN101424881B (zh) * | 2002-11-12 | 2011-11-30 | Asml荷兰有限公司 | 光刻投射装置 |
EP2495613B1 (en) | 2002-11-12 | 2013-07-31 | ASML Netherlands B.V. | Lithographic apparatus |
EP1429188B1 (en) | 2002-11-12 | 2013-06-19 | ASML Netherlands B.V. | Lithographic projection apparatus |
EP1420299B1 (en) * | 2002-11-12 | 2011-01-05 | ASML Netherlands B.V. | Immersion lithographic apparatus and device manufacturing method |
KR20130010039A (ko) | 2002-12-10 | 2013-01-24 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광 장치 및 디바이스 제조 방법 |
KR20120127755A (ko) | 2002-12-10 | 2012-11-23 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광장치 및 디바이스 제조방법 |
WO2004090577A2 (en) | 2003-04-11 | 2004-10-21 | Nikon Corporation | Maintaining immersion fluid under a lithographic projection lens |
EP1486828B1 (en) * | 2003-06-09 | 2013-10-09 | ASML Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7213963B2 (en) | 2003-06-09 | 2007-05-08 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
KR101520591B1 (ko) * | 2003-06-13 | 2015-05-14 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광 방법, 기판 스테이지, 노광 장치, 및 디바이스 제조 방법 |
EP2853943B1 (en) | 2003-07-08 | 2016-11-16 | Nikon Corporation | Wafer table for immersion lithography |
KR101380989B1 (ko) | 2003-08-29 | 2014-04-04 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광 장치 및 디바이스 제조 방법 |
CN100461336C (zh) | 2003-10-31 | 2009-02-11 | 株式会社尼康 | 曝光装置以及器件制造方法 |
KR101394764B1 (ko) | 2003-12-03 | 2014-05-27 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광 장치, 노광 방법 및 디바이스 제조 방법, 그리고 광학 부품 |
KR101547037B1 (ko) | 2003-12-15 | 2015-08-24 | 가부시키가이샤 니콘 | 스테이지 장치, 노광 장치, 및 노광 방법 |
DE602004027162D1 (de) * | 2004-01-05 | 2010-06-24 | Nippon Kogaku Kk | Belichtungsvorrichtung, belichtungsverfahren und bauelementeherstellungsverfahren |
KR101227211B1 (ko) * | 2004-02-03 | 2013-01-28 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광 장치 및 디바이스 제조 방법 |
US7557900B2 (en) * | 2004-02-10 | 2009-07-07 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, device manufacturing method, maintenance method, and exposure method |
CN1965389B (zh) * | 2004-06-09 | 2011-08-10 | 尼康股份有限公司 | 基板保持装置、具备其之曝光装置及方法、元件制造方法 |
JP4618253B2 (ja) * | 2004-09-17 | 2011-01-26 | 株式会社ニコン | 基板保持装置、露光装置、及びデバイス製造方法 |
-
2005
- 2005-06-08 CN CN2005800189332A patent/CN1965389B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2005-06-08 KR KR1020147032469A patent/KR101681101B1/ko active IP Right Grant
- 2005-06-08 SG SG2012089082A patent/SG186621A1/en unknown
- 2005-06-08 KR KR1020167032818A patent/KR20160137690A/ko active IP Right Grant
- 2005-06-08 KR KR1020197000596A patent/KR20190006080A/ko not_active Application Discontinuation
- 2005-06-08 EP EP13162896.8A patent/EP2637061B1/en not_active Not-in-force
- 2005-06-08 KR KR1020137000176A patent/KR101511876B1/ko active IP Right Grant
- 2005-06-08 KR KR1020127002569A patent/KR101323967B1/ko active IP Right Grant
- 2005-06-08 WO PCT/JP2005/010458 patent/WO2005122219A1/ja active Application Filing
- 2005-06-08 US US11/629,070 patent/US8705008B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2005-06-08 CN CN201310481917.3A patent/CN103558737A/zh active Pending
- 2005-06-08 KR KR1020127030679A patent/KR101421870B1/ko active IP Right Grant
- 2005-06-08 EP EP05748927.0A patent/EP1788617B1/en not_active Not-in-force
- 2005-06-08 EP EP17202731.0A patent/EP3318928A1/en not_active Withdrawn
- 2005-06-08 CN CN201110167496.8A patent/CN102290365B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2005-06-08 CN CN201110167423.9A patent/CN102290364B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2005-06-08 KR KR1020067026606A patent/KR101227290B1/ko active IP Right Grant
- 2005-06-08 SG SG10201710046XA patent/SG10201710046XA/en unknown
- 2005-06-08 SG SG200903927-2A patent/SG153813A1/en unknown
- 2005-06-09 TW TW102120665A patent/TWI574300B/zh not_active IP Right Cessation
- 2005-06-09 TW TW094118986A patent/TWI447780B/zh not_active IP Right Cessation
-
2006
- 2006-12-10 IL IL179937A patent/IL179937A/en active IP Right Grant
-
2007
- 2007-11-02 HK HK07111942.9A patent/HK1103855A1/xx not_active IP Right Cessation
-
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JPH10270408A (ja) * | 1997-01-22 | 1998-10-09 | Tokyo Electron Ltd | 洗浄処理方法及び洗浄処理装置 |
JP2002200453A (ja) * | 2000-12-28 | 2002-07-16 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 塗布装置および塗布方法 |
JP2004289127A (ja) * | 2002-11-12 | 2004-10-14 | Asml Netherlands Bv | リソグラフィ装置およびデバイス製造方法 |
JP2005019864A (ja) * | 2003-06-27 | 2005-01-20 | Canon Inc | 露光装置及び露光方法 |
JP2005085789A (ja) * | 2003-09-04 | 2005-03-31 | Canon Inc | 露光装置 |
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