JP2012104746A - 炭化珪素半導体装置およびその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 炭化珪素基板1上に設けられたn型の炭化珪素からなるドリフト層2上の表層部に形成されたp型のベース層3と、ベース層3内の所定の深さ位置に形成されたp型のコンタクト層4と、ベース層3内の表層部に形成され、コンタクト層4と同一領域に位置するとともに下面がコンタクト層の上面に接するn型のソース層5と、ドリフト層2の表面からコンタクト層4に達する開口内に形成され、ソース層5およびコンタクト層4と電気的に接続するソース電極9とを備えたものである。
【選択図】 図1
Description
図1は、この発明を実施するための実施の形態1に係る炭化珪素半導体装置100を示す断面図である。本実施の形態においては、第1導電型をn型、第2導電型をp型として説明する。
以上により、本実施の形態に係る炭化珪素半導体装置100が完成する。
図12は、この発明を実施するための実施の形態2に係る炭化珪素半導体装置101を示す断面図である。図12において炭化珪素半導体装置101は、後述するようにベース層3、コンタクト層4およびソース層5を同一のマスクを用いて形成したことにより、ベース層3がドリフト層2の表面付近の領域に対してコンタクト層4よりも深い部分での領域が狭くなるように形成されている。その他の構成は実施の形態1と同様であるので説明を省略する。
なお、以降の各製造工程については実施の形態1と同様であるのでその説明を省略する。
2 ドリフト層
3 ベース層
4 コンタクト層
5 ソース層
9 ソース電極
12、12b 第1のマスク
13 第2のマスク
Claims (4)
- 基板上に設けられた第1導電型の炭化珪素からなるドリフト層の表層部に形成された第2導電型のベース層と、
前記ベース層内の所定の深さ位置に形成された第2導電型のコンタクト層と、
前記ベース層内の表層部に形成され、前記コンタクト層と同一領域に位置するとともに下面が前記コンタクト層の上面に接する第1導電型のソース層と、
前記ドリフト層の表面から前記コンタクト層に達する開口内に形成され、前記ソース層および前記コンタクト層と電気的に接続するソース電極とを備えた炭化珪素半導体装置。 - 基板上に設けられた第1導電型の炭化珪素からなるドリフト層の表層部に、第1のマスクを介して第2導電型の不純物イオンを注入し、ベース層を形成する工程と、
前記ベース層内の所定の深さ位置に、第2のマスクを介して第2導電型の不純物イオンを注入し、コンタクト層を形成する工程と、
前記ベース層内の表層部において前記コンタクト層と同一領域に位置するとともに下面が前記コンタクト層の上面に隣接する位置に、前記第2のマスクを介して第1導電型の不純物イオンを注入し、ソース層を形成する工程と、
前記ドリフト層の表面からコンタクト層に達する開口を形成し、この開口内に前記ソース層および前記コンタクト層に電気的に接続するソース電極を形成する工程とを備えた炭化珪素半導体装置の製造方法。 - 前記第1のマスクおよび前記第2のマスクは、同一であることを特徴とする請求項2に記載の炭化珪素半導体装置の製造方法。
- 前記コンタクト層を形成する工程は、常温で行うことを特徴とする請求項2または3に記載の炭化珪素半導体装置の製造方法。
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Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2015029607A1 (ja) * | 2013-08-28 | 2015-03-05 | 住友電気工業株式会社 | 炭化珪素半導体装置およびその製造方法 |
CN106531787A (zh) * | 2015-09-14 | 2017-03-22 | 株式会社东芝 | 半导体装置及其制造方法 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006128191A (ja) * | 2004-10-26 | 2006-05-18 | Nissan Motor Co Ltd | 半導体装置及びその製造方法 |
JP2010238738A (ja) * | 2009-03-30 | 2010-10-21 | Toshiba Corp | 半導体装置および半導体装置の製造方法 |
WO2011027540A1 (ja) * | 2009-09-02 | 2011-03-10 | パナソニック株式会社 | 半導体素子およびその製造方法 |
WO2011048800A1 (ja) * | 2009-10-23 | 2011-04-28 | パナソニック株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
-
2010
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Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006128191A (ja) * | 2004-10-26 | 2006-05-18 | Nissan Motor Co Ltd | 半導体装置及びその製造方法 |
JP2010238738A (ja) * | 2009-03-30 | 2010-10-21 | Toshiba Corp | 半導体装置および半導体装置の製造方法 |
WO2011027540A1 (ja) * | 2009-09-02 | 2011-03-10 | パナソニック株式会社 | 半導体素子およびその製造方法 |
WO2011048800A1 (ja) * | 2009-10-23 | 2011-04-28 | パナソニック株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2015029607A1 (ja) * | 2013-08-28 | 2015-03-05 | 住友電気工業株式会社 | 炭化珪素半導体装置およびその製造方法 |
US9704957B2 (en) | 2013-08-28 | 2017-07-11 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing the same |
CN106531787A (zh) * | 2015-09-14 | 2017-03-22 | 株式会社东芝 | 半导体装置及其制造方法 |
JP2017059600A (ja) * | 2015-09-14 | 2017-03-23 | 株式会社東芝 | 半導体装置及びその製造方法 |
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