JP2012089901A - 半導体装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 所望の素子領域の形成された基板表面に形成された配線層と、前記配線層表面を覆う層間絶縁膜と、前記層間絶縁膜表面全体を覆うように形成された窒化シリコン膜と、前記窒化シリコン膜の上層に形成された最上層メタルとしての金層からなるメタル配線層と、前記窒化シリコン膜と前記メタル配線層との間に形成されたバリア層と、前記メタル配線層上に形成されたポリイミドからなる平坦化絶縁膜とを含み、前記バリア層と前記配線層は、前記窒化シリコン膜と前記層間絶縁膜に形成されたスルーホールを通じて接続されており、前記平坦化絶縁膜が一部領域で除去せしめられ、前記メタル配線層にボンディングがなされていることを特徴とする。
【選択図】図1
Description
また、配線抵抗が小さくボンディング耐性が高い配線構造を提供することを目的とする。
まず、図2に示すようにシリコン基板11表面に素子分離膜としてのフィールド酸化膜12を形成し素子領域を形成するとともに、この素子領域内にポリシリコン膜からなるゲート配線15を備えたMOSFETを形成する。
そして最上層のメタル配線を形成するためのコンタクトホールHを形成する。
14 ・・・・・アルミ配線
16 ・・・・・USG層
16s・・・・・プラズマ窒化シリコン層
18 ・・・・・ポリイミド膜
19 ・・・・・金層
19s・・・・・Ti層
Claims (10)
- 所望の素子領域の形成された基板表面に形成された配線層と、
前記配線層表面を覆う層間絶縁膜と、
前記層間絶縁膜表面全体を覆うように形成された窒化シリコン膜と、
前記窒化シリコン膜の上層に形成された最上層メタルとしての金層からなるメタル配線層と、
前記窒化シリコン膜と前記メタル配線層との間に形成されたバリア層と、
前記メタル配線層上に形成されたポリイミドからなる平坦化絶縁膜と、
を含み、
前記バリア層と前記配線層は、前記窒化シリコン膜と前記層間絶縁膜に形成されたスルーホールを通じて接続されており、
前記平坦化絶縁膜が一部領域で除去せしめられ、前記メタル配線層にボンディングがなされていることを特徴とする半導体装置。 - 前記窒化シリコン膜は高密度プラズマCVD法で形成された窒化シリコン膜であることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。
- 前記メタル配線層は、一部領域でポリイミド樹脂層が除去せしめられ、
前記一部領域でボンディングワイヤが接続せしめられていることを特徴とする請求項2に記載の半導体装置。 - 前記バリア層は、チタン薄膜からなることを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項に記載の半導体装置。
- 前記配線層の下部に第2の層間絶縁膜が形成されていることを特徴とする請求項1乃至4のいずれか1項に記載の半導体装置。
- 前記第2の層間絶縁膜はPSGもしくはBPSGにより構成されることを特徴とする請求項5に記載の半導体装置。
- 前記素子領域内には、MOSFETが形成されていることを特徴とする請求項1乃至6のいずれか1項に記載の半導体装置。
- 前記MOSFETはポリシリコン膜からなるゲート配線を有することを特徴とする請求項7に記載の半導体装置。
- 前記ゲート配線と前記配線層とを接続するコンタクトホールを有することを特徴とする請求項8に記載の半導体装置。
- 前記第2の層間絶縁膜の下部にフィールド酸化膜が形成されていることを特徴とする請求項5乃至9のいずれか1項に記載の半導体装置。
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