JP2005117067A - 半導体装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 所望の素子領域の形成された基板表面に形成された配線層と、前記配線層表面を覆う層間絶縁膜と、前記層間絶縁膜表面全体を覆うように形成された窒化シリコン膜と、前記窒化シリコン膜の上層に形成された最上層メタルとしての金層からなるメタル配線層と、前記メタル配線層上に形成されたポリイミドからなる平坦化絶縁膜とを含み、前記平坦化絶縁膜が一部領域で除去せしめられ、前記メタル配線層にボンディングがなされていることを特徴とする。
【選択図】図1
Description
また、配線抵抗が小さくボンディング耐性が高い配線構造を提供することを目的とする。
まず、図2に示すようにシリコン基板11表面に素子分離膜12を形成し素子領域を形成するとともに、この素子領域内にポリシリコン膜からなるゲート配線15を備えたMOSFETを形成する。
そして最上層のメタル配線を形成するためのコンタクトホールHを形成する。
14 ・・・・・アルミ配線
16 ・・・・・USG層
16s・・・・・プラズマ窒化シリコン層
18 ・・・・・ポリイミド膜
19 ・・・・・金層
19s・・・・・Ti層
Claims (3)
- 所望の素子領域の形成された基板表面に形成された配線層と、
前記配線層表面を覆う層間絶縁膜と、前記層間絶縁膜表面全体を覆うように形成された窒化シリコン膜と、
前記窒化シリコン膜の上層に形成された最上層メタルとしての金層からなるメタル配線層と、
前記メタル配線層上に形成されたポリイミドからなる平坦化絶縁膜とを含み
前記平坦化絶縁膜が一部領域で除去せしめられ、前記メタル配線層にボンディングがなされていることを特徴とする半導体装置。 - 前記窒化シリコン膜は高密度プラズマCVD法で形成された窒化シリコン膜であることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。
- 前記メタル配線層は、一部領域でポリイミド樹脂層が除去せしめられ、
前記一部領域でボンディングワイヤが接続せしめられていることを特徴とする請求項2に記載の半導体装置。
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Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2013084829A (ja) * | 2011-10-12 | 2013-05-09 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置及びその製造方法 |
US9082778B2 (en) | 2012-08-02 | 2015-07-14 | Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha | Semiconductor device and manufacturing method of same |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6345835A (ja) * | 1986-08-13 | 1988-02-26 | Nec Corp | 半導体装置 |
JPH04196251A (ja) * | 1990-11-27 | 1992-07-16 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置 |
JPH04316339A (ja) * | 1991-04-16 | 1992-11-06 | Nec Corp | 半導体装置の製造方法 |
JPH0964050A (ja) * | 1995-08-29 | 1997-03-07 | Hitachi Ltd | 半導体素子およびその製造方法 |
JPH11260916A (ja) * | 1998-03-13 | 1999-09-24 | Toshiba Corp | 半導体装置及びその製造方法 |
JP2000195891A (ja) * | 1998-12-28 | 2000-07-14 | Samsung Electronics Co Ltd | 半導体素子の製造方法 |
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2005
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Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6345835A (ja) * | 1986-08-13 | 1988-02-26 | Nec Corp | 半導体装置 |
JPH04196251A (ja) * | 1990-11-27 | 1992-07-16 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置 |
JPH04316339A (ja) * | 1991-04-16 | 1992-11-06 | Nec Corp | 半導体装置の製造方法 |
JPH0964050A (ja) * | 1995-08-29 | 1997-03-07 | Hitachi Ltd | 半導体素子およびその製造方法 |
JPH11260916A (ja) * | 1998-03-13 | 1999-09-24 | Toshiba Corp | 半導体装置及びその製造方法 |
JP2000195891A (ja) * | 1998-12-28 | 2000-07-14 | Samsung Electronics Co Ltd | 半導体素子の製造方法 |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2013084829A (ja) * | 2011-10-12 | 2013-05-09 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置及びその製造方法 |
US9082778B2 (en) | 2012-08-02 | 2015-07-14 | Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha | Semiconductor device and manufacturing method of same |
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