JP2012070505A5 - - Google Patents
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このようにトランジスタＱ１がオフした際にスナバコンデンサＣｓから第２スナバダイオードＤｓ２を経由して高電圧側コンデンサＣ２が充電されるので、電圧Ｖｃｅの立ち上がりを緩やかにすることができる。すなわちソフトスイッチングが実現される。かかるソフトスイッチングによればスイッチングエネルギーを、ハードスイッチングに比べて数分の１あるいはそれ以下にすることが可能である。
＜トランジスタＱ１がオフ状態からオン状態への過渡状態（iv）（図３参照）＞
図７に示されるように主リアクトルＬ１に流れる電流がダイオードＤ１からトランジスタＱ１へシフトすると、スナバリアクトルＬｓに流れる電流に変化が起こる。スナバリアクトルＬｓの電流変化と、この時点でスナバコンデンサＣｓは放電した状態にあるという状況とによって、トランジスタＱ１の電流Ｉｃが流れ始めると直ぐトランジスタＱ１の電圧Ｖｃｅは非常に低いレベルへ下降する（Ｖ＝Ｌｓ×ｄｉ／ｄｔ効果、換言すれば自己誘導による逆起電力の発生による）。
図７に示されるように主リアクトルＬ１に流れる電流がダイオードＤ１からトランジスタＱ１へシフトすると、スナバリアクトルＬｓに流れる電流に変化が起こる。スナバリアクトルＬｓの電流変化と、この時点でスナバコンデンサＣｓは放電した状態にあるという状況とによって、トランジスタＱ１の電流Ｉｃが流れ始めると直ぐトランジスタＱ１の電圧Ｖｃｅは非常に低いレベルへ下降する（Ｖ＝Ｌｓ×ｄｉ／ｄｔ効果、換言すれば自己誘導による逆起電力の発生による）。
スナバコンデンサＣｓの充電中に主リアクトルＬ１に蓄積されたエネルギーは、スナバリアクトルＬｓと第１スナバダイオードＤｓ１と第２スナバダイオードＤｓ２とを通る経路に電流を環流させる。
＜トランジスタＱ２がオフ状態からオン状態への過渡状態(iv)（図１４参照）＞
図１８に示されるように主リアクトルＬ１に流れる電流がダイオードＤ２からトランジスタＱ２へシフトすると、スナバリアクトルＬｓに流れる電流に変化が起こる。スナバリアクトルＬｓの電流変化と、この時点でスナバコンデンサＣｓは充電された状態にあるという状況とによって、トランジスタＱ２の電流Ｉｃが流れ始めると直ぐトランジスタＱ２の電圧Ｖｃｅは非常に低いレベルへ下降する（Ｖ＝Ｌｓ×ｄｉ／ｄｔ効果、換言すれば自己誘導による逆起電力の発生による）。
図１８に示されるように主リアクトルＬ１に流れる電流がダイオードＤ２からトランジスタＱ２へシフトすると、スナバリアクトルＬｓに流れる電流に変化が起こる。スナバリアクトルＬｓの電流変化と、この時点でスナバコンデンサＣｓは充電された状態にあるという状況とによって、トランジスタＱ２の電流Ｉｃが流れ始めると直ぐトランジスタＱ２の電圧Ｖｃｅは非常に低いレベルへ下降する（Ｖ＝Ｌｓ×ｄｉ／ｄｔ効果、換言すれば自己誘導による逆起電力の発生による）。
なお、図２２および図２３に他の波形例（シミュレーション）を例示する。図２２は降圧用トランジスタＱ２がターンオフする際の各種波形の他の一例であり、図２３はトランジスタＱ２がターンオンする際の各種波形の他の一例である。図２２および図２３は既述の図１１および図１２と同様に図示されている。なお、図２２および図２３のソフトスイッチング波形が図２０および図２１と異なるのは、コンバータ１Ｂの各種素子の定数等を変えていることに因る。
ケース１０２には、端子や電極等を構成する種々の導電性部品１１１〜１１４が設けられている。なお、これらの部品１１１〜１１４は図３０に図示される個数に限定されるものではない。例えば端子１１１は不図示の位置にも設けられており、複数の端子１１１が低電圧側接続端および高電圧側接続端に対応する。
ふた１０３は、放熱板１０１とは反対側においてケース１０２に取り付けられている。ふた１０３は例えばＰＰＳ等の絶縁性材料で構成されている。
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