JP2012054850A - アイソレータ - Google Patents
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Abstract
【課題】簡単な構造からなり、低背化、低コスト化を達成できるアイソレータを得る。
【解決手段】フェライト10と、フェライト10に配置された、開口P1,P2,P3を有する接合導体15と、フェライト10に直流磁界を印加する永久磁石と、第1開口P1と第2開口P2との間に設けた抵抗Rと、を備えたアイソレータ。第1開口P1と第2開口P2の間に配置された主線路は共振することがなく、主線路から分岐した副線路の端部を第3開口P3とし、副線路からの反射波が接合導体15の交点で90°位相がずれるように調整されている。第1開口P1から高周波信号が入力されると、第1及び第2開口P1,P2間の位相差が小さく抑えられ、抵抗Rにはほとんど電流が流れず、高周波信号はそのまま第2開口P2へ伝送される。第2開口P2から高周波信号が入力されると、位相差が大きくなって抵抗Rに電流が流れ、高周波信号が吸収される。
【選択図】図4
【解決手段】フェライト10と、フェライト10に配置された、開口P1,P2,P3を有する接合導体15と、フェライト10に直流磁界を印加する永久磁石と、第1開口P1と第2開口P2との間に設けた抵抗Rと、を備えたアイソレータ。第1開口P1と第2開口P2の間に配置された主線路は共振することがなく、主線路から分岐した副線路の端部を第3開口P3とし、副線路からの反射波が接合導体15の交点で90°位相がずれるように調整されている。第1開口P1から高周波信号が入力されると、第1及び第2開口P1,P2間の位相差が小さく抑えられ、抵抗Rにはほとんど電流が流れず、高周波信号はそのまま第2開口P2へ伝送される。第2開口P2から高周波信号が入力されると、位相差が大きくなって抵抗Rに電流が流れ、高周波信号が吸収される。
【選択図】図4
Description
本発明は、アイソレータ、特に、マイクロ波帯などで使用されるアイソレータに関する。
一般に、アイソレータは信号を特定方向にのみ伝送し、逆方向には伝送しない特性を有し、携帯電話などの移動体通信機器の送信回路部に搭載されている。この種の2端子型アイソレータとして基本的な構成が特許文献1に記載されている。フェライト上に第1中心電極及び第2中心電極を所定の角度で交差させ、かつ、互いに絶縁状態で配置し、フェライトに永久磁石から直流磁界を印加するようにしたものである。
しかしながら、前記2端子型アイソレータにあっては、フェライト上に中心電極を絶縁層を介して2層に配置するため(計3層)、重層構造となって複雑であり、製造コストが上昇し、かつ、低背化が困難であるという問題点を有している。
そこで、本発明の目的は、簡単な構造からなり、低背化、低コスト化を達成できる2端子型のアイソレータを提供することにある。
本発明の一形態であるアイソレータは、
フェライトと、
前記フェライトに配置された、第1開口、第2開口及び第3開口を有する接合導体と、
前記フェライトに直流磁界を印加する永久磁石と、
を備え、
前記接合導体は、第1開口と第2開口との間に配置された主線路と、該主線路から分岐して第3開口に至る副線路とからなり、
抵抗素子が第1開口と第2開口との間に前記主線路に対して並列に接続され、
第3開口はグランドに接続されていること、
を特徴とする。
フェライトと、
前記フェライトに配置された、第1開口、第2開口及び第3開口を有する接合導体と、
前記フェライトに直流磁界を印加する永久磁石と、
を備え、
前記接合導体は、第1開口と第2開口との間に配置された主線路と、該主線路から分岐して第3開口に至る副線路とからなり、
抵抗素子が第1開口と第2開口との間に前記主線路に対して並列に接続され、
第3開口はグランドに接続されていること、
を特徴とする。
前記アイソレータにおいて、フェライトの内部には、第1開口又は第2開口からの入力波と第3開口からの反射波で合成された波が形成される。反射波が導体のインダクタンス値やフェライトの動作磁界などにより、入射波に対して90°の位相差を付けられることにより、フェライトの内部に正及び負の円偏波が形成される。正の円偏波が生じるとフェライトの磁気共鳴点付近では大きな透磁率となり、通過位相が大きくなって第1及び第2開口間で電位差が生じ、並列に接続されている抵抗に電流が流れ、高周波信号が吸収される。負の円偏波が生じると透磁率は略1に等しく、第1及び第2開口間の位相差が小さく抑えられ、抵抗にはほとんど電流が流れず、高周波信号はそのまま通過する。また、接合導体は、主線路と該主線路から分岐した副線路から構成され、主線路及び副線路の一部をフェライト上に1層で形成するだけで済み、接合導体を簡略化できる。
本発明によれば、主線路及び副線路の一部をフェライト上に1層に形成するだけで済み、複数層にわたって形成する必要がなく、低背化、低コスト化を達成できる。
以下、本発明に係る磁気共鳴型アイソレータの実施例について添付図面を参照して説明する。なお、各図において、共通する部品、部分には同じ符号を付し、重複する説明は省略する。また、各図において斜線を付した部分は導電体であることを示している。
(第1実施例、図1〜図5参照)
第1実施例であるアイソレータ1Aは、図1及び図2に示すように、フェライト10と、フェライト10の第1主面11に配置された逆T字形状をなす三つの開口P1,P2,P3を有する接合導体15と、フェライト10に直流磁界を印加する永久磁石20と、抵抗Rと、入出力のインピーダンス整合素子として機能するコンデンサC1,C2と、実装用基板30と、を備えている。
第1実施例であるアイソレータ1Aは、図1及び図2に示すように、フェライト10と、フェライト10の第1主面11に配置された逆T字形状をなす三つの開口P1,P2,P3を有する接合導体15と、フェライト10に直流磁界を印加する永久磁石20と、抵抗Rと、入出力のインピーダンス整合素子として機能するコンデンサC1,C2と、実装用基板30と、を備えている。
接合導体15は、導電性金属による蒸着などで形成された薄膜あるいは導電性ペーストの塗布・焼付けにて形成された厚膜である。図3に示すように、接合導体の三つの開口P1,P2,P3のうち、直線状に対向する第1開口P1と第2開口P2との間に配置された主線路は1/4波長以下の共振しない線路長とされている。第1主面11上で接合導体15の主線路から分岐した副線路は、第2主面12に主線路と直交する方向に延在されて対向導体17とされ、対向導体17の端部が第3開口P3とされている。ここで、主線路とは第1及び第2開口P1,P2間の導体を意味し、副線路とは主線路の中央部分から分岐して第3開口P3へ至る導体を意味する。
実装用基板30には、入力端子電極31、出力端子電極32、グランド端子電極33がそれぞれ形成されている。フェライト10と永久磁石20は同じ面積であり、フェライト10は第1主面11上に永久磁石20が貼着された状態で実装用基板30上に搭載される。このとき、主線路の一端(第1開口P1)は入力端子電極31に接続され、他端(第2開口P2)は出力端子電極32に接続され、副線路の端部(第3開口P3)はグランド端子電極33に接続される。抵抗Rは一端が入力端子電極31に接続され、他端が出力端子電極32に接続される。即ち、抵抗Rは第1開口P1と第2開口P2との間に主線路に対して並列に接続される。抵抗Rの接続箇所は、入力端子電極31の端部31a及び出力端子電極32の端部32aである。コンデンサC1は一端が入力端子電極31に接続され、他端がグランド端子電極33に接続される。コンデンサC2は一端が出力端子電極32に接続され、他端がグランド端子電極33に接続される。
等価回路は図4(B)に示すとおりであり、主線路はインダクタL1,L2を形成しており、副線路はインダクタL3を形成している。以上の構成からなるアイソレータ1Aにおいて、グランドに接続されている副線路からの反射波が第1開口P1又は第2開口P2からの入射波に対して接合導体15の交点で90°位相がずれるように調整されている。詳しくは、第1開口P1からの入射波は、副線路からの反射波によって交点に負の円偏波が生じるので透磁率は略1に等しく、第1及び第2開口P1,P2間の位相差が小さく抑えられ、抵抗Rにほとんど電流が流れず、入射波は第2開口P2に伝送される。一方、第2開口P2からの入射波は、副線路からの反射波によって交点に正の円偏波が生じ、磁気共鳴点近傍で大きな透磁率となり、第1及び第2開口P1,P2間の位相差が大きくなるので抵抗Rに電流が流れて吸収される。さらに、この入力波はフェライト10が磁気共鳴することによっても吸収される。
第1実施例であるアイソレータ1Aの入力リターンロスを図5(A)に示し、アイソレーションを図5(B)に示し、挿入損失を図5(C)に示し、出力リターンロスを図5(D)に示す。コンデンサC1,C2の容量はそれぞれ2.5pF、抵抗Rは15Ωである。入出力端のインピーダンスは10Ωであり、電気特性は10Ωで正規化されている。1920〜1980MHzで挿入損失が0.92dB、アイソレーションが15.5dBである。
また、主線路が共振することはないので、主線路を1/4波長以下に短くすることができ、第1実施例において、フェライト10のサイズは縦横が0.6mm、厚さが0.2mm、線路幅は0.2mm、飽和磁化は100mTである。このように、フェライト10が従来よりも非常に小さなサイズであること、及び、接合導体15がフェライト10の第1主面11さらに第2主面12に1層で形成されていることと相俟って、安価、小型、低背で低インピーダンスのアイソレータが得られる。
特に、本第1実施例においてはアイソレーションが広帯域である。また、第1及び第2開口P1,P2間の主線路と直交する方向に延在する対向導体17が配置されているため、対向導体17によって高周波磁界がフェライト10に閉じ込められて磁束の漏れが小さくなり、挿入損失特性、アイソレーション特性が向上する。なお、対向導体17は必ずしも必要ではない。
このアイソレータ1Aは、例えば、移動体通信機器の送信回路モジュールに組み込まれる。実装用基板30は送信回路モジュールにおけるパワーアンプを搭載するためのプリント配線基板であってもよい。この場合、接合導体15を備えかつ永久磁石20を貼着したフェライト10が送信モジュールの組立て工程に供給されることになる。この点は以下に示す第2実施例でも同様である。
(第2実施例、図6〜図9参照)
第2実施例であるアイソレータ1Bは、前記第1実施例に対して、コンデンサC3を第1開口P1と第2開口P2との間に、かつ、主線路及び抵抗Rに対して並列に接続したものである。コンデンサC3は、図7に示す入力端子電極31と出力端子電極32に接続される。他の構成は第1実施例と同様である。ちなみに、コンデンサC3の接続箇所は、入力端子電極31の端部31b及び出力端子電極32の端部32bである。
第2実施例であるアイソレータ1Bは、前記第1実施例に対して、コンデンサC3を第1開口P1と第2開口P2との間に、かつ、主線路及び抵抗Rに対して並列に接続したものである。コンデンサC3は、図7に示す入力端子電極31と出力端子電極32に接続される。他の構成は第1実施例と同様である。ちなみに、コンデンサC3の接続箇所は、入力端子電極31の端部31b及び出力端子電極32の端部32bである。
本第2実施例の作用効果は前記第1実施例と基本的に同様である。第2実施例であるアイソレータ1Bの入力リターンロスを図9(A)に示し、アイソレーションを図9(B)に示し、挿入損失を図9(C)に示し、出力リターンロスを図9(D)に示す。コンデンサC1,C2の容量はそれぞれ2.8pF、抵抗Rは15Ω、コンデンサC3の容量は1.2pFである。入出力端のインピーダンスは10Ωであり、電気特性は10Ωで正規化されている。1920〜1980MHzで挿入損失が0.94dB、アイソレーションが20.5dBである。フェライト10のサイズなどは第1実施例と同様である。特に、本第2実施例では、コンデンサC3によって通過位相を微調整することができるのでアイソレーション特性が向上する。
(他の実施例)
なお、本発明に係るアイソレータは前記実施例に限定するものではなく、その要旨の範囲内で種々に変更できる。
なお、本発明に係るアイソレータは前記実施例に限定するものではなく、その要旨の範囲内で種々に変更できる。
例えば、接合導体は必ずしも逆T字形状である必要はなく、交点が90°より若干大きいあるいは小さい角度を有していてもよい。また、実装用基板にあってはその大きさ、形状、構造などは任意である。
また、前記実施例では、整合素子として入出力端子とグランド端子との間に容量素子を接続したが、入出力端子と第1開口及び第2開口との間に容量素子を接続してもよい。
さらに、入力端子と第1開口との間に容量素子を接続し、出力端子とグランド端子との間に容量素子を接続してもよい。この場合には、入力端のインピーダンスを出力端に比べて低くでき、パワーアンプなどのインピーダンス変換回路を一部削減できる。
以上のように、本発明は、アイソレータに有用であり、特に、簡単な構造からなり、低背化、低コスト化を達成できる点で優れている。
1A,1B…アイソレータ
10…フェライト
11,12…主面
15…接合導体
17…対向導体
20…永久磁石
C1,C2,C3…コンデンサ
R…抵抗
P1…第1開口
P2…第2開口
P3…第3開口
10…フェライト
11,12…主面
15…接合導体
17…対向導体
20…永久磁石
C1,C2,C3…コンデンサ
R…抵抗
P1…第1開口
P2…第2開口
P3…第3開口
Claims (4)
- フェライトと、
前記フェライトに配置された、第1開口、第2開口及び第3開口を有する接合導体と、
前記フェライトに直流磁界を印加する永久磁石と、
を備え、
前記接合導体は、第1開口と第2開口との間に配置された主線路と、該主線路から分岐して第3開口に至る副線路とからなり、
抵抗素子が第1開口と第2開口との間に前記主線路に対して並列に接続され、
第3開口はグランドに接続されていること、
を特徴とするアイソレータ。 - 容量素子が第1開口と第2開口との間に前記主線路及び前記抵抗素子に対して並列に接続されていること、を特徴とする請求項1に記載のアイソレータ。
- 第1開口及び第2開口にそれぞれインピーダンス整合素子が接続されていること、を特徴とする請求項1又は請求項2に記載のアイソレータ。
- 前記フェライトは第1主面及び第2主面を有し、
前記主線路及び前記副線路は第1主面上に形成され、
前記副線路は第2主面側に前記主線路と直交する方向に延在されて対向導体とされ、該対向導体の端部を第3開口としたこと、
を特徴とする請求項1ないし請求項3のいずれかに記載のアイソレータ。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010197355A JP2012054850A (ja) | 2010-09-03 | 2010-09-03 | アイソレータ |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010197355A JP2012054850A (ja) | 2010-09-03 | 2010-09-03 | アイソレータ |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2012054850A true JP2012054850A (ja) | 2012-03-15 |
Family
ID=45907705
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010197355A Pending JP2012054850A (ja) | 2010-09-03 | 2010-09-03 | アイソレータ |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2012054850A (ja) |
-
2010
- 2010-09-03 JP JP2010197355A patent/JP2012054850A/ja active Pending
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