JP2012044208A - パワー半導体モジュール - Google Patents
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Abstract
【解決手段】絶縁板13と絶縁板の主表面に設けられた配線層12とを含む絶縁基板2と、配線層上に固定された半導体素子と、絶縁板の主表面に略平行な接合面を有し、接合面が配線層上に半田層10で接続された内部電極9とを含み、半田層で覆われた領域に、内部電極が、接合面と略平行な方向に突出したつば状の突起部21を備えたパワー半導体モジュール。
【選択図】図2
Description
特に、パワー半導体モジュールでは、内部電極等の接合には半田が用いられ、半田接合部の割れが、製品寿命を決める一つの要素となっていた。
図1は、全体が100で表される、本発明の実施の形態1にかかるパワー半導体モジュールの断面図である。また、図2は、図1に符合Aで示す部分を拡大した断面図である。
図5は、本発明の実施の形態2にかかるパワー半導体モジュールに用いる内部電極9の、絶縁基板2に半田層10で接続される部分の斜視図である。
本実施の形態2にかかる内部電極9は、板状部19と縒り線部23とからなる。絶縁基板2と半田層10により接合される縒り線部23は、例えば複数の銅の細線を縒り合わせた構造からなる。銅の細線には、ニッケルメッキ等が施されている。縒り線部23は、例えば銅からなる板状部19にろう付けされている。
かかる内部電極9は、板状部29と編み線部24とからなる。絶縁基板2と半田層10により接合される編み線部24は、例えば複数の銅の細線をメッシュ状に編んだ構造からなる。銅の細線には、ニッケルメッキ等が施されている。編み線部24は、例えば銅からなる板状部29にろう付けされている。
図7は、本発明の実施の形態3にかかるパワー半導体モジュールの、図1のAに相当する部分の断面図である。A以外の部分の構造は、図1と同じである(以下の実施の形態においても同じ)。
図8は、本発明の実施の形態4にかかるパワー半導体モジュールの、図1のAに相当する部分の断面図である。
Claims (1)
- 絶縁板と該絶縁板の主表面に設けられた配線層とを含む絶縁基板と、
該配線層上に固定された半導体素子と、
該絶縁板の主表面に略平行な接合面を有し、該接合面が該配線層上に半田層で接続された内部電極とを含み、
該半田層で覆われた領域に、該内部電極が、該接合面と略平行な方向に突出したつば状の突起部を備えたことを特徴とするパワー半導体モジュール。
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