JP2012031234A - フリップチップ型半導体裏面用フィルム、短冊状半導体裏面用フィルムの製造方法、及び、フリップチップ型半導体装置 - Google Patents

Abstract

【課題】フリップチップ型半導体裏面用フィルムの切断精度を高く維持することが可能なフリップチップ型半導体裏面用フィルムを提供すること。
【解決手段】被着体上にフリップチップ接続された半導体素子の裏面に形成するためのフリップチップ型半導体裏面用フィルム２であって、フリップチップ型半導体裏面用フィルムの熱硬化前の２３℃における伸び率をＡとし、フリップチップ型半導体裏面用フィルムの熱硬化前の２３℃における引張貯蔵弾性率をＢとしたときに、Ａ／Ｂが１〜8×10^３（％／ＧＰａ）の範囲内であるフリップチップ型半導体裏面用フィルム２。
【選択図】図１

Description

本発明は、半導体装置製造用フィルムに関する。また、本発明は、フリップチップ型半導体裏面用フィルムを用いた短冊状半導体裏面用フィルムの製造方法及びフリップチップ実装の半導体装置に関する。

近年、半導体装置及びそのパッケージの薄型化、小型化がより一層求められている。そのため、半導体装置及びそのパッケージとして、半導体チップ等の半導体素子が基板上にフリップチップボンディングにより実装された（フリップチップ接続された）フリップチップ型の半導体装置が広く利用されている。当該フリップチップ接続は半導体チップの回路面が基板の電極形成面と対向する形態で固定されるものである。このような半導体装置等では、半導体チップの裏面を保護フィルムにより保護し、半導体チップの損傷等を防止している場合がある。

特開２００８−１６６４５１号公報 特開２００８−００６３８６号公報 特開２００７−２６１０３５号公報 特開２００７−２５０９７０号公報 特開２００７−１５８０２６号公報 特開２００４−２２１１６９号公報 特開２００４−２１４２８８号公報 特開２００４−１４２４３０号公報 特開２００４−０７２１０８号公報 特開２００４−０６３５５１号公報

本発明者らは、半導体チップの裏面にフィルムを貼り着ける方法について検討した。その結果、（１）半導体素子（例えば、半導体チップ）の裏面の幅に合わせてフリップチップ型半導体裏面用フィルムを所定幅に切断して短冊状半導体裏面用フィルムとし、（２）この短冊状半導体裏面用フィルムをさらに、半導体素子の裏面の形状に合わせて切断し、（３）半導体素子の裏面に、切断したフリップチップ型半導体裏面用フィルム（短冊状半導体裏面用フィルム）を貼着する方法を発明するに至った。しかしながら、当該方法を採用した場合、切断されたフリップチップ型半導体裏面用フィルムの切断精度が低い場合があり、半導体素子の裏面に精度よく貼着することができないことや、切断面に割れ、欠けが発生するといった新たな課題が発生した。

本発明は前記問題点に鑑みなされたものであり、その目的は、フリップチップ型半導体裏面用フィルムの切断精度を高く維持し、かつ割れ、欠けを抑制または防止することが可能なフリップチップ型半導体裏面用フィルムを提供することにある。

本願発明者等は、上記従来の問題点を解決すべく検討した結果、フリップチップ型半導体裏面用フィルムの熱硬化前の２３℃における伸び率をＡとし、前記フリップチップ型半導体裏面用フィルムの熱硬化前の２３℃における引張貯蔵弾性率をＢとしたときに、Ａ／Ｂを所定の範囲内とすることにより、フリップチップ型半導体裏面用フィルムを優れた幅精度で所定幅に切断することができるとともに、割れ、欠けを抑制または防止することができることを見出し、本発明を完成させるに至った。

即ち、本発明に係るフリップチップ型半導体裏面用フィルムは、前記フリップチップ型半導体裏面用フィルムの熱硬化前の２３℃における伸び率をＡ（％）とし、前記フリップチップ型半導体裏面用フィルムの熱硬化前の２３℃における引張貯蔵弾性率をＢ（GPa）としたときに、Ａ／Ｂが１〜8×10^３（％／ＧＰａ）の範囲内であることを特徴とする。

フリップチップ型半導体裏面用フィルムにおいては、半導体製造工程でのチップ補強のため、一定以上の硬さ、すなわち、一定以上の引張貯蔵弾性率を有するものが要求される。そして、このような引張貯蔵弾性率の高いフィルムは一般的に伸びにくい性質を有する。しかしながら、フリップチップ型半導体裏面用フィルムを所定幅に切断して短冊状にする場合には、切断時の切断面に割れ、欠けが発生せず、優れた幅精度で切断する必要があるため、ある程度伸びる性質を有することが要求される。

前記構成によれば、前記フリップチップ型半導体裏面用フィルムの熱硬化前の２３℃における伸び率をＡとし、前記フリップチップ型半導体裏面用フィルムの熱硬化前の２３℃における引張貯蔵弾性率をＢとしたときに、Ａ／Ｂが１〜8×10^３（％／ＧＰａ）の範囲内である。前記Ａ／Ｂが１〜8×10^３であるため、前記フリップチップ型半導体裏面用フィルムは、ある程度の硬さを有し、かつ、ある程度伸びる性質を有する。従って、切断する際に、優れた幅精度で所定幅に切断することが可能となる。また、切断した際に、断面に割れや欠けが発生することを抑制することができる。このように、本発明のフリップチップ型半導体裏面用フィルムは、半導体素子の裏面の形状に合わせて精度よく切断することができるため、半導体素子の裏面に精度よく貼着することができるとともに、断面の割れや欠けに起因する異物汚染の影響を大幅に解消することができる。

前記構成において、前記引張貯蔵弾性率は、０．０１〜４．０ＧＰａの範囲内であることが好ましい。前記引張貯蔵弾性率が０．０１ＧＰａ以上であると、半導体裏面用フィルムが製造工程で変形することなく切断でき、半導体素子の裏面の形状に合わせて精度良く切断することができる。一方、前記引張貯蔵弾性率が４．０ＧＰａ以下であると、半導体裏面用フィルムの切断端面に割れ、欠け無く切断でき、異物汚染の影響を大幅に解消することができる。

前記構成において、前記フリップチップ型半導体裏面用フィルムは、エポキシ樹脂とフェノール樹脂とを含有しており、前記エポキシ樹脂と前記フェノール樹脂との合計が、フリップチップ型半導体裏面用フィルムの全樹脂成分に対して５〜９０重量％の範囲内であり、前記エポキシ樹脂及び前記フェノール樹脂は、融点が２５℃以下であることが好ましい。前記エポキシ樹脂と前記フェノール樹脂との合計がフリップチップ型半導体裏面用フィルムの全樹脂成分に対して、５〜９０重量％の範囲内であり、前記エポキシ樹脂及び前記フェノール樹脂の融点が２５℃以下であると、熱硬化前の引張貯蔵弾性率を高く維持できるとともに、熱硬化前の伸び率を高くすることができる。

また、本発明に係る短冊状半導体裏面用フィルムの製造方法は、前記に記載のフリップチップ型半導体裏面用フィルムを所定幅に切断して短冊状半導体裏面用フィルムを得る工程を具備することを特徴とする。

前記構成によれば、前記熱硬化前の２３℃における伸び率をＡとし、熱硬化前の２３℃における引張貯蔵弾性率をＢとしたときに、Ａ／Ｂが１〜8×10^３（％／ＧＰａ）の範囲内であるフリップチップ型半導体裏面用フィルムを使用するため、優れた幅精度で所定幅に切断された短冊状半導体裏面用フィルムを得ることが可能となる。

また、本発明に係るフリップチップ型半導体装置は、前記に記載の短冊状半導体裏面用フィルムの製造方法により製造された短冊状半導体裏面用フィルムを用いて製造されたものである。

本実施形態に係るフリップチップ型半導体裏面用フィルムを備える半導体装置製造用フィルムの一例を示す断面模式図である。 図１に示した半導体装置製造用フィルムを用いた場合の半導体装置の製造方法を示す断面模式図である。 図１に示した半導体装置製造用フィルムを用いた場合の半導体装置の製造方法を示す断面模式図である。

本発明の実施の一形態について、図１を参照しながら説明するが、本発明はこれらの例に限定されない。図１は、本実施形態に係るフリップチップ型半導体裏面用フィルムを備える半導体装置製造用フィルムの一例を示す断面模式図である。なお、本明細書において、図には、説明に不要な部分は省略し、また、説明を容易にするために拡大又は縮小等して図示した部分がある。

（フリップチップ型半導体裏面用フィルム）
フリップチップ型半導体裏面用フィルム（以下、「半導体裏面用フィルム」ともいう）２はフィルム状の形態を有している。半導体裏面用フィルム２は、半導体チップの裏面の幅に合わせて所定幅に切断して短冊状半導体裏面用フィルムとされて使用される。

半導体裏面用フィルム２は、図１で示されるように、その一方の面（図１中、下側）にセパレータ４２が積層された半導体装置製造用フィルム４０の形態とすることができる。セパレータ４２は、半導体裏面用フィルム２とともに半導体チップに貼着された後、半導体裏面用フィルム２から剥離されるものである。なお、本発明において、フリップチップ型半導体裏面用フィルムは、その両面にセパレータが積層されていてもよい。また、セパレータに積層されていなくてもよく、フリップチップ型半導体裏面用フィルム単体であってもよい。

半導体裏面用フィルム２は、熱硬化前の２３℃における伸び率をＡ（以下、「伸び率Ａともいう」）とし、熱硬化前の２３℃における引張貯蔵弾性率をＢ（以下、「引張貯蔵弾性率Ｂともいう」）としたときに、Ａ／Ｂが１〜8×10^３（％／ＧＰａ）の範囲内である。前記Ａ／Ｂは、２〜７×10^３の範囲内であることが好ましく、３〜６×10^３の範囲内であることがより好ましい。

半導体裏面用フィルム２においては、半導体製造工程でのチップ補強のため、一定以上の硬さ、すなわち、一定以上の引張貯蔵弾性率を有するものが要求される。そして、このような引張貯蔵弾性率の高いフィルムは一般的に伸びにくい性質を有する。しかしながら、半導体裏面用フィルム２を所定幅に切断して短冊状にする場合には、半導体裏面用フィルムの切断面の割れ、欠けを抑制、または防止するという理由で、ある程度伸びる性質を有することが要求される。前記Ａ／Ｂが１〜8×10^３であるため、半導体裏面用フィルム２は、ある程度の硬さを有し、かつ、ある程度伸びる性質を有する。従って、切断する際に、優れた幅精度で所定幅に切断することが可能となる。また、切断した際に、断面に割れや欠けが発生することを抑制することができる。このように、半導体裏面用フィルム２は、半導体チップの裏面の形状に合わせて精度よく切断することができるため、半導体チップの裏面に精度よく貼着することができるとともに、断面の割れや欠けに起因する異物汚染の影響を大幅に解消することができる。

前記半導体裏面用フィルムは、少なくとも熱硬化性樹脂により形成されていることが好ましく、更に少なくとも熱硬化性樹脂と熱可塑性樹脂とにより形成されていることがより好ましい。少なくとも熱硬化性樹脂により形成することで、半導体裏面用フィルムは接着剤層としての機能を有効に発揮させることができる。

前記熱可塑性樹脂としては、例えば、天然ゴム、ブチルゴム、イソプレンゴム、クロロプレンゴム、エチレン−酢酸ビニル共重合体、エチレン−アクリル酸共重合体、エチレン−アクリル酸エステル共重合体、ポリブタジエン樹脂、ポリカーボネート樹脂、熱可塑性ポリイミド樹脂、６−ナイロンや６，６−ナイロン等のポリアミド樹脂、フェノキシ樹脂、アクリル樹脂、ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）やＰＢＴ（ポリブチレンテレフタレート）等の飽和ポリエステル樹脂、ポリアミドイミド樹脂、又はフッ素樹脂等が挙げられる。熱可塑性樹脂は単独で又は２種以上を併用して用いることができる。これらの熱可塑性樹脂のうち、イオン性不純物が少なく耐熱性が高く、半導体素子の信頼性を確保できるアクリル樹脂が特に好ましい。

前記アクリル樹脂としては、特に限定されるものではなく、炭素数３０以下（好ましくは炭素数４〜１８、更に好ましくは炭素数６〜１０、特に好ましくは炭素数８又は９）の直鎖若しくは分岐のアルキル基を有するアクリル酸又はメタクリル酸のエステルの１種又は２種以上を成分とする重合体等が挙げられる。すなわち、本発明では、アクリル樹脂とは、メタクリル樹脂も含む広義の意味である。前記アルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、ｔ−ブチル基、イソブチル基、ペンチル基、イソペンチル基、へキシル基、ヘプチル基、２−エチルヘキシル基、オクチル基、イソオクチル基、ノニル基、イソノニル基、デシル基、イソデシル基、ウンデシル基、ドデシル基（ラウリル基）、トリデシル基、テトラデシル基、ステアリル基、オクタデシル基等が挙げられる。

また、前記アクリル樹脂を形成するための他のモノマー（アルキル基の炭素数が３０以下のアクリル酸又はメタクリル酸のアルキルエステル以外のモノマー）としては、特に限定されるものではなく、例えば、アクリル酸、メタクリル酸、カルボキシエチルアクリレート、カルボキシペンチルアクリレート、イタコン酸、マレイン酸、フマル酸若しくはクロトン酸等の様なカルボキシル基含有モノマー、無水マレイン酸若しくは無水イタコン酸等の様な酸無水物モノマー、（メタ）アクリル酸２−ヒドロキシエチル、（メタ）アクリル酸２−ヒドロキシプロピル、（メタ）アクリル酸４−ヒドロキシブチル、（メタ）アクリル酸６−ヒドロキシヘキシル、（メタ）アクリル酸８−ヒドロキシオクチル、（メタ）アクリル酸１０−ヒドロキシデシル、（メタ）アクリル酸１２−ヒドロキシラウリル若しくは（４−ヒドロキシメチルシクロヘキシル）−メチルアクリレート等の様なヒドロキシル基含有モノマー、スチレンスルホン酸、アリルスルホン酸、２−（メタ）アクリルアミド−２−メチルプロパンスルホン酸、（メタ）アクリルアミドプロパンスルホン酸、スルホプロピル（メタ）アクリレート若しくは（メタ）アクリロイルオキシナフタレンスルホン酸等の様なスルホン酸基含有モノマー、又は２−ヒドロキシエチルアクリロイルホスフェート等の様な燐酸基含有モノマーなどが挙げられる。尚、（メタ）アクリル酸とはアクリル酸及び／又はメタクリル酸をいい、本発明の（メタ）とは全て同様の意味である。

また、前記熱硬化性樹脂としては、エポキシ樹脂、フェノール樹脂の他、アミノ樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、ポリウレタン樹脂、シリコーン樹脂、熱硬化性ポリイミド樹脂等が挙げられる。熱硬化性樹脂は、単独で又は２種以上併用して用いることができる。熱硬化性樹脂としては、特に、半導体素子を腐食させるイオン性不純物等含有が少ないエポキシ樹脂が好適である。また、エポキシ樹脂の硬化剤としてはフェノール樹脂を好適に用いることができる。

エポキシ樹脂としては、特に限定は無く、例えば、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＳ型エポキシ樹脂、臭素化ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、水添ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡＦ型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、フルオンレン型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、オルソクレゾールノボラック型エポキシ樹脂、トリスヒドロキシフェニルメタン型エポキシ樹脂、テトラフェニロールエタン型エポキシ樹脂等の二官能エポキシ樹脂や多官能エポキシ樹脂、又はヒダントイン型エポキシ樹脂、トリスグリシジルイソシアヌレート型エポキシ樹脂若しくはグリシジルアミン型エポキシ樹脂等のエポキシ樹脂を用いることができる。なかでも、融点が２５℃以下のものが好ましい。

エポキシ樹脂としては、前記例示のうちノボラック型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、トリスヒドロキシフェニルメタン型エポキシ樹脂、テトラフェニロールエタン型エポキシ樹脂が特に好ましい。これらのエポキシ樹脂は、硬化剤としてのフェノール樹脂との反応性に富み、耐熱性等に優れるからである。

更に、前記フェノール樹脂は、前記エポキシ樹脂の硬化剤として作用するものであり、例えば、フェノールノボラック樹脂、フェノールアラルキル樹脂、クレゾールノボラック樹脂、ｔｅｒｔ−ブチルフェノールノボラック樹脂、ノニルフェノールノボラック樹脂等のノボラック型フェノール樹脂、レゾール型フェノール樹脂、ポリパラオキシスチレン等のポリオキシスチレン等が挙げられる。フェノール樹脂は単独で又は２種以上を併用して用いることができる。これらのフェノール樹脂のうちフェノールノボラック樹脂、フェノールアラルキル樹脂が特に好ましい。半導体装置の接続信頼性を向上させることができるからである。なかでも、融点が２５℃以下のものが好ましい。

エポキシ樹脂とフェノール樹脂の配合割合は、例えば、前記エポキシ樹脂成分中のエポキシ基１当量当たりフェノール樹脂中の水酸基が０．５当量〜２．０当量になるように配合することが好適である。より好適なのは、０．８当量〜１．２当量である。即ち、両者の配合割合が前記範囲を外れると、十分な硬化反応が進まず、エポキシ樹脂硬化物の特性が劣化し易くなるからである。

前記熱硬化性樹脂の含有量としては、半導体裏面用フィルムにおける全樹脂成分に対して５重量％以上９０重量％以下であることが好ましく、１０重量％以上８５重量％以下であることがより好ましく、１５重量％以上８０重量％以下であることがさらに好ましい。前記含有量を、５重量％以上にすることにより、耐熱性を保持することができる。また、樹脂封止工程よりも前に半導体裏面用フィルムを半導体チップに貼着する場合には、封止樹脂を熱硬化させる際に、半導体裏面用フィルムを十分に熱硬化させることができ、半導体素子の裏面に確実に接着固定させて、剥離のないフリップチップ型の半導体装置の製造が可能になる。一方、前記含有量を９０重量％以下にすることにより、パッケージ（PKG：フリップチップ型の半導体装置）の反りを抑制することができる。

前記熱硬化性樹脂としては、エポキシ樹脂とフェノール樹脂とを含有するものが好ましく、なかでも、エポキシ樹脂と前記フェノール樹脂との合計が、フリップチップ型半導体裏面用フィルムの全樹脂成分に対して、５〜９０重量％の範囲内であり、前記エポキシ樹脂及び前記フェノール樹脂は、融点が２５℃以下であることが好ましい。エポキシ樹脂と前記フェノール樹脂との前記合計は、１０〜８５重量％の範囲内であることがより好ましく、１５〜８０重量％の範囲内であることがさらに好ましい。前記エポキシ樹脂と前記フェノール樹脂との合計が半導体裏面用フィルム２の全樹脂成分に対して、５〜９０重量％の範囲内であり、前記エポキシ樹脂及び前記フェノール樹脂の融点が２５℃以下であると、熱硬化前の引張貯蔵弾性率を高く維持できるとともに、熱硬化前の伸び率を高くすることができる。

エポキシ樹脂とフェノール樹脂の熱硬化促進触媒としては、特に制限されず、公知の熱硬化促進触媒の中から適宜選択して用いることができる。熱硬化促進触媒は単独で又は２種以上を組み合わせて用いることができる。熱硬化促進触媒としては、例えば、アミン系硬化促進剤、リン系硬化促進剤、イミダゾール系硬化促進剤、ホウ素系硬化促進剤、リン−ホウ素系硬化促進剤などを用いることができる。

前記半導体裏面用フィルムとしては、エポキシ樹脂及びフェノール樹脂を含む樹脂組成物や、エポキシ樹脂、フェノール樹脂及びアクリル樹脂を含む樹脂組成物により形成されていることが好適である。これらの樹脂は、イオン性不純物が少なく耐熱性が高いので、半導体素子の信頼性を確保できる。

半導体裏面用フィルム２は、半導体ウエハの裏面（回路非形成面）に対して接着性（密着性）を有していることが重要である。半導体裏面用フィルム２は、例えば、熱硬化性樹脂としてのエポキシ樹脂を含む樹脂組成物により形成することができる。半導体裏面用フィルム２を予めある程度架橋させておく為、作製に際し、重合体の分子鎖末端の官能基等と反応する多官能性化合物を架橋剤として添加させておくことが好ましい。これにより、高温下での接着特性を向上させ、耐熱性の改善を図ることができる。

半導体裏面用フィルムの半導体素子に対する接着力（２３℃、剥離角度１８０度、剥離速度３００ｍｍ／分）は、０．５Ｎ／２０ｍｍ〜１５Ｎ／２０ｍｍの範囲が好ましく、０．７Ｎ／２０ｍｍ〜１０Ｎ／２０ｍｍの範囲がより好ましい。０．５Ｎ／２０ｍｍ以上にすることにより、優れた密着性で半導体素子に貼着されており、浮き等の発生を防止することができる。一方、１５Ｎ／２０ｍｍ以下にすることにより、セパレータ４２から容易に剥離することができる。

前記架橋剤としては、特に制限されず、公知の架橋剤を用いることができる。具体的には、例えば、イソシアネート系架橋剤、エポキシ系架橋剤、メラミン系架橋剤、過酸化物系架橋剤の他、尿素系架橋剤、金属アルコキシド系架橋剤、金属キレート系架橋剤、金属塩系架橋剤、カルボジイミド系架橋剤、オキサゾリン系架橋剤、アジリジン系架橋剤、アミン系架橋剤などが挙げられる。架橋剤としては、イソシアネート系架橋剤やエポキシ系架橋剤が好適である。また、前記架橋剤は単独で又は２種以上組み合わせて使用することができる。

前記イソシアネート系架橋剤としては、例えば、１，２−エチレンジイソシアネート、１，４−ブチレンジイソシアネート、１，６−ヘキサメチレンジイソシアネートなどの低級脂肪族ポリイソシアネート類；シクロペンチレンジイソシアネート、シクロへキシレンジイソシアネート、イソホロンジイソシアネート、水素添加トリレンジイソシアネ−ト、水素添加キシレンジイソシアネ−トなどの脂環族ポリイソシアネート類；２，４−トリレンジイソシアネート、２，６−トリレンジイソシアネート、４，４’−ジフェニルメタンジイソシアネート、キシリレンジイソシアネートなどの芳香族ポリイソシアネート類などが挙げられ、その他、トリメチロールプロパン／トリレンジイソシアネート３量体付加物［日本ポリウレタン工業（株）製、商品名「コロネートＬ」］、トリメチロールプロパン／ヘキサメチレンジイソシアネート３量体付加物［日本ポリウレタン工業（株）製、商品名「コロネートＨＬ」］なども用いられる。また、前記エポキシ系架橋剤としては、例えば、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラグリシジル−ｍ−キシレンジアミン、ジグリシジルアニリン、１，３−ビス（Ｎ，Ｎ−グリシジルアミノメチル）シクロヘキサン、１，６−ヘキサンジオールジグリシジルエーテル、ネオペンチルグリコールジグリシジルエーテル、エチレングリコールジグリシジルエーテル、プロピレングリコールジグリシジルエーテル、ポリエチレングリコールジグリシジルエーテル、ポリプロピレングリコールジグリシジルエーテル、ソルビトールポリグリシジルエーテル、グリセロールポリグリシジルエーテル、ペンタエリスリトールポリグリシジルエーテル、ポリグリセロールポリグリシジルエーテル、ソルビタンポリグリシジルエーテル、トリメチロールプロパンポリグリシジルエーテル、アジピン酸ジグリシジルエステル、ｏ−フタル酸ジグリシジルエステル、トリグリシジル−トリス（２−ヒドロキシエチル）イソシアヌレート、レゾルシンジグリシジルエーテル、ビスフェノール−Ｓ−ジグリシジルエーテルの他、分子内にエポキシ基を２つ以上有するエポキシ系樹脂などが挙げられる。

なお、架橋剤の使用量は、特に制限されず、架橋させる程度に応じて適宜選択することができる。具体的には、架橋剤の使用量としては、例えば、ポリマー成分（特に、分子鎖末端の官能基を有する重合体）１００重量部に対し、通常７重量部以下（例えば、０．０５重量部〜７重量部）とするのが好ましい。架橋剤の使用量がポリマー成分１００重量部に対して７重量部より多いと、接着力が低下するので好ましくない。なお、凝集力向上の観点からは、架橋剤の使用量はポリマー成分１００重量部に対して０．０５重量部以上であることが好ましい。

なお、本発明では、架橋剤を用いる代わりに、あるいは、架橋剤を用いるとともに、電子線や紫外線などの照射により架橋処理を施すことも可能である。

前記半導体裏面用フィルムは着色されていることが好ましい。これにより、優れたマーキング性及び外観性を発揮させることができ、付加価値のある外観の半導体装置とすることが可能になる。このように、着色された半導体裏面用フィルムは、優れたマーキング性を有しているので、半導体素子又は該半導体素子が用いられた半導体装置の非回路面側の面に、半導体裏面用フィルムを介して、印刷方法やレーザーマーキング方法などの各種マーキング方法を利用することにより、マーキングを施し、文字情報や図形情報などの各種情報を付与させることができる。特に、着色の色をコントロールすることにより、マーキングにより付与された情報（文字情報、図形情報など）を、優れた視認性で視認することが可能になる。また、半導体裏面用フィルムは着色されているので、ダイシングテープと、半導体裏面用フィルムとを、容易に区別することができ、作業性等を向上させることができる。更に、例えば半導体装置として、製品別に色分けすることも可能である。着色により呈している色としては特に制限されないが、例えば、黒色、青色、赤色などの濃色であることが好ましく、特に黒色であることが好適である。

本実施の形態において、濃色とは、基本的には、Ｌ^*ａ^*ｂ^*表色系で規定されるＬ^*が、６０以下（０〜６０）［好ましくは５０以下（０〜５０）、さらに好ましくは４０以下（０〜４０）］となる濃い色のことを意味している。

また、黒色とは、基本的には、Ｌ^*ａ^*ｂ^*表色系で規定されるＬ^*が、３５以下（０〜３５）［好ましくは３０以下（０〜３０）、さらに好ましくは２５以下（０〜２５）］となる黒色系色のことを意味している。なお、黒色において、Ｌ^*ａ^*ｂ^*表色系で規定されるａ^*やｂ^*は、それぞれ、Ｌ^*の値に応じて適宜選択することができる。ａ^*やｂ^*としては、例えば、両方とも、−１０〜１０であることが好ましく、より好ましくは−５〜５であり、特に−３〜３の範囲（中でも０又はほぼ０）であることが好適である。

なお、本実施の形態において、Ｌ^*ａ^*ｂ^*表色系で規定されるＬ^*、ａ^*、ｂ^*は、色彩色差計（商品名「ＣＲ−２００」ミノルタ社製；色彩色差計）を用いて測定することにより求められる。なお、Ｌ^*ａ^*ｂ^*表色系は、国際照明委員会（ＣＩＥ）が１９７６年に推奨した色空間であり、ＣＩＥ１９７６（Ｌ^*ａ^*ｂ^*）表色系と称される色空間のことを意味している。また、Ｌ^*ａ^*ｂ^*表色系は、日本工業規格では、ＪＩＳ Ｚ ８７２９に規定されている。

半導体裏面用フィルムを着色する際には、目的とする色に応じて、色材（着色剤）を用いることができる。このような色材としては、黒系色材、青系色材、赤系色材などの各種濃色系色材を好適に用いることができ、特に黒系色材が好適である。色材としては、顔料、染料などいずれであってもよい。色材は単独で又は２種以上を組み合わせて用いることができる。なお、染料としては、酸性染料、反応染料、直接染料、分散染料、カチオン染料等のいずれの形態の染料であっても用いることが可能である。また、顔料も、その形態は特に制限されず、公知の顔料から適宜選択して用いることができる。

特に、色材として染料を用いると、半導体裏面用フィルム中には、染料が溶解により均一又はほぼ均一に分散した状態となるため、着色濃度が均一又はほぼ均一な半導体裏面用フィルムを容易に製造することができる。そのため、色材として染料を用いると、半導体裏面用フィルムは、着色濃度を均一又はほぼ均一とすることができ、マーキング性や外観性を向上させることができる。

黒系色材としては、特に制限されないが、例えば、無機の黒系顔料、黒系染料から適宜選択することができる。また、黒系色材としては、シアン系色材（青緑系色材）、マゼンダ系色材（赤紫系色材）およびイエロー系色材（黄系色材）が混合された色材混合物であってもよい。黒系色材は単独で又は２種以上を組み合わせて用いることができる。もちろん、黒系色材は、黒以外の色の色材と併用することもできる。

具体的には、黒系色材としては、例えば、カーボンブラック（ファーネスブラック、チャンネルブラック、アセチレンブラック、サーマルブラック、ランプブラックなど）、グラファイト（黒鉛）、酸化銅、二酸化マンガン、アゾ系顔料（アゾメチンアゾブラックなど）、アニリンブラック、ペリレンブラック、チタンブラック、シアニンブラック、活性炭、フェライト（非磁性フェライト、磁性フェライトなど）、マグネタイト、酸化クロム、酸化鉄、二硫化モリブデン、クロム錯体、複合酸化物系黒色色素、アントラキノン系有機黒色色素などが挙げられる。

本発明では、黒系色材としては、Ｃ．Ｉ．ソルベントブラック３、同７、同２２、同２７、同２９、同３４、同４３、同７０、Ｃ．Ｉ．ダイレクトブラック１７、同１９、同２２、同３２、同３８、同５１、同７１、Ｃ．Ｉ．アシッドブラック１、同２、同２４、同２６、同３１、同４８、同５２、同１０７、同１０９、同１１０、同１１９、同１５４Ｃ．Ｉ．ディスパーズブラック１、同３、同１０、同２４等のブラック系染料；Ｃ．Ｉ．ピグメントブラック１、同７等のブラック系顔料なども利用することができる。

このような黒系色材としては、例えば、商品名「Ｏｉｌ Ｂｌａｃｋ ＢＹ」、商品名「ＯｉｌＢｌａｃｋ ＢＳ」、商品名「ＯｉｌＢｌａｃｋ ＨＢＢ」、商品名「Ｏｉｌ Ｂｌａｃｋ ８０３」、商品名「Ｏｉｌ Ｂｌａｃｋ ８６０」、商品名「Ｏｉｌ Ｂｌａｃｋ ５９７０」、商品名「Ｏｉｌ Ｂｌａｃｋ ５９０６」、商品名「Ｏｉｌ Ｂｌａｃｋ ５９０５」（オリエント化学工業株式会社製）などが市販されている。

黒系色材以外の色材としては、例えば、シアン系色材、マゼンダ系色材、イエロー系色材などが挙げられる。シアン系色材としては、例えば、Ｃ．Ｉ．ソルベントブルー２５、同３６、同６０、同７０、同９３、同９５；Ｃ．Ｉ．アシッドブルー６、同４５等のシアン系染料；Ｃ．Ｉ．ピグメントブルー１、同２、同３、同１５、同１５：１、同１５：２、同１５：３、同１５：４、同１５：５、同１５：６、同１６、同１７、同１７：１、同１８、同２２、同２５、同５６、同６０、同６３、同６５、同６６；Ｃ．Ｉ．バットブルー４；同６０、Ｃ．Ｉ．ピグメントグリーン７等のシアン系顔料などが挙げられる。

また、マゼンダ系色材において、マゼンダ系染料としては、例えば、Ｃ．Ｉ．ソルベントレッド１、同３、同８、同２３、同２４、同２５、同２７、同３０、同４９、同５２、同５８、同６３、同８１、同８２、同８３、同８４、同１００、同１０９、同１１１、同１２１、同１２２；Ｃ．Ｉ．ディスパースレッド９；Ｃ．Ｉ．ソルベントバイオレット８、同１３、同１４、同２１、同２７；Ｃ．Ｉ．ディスパースバイオレット１；Ｃ．Ｉ．ベーシックレッド１、同２、同９、同１２、同１３、同１４、同１５、同１７、同１８、同２２、同２３、同２４、同２７、同２９、同３２、同３４、同３５、同３６、同３７、同３８、同３９、同４０；Ｃ．Ｉ．ベーシックバイオレット１、同３、同７、同１０、同１４、同１５、同２１、同２５、同２６、同２７、２８などが挙げられる。

マゼンダ系色材において、マゼンダ系顔料としては、例えば、Ｃ．Ｉ．ピグメントレッド１、同２、同３、同４、同５、同６、同７、同８、同９、同１０、同１１、同１２、同１３、同１４、同１５、同１６、同１７、同１８、同１９、同２１、同２２、同２３、同３０、同３１、同３２、同３７、同３８、同３９、同４０、同４１、同４２、同４８：１、同４８：２、同４８：３、同４８：４、同４９、同４９：１、同５０、同５１、同５２、同５２：２、同５３：１、同５４、同５５、同５６、同５７：１、同５８、同６０、同６０：１、同６３、同６３：１、同６３：２、同６４、同６４：１、同６７、同６８、同８１、同８３、同８７、同８８、同８９、同９０、同９２、同１０１、同１０４、同１０５、同１０６、同１０８、同１１２、同１１４、同１２２、同１２３、同１３９、同１４４、同１４６、同１４７、同１４９、同１５０、同１５１、同１６３、同１６６、同１６８、同１７０、同１７１、同１７２、同１７５、同１７６、同１７７、同１７８、同１７９、同１８４、同１８５、同１８７、同１９０、同１９３、同２０２、同２０６、同２０７、同２０９、同２１９、同２２２、同２２４、同２３８、同２４５；Ｃ．Ｉ．ピグメントバイオレット３、同９、同１９、同２３、同３１、同３２、同３３、同３６、同３８、同４３、同５０；Ｃ．Ｉ．バットレッド１、同２、同１０、同１３、同１５、同２３、同２９、同３５などが挙げられる。

また、イエロー系色材としては、例えば、Ｃ．Ｉ．ソルベントイエロー１９、同４４、同７７、同７９、同８１、同８２、同９３、同９８、同１０３、同１０４、同１１２、同１６２等のイエロー系染料；Ｃ．Ｉ．ピグメントオレンジ３１、同４３；Ｃ．Ｉ．ピグメントイエロー１、同２、同３、同４、同５、同６、同７、同１０、同１１、同１２、同１３、同１４、同１５、同１６、同１７、同２３、同２４、同３４、同３５、同３７、同４２、同５３、同５５、同６５、同７３、同７４、同７５、同８１、同８３、同９３、同９４、同９５、同９７、同９８、同１００、同１０１、同１０４、同１０８、同１０９、同１１０、同１１３、同１１４、同１１６、同１１７、同１２０、同１２８、同１２９、同１３３、同１３８、同１３９、同１４７、同１５０、同１５１、同１５３、同１５４、同１５５、同１５６、同１６７、同１７２、同１７３、同１８０、同１８５、同１９５；Ｃ．Ｉ．バットイエロー１、同３、同２０等のイエロー系顔料などが挙げられる。

シアン系色材、マゼンダ系色材、イエロー系色材などの各種色材は、それぞれ、単独で又は２種以上を組み合わせて用いることができる。なお、シアン系色材、マゼンダ系色材、イエロー系色材などの各種色材を２種以上用いる場合、これらの色材の混合割合（または配合割合）としては、特に制限されず、各色材の種類や目的とする色などに応じて適宜選択することができる。

半導体裏面用フィルム２を着色させる場合、その着色形態は特に制限されない。例えば、半導体裏面用フィルムは、着色剤が添加された単層のフィルム状物であってもよい。また、少なくとも熱硬化性樹脂により形成された樹脂層と、着色剤層とが少なくとも積層された積層フィルムであってもよい。なお、半導体裏面用フィルム２が樹脂層と着色剤層との積層フィルムである場合、積層形態の半導体裏面用フィルム２としては、樹脂層／着色剤層／樹脂層の積層形態を有していることが好ましい。この場合、着色剤層の両側の２つの樹脂層は、同一の組成の樹脂層であってもよく、異なる組成の樹脂層であってもよい。

半導体裏面用フィルム２には、必要に応じて他の添加剤を適宜に配合することができる。他の添加剤としては、例えば、充填剤（フィラー）、難燃剤、シランカップリング剤、イオントラップ剤の他、増量剤、老化防止剤、酸化防止剤、界面活性剤などが挙げられる。

前記充填剤としては、無機充填剤、有機充填剤のいずれであってもよいが、無機充填剤が好適である。無機充填剤等の充填剤の配合により、半導体裏面用フィルムに導電性の付与や熱伝導性の向上、弾性率の調節等を図ることができる。なお、半導体裏面用フィルム２としては導電性であっても、非導電性であってもよい。前記無機充填剤としては、例えば、シリカ、クレー、石膏、炭酸カルシウム、硫酸バリウム、酸化アルミナ、酸化ベリリウム、炭化珪素、窒化珪素等のセラミック類、アルミニウム、銅、銀、金、ニッケル、クロム、鉛、錫、亜鉛、パラジウム、半田などの金属、又は合金類、その他カーボンなどからなる種々の無機粉末などが挙げられる。充填剤は単独で又は２種以上を併用して用いることができる。充填剤としては、なかでも、シリカ、特に溶融シリカが好適である。なお、無機充填剤の平均粒径は０．１μｍ〜８０μｍの範囲内であることが好ましい。無機充填剤の平均粒径は、例えば、レーザー回折型粒度分布測定装置によって測定することができる。

前記充填剤（特に無機充填剤）の配合量は、有機樹脂成分１００重量部に対して８０重量部以下（０重量部〜８０重量部）であることが好ましく、特に０重量部〜７０重量部であることが好適である。

また、前記難燃剤としては、例えば、三酸化アンチモン、五酸化アンチモン、臭素化エポキシ樹脂等が挙げられる。難燃剤は、単独で、又は２種以上を併用して用いることができる。前記シランカップリング剤としては、例えば、β−（３、４−エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルメチルジエトキシシラン等が挙げられる。シランカップリング剤は、単独で又は２種以上を併用して用いることができる。前記イオントラップ剤としては、例えばハイドロタルサイト類、水酸化ビスマス等が挙げられる。イオントラップ剤は、単独で又は２種以上を併用して用いることができる。

半導体裏面用フィルム２は、例えば、エポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂と、必要に応じてアクリル樹脂等の熱可塑性樹脂と、必要に応じて溶媒やその他の添加剤などとを混合して樹脂組成物を調製し、フィルム状の層に形成する慣用の方法を利用し形成することができる。具体的には、例えば、セパレータ４２上に前記樹脂組成物を塗布して樹脂層（又は接着剤層）を形成する方法や、樹脂層形成用シート（剥離紙など）上に前記樹脂組成物を塗布して樹脂層（又は接着剤層）を形成し、これをセパレータ４２上に転写（移着）する方法などにより、半導体裏面用フィルムとしてのフィルム状の層（接着剤層）を形成することができる。なお、前記樹脂組成物は、溶液であっても分散液であってもよい。

なお、半導体裏面用フィルム２は、エポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂を含む樹脂組成物により形成されているため、半導体裏面用フィルム２は、半導体素子に適用する前の段階では、熱硬化性樹脂が未硬化又は部分硬化の状態である。この場合、半導体素子に適用後に、半導体裏面用フィルム中の熱硬化性樹脂を完全に又はほぼ完全に硬化させる。具体的には、フリップチップボンディング工程よりも前に半導体裏面用フィルム２を半導体素子に貼着する場合には、フリップチップボンディング工程で封止材をキュアする際に半導体裏面用フィルム中の熱硬化性樹脂を完全に又はほぼ完全に硬化させる。また、フリップチップボンディング工程よりも後に半導体裏面用フィルム２を半導体素子に貼着する場合には、例えば、レーザーマーキングした後等に行われる熱処理（レーザーマーキングした後に行われるリフロー工程）により、半導体裏面用フィルム中の熱硬化性樹脂を完全に又はほぼ完全に硬化させる。

このように、半導体裏面用フィルムは、熱硬化性樹脂を含んでいても、該熱硬化性樹脂は未硬化又は部分硬化の状態であるため、半導体裏面用フィルムのゲル分率としては、特に制限されないが、例えば、５０重量％以下（０重量％〜５０重量％）の範囲より適宜選択することができ、好ましくは３０重量％以下（０重量％〜３０重量％）であり、特に１０重量％以下（０重量％〜１０重量％）であることが好適である。半導体裏面用フィルムのゲル分率の測定方法は、以下の測定方法により測定することができる。
＜ゲル分率の測定方法＞
半導体裏面用フィルムから約０．１ｇをサンプリングして精秤し（試料の重量）、該サンプルをメッシュ状シートで包んだ後、約５０ｍｌのトルエン中に室温で１週間浸漬させる。その後、溶剤不溶分（メッシュ状シートの内容物）をトルエンから取り出し、１３０℃で約２時間乾燥させ、乾燥後の溶剤不溶分を秤量し（浸漬・乾燥後の重量）、下記式（ａ）よりゲル分率（重量％）を算出する。
ゲル分率（重量％）＝［（浸漬・乾燥後の重量）／（試料の重量）］×１００ （ａ）

なお、半導体裏面用フィルムのゲル分率は、樹脂成分の種類やその含有量、架橋剤の種類やその含有量の他、加熱温度や加熱時間などによりコントロールすることができる。

本発明において、半導体裏面用フィルムは、エポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂を含む樹脂組成物により形成されたフィルム状物である場合、半導体素子に対する密着性を有効に発揮することができる。

尚、半導体装置製造のプロセスにおいては、水を使用することから、半導体裏面用フィルムが吸湿して、常態以上の含水率になる場合がある。この様な高含水率の状態で加熱されると、半導体裏面用フィルム２と半導体素子との接着界面に水蒸気が溜まり、浮きが発生する場合がある。従って、半導体裏面用フィルムとしては、透湿性の高いコア材料を両面に設けた構成とすることにより、水蒸気が拡散して、かかる問題を回避することが可能となる。かかる観点から、コア材料の片面又は両面に半導体裏面用フィルムを形成した多層構造を半導体裏面用フィルムとして用いてもよい。前記コア材料としては、フィルム（例えばポリイミドフィルム、ポリエステルフィルム、ポリエチレンテレフタレートフィルム、ポリエチレンナフタレートフィルム、ポリカーボネートフィルム等）、ガラス繊維やプラスチック製不織繊維で強化された樹脂基板、シリコン基板又はガラス基板等が挙げられる。

半導体裏面用フィルム２の厚さ（積層フィルムの場合は総厚）は特に限定されないが、例えば、２μｍ〜２００μｍ程度の範囲から適宜選択することができる。更に、前記厚さは４μｍ〜１６０μｍ程度が好ましく、６μｍ〜１００μｍ程度がより好ましく、１０μｍ〜８０μｍ程度が特に好ましい。

半導体裏面用フィルム２の熱硬化前の２３℃における引張貯蔵弾性率Ｂは、０．０１〜 ４．０ＧＰａの範囲内であることが好ましい。半導体裏面用フィルム２の前記引張貯蔵弾性率Ｂは、０．０５〜３．５ＧＰａの範囲内であることがより好ましく、０．０７〜３．０ＧＰａの範囲内であることがさらに好ましい。前記記引張貯蔵弾性率が０．０１ＧＰａ以上であると、半導体裏面用フィルムが変形することなく所定幅に切断して短冊状にすることができる。一方、前記引張貯蔵弾性率が４．０ＧＰａ以下であると、切断面に割れ、欠けなく所定幅に切断することができる。なお、前述のように、熱硬化性樹脂は、通常、未硬化又は部分硬化の状態であるので、前記引張貯蔵弾性率Ｂは、通常、熱硬化性樹脂が未硬化状態又は部分硬化状態での２３℃における引張貯蔵弾性率となる。

尚、前記引張貯蔵弾性率は、未硬化状態の半導体裏面用フィルムを作製し、レオメトリック社製の動的粘弾性測定装置「Ｓｏｌｉｄ Ａｎａｌｙｚｅｒ ＲＳ Ａ２」を用いて、引張モードにて、サンプル幅：１０ｍｍ、サンプル長さ：２２．５ｍｍ、サンプル厚さ：０．２ｍｍで、周波数：１Ｈｚ、昇温速度：１０℃／分、窒素雰囲気下、所定の温度（２３℃）にて測定して、得られた引張貯蔵弾性率の値とした。

半導体裏面用フィルム２の熱硬化前の２３℃における伸び率Ａは、１〜７００％の範囲内であることが好ましい。半導体裏面用フィルム２の前記伸び率Ａは、１．５〜６００％の範囲内であることがより好ましく、２〜５００％の範囲内であることがさらに好ましい。前記伸び率Ａを１％以上とすることにより、好適に、半導体裏面用フィルム２を所定幅に切断して短冊状にすることができる。一方、前記伸び率Ａを７００％以下とすることにより、半導体裏面用フィルムが変形することなく所定幅に切断して短冊状にすることができる。前記伸び率Ａは、実施例記載の方法によって得ることかできる。

ここで、半導体裏面用フィルム２は単層でもよく複数の層が積層された積層フィルムであってもよいが、積層フィルムの場合、前記引張貯蔵弾性率Ｂは積層フィルム全体として ０．０１〜４．０ＧＰａの範囲内であればよい。また、積層フィルムの場合、前記伸び率Ａは積層フィルム全体として１〜７００％の範囲内であればよい。前記伸び率Ａ及び引張貯蔵弾性率Ｂは、樹脂成分（熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂）の種類やその含有量、シリカフィラー等の充填材の種類やその含有量などによりコントロールすることができる。なお、半導体裏面用フィルム２が複数の層が積層された積層フィルムである場合（半導体裏面用フィルムが積層の形態を有している場合）、その積層形態としては、例えば、ウエハ接着層とレーザーマーク層とからなる積層形態などを例示することができる。また、このようなウエハ接着層とレーザーマーク層との間には、他の層（中間層、光線遮断層、補強層、着色層、基材層、電磁波遮断層、熱伝導層、粘着層など）が設けられていてもよい。なお、ウエハ接着層はウエハに対して優れた密着性（接着性）を発揮する層であり、ウエハの裏面と接触する層である。一方、レーザーマーク層は優れたレーザーマーキング性を発揮する層であり、半導体チップの裏面にレーザーマーキングを行う際に利用される層である。

また、半導体裏面用フィルム２における可視光（波長：４００ｎｍ〜８００ｎｍ）の光線透過率（可視光透過率）は、特に制限されないが、例えば、２０％以下（０％〜２０％）の範囲であることが好ましく、より好ましくは１０％以下（０％〜１０％）、特に好ましくは５％以下（０％〜５％）である。半導体裏面用フィルム２は、可視光透過率が２０％より大きいと、光線通過により、半導体素子に悪影響を及ぼす恐れがある。また、前記可視光透過率（％）は、半導体裏面用フィルム２の樹脂成分の種類やその含有量、着色剤（顔料や染料など）の種類やその含有量、無機充填材の含有量などによりコントロールすることができる。

半導体裏面用フィルム２の可視光透過率（％）は、次の通りにして測定することができる。即ち、厚さ（平均厚さ）２０μｍの半導体裏面用フィルム２単体を作製する。次に、半導体裏面用フィルム２に対し、波長：４００ｎｍ〜８００ｎｍの可視光線［装置：島津製作所製の可視光発生装置（商品名「ＡＢＳＯＲＰＴＩＯＮ ＳＰＥＣＴＲＯ ＰＨＯＴＯＭＥＴＲ」）］を所定の強度で照射し、透過した可視光線の強度を測定する。更に、可視光線が半導体裏面用フィルム２を透過する前後の強度変化より、可視光透過率の値を求めることができる。尚、２０μｍの厚さでない半導体裏面用フィルム２の可視光透過率（％；波長：４００ｎｍ〜８００ｎｍ）の値により、厚さ：２０μｍの半導体裏面用フィルム２の可視光透過率（％；波長：４００ｎｍ〜８００ｎｍ）を導き出すことも可能である。また、本発明では、厚さ２０μｍの半導体裏面用フィルム２の場合における可視光透過率（％）を求めているが、本発明に係る半導体裏面用フィルムは厚さ２０μｍのものに限定される趣旨ではない。

また、半導体裏面用フィルム２としては、その吸湿率が低い方が好ましい。具体的には、前記吸湿率は１重量％以下が好ましく、より好ましくは０．８重量％以下である。前記吸湿率を１重量％以下にすることにより、レーザーマーキング性を向上させることができる。また、例えば、リフロー工程に於いて、半導体裏面用フィルム２と半導体素子との間でボイドの発生などを抑制又は防止することもできる。尚、前記吸湿率は、半導体裏面用フィルム２を、温度８５℃、相対湿度８５％ＲＨの雰囲気下で１６８時間放置する前後の重量変化により算出した値である。半導体裏面用フィルム２が熱硬化性樹脂を含む樹脂組成物により形成されている場合、前記吸湿率は、熱硬化後の半導体裏面用フィルムに対し、温度８５℃、相対湿度８５％ＲＨの雰囲気下で１６８時間放置したときの値を意味する。また、前記吸湿率は、例えば、無機フィラーの添加量を変化させることにより調整することができる。

また、半導体裏面用フィルム２としては、揮発分の割合が少ない方が好ましい。具体的には、加熱処理後の半導体裏面用フィルム２の重量減少率（重量減少量の割合）が１重量％以下が好ましく、０．８重量％以下がより好ましい。加熱処理の条件は、例えば、加熱温度２５０℃、加熱時間１時間である。前記重量減少率を１重量％以下にすることにより、レーザーマーキング性を向上させることができる。また、例えば、リフロー工程に於いて、フリップチップ型の半導体装置にクラックが発生するのを抑制又は防止することができる。前記重量減少率は、例えば、鉛フリーハンダリフロー時のクラック発生を減少させ得る無機物を添加することにより、調整することができる。なお、半導体裏面用フィルム２が熱硬化性樹脂を含む樹脂組成物により形成されている場合、前記重量減少率は、熱硬化後の半導体裏面用フィルムに対し、加熱温度２５０℃、加熱時間１時間の条件下で加熱したときの値を意味する。

前記半導体裏面用フィルム２は、一方の面にセパレータが積層された状態、すなわち、半導体装置製造用フィルム４０の形態でロール状に巻回されていることが好ましい。これにより、半導体裏面用フィルム２のセパレータ４２が積層されていない側の面を、当該表面側に位置するセパレータ４２（セパレータ４２の裏面）に当接させ、実用に供するまで半導体裏面用フィルムを保護することができる。特に、半導体裏面用フィルム２は、貼着される半導体素子の裏面の形状に合わせて切断された後、当該半導体素子に貼着される。そのため、半導体装置製造用フィルム４０は、半導体素子の幅（縦幅又は横幅）に合わせて所定幅に切断し、短冊状半導体裏面用フィルムの状態でロール状に巻回されていることがより好ましい。なお、前記半導体裏面用フィルム２は、両面にセパレータが積層された状態でロール状に巻回されていてもよい。

（セパレータ）
セパレータ４２としては、例えば、紙などの紙系基材；布、不織布、フェルト、ネットなどの繊維系基材；金属箔、金属板などの金属系基材；プラスチックのフィルムやシートなどのプラスチック系基材；ゴムシートなどのゴム系基材；発泡シートなどの発泡体や、これらの積層体［特に、プラスチック系基材と他の基材との積層体や、プラスチックフィルム（又はシート）同士の積層体など］等の適宜な薄葉体を用いることができる。本発明では、基材としては、プラスチックのフィルムやシートなどのプラスチック系基材を好適に用いることができる。このようなプラスチック材における素材としては、例えば、ポリエチレン（ＰＥ）、ポリプロピレン（ＰＰ）、エチレン−プロピレン共重合体等のオレフィン系樹脂；エチレン−酢酸ビニル共重合体（ＥＶＡ）、アイオノマー樹脂、エチレン−（メタ）アクリル酸共重合体、エチレン−（メタ）アクリル酸エステル（ランダム、交互）共重合体等のエチレンをモノマー成分とする共重合体；ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリブチレンテレフタレート（ＰＢＴ）等のポリエステル；アクリル系樹脂；ポリ塩化ビニル（ＰＶＣ）；ポリウレタン；ポリカーボネート；ポリフェニレンスルフィド（ＰＰＳ）；ポリアミド（ナイロン）、全芳香族ポリアミド（アラミド）等のアミド系樹脂；ポリエーテルエーテルケトン（ＰＥＥＫ）；ポリイミド；ポリエーテルイミド；ポリ塩化ビニリデン；ＡＢＳ（アクリロニトリル−ブタジエン−スチレン共重合体）；セルロース系樹脂；シリコーン樹脂；フッ素樹脂などが挙げられる。セパレータ４２は単層であってもよく２種以上の複層でもよい。セパレータ４２は、半導体装置製造用フィルム４０の状態で半導体裏面用フィルム２とともに半導体素子の表面の形状に合わせて切断された後、半導体裏面用フィルム２とともに半導体素子に貼り着けられる。その後、リフロー工程の前、又は、後に、半導体裏面用フィルム２から剥離される。なお、セパレータ４２の製造方法としては、従来公知の方法により形成することができる。

セパレータ４２は、両面が剥離処理されていてもよい。セパレータ４２の両面が剥離処理されていると前記半導体裏面用フィルム２の一方の面のみにセパレータが積層された状態、すなわち、半導体装置製造用フィルム４０の形態でロール状に巻回すことができ、チップ形状に切断し、チップ裏面に貼着する際にもう一方の面のセパレータを剥離する工程を無くすことができる。

前記剥離処理に用いられる離型剤としては、フッ素系剥離剤、長鎖アルキルアクリレート系剥離剤、シリコーン系離型剤等を挙げることができる。なかでも、シリコーン系剥離剤が好ましい。セパレータ４２が、シリコーン系剥離剤により剥離処理が施されていると、半導体裏面用フィルムからセパレータ４２を容易に剥離することができる。

セパレータ４２の厚さは、特に制限されないが、７〜４００μｍが好ましく、１０〜３００μｍがより好ましく、２０〜２００μｍがさらに好ましい。

なお、半導体装置製造用フィルム４０の厚さ（半導体裏面用フィルム２の厚さと、セパレータ４２との厚さの総厚）としては、例えば、９μｍ〜６００μｍとすることができ、１４μｍ〜４６０μｍとすることが好ましい。

（フリップチップ型半導体裏面用フィルムの製造方法）
半導体裏面用フィルム２は、半導体裏面用フィルム２を形成する為の形成材料を剥離紙上に乾燥後の厚みが所定厚みとなる様に塗布し、更に所定条件下で乾燥することによって得られる。

（半導体装置製造用フィルムの製造方法）
また、半導体裏面用フィルム２は、その一方の面にセパレータ４２が積層された半導体装置製造用フィルム４０の形態とする場合には、以下のようにして製造することができる。この場合について、図１に示す半導体装置製造用フィルム４０を例にして説明する。先ず、セパレータ４２は、従来公知の製膜方法により製膜することができる。当該製膜方法としては、例えばカレンダー製膜法、有機溶媒中でのキャスティング法、密閉系でのインフレーション押出法、Ｔダイ押出法、共押出し法、ドライラミネート法等が例示できる。次に、必要に応じてセパレータ４２の片面又は両面に離型剤を塗布する剥離処理を行う。

次に、半導体裏面用フィルム２を形成する為の形成材料を剥離紙上に乾燥後の厚みが所定厚みとなる様に塗布し、更に所定条件下で乾燥して、塗布層を形成する。この塗布層をセパレータ４２上に転写することにより、半導体裏面用フィルム２の一方の面に、セパレータ４２が積層された半導体装置製造用フィルム４０が得られる。なお、セパレータ４２上に、半導体裏面用フィルム２を形成する為の形成材料を直接塗布した後、所定条件下で乾燥する（熱硬化が必要な場合などでは、必要に応じて加熱処理を施して乾燥する）ことによっても、半導体装置製造用フィルム４０を得ることができる。なお、半導体裏面用フィルム２を形成する際に熱硬化を行う場合、部分硬化の状態となる程度で熱硬化を行うことが重要であるが、好ましくは熱硬化を行わない。

（半導体ウエハ）
半導体ウエハとしては、公知乃至慣用の半導体ウエハであれば特に制限されず、各種素材の半導体ウエハから適宜選択して用いることができる。本発明では、半導体ウエハとしては、シリコンウエハを好適に用いることができる。

（短冊状半導体裏面用フィルムの製造方法）
短冊状半導体裏面用フィルムは、半導体裏面用フィルム２を、所定幅に切断することにより得ることができる。このような切断には、例えば、スリッターや裁断装置を用いることができる。半導体裏面用フィルム２は、上述したように、熱硬化前の２３℃における伸び率Ａと、熱硬化前の２３℃における引張貯蔵弾性率Ｂとの比、すなわち、Ａ／Ｂが１〜8×10^３（％／ＧＰａ）の範囲内であるため、ある程度の硬さを有し、かつ、ある程度伸びる性質を有する。その結果、優れた幅精度で所定幅に切断することができる。なお、短冊状半導体裏面用フィルムは、セパレータ付の状態、すなわち、半導体装置製造用フィルム４０の状態で所定幅に切断してもよく、短冊状半導体裏面用フィルム単体の状態で所定幅に切断してもよい。

（半導体装置の製造方法）
本実施の形態に係る半導体装置の製造方法について、図２及び図３を参照しながら以下に説明する。図２及び図３は、図１に示した半導体装置製造用フィルムを用いた場合の半導体装置の製造方法を示す断面模式図である。

本実施の形態に係る半導体装置は、前記冊状半導体裏面用フィルムの製造方法により製造された短冊状半導体裏面用フィルムを用いて製造することができる。具体的には、ダイシングテープ上に半導体ウエハを貼着する工程と、前記半導体ウエハをダイシングする工程と、ダイシングにより得られた半導体素子をピックアップする工程と、前記半導体素子を被着体上にフリップチップ接続する工程と、前記半導体素子の裏面の形状に合わせて切断された前記冊状半導体裏面用フィルムを、前記半導体素子の裏面に貼着する工程とを少なくとも具備する。

［マウント工程］
先ず、図２（ａ）で示されるように、基材３１上に粘着剤層３２が設けられた従来公知のダイシングテープ３に半導体ウエハ４を貼着して、これを固定する（マウント工程）。なお、ダイシングテープ３は、半導体ウエハ４の裏面に貼着される。半導体ウエハ４の裏面とは、回路面とは反対側の面（非回路面、非電極形成面などとも称される）を意味する。貼着方法は特に限定されないが、圧着による方法が好ましい。圧着は、通常、圧着ロール等の押圧手段により押圧しながら行われる。

［ダイシング工程」
次に、図２（ｂ）で示されるように、半導体ウエハ４のダイシングを行う。これにより、半導体ウエハ４を所定のサイズに切断して個片化（小片化）し、半導体チップ５を製造する。ダイシングは、例えば、半導体ウエハ４の回路面側から常法に従い行われる。また、本工程では、例えば、ダイシングテープ３まで切込みを行うフルカットと呼ばれる切断方式等を採用できる。本工程で用いるダイシング装置としては特に限定されず、従来公知のものを用いることができる。

なお、ダイシングテープ３のエキスパンドを行う場合、該エキスパンドは従来公知のエキスパンド装置を用いて行うことができる。エキスパンド装置は、ダイシングリングを介してダイシングテープ３を下方へ押し下げることが可能なドーナッツ状の外リングと、外リングよりも径が小さくダイシングテープ３を支持する内リングとを有している。このエキスパンド工程により、後述のピックアップ工程において、隣り合う半導体チップ同士が接触して破損するのを防ぐことが出来る。

［ピックアップ工程］
ダイシングテープ３に接着固定された半導体チップ５を回収する為に、図２（ｃ）で示されるように、半導体チップ５のピックアップを行って、半導体チップ５をダイシングテープ３より剥離させる。ピックアップの方法としては特に限定されず、従来公知の種々の方法を採用できる。例えば、個々の半導体チップ５をダイシングテープ３の基材３１側からニードルによって突き上げ、突き上げられた半導体チップ５をピックアップ装置によってピックアップする方法等が挙げられる。

［フリップチップ接続工程］
ピックアップした半導体チップ５は、図２（ｄ）で示されるように、基板等の被着体に、フリップチップボンディング方式（フリップチップ実装方式）により固定させる。具体的には、半導体チップ５を、半導体チップ５の回路面（表面、回路パターン形成面、電極形成面などとも称される）が被着体６と対向する形態で、被着体６に常法に従い固定させる。例えば、半導体チップ５の回路面側に形成されているバンプ５１を、被着体６の接続パッドに被着された接合用の導電材（半田など）６１に接触させて押圧しながら導電材を溶融させることにより、半導体チップ５と被着体６との電気的導通を確保し、半導体チップ５を被着体６に固定させることができる（フリップチップボンディング工程）。このとき、半導体チップ５と被着体６との間には空隙が形成されており、その空隙間距離は、一般的に３０μｍ〜３００μｍ程度である。尚、半導体チップ５を被着体６上にフリップチップボンディング（フリップチップ接続）した後は、半導体チップ５と被着体６との対向面や間隙を洗浄し、該間隙に封止材（封止樹脂など）を充填させて封止することが重要である。

被着体６としては、リードフレームや回路基板（配線回路基板など）等の各種基板を用いることができる。このような基板の材質としては、特に限定されるものではないが、セラミック基板や、プラスチック基板が挙げられる。プラスチック基板としては、例えば、エポキシ基板、ビスマレイミドトリアジン基板、ポリイミド基板等が挙げられる。

フリップチップボンディング工程において、バンプや導電材の材質としては、特に限定されず、例えば、錫−鉛系金属材、錫−銀系金属材、錫−銀−銅系金属材、錫−亜鉛系金属材、錫−亜鉛−ビスマス系金属材等の半田類（合金）や、金系金属材、銅系金属材などが挙げられる。

なお、フリップチップボンディング工程では、導電材を溶融させて、半導体チップ５の回路面側のバンプと、被着体６の表面の導電材とを接続させているが、この導電材の溶融時の温度としては、通常、２６０℃程度（例えば、２５０℃〜３００℃）となっている。

本工程では、半導体チップ５と被着体６との対向面（電極形成面）や間隙の洗浄を行うのが好ましい。当該洗浄に用いられる洗浄液としては、特に制限されず、例えば、有機系の洗浄液や、水系の洗浄液が挙げられる。

次に、フリップチップボンディングされた半導体チップ５と被着体６との間の間隙を封止するための封止工程を行う。封止工程は、封止樹脂を用いて行われる。このときの封止条件としては特に限定されないが、通常、１７５℃で６０秒間〜９０秒間の加熱を行うことにより、封止樹脂の熱硬化が行われるが、本発明はこれに限定されず、例えば１６５℃〜１８５℃で、数分間キュアすることができる。

前記封止樹脂としては、絶縁性を有する樹脂（絶縁樹脂）であれば特に制限されず、公知の封止樹脂等の封止材から適宜選択して用いることができるが、弾性を有する絶縁樹脂がより好ましい。封止樹脂としては、例えば、エポキシ樹脂を含む樹脂組成物等が挙げられる。エポキシ樹脂としては、前記に例示のエポキシ樹脂等が挙げられる。また、エポキシ樹脂を含む樹脂組成物による封止樹脂としては、樹脂成分として、エポキシ樹脂以外に、エポキシ樹脂以外の熱硬化性樹脂（フェノール樹脂など）や、熱可塑性樹脂などが含まれていてもよい。なお、フェノール樹脂としては、エポキシ樹脂の硬化剤としても利用することができ、このようなフェノール樹脂としては、前記に例示のフェノール樹脂などが挙げられる。

次に、前記冊状半導体裏面用フィルムを、半導体チップ５の裏面の形状に合わせて切断する。この切断は、トムソン刃などの打抜き刃やレーザーを用いることにより行うことができる。

次に、図３（ａ）で示されるように、フリップチップボンディングされた半導体チップ５の裏面に、セパレータ４２付きの切断した前記冊状半導体裏面用フィルム（個片化された半導体装置製造用フィルム４０）を貼着する。

次に、図３（ｂ）で示されるように、半導体チップ５の裏面に貼り着けられた半導体装置製造用フィルム４０から、セパレータ４２を剥離する。

前記半導体装置製造用フィルム４０を用いて製造された半導体装置（フリップチップ実装の半導体装置）は、半導体チップの裏面に半導体裏面用フィルムが貼着されているため、各種マーキングを優れた視認性で施すことができる。特に、マーキング方法がレーザーマーキング方法であっても、優れたコントラスト比でマーキングを施すことができ、レーザーマーキングにより施された各種情報（文字情報、図研情報など）を良好に視認することが可能である。なお、レーザーマーキングを行う際には、公知のレーザーマーキング装置を利用することができる。また、レーザーとしては、気体レーザー、個体レーザー、液体レーザーなどの各種レーザーを利用することができる。具体的には、気体レーザーとしては、特に制限されず、公知の気体レーザーを利用することができるが、炭酸ガスレーザー（ＣＯ_２レーザー）、エキシマレーザー（ＡｒＦレーザー、ＫｒＦレーザー、ＸｅＣｌレーザー、ＸｅＦレーザーなど）が好適である。また、固体レーザーとしては、特に制限されず、公知の固体レーザーを利用することができるが、ＹＡＧレーザー（Ｎｄ：ＹＡＧレーザーなど）、ＹＶＯ_４レーザーが好適である。

なお、半導体裏面用フィルム２にレーザーマーキングした後、必要に応じて、熱処理（レーザーマーキングした後に行われるリフロー工程）を行ってもよい。この熱処理条件としては特に限定されないが、半導体技術協会（ＪＥＤＥＣ）による規格に準じて行うことができる。例えば、温度（上限）が２１０〜２７０℃の範囲で、その時間が５〜５０秒で行うことができる。当該工程により、半導体パッケージを基板（マザーボードなど）に実装することができる。

上述した半導体装置の製造方法では、フリップチップボンディングされた半導体チップ５と被着体６との間の間隙を封止するための封止工程を行った後に、半導体チップ５の裏面に、半導体裏面用フィルム２（半導体装置製造用フィルム４０）を貼着する場合について説明した。しかしながら、本発明において、半導体チップの裏面に、フリップチップ型半導体裏面用フィルムを貼着するタイミングは、この例に限定されず、例えば、前記封止工程よりも前であってもよい。

上述した半導体装置の製造方法では、半導体チップ５の裏面に、セパレータ４２付きの半導体裏面用フィルム２（個片化された半導体装置製造用フィルム４０）を貼着する場合について説明したが、本発明においては、この例に限定されず、半導体素子の裏面に、半導体素子の裏面の形状に合わせて切断されたフリップチップ型半導体裏面用フィルムを単体で貼着することとしてもよい。

本発明の半導体装置製造用フィルムを用いて製造された半導体装置は、フリップチップ実装方式で実装された半導体装置であるので、ダイボンディング実装方式で実装された半導体装置よりも、薄型化、小型化された形状となっている。このため、各種の電子機器・電子部品又はそれらの材料・部材として好適に用いることができる。具体的には、本発明のフリップチップ実装の半導体装置が利用される電子機器としては、いわゆる「携帯電話」や「ＰＨＳ」、小型のコンピュータ（例えば、いわゆる「ＰＤＡ」（携帯情報端末）、いわゆる「ノートパソコン」、いわゆる「ネットブック（商標）」、いわゆる「ウェアラブルコンピュータ」など）、「携帯電話」及びコンピュータが一体化された小型の電子機器、いわゆる「デジタルカメラ（商標）」、いわゆる「デジタルビデオカメラ」、小型のテレビ、小型のゲーム機器、小型のデジタルオーディオプレイヤー、いわゆる「電子手帳」、いわゆる「電子辞書」、いわゆる「電子書籍」用電子機器端末、小型のデジタルタイプの時計などのモバイル型の電子機器（持ち運び可能な電子機器）などが挙げられるが、もちろん、モバイル型以外（設置型など）の電子機器（例えば、いわゆる「ディスクトップパソコン」、薄型テレビ、録画・再生用電子機器（ハードディスクレコーダー、ＤＶＤプレイヤー等）、プロジェクター、マイクロマシンなど）などであってもよい。また、電子部品又は、電子機器・電子部品の材料・部材としては、例えば、いわゆる「ＣＰＵ」の部材、各種記憶装置（いわゆる「メモリー」、ハードディスクなど）の部材などが挙げられる。

以下に、この発明の好適な実施例を例示的に詳しく説明する。但し、この実施例に記載されている材料や配合量等は、特に限定的な記載がない限りは、この発明の範囲をそれらのみに限定する趣旨のものではなく、単なる説明例に過ぎない。また、各例中、部は特記がない限りいずれも重量基準である。

（実施例１）
＜フリップチップ型半導体裏面用フィルムの作製＞
エポキシ樹脂（商品名「ＨＰ４０３２Ｄ」ＤＩＣ株式会社製）：１００部に対して、フェノキシ樹脂（商品名「ＥＰ４２５０」ＪＥＲ株式会社製）：４０部、フェノール樹脂（商品名「ＭＥＨ−８０００」明和化成株式会社製）：１２９部、球状シリカ（商品名「ＳＯ−２５Ｒ」株式会社アドマテックス製）：１１３７部、染料（商品名「ＯＩＬ ＢＬＡＣＫ ＢＳ」オリエント化学工業株式会社製）：１４部、硬化触媒１部(商品名「２ＰＨＺ−ＰＷ」四国化成製)をメチルエチルケトンに溶解して、固形分濃度が２３．６重量％となる樹脂組成物の溶液（「樹脂組成物溶液Ａ」と称する場合がある）を調製した。

上記樹脂組成物溶液Ａを、シリコーン離型処理した厚さが５０μｍのポリエチレンテレフタレートフィルムからなる第１セパレータ上に塗布し、１３０℃で２分間乾燥させた。次に、シリコーン離型処理した厚さが５０μｍのポリエチレンテレフタレートフィルムからなる第２セパレータを６０℃で貼り合わせることにより、厚さ2０μｍのフリップチップ型半導体裏面用フィルム（「半導体裏面用フィルムＡと称する場合がある」を作製した。

（実施例２）
＜フリップチップ型半導体裏面用フィルムの作製＞
アクリル酸エチル−メチルメタクリレートを主成分とするアクリル酸エステル系ポリマー（商品名「パラクロンＷ−１９７ＣＭ」根上工業株式会社製）：１００部に対して、エポキシ樹脂（商品名「エピコート１００４」ＪＥＲ株式会社製）：４８部、フェノール樹脂（商品名「ミレックスＸＬＣ−４Ｌ」三井化学株式会社製）：５５部、球状シリカ（商品名「ＳＯ−２５Ｒ」株式会社アドマテックス製）：１３５部、染料１（商品名「ＯＩＬ ＧＲＥＥＮ ５０２」オリエント化学工業株式会社製）：５部、染料２（商品名「ＯＩＬ ＢＬＡＣＫ ＢＳ」オリエント化学工業株式会社製）：５部をメチルエチルケトンに溶解して、固形分濃度が２３．６重量％となる樹脂組成物の溶液（「樹脂組成物溶液Ｂ」と称する場合がある）を調製した。

上記樹脂組成物溶液Ｂを、シリコーン離型処理した厚さが５０μｍのポリエチレンテレフタレートフィルムからなる第１セパレータ上に塗布し、１３０℃で２分間乾燥させた。次に、シリコーン離型処理した厚さが５０μｍのポリエチレンテレフタレートフィルムからなる第２セパレータを６０℃で貼り合わせることによりことにより、厚さ２０μｍのフリップチップ型半導体裏面用フィルム（「フリップチップ型半導体裏面用フィルムＢと称する場合がある」を作製した。

（実施例３）
＜フリップチップ型半導体裏面用フィルムの作製＞
アクリル酸エチル−メチルメタクリレートを主成分とするアクリル酸エステル系ポリマー（商品名「パラクロンＷ−１９７ＣＭ」根上工業株式会社製）：１００部に対して、エポキシ樹脂（商品名「エピコート１００４」ＪＥＲ株式会社製）：１２部、フェノール樹脂（商品名「ミレックスＸＬＣ−４Ｌ」三井化学株式会社製）：１３部、球状シリカ（商品名「ＳＯ−２５Ｒ」株式会社アドマテックス製）：１８０部、染料１（商品名「ＯＩＬ ＧＲＥＥＮ ５０２」オリエント化学工業株式会社製）：５部、染料２（商品名「ＯＩＬ ＢＬＡＣＫ ＢＳ」オリエント化学工業株式会社製）：５部をメチルエチルケトンに溶解して、固形分濃度が２３．６重量％となる樹脂組成物の溶液（「樹脂組成物溶液Ｃ」と称する場合がある）を調製した。

上記樹脂組成物溶液Ｃを、シリコーン離型処理した厚さが５０μｍのポリエチレンテレフタレートフィルムからなる第１セパレータ上に塗布し、１３０℃で２分間乾燥させた。次に、シリコーン離型処理した厚さが５０μｍのポリエチレンテレフタレートフィルムからなる第２セパレータを６０℃で貼り合わせることにより厚さ２０μｍのフリップチップ型半導体裏面用フィルム（「半導体裏面用フィルムＣと称する場合がある」を作製した。

（比較例１）
＜フリップチップ型半導体裏面用フィルムの作製＞
アクリル酸エチル−メチルメタクリレートを主成分とするアクリル酸エステル系ポリマー（商品名「パラクロンＷ−１９７ＣＭ」根上工業株式会社製）：１００部に対して、エポキシ樹脂（商品名「エピコート１００４」ＪＥＲ株式会社製）：１１３部、フェノール樹脂（商品名「ミレックスＸＬＣ−４Ｌ」三井化学株式会社製）：１２１部、球状シリカ（商品名「ＳＯ−２５Ｒ」株式会社アドマテックス製）：２４６部、染料１（商品名「ＯＩＬ ＧＲＥＥＮ ５０２」オリエント化学工業株式会社製）：５部、染料２（商品名「ＯＩＬ ＢＬＡＣＫ ＢＳ」オリエント化学工業株式会社製）：５部をメチルエチルケトンに溶解して、固形分濃度が２３．６重量％となる樹脂組成物の溶液（「樹脂組成物溶液Ｄ」と称する場合がある）を調製した。

上記樹脂組成物溶液Ｄを、シリコーン離型処理した厚さが５０μｍのポリエチレンテレフタレートフィルムからなる第１セパレータ上に塗布し、１３０℃で２分間乾燥させた。次に、シリコーン離型処理した厚さが５０μｍのポリエチレンテレフタレートフィルムからなる第２セパレータを６０℃で貼り合わせることにより、厚さ2０μｍのフリップチップ型半導体裏面用フィルム（「半導体裏面用フィルムＤと称する場合がある」を作製した。

（評価）
実施例１〜３及び比較例１で作製したフリップチップ型半導体裏面用フィルムについて、引張貯蔵弾性率、伸び率、スリット性を、下記の評価又は測定方法により評価又は測定した。評価又は測定結果は表１に併記した。

＜熱硬化前の２３℃における引張貯蔵弾性率の測定＞
フリップチップ型半導体裏面用フィルムの熱硬化前の２３℃における引張貯蔵弾性率Ｂは、フリップチップ型半導体裏面用フィルムを単体で作製し、レオメトリック社製の動的粘弾性測定装置「Ｓｏｌｉｄ Ａｎａｌｙｚｅｒ ＲＳ Ａ２」を用いて測定した。測定用サンプルは、サンプル幅：１０ｍｍ、サンプル長さ：２２．５ｍｍ、サンプル厚さ：０．２ｍｍとした。測定条件は、引張モードにて、周波数：１Ｈｚ、昇温速度：１０℃／分、窒素雰囲気下、２３℃とした。

＜熱硬化前の２３℃における伸び率の測定＞
フリップチップ型半導体裏面用フィルムの伸び率Ａは、フリップチップ型半導体裏面用フィルムを単体で作製し、レオメトリック社製の動的粘弾性測定装置「Ｓｏｌｉｄ Ａｎａｌｙｚｅｒ ＲＳ Ａ２」を用いて測定した。測定用サンプルは、サンプル幅：１０ｍｍ、サンプル長さ：２０ｍｍ、サンプル厚さ：０．２ｍｍとした。測定は、上記動的粘弾性測定装置を用いて上下チャック間距離が１０ｍｍとなるようにサンプルを挟み、引張速度：５０mm/sにて行い、得られた破断点伸び率の値を伸び率Ａとした。

＜スリット性の評価方法＞
各実施例及び比較例に係るフリップチップ型半導体裏面用フィルムを用いて、スリッターにて9mm幅に切断し、短冊状のウエハ裏面保護フィルムを作製した。スリッターの切断条件は、２０m/minとした。
（スリット性の評価基準）
○：スリット後のフリップチップ型半導体裏面用フィルムの端面に欠け、又は、割れが発生しなかった。
×：スリット後のフリップチップ型半導体裏面用フィルムの端面に欠け、又は、割れが発生した。

２ フリップチップ型半導体裏面用フィルム
４ 半導体ウエハ
４０ 半導体装置製造用フィルム
４２ セパレータ
５ 半導体チップ
５１ 半導体チップ５の回路面側に形成されているバンプ
６ 被着体
６１ 被着体６の接続パッドに被着された接合用の導電材

Claims (5)

1. 被着体上にフリップチップ接続された半導体素子の裏面に形成するためのフリップチップ型半導体裏面用フィルムであって、
   前記フリップチップ型半導体裏面用フィルムの熱硬化前の２３℃における伸び率をＡ（％）とし、前記フリップチップ型半導体裏面用フィルムの熱硬化前の２３℃における引張貯蔵弾性率をＢ（ＧＰａ）としたときに、Ａ／Ｂが１〜8×10^３（％／ＧＰａ）の範囲内であることを特徴とするフリップチップ型半導体裏面用フィルム。
2. 前記引張貯蔵弾性率は、０．０１〜４．０ＧＰａの範囲内であることを特徴とする請求項１に記載のフリップチップ型半導体裏面用フィルム。
3. 前記フリップチップ型半導体裏面用フィルムは、エポキシ樹脂とフェノール樹脂とを含有しており、
   前記エポキシ樹脂と前記フェノール樹脂との合計が、フリップチップ型半導体裏面用フィルムの全樹脂成分に対して、５〜９０重量％の範囲内であり、
   前記エポキシ樹脂及び前記フェノール樹脂は、融点が２５℃以下であることを特徴とする請求項１又は２に記載のフリップチップ型半導体裏面用フィルム。
4. 請求項１〜３のいずれか１に記載のフリップチップ型半導体裏面用フィルムを所定幅に切断して短冊状半導体裏面用フィルムを得る工程を具備することを特徴とする短冊状半導体裏面用フィルムの製造方法。
5. 請求項４に記載の短冊状半導体裏面用フィルムの製造方法により製造された短冊状半導体裏面用フィルムを用いて製造されたものであることを特徴とするフリップチップ型半導体装置。
   

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