JP2012026741A - プローブ基板及びプローブカードの製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 サブ基板2上にプローブ基板3が配設され、サブ基板2及びプローブ基板3が電気的に接続されたプローブカードにおいて、プローブ基板3上に形成された電気めっき用の下地膜17,18が互いに分離され、下地膜17上にボンディング電極12が形成され、下地膜18上にコンタクトプローブ11が形成される。ボンディング電極12は、抵抗膜14を介してコンタクトプローブ11と導通し、サブ基板2上の配線とも導通している。
【選択図】 図3
Description
2 サブ基板
3 プローブ基板
10 外部端子
11 コンタクトプローブ
111 コンタクト部
112 ビーム部
113 ベース部
114 ベース脚部
115 プローブ電極
12 ボンディング電極
14 抵抗膜
16 配線パターン
17〜19 下地膜
21 ボンディング電極
22 導電性ワイヤ
51,54 金属膜(スパッタリングによるもの)
52,53,61〜66 めっき層
70〜73 犠牲層
100 プローブカード
Claims (2)
- プローブ基板上に設けられ、プローブが形成される第1導電領域と、
上記プローブ基板上に第1導電領域から離れて設けられ、入出力端子が形成される第2導電領域と、
第1導電領域及び第2導電領域よりも電気抵抗率の高い導電部材によって第1導電領域及び第2導電領域を接続する抵抗領域とを備えたことを特徴とするプローブ基板。 - プローブ基板上に互いに離間した第1導電層及び第2導電層を形成するステップと、
第1導電層及び第2導電層の形成後のプローブ基板上に、第1導電層及び第2導電層よりも電気抵抗率の高い導電部材によって第1導電層及び第2導電層を接続する抵抗膜を形成するステップと、
上記抵抗膜の形成後のプローブ基板を加熱し、上記抵抗膜を一定温度でアニールするステップと、
上記抵抗膜のアニール処理後、電気めっきにより第1導電層上にプローブを形成するステップと、
上記プローブの形成後のプローブ基板を配線基板上に配設するステップとからなることを特徴とするプローブカードの製造方法。
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