JP2012023357A5 - 光電変換装置 - Google Patents

Claims (5)

1. 基板上の、第１の電極と、
   前記基板上の、第２の電極と、
   前記第１の電極上の、第１の半導体層と、
   前記第１の半導体層上の、第２の半導体層と、
   前記第２の半導体層上の、第３の半導体層と、
   前記第２の電極上の、第４の半導体層と、
   前記第４の半導体層上の、第５の半導体層と、
   前記第５の半導体層上の、第６の半導体層と、
   絶縁体と、
   前記絶縁体上の、第３の電極と、
   前記第３の電極上の、第４の電極と、を有し、
   前記第１の半導体層は、第１の導電型を有し、
   前記第２の半導体層は、真性半導体を有し、
   前記第３の半導体層は、第２の導電型を有し、
   前記第４の半導体層は、前記第１の導電型を有し、
   前記第５の半導体層は、真性半導体を有し、
   前記第６の半導体層は、前記第２の導電型を有し、
   前記第１の導電型は、前記第２の導電型と、異なる導電型であり、
   前記第１の電極と、前記第２の電極との間には、溝があり、
   前記絶縁体は、前記溝を充填しており、
   前記絶縁体は、前記第１の電極の一部、及び前記第２の電極の一部を覆う領域を有し、
   前記絶縁体は、前記第１の半導体層の側面、前記第２の半導体層の側面、及び前記第３の半導体層の側面と接する領域を有し、
   前記第３の電極は、前記絶縁体を覆う領域を有し、
   前記第３の電極は、前記第３の半導体層と電気的に接続され、
   前記第３の電極は、前記第２の電極と電気的に接続され、
   前記第４の電極は、前記第２の電極と電気的に接続され、
   前記第２の半導体層は、結晶化していない側面部を有することを特徴とする光電変換装置。
2. 請求項１において、
   前記第４の電極は、銀ペースト、ニッケルペースト、モリブデンペースト、及び銅ペーストから選ばれた一つ、またはそれらの積層を有することを特徴とする光電変換装置。
3. 基板上の、第１の電極と、
   前記基板上の、第２の電極と、
   前記第１の電極上の、第１の半導体層と、
   前記第１の半導体層上の、第２の半導体層と、
   前記第２の半導体層上の、第３の半導体層と、
   前記第２の電極上の、第４の半導体層と、
   前記第４の半導体層上の、第５の半導体層と、
   前記第５の半導体層上の、第６の半導体層と、
   絶縁体と、
   前記絶縁体上の、第３の電極と、を有し、
   前記第１の半導体層は、第１の導電型を有し、
   前記第２の半導体層は、真性半導体を有し、
   前記第３の半導体層は、第２の導電型を有し、
   前記第４の半導体層は、前記第１の導電型を有し、
   前記第５の半導体層は、真性半導体を有し、
   前記第６の半導体層は、前記第２の導電型を有し、
   前記第１の導電型は、前記第２の導電型と、異なる導電型であり、
   前記第１の電極と、前記第２の電極との間には、溝があり、
   前記絶縁体は、前記溝を充填しており、
   前記絶縁体は、前記第１の電極の一部、及び前記第２の電極の一部を覆う領域を有し、
   前記絶縁体は、前記第１の半導体層の側面、前記第２の半導体層の側面、及び前記第３の半導体層の側面と接する領域を有し、
   前記第３の電極は、前記絶縁体を覆う領域を有し、
   前記第３の電極は、前記第３の半導体層と電気的に接続され、
   前記第３の電極は、前記第２の電極と電気的に接続され、
   前記第２の半導体層は、結晶化していない側面部を有することを特徴とする光電変換装置。
4. 基板上の、第１の電極と、
   前記基板上の、第２の電極と、
   前記第１の電極上の、第１の半導体層と、
   前記第１の半導体層上の、第２の半導体層と、
   前記第２の半導体層上の、第３の半導体層と、
   前記第２の電極上の、第４の半導体層と、
   前記第４の半導体層上の、第５の半導体層と、
   前記第５の半導体層上の、第６の半導体層と、
   絶縁体と、
   前記絶縁体上の、第３の電極と、を有し、
   前記第１の半導体層は、第１の導電型を有し、
   前記第２の半導体層は、真性半導体を有し、
   前記第３の半導体層は、第２の導電型を有し、
   前記第４の半導体層は、前記第１の導電型を有し、
   前記第５の半導体層は、真性半導体を有し、
   前記第６の半導体層は、前記第２の導電型を有し、
   前記第１の導電型は、前記第２の導電型と、異なる導電型であり、
   前記第１の電極と、前記第２の電極との間には、溝があり、
   前記絶縁体は、前記溝を充填しており、
   前記絶縁体は、前記第１の電極の一部、及び前記第２の電極の一部を覆う領域を有し、
   前記絶縁体は、前記第１の半導体層の側面、前記第２の半導体層の側面、及び前記第３の半導体層の側面と接する領域を有し、
   前記第３の電極は、前記絶縁体を覆う領域を有し、
   前記第３の電極は、前記第３の半導体層と電気的に接続され、
   前記第３の電極は、前記第２の電極と電気的に接続され、
   前記第１の半導体層の側面部は、前記溝の側面部より後退していることを特徴とする光電変換装置。
5. 請求項１乃至請求項４のいずれか一において、
   前記第１の半導体層は、中央部と結晶化率が異ならない側面部を有し、
   前記第３の半導体層は、中央部と結晶化率が異ならない側面部を有することを特徴とする光電変換装置。