JP3155459B2 - 集積型非晶質半導体太陽電池の製造方法及び集積型非晶質半導体太陽電池 - Google Patents
集積型非晶質半導体太陽電池の製造方法及び集積型非晶質半導体太陽電池Info
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Description
体太陽電池に関するものであり、特に基板と反対側から
光が入射する集積型非晶質半導体太陽電池に関するもの
である。
反対側から光が入射する、いわゆる逆タイプの集積型非
晶質半導体太陽電池としては、種々の構造の太陽電池が
提案されている。図8は、このような逆タイプの従来の
集積型非晶質半導体太陽電池の一例の構造を示す斜視図
である。基板1の上には、第2裏面電極層6、絶縁膜
5、第1裏面電極層4、半導体層3、及び透明電極層2
がこの順で積層され、光起電力セル10を構成してい
る。光起電力セル10は、複数に分割して形成されてお
り、接続部9で隣り合う光起電力セルと直列に接続され
ている。具体的には、この接続部9において、第1裏面
電極層4がコンタクトホール8を通り、隣り合う光起電
力セル10の第2裏面電極層6と電気的に接続されてい
る。
トホール7を通り、この第2裏面電極層6と電気的に接
続されている。このように多数のコンタクトホール7を
介して透明電極層2と第2裏面電極層6を接続している
理由は、透明電極層2がITOやSnO2 などの導電性
金属酸化物から形成されるため、その比抵抗が高く、透
明電極層2内でのキャリアの移動距離をできるだけ短く
する必要があるからである。このように、図8に示す集
積型非晶質半導体太陽電池においては、多数のコンタク
トホール7を形成し、透明電極層2を第2裏面電極層6
と接続する必要があり、またコンタクトホール7の内部
では透明電極層2と第1裏面電極層4とが電気的に接続
しないように絶縁する必要があった。従って、太陽電池
としての構造が非常に複雑なものとなり、多くの製造工
程が必要になる等の問題があった。
陽電池の他の例を示す斜視図である。図9に示すよう
に、絶縁性基板11の上には、第1裏面電極層14、半
導体層13、及び透明電極層12をこの順で積層するこ
とにより光起電力セル19,20が形成されている。基
板11の反対側には第2裏面電極層16が設けられてお
り、この第2裏面電極層16は隣り合う光起電力セル1
9及び20の間をまたがる領域に設けられている。この
第2裏面電極層16により、隣り合う光起電力セル19
と20とが直列に接続されている。すなわち、光起電力
セル19の透明電極層12は、コンタクトホール17を
通り、第2裏面電極層16と電気的に接続されており、
光起電力セル20の第1裏面電極層14はコンタクトホ
ール18内を通り第2裏面電極層16と電気的に接続さ
れている。図9に示す太陽電池においても、透明電極層
12が高抵抗材料から形成されるため、多数のコンタク
トホール17を形成し、このコンタクトホール17を介
して第2裏面電極層16に接続されている。また図9に
示す太陽電池においては、1つの光起電力セル19,2
0の幅を狭くすることにより、透明電極層12の幅方向
の距離が短くなるように構成されている。光起電力セル
19,20の幅が広くなる場合には、図8に示す太陽電
池と同様に、幅方向にも複数のコンタクトホール17を
設け、透明電極層12内でのキャリアの移動距離が短く
なるように構成されなければならない。
晶質半導体太陽電池においては、透明電極層内をキャリ
アが移動する距離をできるだけ短くする必要があり、こ
のような観点から多数のコンタクトホールを形成した
り、あるいはセルユニットの面積を小さくする必要があ
った。このため、構造が複雑となり、多くの製造工程が
必要になるという問題があった。
池としての特性に優れた集積型非晶質半導体太陽電池を
製造する方法及びその新規な構造を提供することにあ
る。
導体太陽電池の製造方法は、少なくとも表面が絶縁性を
有する基板上に、裏面電極層、非晶質半導体層、及び透
明電極層をこの順次で積層して光起電力セルを形成する
工程と、該光起電力セルの透明電極層、非晶質半導体
層、及び裏面電極層を同一箇所で切断して光起電力セル
を複数の分割セル部に分離する工程と、各分割セル部領
域内の一部の透明電極層及び非晶質半導体層を除去する
ことによって、各分割セル部の接続部となる裏面電極露
出部を各分割セル部の一方の端部の領域に所定間隔で形
成する工程と、各分割セル部の透明電極層の上に集電極
を設け、該集電極の端部を隣り合う分割セル部の裏面電
極露出部まで延ばすことによって、該裏面電極露出部と
直接電気的に接続する工程とを備えている。
複数の分割セル部に分離する工程と、裏面電極露出部を
形成する工程は、どちらの工程が先に行われてもよい。
すなわち、光起電力セルを切断して複数の分割セル部に
分離した後に、裏面電極露出部を形成してもよいし、分
割セル部となる領域内に裏面電極露出部を形成した後
に、複数の分割セル部に分割してもよい。
め光起電力セルを切断する方法としては、好ましくは、
レーザ照射によって切断する方法、またはレーザ照射と
機械的な切断の組み合わせによって切断する方法が採用
される。レーザ照射によって切断する場合、透明電極
層、非晶質半導体層、裏面電極層を一度のレーザ照射に
よって切断してもよいし、各層毎にレーザ照射して切断
してもよい。また、透明電極層と非晶質半導体層とを1
度のレーザ照射で照射し、その後裏面電極層をレーザ照
射で切断してもよい。
などで複数回に分けて光起電力セルを切断する場合に
は、切断の幅を順次狭くするように複数回の切断を行っ
てもよい。例えば、透明電極層、非晶質半導体層、及び
裏面電極層の切断の幅をそれぞれd1、d2、及びd3
とした場合に、d1>d2>d3となるようにそれぞれ
の切断幅を設定し、切断してもよい。このように切断の
幅を順次小さくすることにより切断の際に溶融した材料
が分割セル部の側面に付着するのを防止することができ
る。例えば、裏面電極層を切断する際には、溶融した裏
面電極の金属材料が跳ね上がり、これが分割セル部の側
面に付着することにより透明電極層と接触し短絡を生じ
る場合がある。切断幅を徐々に狭めることにより、この
ような短絡が生じるのを防止することができる。またこ
のように切断幅を徐々に狭めて切断することにより、分
割セル部間の対向する側面はステップ状に形成される。
り形成することができる。例えば、蒸着法やCVD法な
どの薄膜形成法による薄膜で形成することができる。ま
た金属ワイヤーをボンディングすることによって形成し
てもよい。さらには銀ペーストなどの金属ペーストを塗
布することにより導電層を形成し、集電極としてもよ
い。また、半田などの溶融金属を用いて形成してもよ
い。
直接隣り合う分割セル部の裏面電極露出部に接続する。
短絡するおそれがある場合には、少なくとも集電極が設
けられる領域において分割セル部間に絶縁層を設け、分
割セル部の側面を絶縁してもよい。
基板と反対側から入射された光を電気エネルギーに変換
する、いわゆる逆タイプの太陽電池であり、少なくとも
表面が絶縁性を有する基板上に、裏面電極層、非晶質半
導体層、及び透明電極層をこの順で積層して形成した光
起電力セルの透明電極層、非晶質半導体層、及び裏面電
極層を同一箇所で切断することにより複数に分割した分
割セル部と、分割セル部内の一部の透明電極層及び非晶
質半導体層を除去することにより、各分割セル部の一方
の端部の領域に所定間隔で形成された裏面電極露出部
と、分割セル部の透明電極層の上に設けられる集電極と
を備え、集電極の端部が隣り合う分割セル部の裏面電極
露出部まで延び、該裏面電極露出部と直接電気的に接続
されていることを特徴としている。
造方法と同様にして形成することができる。本発明に従
えば、従来の第1及び第2裏面電極層のように複数の裏
面電極層を設ける必要がなく、また複数のコンタクトホ
ールを形成して、これらの裏面電極層と透明電極層とを
接続する必要がない。従って、従来よりも製造工程を少
なくすることができ、その製造が容易になる。
電極が設けられているので、透明電極層内でのキャリア
の移動距離を長くすることなく、電流損失を低減するこ
とができる。
施例の集積型非晶質半導体太陽電池の製造工程を示す平
面図である。図1は、図4に示すA−A線に沿う部分断
面図である。以下、図2〜図4に示す製造工程について
説明する。
この光起電力セルは、図5に示すように、基板21上に
裏面電極層22、非晶質半導体層23、及び透明電極層
24をこの順で積層することにより形成される。本実施
例では、基板21として、ステンレス基板の上にポリイ
ミド樹脂を塗布より形成したものを用いた。また裏面電
極層22は、表1に示す条件でスパッタリング法により
形成した。
で、裏面電極層22の上にn層、i層、p層の順に、R
FプラズマCVD法により形成した。
ッタリング法により形成した。
半導体層23、及び透明電極層24からなる光起電力セ
ル30を形成した後、図2に示すように、これらの各層
を同一箇所の切断部31で切断することにより、分割セ
ル部30a及び30bに分割する。切断は、例えばエキ
シマレーザを用いレーザ照射により行うことができる。
レーザ波長としては308nmの波長を用い、本実施例
において切断幅は透明電極層、非晶質半導体層、及び裏
面電極層のいずれにおいても0.8mmの幅とした。但
し、レーザ強度は透明電極層に対しては0.3〜0.5
J/cm2 とし、非晶質半導体層に対しては0.2〜
0.4J/cm2 、裏面電極層に対しては1.0〜1.
5J/cm2 の強度としている。
a及び30bの一方の端部の領域に所定間隔で裏面電極
露出部32a及び32bを形成した。裏面電極露出部3
2a及び32bは、該当領域の透明電極層及び非晶質半
導体層を除去することにより形成することができる。本
実施例において、裏面電極露出部形成のための透明電極
層及び非晶質半導体層の除去は、切断部31の形成と同
様にエキシマレーザによるレーザの照射により行った。
なお、照射条件は、切断部31を形成する際の透明電極
層及び非晶質半導体層への照射条件と同様にした。ま
た、透明電極層及び非晶質半導体層の除去は、レーザ照
射に限定されるものではなく、例えばフォトリソグラフ
ィ等により行ってもよい。
分割セル部30bの切断部31近傍の領域に、絶縁層2
5を形成する。この絶縁層25は、例えばシリコン系樹
脂を塗布し、塗布後150℃で1時間加熱処理すること
により形成することができる。
aの透明電極層24aの上、及び分割セル部30bの透
明電極層24bの上に、裏面電極露出部32a及び32
bを形成した位置に対応させて、集電極26a及び26
bをそれぞれ形成する。集電極26aの一方端部は裏面
電極露出部32aから所定距離離れた位置まで形成され
ており、他方端部は隣接する分割セル部30bの裏面電
極露出部32bまで延び、裏面電極露出部32bと電気
的に接続している。集電極26bの一方端部は裏面電極
露出部32bから所定距離離れた位置まで延び、他方端
部は分割セル部30bの端まで延びている。
bは、蒸着法により銀を用いて形成している。パターニ
ングは、フォトリソグラフィを用いてパターニングして
もよいし、マスクを用いて集電極を形成すべき領域に選
択的に堆積させてもよい。本実施例では、集電極の厚み
を0.5mmとし、幅を0.5mmとしている。
面図である。図1に示すように、分割セル部30aと分
割セル部30bの間の切断部31には絶縁層25が設け
られており、これによって集電極26aが非晶質半導体
層23a及び裏面電極層22aの側面と接触しないよう
にされている。また、分割セル部30aの透明電極層2
4a上に設けられた集電極26aが、隣接する分割セル
部30bの裏面電極層22bと電気的に接続している。
これによって、隣り合う分割セル部が直列に接続されて
いる。
いてセル特性とモジュール効率を測定した。この結果を
表4に示す。表4において、「本実施例モジュール(実
効効率)」として示したものは、モジュールの面積を1
00cm2 として測定された値であり、「本実施例モジ
ュール(真性効率)」として示したものは裏面電極露出
部と集電極の部分を除いた太陽電池の面積(88c
m2 )で校正した値である。また、「1cm2 セル」と
して示した値は、比較の太陽電池で測定された値であ
り、本実施例のモジュールと同じ基板を用い、本実施例
と同様にして裏面電極層、非晶質半導体層、及び表面電
極層を積層して形成し光起電力セルを形成した後に、光
起電力セルの上にくし型電極を銀蒸着法で形成し、くし
型電極で囲まれる1ユニットの面積を1cm2 とした場
合の太陽電池の特性を示している。
セルとほぼ変わらない高いエネルギー変換効率を示す集
積型太陽電池が得られている。
射で切断する際、各層の切断幅を同じ切断幅としている
が、図5に示すように、表面電極層22の切断幅d1、
非晶質半導体層23の切断幅d2、及び裏面電極層22
の切断幅d3を、d1>d2>d3となるように徐々に
切断幅を狭くしてもよい。特に、裏面電極層22を切断
する際に、溶融した裏面電極層22の溶融金属が跳ね上
がり、表面電極層24と接触おそれがある場合には、裏
面電極層22の切断幅を狭くして切断することが好まし
い。
射して切断しているが、1回のレーザ照射で全ての層を
切断してもよい。また、透明電極層24及び非晶質半導
体層23を一度のレーザ照射で除去した後、裏面電極層
を次のレーザ照射で除去してもよい。
集積型非晶質半導体太陽電池を示す平面図である。また
図7は、図6に示す太陽電池の分割セル部間での接続構
造を示す拡大平面図である。基板としては、100cm
×100cmのポリイミドを表面に塗布して形成したス
テンレス基板を用い、この基板上に、上記各実施例と同
様に、裏面電極層、非晶質半導体層、及び透明電極層を
積層し、光起電力セルを作製する。次に、上記各実施例
と同様に、レーザー照射により光起電力セルを切断し、
切断部51a,51b,51c,…を形成することによ
り、20個の分割セル部50a,50b、50c,…を
形成する。
0a,50b,50c,…に、図2〜図4に示す実施例
と同様に裏面電極露出部53b及び53cを形成し、分
割セル部の間には絶縁層55a及び55bを形成した
後、集電極54a,54b,54cを形成する。各集電
極の端部は、隣り合う分割セル部の裏面電極露出部と電
気的に接続させる。
特性及びモジュール効率を表5に示す。
るモジュール有効面積は88%であり、比較の1cm2
セルと同程度のエネルギー変換効率を示す集積型非晶質
半導体太陽電池であることがわかる。
リイミドを表面に塗布して形成したステンレス基板を例
にしたが、本発明はこれに限定されるものではなく、ガ
ラス、セラミック、樹脂、コンクリートなどの絶縁性基
板の上に形成した太陽電池にも適用されるものである。
所で切断して複数のセル部にすることができる。従っ
て、製造工程をより簡略化することができる。また本発
明に従えば、集電極を用いて隣り合う分割セル部と接続
することができる。従って、本発明によれば、集電極の
形状や集電極の数を適宜設定することにより、従来のよ
うに多数のコンタクトホールを形成する必要がなくな
り、より簡易な工程で製造することができる。また、各
単位セルの面積を自由に設定することができるので、セ
ルの集積化の度合いを従来よりも自由に設定することが
できる。
極による接続部分を拡大して示す断面図であり、図4の
A−A線に沿う断面図。
図。
図。
図。
説明するための断面図。
す平面図。
を拡大して示す平面図。
太陽電池の一例を示す斜視図。
太陽電池の他の例を示す斜視図。
Claims (6)
- 【請求項1】 少なくとも表面が絶縁性を有する基板上
に、裏面電極層、非晶質半導体層、及び透明電極層をこ
の順序で積層して光起電力セルを形成する工程と、 前記光起電力セルの前記透明電極層、前記非晶質半導体
層、及び前記裏面電極層を同一箇所で切断して前記光起
電力セルを複数の分割セル部に分離する工程と、 前記各分割セル部領域内の一部の前記透明電極層及び前
記非晶質半導体層を除去することによって、前記各分割
セル部の接続部となる裏面電極露出部を各分割セル部の
一方の端部の領域に所定間隔で形成する工程と、 前記各分割セル部の前記透明電極層の上に集電極を設
け、該集電極の端部を隣り合う分割セル部の前記裏面電
極露出部まで延ばすことによって、該裏面電極露出部と
直接電気的に接続する工程とを備える集積型非晶質半導
体太陽電池の製造方法。 - 【請求項2】 前記集電極と前記分割セル部の側面とを
絶縁するための絶縁層が前記分割セル部間に設けられて
いる請求項1に記載の集積型非晶質半導体太陽電池の製
造方法。 - 【請求項3】 前記分割セル部に分離する工程が、前記
光起電力セルの同一箇所を複数回に分けて切断する工程
を含み、前記複数回の切断がその幅を順次狭くするよう
に行われる請求項1または2に記載の集積型非晶質半導
体太陽電池の製造方法。 - 【請求項4】 基板と反対側から入射した光を電気エネ
ルギーに変換するための集積型非晶質半導体太陽電池で
あって、 少なくとも表面が絶縁性を有する前記基板上に、裏面電
極層、非晶質半導体層、及び透明電極層をこの順序で積
層して形成した光起電力セルの前記透明電極層、前記非
晶質半導体層、及び前記裏面電極層を同一箇所で切断す
ることにより複数に分割した分割セル部と、 前記分割セル部内の一部の前記透明電極層及び前記非晶
質半導体層を除去することによって、各分割セル部の一
方の端部の領域に所定間隔で形成された裏面電極露出部
と、 前記分割セル部の前記透明電極層の上に設けられる集電
極とを備え、 前記集電極の端部が、隣り合う分割セル部の前記裏面電
極露出部まで延び、該裏面電極露出部と直接電気的に接
続されている集積型非晶質半導体太陽電池。 - 【請求項5】 前記分割セル部間に、前記集電極と前記
分割セル部の側面とを絶縁するための絶縁層が設けられ
ている請求項4に記載の集積型非晶質半導体太陽電池。 - 【請求項6】 前記分割セル部が、前記光起電力セルの
同一箇所を複数回に分けて切断することにより形成され
た分割セル部であり、複数回の切断の幅を順次狭くする
ように切断することにより、前記分割セル部間の対向す
る側面がステップ状に形成されている請求項4または5
に記載の集積型非晶質半導体太陽電池。
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JP07281596A JP3155459B2 (ja) | 1996-03-27 | 1996-03-27 | 集積型非晶質半導体太陽電池の製造方法及び集積型非晶質半導体太陽電池 |
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1996
- 1996-03-27 JP JP07281596A patent/JP3155459B2/ja not_active Expired - Fee Related
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