JP2009231824A5 - 半導体装置 - Google Patents

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  1. ゲート電極と、
    前記ゲート電極上のゲート絶縁層と、
    前記ゲート絶縁層上の第１及び第２の導電性を有する層と、
    前記ゲート絶縁膜、前記第１の導電性を有する層、及び前記第２の導電性を有する層上の非晶質半導体層と、
    前記非晶質半導体上の、不純物元素を含む第１及び第２の半導体層と、を有し、
    前記第１の導電性を有する層と前記第２の導電性を有する層とは、互いに離間して設けられ、且つ、少なくとも一部が前記ゲート電極と重なるように設けられており、
    前記第１の半導体層は、前記非晶質半導体層を介して、少なくとも一部が前記第１の導電層を有する層と重なるように設けられており、
    前記第２の半導体層は、前記非晶質半導体層を介して、少なくとも一部が前記第２の導電性を有する層と重なるように設けられており、
    前記非晶質半導体層は、前記第１の導電性を有する層と前記第２の導電性を有する層との間に延在するように設けられていることを特徴とする半導体装置。
  2. ゲート電極と、
    前記ゲート電極上のゲート絶縁層と、
    前記ゲート絶縁層上の第１及び第２の導電性を有する層と、
    前記第１の導電性を有する層上の第１のバッファ層と、
    前記第２の導電性を有する層上の第２のバッファ層と、
    前記ゲート絶縁膜、前記第１のバッファ層、及び前記第２のバッファ層上の非晶質半導体層と、
    前記非晶質半導体上の、不純物元素を有する第１及び第２の半導体層と、を有し、
    前記第１の導電性を有する層と前記第２の導電性を有する層とは、互いに離間して設けられ、且つ、少なくとも一部が前記ゲート電極と重なるように設けられており、
    前記第１の半導体層は、前記非晶質半導体層を介して、少なくとも一部が前記第１の導電性を有する層と重なるように設けられており、
    前記第２の半導体層は、前記非晶質半導体層を介して、少なくとも一部が前記第２の導電性を有する層と重なるように設けられており、
    前記非晶質半導体層は、前記第１の導電性を有する層と前記第２の導電性を有する層との間に延在するように設けられていることを特徴とする半導体装置。
  3. 請求項１又は請求項２において、
    前記第１の導電性を有する層及び前記第２の導電性を有する層は、複数の導電性粒子が分散したものであること特徴とする半導体装置。
  4. 請求項１乃至請求項３のいずれか一項において、
    前記第１の導電性を有する層及び前記第２の導電性を有する層は、ドナーとなる不純物元素、酸素、窒素、及び炭素を含む微晶質半導体層であることを特徴とする半導体装置。
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