JP2012018972A - 半導体装置 - Google Patents
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 91
- 230000005533 two-dimensional electron gas Effects 0.000 claims abstract description 15
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 15
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 abstract description 12
- 239000012535 impurity Substances 0.000 abstract description 11
- 230000002411 adverse Effects 0.000 abstract description 5
- 125000005842 heteroatom Chemical group 0.000 abstract 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 13
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 13
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 13
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 10
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 10
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 9
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 7
- 239000000463 material Substances 0.000 description 6
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 4
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 4
- 229910002704 AlGaN Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 2
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002547 anomalous effect Effects 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 238000010893 electron trap Methods 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 230000000087 stabilizing effect Effects 0.000 description 1
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- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Junction Field-Effect Transistors (AREA)
Abstract
【解決手段】第1の半導体層である電子走行層11上に、第2の半導体層である電子供給層12が形成されている。これらの界面(ヘテロ接合界面)における電子走行層11側に、2次元電子ガス(2DEG)層13が形成される。ソース電極14からドレイン電極15の間の2DEG層13が形成された領域がこの半導体装置10におけるチャンネル領域となる。このチャンネル領域上の絶縁層17上において、第1のフィールドプレート18が形成されている。すなわち、第1のフィールドプレート18は、2つの主電極のうちの一方から他方に達するチャンネル領域上を覆うように形成されている。
【選択図】図1
Description
本発明の半導体装置は、第1の半導体層上に形成された第2の半導体層と前記第1の半導体層とのヘテロ接合界面の2次元電子ガスが前記第2の半導体層上に形成された2つの主電極間のチャンネルとして機能し、電流が前記2次元電子ガスを介して前記2つの主電極間で流れるチャンネル領域上において、前記第2の半導体層の表面及び前記2つの主電極上に形成された絶縁層を介して、前記2つの主電極の一方と接続された第1のフィールドプレートが形成された構成を具備する半導体装置であって、前記第1のフィールドプレートが、前記2つの主電極のうちの一方から、前記2つの主電極のうちの他方に達する前記チャンネル領域上を覆うように形成されたことを特徴とする。
本発明の半導体装置において、前記絶縁層はSiO2で構成され、前記第2の半導体層の表面と前記第1のフィールドプレートまでの距離が2μm以上とされたことを特徴とする。
本発明の半導体装置は、前記第1のフィールドプレート下の前記絶縁層中に、前記2つの主電極のうちの他方と接続され前記2つの主電極のうちの一方の側に向かって延伸する形態をもつ第2のフィールドプレートを具備することを特徴とする。
本発明の半導体装置において、前記2つの主電極のうちの一方は前記第2の半導体層とショットキー接合され、前記2つの主電極のうちの他方は前記第2の半導体層とオーミック接合され、前記2つの主電極間でダイオード動作することを特徴とする。
本発明の半導体装置において、前記2つの主電極は共に前記第2の半導体層とオーミック接合され、前記2つの主電極間の前記第2の半導体層上に、前記2次元電子ガスの制御を行うゲート電極が形成されたことを特徴とする。
本発明の半導体装置は、前記第1のフィールドプレート下の前記絶縁層中に、前記ゲート電極と接続され前記2つの主電極のうちの他方に向かって延伸する形態をもつ第3のフィールドプレートを具備することを特徴とする。
本発明の半導体装置は、前記第1のフィールドプレート下の前記絶縁層中に、前記2つの主電極のうちの一方と接続され前記2つの主電極のうちの他方に向かって延伸する形態をもつ第4のフィールドプレートを具備することを特徴とする。
本発明の半導体装置は、前記第1のフィールドプレート下の前記絶縁層中に、前記ゲート電極の側から前記2つの主電極のうちの他方の側に向かって、容量結合された複数のプレートが形成されたことを特徴とする。
11 電子走行層(第1の半導体層)
12 電子供給層(第2の半導体層)
13 2次元電子ガス(2DEG:2 Dimensional Electron Gas)層
14 ソース電極(2つの主電極のうちの一方)
15 ドレイン電極(2つの主電極のうちの他方)
16 ゲート電極
17 絶縁層
18 第1のフィールドプレート
19、32、42、52 ビア配線
21 アノード電極(2つの主電極のうちの一方)
22 カソード電極(2つの主電極のうちの他方)
31 第2のフィールドプレート
41 第3のフィールドプレート
51 第4のフィールドプレート
61、62 容量結合プレート
Claims (8)
- 第1の半導体層上に形成された第2の半導体層と前記第1の半導体層とのヘテロ接合界面の2次元電子ガスが前記第2の半導体層上に形成された2つの主電極間のチャンネルとして機能し、電流が前記2次元電子ガスを介して前記2つの主電極間で流れるチャンネル領域上において、前記第2の半導体層の表面及び前記2つの主電極上に形成された絶縁層を介して、前記2つの主電極の一方と接続された第1のフィールドプレートが形成された構成を具備する半導体装置であって、
前記第1のフィールドプレートが、前記2つの主電極のうちの一方から、前記2つの主電極のうちの他方に達する前記チャンネル領域上を覆うように形成されたことを特徴とする半導体装置。 - 前記絶縁層はSiO2で構成され、前記第2の半導体層の表面と前記第1のフィールドプレートまでの距離が2μm以上とされたことを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。
- 前記第1のフィールドプレート下の前記絶縁層中に、前記2つの主電極のうちの他方と接続され前記2つの主電極のうちの一方の側に向かって延伸する形態をもつ第2のフィールドプレートを具備することを特徴とする請求項1又は2に記載の半導体装置。
- 前記2つの主電極のうちの一方は前記第2の半導体層とショットキー接合され、前記2つの主電極のうちの他方は前記第2の半導体層とオーミック接合され、
前記2つの主電極間でダイオード動作することを特徴とする請求項1から請求項3までのいずれか1項に記載の半導体装置。 - 前記2つの主電極は共に前記第2の半導体層とオーミック接合され、前記2つの主電極間の前記第2の半導体層上に、前記2次元電子ガスの制御を行うゲート電極が形成されたことを特徴とする請求項1から請求項3までのいずれか1項に記載の半導体装置。
- 前記第1のフィールドプレート下の前記絶縁層中に、前記ゲート電極と接続され前記2つの主電極のうちの他方に向かって延伸する形態をもつ第3のフィールドプレートを具備することを特徴とする請求項5に記載の半導体装置。
- 前記第1のフィールドプレート下の前記絶縁層中に、前記2つの主電極のうちの一方と接続され前記2つの主電極のうちの他方に向かって延伸する形態をもつ第4のフィールドプレートを具備することを特徴とする請求項5又は6に記載の半導体装置。
- 前記第1のフィールドプレート下の前記絶縁層中に、
前記ゲート電極の側から前記2つの主電極のうちの他方の側に向かって、容量結合された複数のプレートが形成されたことを特徴とする請求項5から請求項7までのいずれか1項に記載の半導体装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010153961A JP5691267B2 (ja) | 2010-07-06 | 2010-07-06 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010153961A JP5691267B2 (ja) | 2010-07-06 | 2010-07-06 | 半導体装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2012018972A true JP2012018972A (ja) | 2012-01-26 |
JP5691267B2 JP5691267B2 (ja) | 2015-04-01 |
Family
ID=45604036
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010153961A Active JP5691267B2 (ja) | 2010-07-06 | 2010-07-06 | 半導体装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5691267B2 (ja) |
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---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20130627 |
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|
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