JP2011516844A - 光学検査システム及び方法 - Google Patents
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Abstract
【選択図】 図3
Description
Claims (49)
- 光学系と、
前記光学系の物体面の領域内に所定のウェハ直径のウェハを搭載するためのウェハ支持体と、
明視野光源と、
前記光学系の像平面の領域内に配置された放射線感受性基板を有する画像検出器とを備えたウェハ検査システムであって、
前記光学系は、撮像ビーム経路及び明視野照射ビーム経路を提供すると共に、対物レンズとビームスプリッタとを備え、当該対物レンズ及びビームスプリッタは、
a)以下の構成要素:前記物体面、前記対物レンズ、前記ビームスプリッタ及び前記放射線感受性基板が、この順番で前記撮像ビーム経路内に配列され、かつ、
b)以下の構成要素:前記明視野光源、前記ビームスプリッタ、前記対物レンズ及び前記物体面が、この順番で前記明視野照射ビーム経路内に配列されるように配置され、
以下の関係の少なくとも1つが満足されることを特徴とするウェハ検査システム。
i)前記放射線感受性基板上に撮像される物体視野の直径が200mmよりも大きく、前記物体面から前記像平面までの前記撮像ビーム経路の全長が1100mm未満である;
ii)前記物体視野の直径で除算した、前記物体面から前記像平面までの前記撮像ビーム経路の全長が、6.0未満である;及び
iii)前記物体視野の直径が、前記ウェハ直径の0.6倍よりも大きい - 光学系と、
前記光学系の物体面の領域内に物体を搭載するための物体支持体と、
明視野光源と、
前記光学系の像平面の領域内に配置された放射線感受性基板を有する画像検出器とを備えた検査システムであって、
前記光学系は、撮像ビーム経路及び明視野照射ビーム経路を提供すると共に、対物レンズとビームスプリッタとを備え、当該対物レンズ及びビームスプリッタは、
a)以下の構成要素:前記物体面、前記対物レンズ、前記ビームスプリッタ及び前記放射線感受性基板が、この順番で前記撮像ビーム経路内に配列され、前記像平面への前記物体面の撮像の倍率が、0.25未満の絶対値を有し、かつ、
b)以下の構成要素:前記明視野光源、前記ビームスプリッタ、前記対物レンズ及び前記物体面が、この順番で前記明視野照射ビーム経路内に配列されるように配置されることを特徴とする検査システム。 - 光学系と、
前記光学系の物体面の領域内に物体を搭載するための物体支持体と、
暗視野光源と、
前記光学系の像平面の領域内に配置された放射線感受性基板を有する画像検出器とを備えた検査システムであって、
前記光学系は、撮像ビーム経路及び暗視野照射ビーム経路を提供すると共に、対物レンズと投射レンズとを備え、当該対物レンズ及び投射レンズは、
a)以下の構成要素:前記物体面、前記対物レンズ及び前記放射線感受性基板が、この順番で前記撮像ビーム経路内に配列され、かつ、
b)以下の構成要素:前記暗視野光源、前記投射レンズ及び前記物体面が、この順番で前記暗視野照射ビーム経路内に配列されるように配置され、
前記暗視野照射ビーム経路の主光線の配向が、前記放射線感受性基板上に撮像された物体視野を横切って5度未満だけ変化し、
前記撮像ビーム経路の主光線の配向が、前記物体視野を横切って5度未満だけ変化し、
前記物体面の側にある前記撮像ビーム経路の開口数が、0.1未満であり、
前記物体面の側にある前記暗視野照射ビーム経路の開口数が、0.1未満であり、
以下の関係の少なくとも1つが満足されることを特徴とする検査システム。
i)前記物体視野の直径が200mmよりも大きく、前記物体面から前記像平面までの前記撮像ビーム経路の全長が1100mm未満である;
ii)前記物体視野の直径で除算した、前記物体面から前記像平面までの前記撮像ビーム経路の全長が、6.0未満である;及び
iii)前記物体視野の直径が、前記ウェハ直径の0.6倍よりも大きい - 物体面を像平面に撮像するための撮像光学系と、
前記像平面内に配置された、画素直径を持つ画素のアレイを有する画像検出器とを備えた暗視野撮像システムであって、
前記撮像光学系は、前記物体面上のスポットを前記像平面内の対応するかすみスポットに撮像するように構成され、
前記かすみスポットのそれぞれの直径が、前記画素直径の4倍よりも小さいことを特徴とする暗視野撮像システム。 - 物体面を像平面に撮像し、共通の光軸に沿って次の順番で配列された、正の屈折力を有する対物レンズと、負の屈折力を有する第1レンズ群と、正の屈折力を有する第2レンズ群とからなる撮像光学系を備え、前記撮像光学系の瞳孔面が、前記第1レンズ群と前記第2レンズ群との間に設けられた検査システムであって、
前記撮像光学系が、以下の関係の少なくとも1つが満足されるように構成されたことを特徴とする検査システム。
i)前記像平面に最も近接した前記対物レンズのレンズ面から前記物体面に最も近接した前記第1レンズ群のレンズ面までの前記光軸に沿って測定された第1の長さが、前記物体面に最も近接して設けられた前記第1レンズ群の前記レンズ面から前記像平面に最も近接して設けられた前記第2のレンズ群のレンズ面までの前記光軸に沿って測定された第2の長さの1倍よりも大きいか、又は3倍よりも大きいか、又は5倍よりも大きい;
ii)前記像平面に最も近接した前記対物レンズの前記レンズ面から前記物体面に最も近接して設けられた前記第1レンズ群の前記レンズ面までの前記光軸に沿って測定された前記第1の長さが、前記像平面に撮像された物体視野の直径の1倍よりも大きいか、又は1.4倍よりも大きい;及び
iii)前記像平面に最も近接した前記対物レンズの前記レンズ面から前記物体面に最も近接して設けられた前記第1レンズ群の前記レンズ面までの前記光軸に沿って測定された前記第1の長さが、前記物体面から前記物体面に最も近接した前記対物レンズのレンズ面までの前記光軸に沿って測定された第3の長さの1倍よりも大きいか、2.0倍よりも大きいか、又は2.5倍よりも大きい - 光学系と、
前記光学系の物体面の領域内に所定の外周形状を有する物体を搭載するための物体支持体と、
明視野光源と、
前記光学系の像平面の領域内に配置された放射線感受性基板を有する画像検出器とを備えた検査システムであって、
前記光学系は、撮像ビーム経路及び明視野照射ビーム経路を提供すると共に、対物レンズと、第1、第2及び第3レンズ群と、第1視野絞りとを備え、当該対物レンズ、第1、第2及び第3レンズ群、並びに、第1視野絞りは、
a)以下の構成要素:前記物体面、前記対物レンズ、前記第2レンズ群及び前記放射線感受性基板が、この順番で前記撮像ビーム経路内に配列され、300mmよりも大きい直径を有する物体視野が、前記放射線感受性基板上に撮像され、かつ、
b)以下の構成要素:前記明視野光源、前記第3レンズ群、前記第1視野絞り、前記第2レンズ群、前記対物レンズ及び前記物体面が、この順番で前記明視野照射ビーム経路内に配列され、前記明視野照射ビーム経路の照射された視野が、前記物体視野内に設けられ、290mmよりも大きい直径を有し、前記照射された視野の外周では、照射光強度が、前記物体視野内の最大照射光強度の0.0005倍と0.010倍との間の値から、長さ3mmから6mm内の前記最大照射光強度の0.800倍よりも大きいか、0.900倍よりも大きいか、又は0.950倍よりも大きい値に引き上げられるように配置されることを特徴とする検査システム。 - 光学系と、
前記光学系の物体面の領域内に所定の外周形状を有する物体を搭載するための物体支持体と、
暗視野光源と、
前記光学系の像平面の領域内に配置された放射線感受性基板を有する画像検出器とを備えた検査システムであって、
前記光学系は、撮像ビーム経路及び暗視野照射ビーム経路を提供すると共に、対物レンズと、投射レンズと、第4及び第5レンズ群と、第2視野絞りとを備え、
a)以下の構成要素:前記物体面、前記対物レンズ及び前記放射線感受性基板が、この順番で前記撮像ビーム経路内に配列され、所定の直径の物体視野が、前記放射線感受性基板上に撮像され、かつ、
b)以下の構成要素:前記暗視野光源、前記第4レンズ群、前記第2視野絞り、前記第5レンズ群、前記投射レンズ及び前記物体面が、この順番で前記暗視野照射ビーム経路内に配列され、前記第2視野絞りの画像が、前記物体面の領域内に形成されるように配置され、
以下の関係が満足されることを特徴とする検査システム。
d1/d2<0.2
ここで、d1は、前記第2視野絞りの画像からの、前記暗視野照射ビーム経路に沿った前記暗視野光源に最も近接して設けられた前記物体面の照射点の距離を表し、
d2は、前記第2視野絞りの画像からの、前記照射ビーム経路に沿った前記暗視野光源から最も遠くに設けられた前記物体面の照射点の距離を表している。 - 光学系と、
前記光学系の物体面の領域内に物体を搭載するための物体支持体と、
暗視野光源と、
ビームダンプと、
前記光学系の像平面の領域内に配置された放射線感受性基板を有する画像検出器とを備えた検査システムであって、
前記光学系は、撮像ビーム経路及び暗視野照射ビーム経路を提供すると共に、対物レンズと投射レンズとを備え、当該対物レンズ及び投射レンズは、
a)以下の構成要素:前記物体面、前記対物レンズ及び前記放射線感受性基板が、この順番で前記撮像ビーム経路内に配列され、かつ、
b)以下の構成要素:前記暗視野光源、前記投射レンズ、前記物体面及び前記ビームダンプが、この順番で前記暗視野照射ビーム経路内に配列され、照射ビームが、鋭角で前記物体面に入射し、前記物体で反射される前記照射ビームの一部が前記ビームダンプによって受光されるように配置され、
前記ビームダンプは、第1及び第2光吸収部を備え、
前記ビームダンプの前記第1光吸収部は、厚さ1mmにおいて1×10-7から0.8までの範囲内の入射光透過率を提供する光吸収材料で形成され、間隔を置いた位置で表面と交差する面法線の対が集束するように整形された前記表面上に前記物体で反射される前記照射ビームの一部を受光するように配置され、
前記ビームダンプの前記第2光吸収部は、前記第1光吸収部で反射される前記照射ビームの一部を受光するように配置されていることを特徴とする検査システム。 - 光学系と、
前記光学系の物体面の領域内に物体を搭載するための物体支持体と、
明視野光源と、
暗視野光源と、
前記光学系の像平面の領域内に配置された放射線感受性基板を有する画像検出器と、
ビームダンプとを備えた検査システムであって、
前記光学系は、対物レンズと、投射レンズと、第1、第2及び第3ミラーと、撮像ビーム経路、明視野照射ビーム経路及び暗視野照射ビーム経路を提供するビームスプリッタとを備え、当該対物レンズ、投射レンズ、第1、第2及び第3ミラー、並びに、ビームスプリッタは、
a)以下の構成要素:前記物体面、前記対物レンズ、前記第1ミラー、前記ビームスプリッタ及び前記放射線感受性表面が、この順番で前記撮像ビーム経路内に配列され、
b)以下の構成要素:前記明視野光源、前記ビームスプリッタ、前記1ミラー、前記対物レンズ及び前記物体面が、この順番で前記明視野照射ビーム経路内に配列され、かつ、
c)以下の構成要素:前記暗視野光源、前記第2ミラー、前記投射レンズ、前記第3ミラー、前記物体面及び前記ビームダンプが、この順番で前記暗視野照射ビーム経路内に配列されるように配置され、
前記物体面と平行な面に投影して見た場合に、前記第1ミラーと前記ビームスプリッタとの間の部分における前記撮像ビーム経路の光軸と、前記第3ミラーと前記ビームダンプとの間の部分における前記暗視野照射ビーム経路の光軸との間の角度は、70度未満、60度未満、又は50度未満であることを特徴とする検査システム。 - 前記物体面と平行な面に投影して見た場合に、前記ビームスプリッタは、前記ビームダンプよりも前記投射レンズに近接して設けられている請求項9に記載のシステム。
- 前記物体面と平行な面に投影して見た場合に、前記暗視野光源は、前記ビームスプリッタよりも前記ビームダンプに近接して設けられている請求項9又は10に記載のシステム。
- 前記物体を前記物体面に向けて、及び、前記物体面から離れるように移動させるための物体供給装置であって、前記物体面と平行な面に投影して見た場合に、前記暗視野照射ビーム経路の一部に対して前記撮像ビーム経路の部分と前記暗視野照射ビーム経路の部分との間の角度よりも小さい角度をもって配向される搭載方向に、前記物体視野の少なくとも直径に対応する距離だけ、前記物体を移動させるように構成された物体供給装置をさらに備えた請求項9〜11のいずれか1項に記載のシステム。
- ベースと、
光学系と、
前記光学系の物体面の領域内に物体を搭載するための物体支持体と、
明視野光源と、
前記光学系の像平面の領域内に配置された放射線感受性基板を有する画像検出器とを備えた検査システムであって、
前記光学系は、撮像ビーム経路及び明視野照射ビーム経路を提供すると共に、対物レンズと、投射レンズと、第1ミラーと、ビームスプリッタとを備え、当該対物レンズ、投射レンズ、第1ミラー及びビームスプリッタは、
a)以下の構成要素:前記物体面、前記対物レンズ、前記第1ミラー、前記ビームスプリッタ及び前記放射線感受性表面が、この順番で前記撮像ビーム経路内に配列され、かつ、
b)以下の構成要素:前記明視野光源、前記ビームスプリッタ、前記1ミラー、前記対物レンズ及び前記物体面が、この順番で前記明視野照射ビーム経路内に配列されるように配置され、
前記ベースに搭載され、かつ、担持される第1光学系キャリアをさらに備え、
前記対物レンズのフレーム及び前記第1ミラーのフレームの少なくとも1つが、前記第1光学系キャリアに搭載され、かつ、担持され、
前記ビームスプリッタは、前記対物レンズのフレーム及び前記第1ミラーのフレームの少なくとも1つに搭載され、かつ、担持されることを特徴とする検査システム。 - 暗視野光源とビームダンプとをさらに備え、前記光学系は、第2ミラーと、投射レンズと、第3ミラーとをさらに備え、当該第2ミラー、投射レンズ及び第3ミラーは、以下の構成要素:前記暗視野光源、前記第2ミラー、前記投射レンズ、前記第3ミラー、前記物体面及び前記ビームダンプが、この順番で前記暗視野照射ビーム経路内に配列されるように配置された請求項13に記載のシステム。
- 前記ベースに搭載され、かつ、支持される第2光学系キャリアをさらに備え、前記暗視野光源は、前記第2光学系キャリアに搭載され、かつ、担持される請求項14に記載のシステム。
- 前記第2ミラー、前記投射レンズ及び前記第3ミラーは、前記対物レンズのフレーム及び前記第1ミラーのフレームの少なくとも1つに搭載され、かつ、支持される請求項14又は15に記載のシステム。
- 前記画像検出器は、前記対物レンズのフレーム及び前記第1ミラーのフレームの少なくとも1つに搭載され、かつ、支持される請求項13〜16のいずれか1項に記載のシステム。
- 前記対物レンズのフレーム及び前記第1ミラーのフレームは、インテグラル・ボディによって提供される請求項13〜17のいずれか1項に記載のシステム。
- 前記物体支持体は、前記ベースに搭載され、かつ、支持される請求項13〜18のいずれか1項に記載のシステム。
- 前記ビームスプリッタは、その一面に反射性コーティングを有する透明基板を備え、前記明視野照射ビーム経路が前記透明基板を横断し、前記撮像ビーム経路が前記透明基板を横断せずに前記反射性コーティングで反射されるように配置された前記請求項のいずれか1項に記載のシステム。
- 前記ビームスプリッタは、前記撮像ビーム経路の瞳孔面の領域内に設けられている前記請求項のいずれか1項に記載のシステム。
- 前記ビームスプリッタは、前記撮像ビーム経路の瞳孔面が交差する前記請求項のいずれか1項に記載のシステム。
- 前記第2視野絞りは、前記絞りを規定する外周を有する穴を含むプレートを備え、前記プレートの表面は、4m未満の少なくとも1つの曲率半径を有する曲面である前記請求項のいずれか1項に記載のシステム。
- 前記ビームダンプの第1構造の材料の表面は、反射防止コーティングを担持する前記請求項のいずれか1項に記載のシステム。
- 前記ビームダンプの第1構造の材料の表面の反射率は、0.01未満である請求項24に記載のシステム。
- 前記投射レンズは、2つのレンズ面を有する非接合単レンズ素子であり、より大きな面曲率を有する前記レンズ面は、前記レンズ面の曲率半径によって除算した前記投射レンズの自由直径が0.5よりも大きいという関係を満たす前記請求項のいずれか1項に記載のシステム。
- 前記物体面に最も近接した前記投射レンズのレンズ面は、2m未満の曲率半径を有する凸面である前記請求項のいずれか1項に記載のシステム。
- 前記暗視野光源に最も近接した前記投射レンズのレンズ面は、10mよりも大きい曲率半径を有する実質的に平坦な面である前記請求項のいずれか1項に記載のシステム。
- 前記対物レンズの第1面及び前記投射レンズの第1面は、同じ曲率半径を有し、前記対物レンズの第2面及び前記投射レンズの第2面は、同じ曲率半径を有する前記請求項のいずれか1項に記載のシステム。
- 前記投射レンズのレンズ面は、回転対称である前記請求項のいずれか1項に記載のシステム。
- 前記投射レンズは、前記暗視野照射ビーム経路を横断する第1方向において、前記暗視野照射ビーム経路を横断し、前記第1方向と直交する第2方向における長さと比較して1.5倍よりも大きい長さを有する前記請求項のいずれか1項に記載のシステム。
- 前記暗視野照射ビーム経路は、前記第2ミラーにおいて、80度未満の角度だけ偏向する前記請求項のいずれか1項に記載のシステム。
- 前記第2ミラーは、平坦なミラー面を有する前記請求項のいずれか1項に記載のシステム。
- 前記第3ミラーは、平坦なミラー面を有する前記請求項のいずれか1項に記載のシステム。
- 前記光学系は、前記明視野光源と前記ビームスプリッタとの間の前記明視野照射ビーム経路内に配置された導光ファイバを備える前記請求項のいずれか1項に記載のシステム。
- 前記光学系は、前記明視野光源と前記第3レンズ群との間の前記明視野照射ビーム経路内に配置された導光ファイバを備える前記請求項のいずれか1項に記載のシステム。
- 前記物体面上の前記暗視野照射ビームの入射方向と、前記物体面の面法線との角度は、40度よりも大きい角度である前記請求項のいずれか1項に記載のシステム。
- 前記ビームダンプの前記第2部分は、厚さ1mmにおいて1×10-7から0.8までの範囲内の入射光透過率を提供する材料で形成されている前記請求項のいずれか1項に記載のシステム。
- 前記ビームダンプの前記第2部分は、前記ビームダンプの前記第1部分で反射される照射ビームの一部を受光するように配置されている前記請求項のいずれか1項に記載のシステム。
- 前記ビームダンプは、厚さ1mmにおいて1×10-7から0.8までの範囲内の入射光透過率を提供する材料で形成され、前記ビームダンプの前記第2部分で反射される照射ビームの一部を受光するように配置された第3部分を備えている前記請求項のいずれか1項に記載のシステム。
- 前記ビームダンプの前記第1部分は、前記光吸収材料の平坦な表面を有する複数のプレートを備え、前記複数のプレートは、異なるプレートの対の面法線が集束するように配置されている前記請求項のいずれか1項に記載のシステム。
- 直接隣接するプレートの対は、各対の第1プレートの表面の前記物体面に向けて配向される縁部が、前記対の第2プレートの表面によって投影(shadow)されるように前記暗視野照射ビーム経路内に配置されている請求項41に記載のシステム。
- 前記対物レンズは、前記ウェハの直径よりも大きい自由直径を有する前記請求項のいずれか1項に記載のシステム。
- 外周によって規定される実質的に平坦な表面を有する物体を検査する方法であって、
前記物体の表面及びその外周を検出器上に撮像するステップと、
前記物体の表面及びその外周を明視野照射光で照射するステップとを含み、
前記外周の少なくとも一部における照射光強度は、前記表面内の最大照射光強度の0.001倍よりも大きく、0.01倍よりも小さく、前記外周の一部から2mm〜7mmの距離における前記照射光強度は、前記最大照射光強度の0.900倍よりも大きいことを特徴とする方法。 - 前記外周の一部は、前記物体の全外周の90%よりも多くを含む請求項44に記載の方法。
- 250mmよりも大きい直径を持つ実質的に平坦な表面を有し、かつ、周期構造を担持する物体を検査する方法であって、
前記物体を検査装置の測定位置に配置するステップと、
暗視野照射光の個々の光線の入射方向が、前記物体の表面に亘って5度未満だけ変化するように、前記物体の表面に前記暗視野照射光を照射するステップと、
前記物体の表面に亘って5度未満だけ変化する方向において、前記物体の表面から発せられる撮像光を用いて前記物体の表面を撮像するステップとを含むことを特徴とする方法。 - 前記表面の画像の分析に基づいて前記測定位置において前記物体を回転させるステップをさらに含む請求項46に記載の方法。
- 前記測定位置において前記物体を配置することは、前記表面を所定の回転位置まで回転させることを含む請求項46に記載の方法。
- 請求項1〜43のいずれか1項に記載の検査システムを用いて、前記物体の少なくとも1つの画像を得るステップを含む、物体を検査する方法。
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Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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Families Citing this family (36)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TWI479583B (zh) | 2008-04-04 | 2015-04-01 | Nanda Technologies Gmbh | 光學檢驗的系統與方法 |
CN101963741B (zh) * | 2009-07-23 | 2013-10-09 | 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司 | 摄像模组及采用该摄像模组的便携式电子装置 |
EP2339331A1 (en) | 2009-12-23 | 2011-06-29 | Nanda Technologies GmbH | Inspection and positioning systems and methods |
JP2011203245A (ja) * | 2010-03-02 | 2011-10-13 | You-Na Tech Corp | 半導体ウェハの表面検査システム及び表面検査方法 |
EP2378548A1 (en) | 2010-04-19 | 2011-10-19 | Nanda Technologies GmbH | Methods of processing and inspecting semiconductor substrates |
EP2381246A1 (en) * | 2010-04-26 | 2011-10-26 | Becton Dickinson France | Device, kit and method for inspection of an article |
CN102269858A (zh) * | 2010-06-02 | 2011-12-07 | 北京智朗芯光科技有限公司 | 自动聚焦***和自动聚焦方法 |
US9355919B2 (en) | 2010-08-24 | 2016-05-31 | Nanda Technologies Gmbh | Methods and systems for inspecting bonded wafers |
US8501503B2 (en) | 2011-04-28 | 2013-08-06 | Nanda Technologies Gmbh | Methods of inspecting and manufacturing semiconductor wafers |
DE102011051355A1 (de) | 2011-06-27 | 2012-12-27 | Hseb Dresden Gmbh | Inspektionsvorrichtung |
US9213156B2 (en) * | 2011-08-17 | 2015-12-15 | Source Photonics, Inc. | Optical receiver with reduced cavity size and methods of making and using the same |
WO2013070982A1 (en) * | 2011-11-08 | 2013-05-16 | The Trustees Of Columbia University In The City Of New York | Systems and methods for simultaneous multi-directional imaging for capturing tomographic data |
US10088413B2 (en) | 2011-11-21 | 2018-10-02 | Kla-Tencor Corporation | Spectral matching based calibration |
EP2812746B1 (en) * | 2012-02-10 | 2021-04-07 | The Board of Trustees of the Leland Stanford Junior University | Optical device |
TWI460394B (zh) * | 2012-07-20 | 2014-11-11 | Test Research Inc | 三維影像量測裝置 |
US9279663B2 (en) * | 2012-07-30 | 2016-03-08 | Kla-Tencor Corporation | Method and apparatus to fold optics in tools for measuring shape and/or thickness of a large and thin substrate |
DE102012111835A1 (de) | 2012-12-05 | 2014-06-05 | Hseb Dresden Gmbh | Inspektionsvorrichtung |
US9810892B2 (en) | 2013-03-15 | 2017-11-07 | The Board Of Trustees Of The Leland Stanford Junior University | Optical lens fabrication |
US9696264B2 (en) * | 2013-04-03 | 2017-07-04 | Kla-Tencor Corporation | Apparatus and methods for determining defect depths in vertical stack memory |
US9176070B2 (en) | 2014-04-07 | 2015-11-03 | Hseb Dresden Gmbh | Inspection assembly |
US20160307309A1 (en) * | 2014-04-25 | 2016-10-20 | Gdt, Inc. | Cosmetic Evaluation Box for Used Electronics |
JP6670561B2 (ja) * | 2014-07-17 | 2020-03-25 | オルボテック リミテッド | テレセントリック明視野および環状暗視野のシームレス融合型照明 |
US9377596B2 (en) * | 2014-07-22 | 2016-06-28 | Unimicron Technology Corp. | Optical-electro circuit board, optical component and manufacturing method thereof |
WO2016015734A1 (en) * | 2014-08-01 | 2016-02-04 | Dfm A/S | A scatterometer apparatus |
KR101741659B1 (ko) | 2014-11-03 | 2017-05-31 | 주식회사 엠티엠 | 카메라 모듈 이물 검사를 위한 광원장치 |
IL243166B2 (en) * | 2014-12-18 | 2023-10-01 | Camtek Imaging Tech Suzhou Co Ltd | Modification of the optical properties of line-scan illumination depending on the light angle along the line axis |
IL243167B (en) * | 2014-12-18 | 2021-02-28 | Gordon Noam | Multiple light sources that can be separated by optical inspection |
US10309907B2 (en) * | 2015-03-04 | 2019-06-04 | Kla-Tencor Corporation | All reflective wafer defect inspection and review systems and methods |
WO2017136286A1 (en) * | 2016-02-03 | 2017-08-10 | Kla-Tencor Corporation | Wafer defect inspection and review systems |
JP6447728B2 (ja) * | 2016-04-12 | 2019-01-09 | 新日鐵住金株式会社 | 被検査体撮像装置、被検査体撮像方法、表面検査装置及び表面検査方法 |
JP6687134B2 (ja) | 2017-01-31 | 2020-04-22 | Jfeスチール株式会社 | 鋼材形状計測装置及び鋼材形状矯正装置 |
US10422984B2 (en) * | 2017-05-12 | 2019-09-24 | Applied Materials, Inc. | Flexible mode scanning optical microscopy and inspection system |
US11777603B2 (en) * | 2019-01-16 | 2023-10-03 | X Development Llc | High magnification afocal telescope with high index field curvature corrector |
EP4032017A1 (en) | 2019-09-16 | 2022-07-27 | Assurant, Inc. | System, method, apparatus, and computer program product for utilizing machine learning to process an image of a mobile device to determine a mobile device integrity status |
US11580627B2 (en) | 2020-01-06 | 2023-02-14 | Assurant, Inc. | Systems and methods for automatically grading pre-owned electronic devices |
WO2021216032A1 (en) * | 2020-04-20 | 2021-10-28 | Applied Materials, Inc. | Methods and apparatus for correcting lithography systems |
Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH03249550A (ja) * | 1990-02-28 | 1991-11-07 | Mitsubishi Electric Corp | パターン欠陥検査装置 |
JPH07306150A (ja) * | 1994-05-10 | 1995-11-21 | Kobe Steel Ltd | 逆反射スクリーンによる表面検査装置 |
JPH08201304A (ja) * | 1995-01-25 | 1996-08-09 | Nippon Kaihatsu Ginkou | 光学検査装置 |
JPH10318934A (ja) * | 1997-05-20 | 1998-12-04 | Shimada Phys & Chem Ind Co Ltd | 異物検出方法およびその装置 |
JP2000338048A (ja) * | 1999-05-31 | 2000-12-08 | Hamamatsu Photonics Kk | 表面検査方法及び検査装置 |
JP2003028621A (ja) * | 2001-07-11 | 2003-01-29 | Nikon Corp | 表面欠陥検査装置 |
JP2004163240A (ja) * | 2002-11-13 | 2004-06-10 | Silicon Technology Co Ltd | 表面評価装置 |
JP2006514308A (ja) * | 2003-02-26 | 2006-04-27 | エレクトロ サイエンティフィック インダストリーズ インコーポレーテッド | 同軸狭角暗視野照明 |
JP2008064759A (ja) * | 2006-09-07 | 2008-03-21 | Dr Schenk Gmbh Industriemesstechnik | 基板の表面エラーを光学的に検出する装置および方法 |
Family Cites Families (36)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US2313460A (en) | 1940-01-23 | 1943-03-09 | Kapella Ltd | Compound microscope and lens system therefor |
US2398276A (en) | 1945-02-05 | 1946-04-09 | Eastman Kodak Co | Variable power telescope |
US2441036A (en) | 1945-02-14 | 1948-05-04 | Eastman Kodak Co | Lens system for telescopes |
US2600805A (en) | 1951-02-08 | 1952-06-17 | Eastman Kodak Co | Telecentric objective of the reversed telephoto type |
DE1012763B (de) | 1954-07-21 | 1957-07-25 | Leitz Ernst Gmbh | Mikroskopobjektiv fuer UEbersichtsbilder |
US2952180A (en) | 1958-06-02 | 1960-09-13 | Eastman Kodak Co | Visual optical instrument having a combined reticle and field flattening element |
US3176563A (en) * | 1962-02-02 | 1965-04-06 | Better Packages Inc | Tape serving machine |
US4009945A (en) | 1963-09-05 | 1977-03-01 | Walter Klein | Microscope objective |
US3437395A (en) | 1965-09-03 | 1969-04-08 | Bausch & Lomb | Optical system for inverted microscope |
JPH07119888B2 (ja) | 1987-05-08 | 1995-12-20 | 株式会社ニコン | 再結像光学系 |
US5058982A (en) * | 1989-06-21 | 1991-10-22 | Orbot Systems Ltd. | Illumination system and inspection apparatus including same |
JPH0816765B2 (ja) | 1989-07-10 | 1996-02-21 | オリンパス光学工業株式会社 | 変倍ファインダー光学系 |
JPH0493911A (ja) * | 1990-08-06 | 1992-03-26 | Nikon Corp | 無限系結像光学系 |
US5804386A (en) * | 1997-01-15 | 1998-09-08 | Incyte Pharmaceuticals, Inc. | Sets of labeled energy transfer fluorescent primers and their use in multi component analysis |
AU6942998A (en) * | 1997-03-31 | 1998-10-22 | Microtherm, Llc | Optical inspection module and method for detecting particles and defects on substrates in integrated process tools |
JPH10333033A (ja) * | 1997-06-02 | 1998-12-18 | Olympus Optical Co Ltd | 実像式変倍ファインダー |
JP3664593B2 (ja) * | 1998-11-06 | 2005-06-29 | 信越半導体株式会社 | 半導体ウエーハおよびその製造方法 |
US6999183B2 (en) * | 1998-11-18 | 2006-02-14 | Kla-Tencor Corporation | Detection system for nanometer scale topographic measurements of reflective surfaces |
DE19903486C2 (de) * | 1999-01-29 | 2003-03-06 | Leica Microsystems | Verfahren und Vorrichtung zur optischen Untersuchung von strukturierten Oberflächen von Objekten |
US6853446B1 (en) * | 1999-08-16 | 2005-02-08 | Applied Materials, Inc. | Variable angle illumination wafer inspection system |
US7130039B2 (en) * | 2002-04-18 | 2006-10-31 | Kla-Tencor Technologies Corporation | Simultaneous multi-spot inspection and imaging |
US7312432B2 (en) * | 2002-07-08 | 2007-12-25 | Dmetrix, Inc. | Single axis illumination for multi-axis imaging system |
US6788404B2 (en) * | 2002-07-17 | 2004-09-07 | Kla-Tencor Technologies Corporation | Inspection system with multiple illumination sources |
DE10239548A1 (de) * | 2002-08-23 | 2004-03-04 | Leica Microsystems Semiconductor Gmbh | Vorrichtung und Verfahren zur Inspektion eines Objekts |
US20040207836A1 (en) * | 2002-09-27 | 2004-10-21 | Rajeshwar Chhibber | High dynamic range optical inspection system and method |
US7130036B1 (en) * | 2003-09-16 | 2006-10-31 | Kla-Tencor Technologies Corp. | Methods and systems for inspection of an entire wafer surface using multiple detection channels |
US20050146719A1 (en) | 2003-09-26 | 2005-07-07 | Rajeshwar Chhibber | Method and apparatus for illuminating a substrate during inspection |
US7351980B2 (en) * | 2005-03-31 | 2008-04-01 | Kla-Tencor Technologies Corp. | All-reflective optical systems for broadband wafer inspection |
US7898524B2 (en) * | 2005-06-30 | 2011-03-01 | Logitech Europe S.A. | Optical displacement detection over varied surfaces |
US7345825B2 (en) * | 2005-06-30 | 2008-03-18 | Kla-Tencor Technologies Corporation | Beam delivery system for laser dark-field illumination in a catadioptric optical system |
WO2007008742A1 (en) * | 2005-07-08 | 2007-01-18 | Electro Scientific Industries, Inc. | Optimizing use and performance of optical systems implemented with telecentric on-axis dark field illumination |
JP4723362B2 (ja) * | 2005-11-29 | 2011-07-13 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 光学式検査装置及びその方法 |
JP4949928B2 (ja) * | 2006-06-20 | 2012-06-13 | Hoya株式会社 | パターン欠陥検査方法、パターン欠陥検査装置、フォトマスク製品の製造方法、及び表示デバイス用基板の製造方法 |
CN101021490B (zh) * | 2007-03-12 | 2012-11-14 | 3i***公司 | 平面基板自动检测***及方法 |
US7782452B2 (en) * | 2007-08-31 | 2010-08-24 | Kla-Tencor Technologies Corp. | Systems and method for simultaneously inspecting a specimen with two distinct channels |
TWI479583B (zh) * | 2008-04-04 | 2015-04-01 | Nanda Technologies Gmbh | 光學檢驗的系統與方法 |
-
2009
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-
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-
2011
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Patent Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH03249550A (ja) * | 1990-02-28 | 1991-11-07 | Mitsubishi Electric Corp | パターン欠陥検査装置 |
JPH07306150A (ja) * | 1994-05-10 | 1995-11-21 | Kobe Steel Ltd | 逆反射スクリーンによる表面検査装置 |
JPH08201304A (ja) * | 1995-01-25 | 1996-08-09 | Nippon Kaihatsu Ginkou | 光学検査装置 |
JPH10318934A (ja) * | 1997-05-20 | 1998-12-04 | Shimada Phys & Chem Ind Co Ltd | 異物検出方法およびその装置 |
JP2000338048A (ja) * | 1999-05-31 | 2000-12-08 | Hamamatsu Photonics Kk | 表面検査方法及び検査装置 |
JP2003028621A (ja) * | 2001-07-11 | 2003-01-29 | Nikon Corp | 表面欠陥検査装置 |
JP2004163240A (ja) * | 2002-11-13 | 2004-06-10 | Silicon Technology Co Ltd | 表面評価装置 |
JP2006514308A (ja) * | 2003-02-26 | 2006-04-27 | エレクトロ サイエンティフィック インダストリーズ インコーポレーテッド | 同軸狭角暗視野照明 |
JP2008064759A (ja) * | 2006-09-07 | 2008-03-21 | Dr Schenk Gmbh Industriemesstechnik | 基板の表面エラーを光学的に検出する装置および方法 |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2016130717A (ja) * | 2015-01-13 | 2016-07-21 | 新一 土坂 | 球面検査装置 |
JP2020134174A (ja) * | 2019-02-13 | 2020-08-31 | リコーインダストリアルソリューションズ株式会社 | 検査装置 |
JP7175214B2 (ja) | 2019-02-13 | 2022-11-18 | リコーインダストリアルソリューションズ株式会社 | 検査装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
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