JP2011513959A - オプトエレクトロニクス半導体ボディおよびその製造方法 - Google Patents
オプトエレクトロニクス半導体ボディおよびその製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2011513959A JP2011513959A JP2010547954A JP2010547954A JP2011513959A JP 2011513959 A JP2011513959 A JP 2011513959A JP 2010547954 A JP2010547954 A JP 2010547954A JP 2010547954 A JP2010547954 A JP 2010547954A JP 2011513959 A JP2011513959 A JP 2011513959A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- connection
- semiconductor body
- partial
- connection layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 250
- 230000005693 optoelectronics Effects 0.000 title claims abstract description 85
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 17
- 230000005670 electromagnetic radiation Effects 0.000 claims abstract description 22
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 34
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 31
- 238000000926 separation method Methods 0.000 claims description 12
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 5
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims description 3
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 327
- 239000000463 material Substances 0.000 description 39
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 21
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 11
- 238000003892 spreading Methods 0.000 description 11
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 8
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 7
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 7
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 6
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 6
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 6
- 239000002800 charge carrier Substances 0.000 description 5
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 5
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 3
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 2
- 230000006378 damage Effects 0.000 description 2
- 238000011161 development Methods 0.000 description 2
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 2
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 2
- -1 nitride compound Chemical class 0.000 description 2
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 2
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 2
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 2
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 2
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 2
- 229910002704 AlGaN Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910003363 ZnMgO Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000002745 absorbent Effects 0.000 description 1
- 239000002250 absorbent Substances 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052790 beryllium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 1
- 239000012876 carrier material Substances 0.000 description 1
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000012777 electrically insulating material Substances 0.000 description 1
- 238000000295 emission spectrum Methods 0.000 description 1
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 230000020169 heat generation Effects 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000013139 quantization Methods 0.000 description 1
- 239000002096 quantum dot Substances 0.000 description 1
- 229910052711 selenium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 1
- 238000005309 stochastic process Methods 0.000 description 1
- 229910052712 strontium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/15—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission
- H01L27/153—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars
- H01L27/156—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars two-dimensional arrays
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/36—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes
- H01L33/38—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes with a particular shape
- H01L33/382—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes with a particular shape the electrode extending partially in or entirely through the semiconductor body
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
- H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
- H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
- H01L25/075—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
- H01L25/0753—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00 the devices being arranged next to each other
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/005—Processes
- H01L33/0093—Wafer bonding; Removal of the growth substrate
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Led Devices (AREA)
- Led Device Packages (AREA)
Abstract
【選択図】図4A
Description
− 放射を発生させる半導体積層体(特に、放射を発生させるエピタキシャル積層体)の主領域(キャリア要素、特にキャリア基板に面している領域)に、反射層が堆積または形成されている。反射層は、半導体積層体において発生した電磁放射の少なくとも一部分を反射して半導体積層体に戻す。
− 薄膜発光ダイオードチップはキャリア要素を有し、このキャリア要素は、半導体積層体を上にエピタキシャル成長させた成長基板ではなく、後から半導体積層体に固定された個別のキャリア要素である。
− 半導体積層体の厚さは、20μm以下の範囲、特に10μm以下の範囲である。
− 半導体積層体が成長基板を備えていない。この場合、「成長基板を備えていない」とは、成長を目的として使用された(該当時)成長基板が、半導体積層体から除去されている、または少なくとも大幅に薄くされていることを意味する。具体的には、成長基板が、単独では、またはエピタキシャル積層体のみとの組合せでは自身を支持できない程度まで薄くされている。大幅に薄くした後に残る成長基板の残留部分は、特に、成長基板として機能するには適さない。
− 半導体積層体は、混合構造(intermixing structure)を有する少なくとも1つの領域を備えた少なくとも1つの半導体層を含んでおり、この混合構造によって、理想的には半導体積層体における光のほぼエルゴード分布につながり、すなわち、この混合構造は、実質的にエルゴード確率過程である散乱挙動を示す。
Claims (15)
- オプトエレクトロニクス半導体ボディであって、
− 実質的に平坦な半導体積層体であって、第1の主面および第2の主面と、電磁放射を発生させるのに適する活性層とを有する、前記半導体積層体と、
− 少なくとも前記半導体積層体の前記活性層を分断している溝であって、前記半導体積層体の前記活性層を少なくとも2つの電気的に絶縁されている部分活性層に分割する役割を果たしている、前記溝と、
− 前記第2の主面上に配置されており、前記部分活性層との接続を形成する役割を果たしている第1の接続層および第2の接続層であって、それぞれが前記少なくとも2つの部分活性層との接続を形成している第1の接続層および第2の接続層が、前記少なくとも2つの部分活性層が直列回路を形成するように、互いに導電的に結合されている、前記第1の接続層および前記第2の接続層と、
を備えており、
− 前記第1の主面が、電磁放射を放出するように構成されている、
オプトエレクトロニクス半導体ボディ。 - 前記少なくとも2つの部分活性層のうちの第1の部分活性層との接続を形成するための前記第1の接続層が、前記少なくとも2つの部分活性層のうちの第2の部分活性層との接続を形成するための前記第2の接続層に、導電接続されている、請求項1に記載のオプトエレクトロニクス半導体ボディ。
- 前記第1の接続層および前記第2の接続層と、分離層とが、横方向に重なり合っている、請求項1または請求項2に記載のオプトエレクトロニクス半導体ボディ。
- 前記第1の接続層もしくは前記第2の接続層またはその両方が、前記少なくとも2つの部分活性層のうちの1つによって、前記第2の主面に向かう方向に放出される前記電磁放射の一部を、前記第1の主面の方向に反射する、請求項1から請求項3のいずれかに記載のオプトエレクトロニクス半導体ボディ。
- 半導体性または電気絶縁性のミラー層が、前記半導体積層体と、前記第1の電気接続層もしくは前記第2の電気接続層またはその両方との間の少なくとも一部分に配置されている、請求項1から請求項4のいずれかに記載のオプトエレクトロニクス半導体ボディ。
- 前記半導体性または電気絶縁性のミラー層が複数の開口を有し、前記第1の電気接続層もしくは前記第2の電気接続層またはその両方が、前記開口の中を前記半導体積層体まで延在している、請求項5に記載のオプトエレクトロニクス半導体ボディ。
- 前記半導体性または電気絶縁性のミラー層が、前記半導体積層体の前記第2の主面の50%またはそれ以上を覆っている、請求項5または請求項6に記載のオプトエレクトロニクス半導体ボディ。
- 前記半導体積層体が、前記第2の主面に隣接する電流拡散層、特に導電性酸化物、を有する、請求項1から請求項7のいずれかに記載のオプトエレクトロニクス半導体ボディ。
- 前記積層体の部分層との接続を形成するための第1の接続層および第2の接続層のそれぞれが、前記第2の主面から前記半導体ボディとの電気接続を形成するために適しているコンタクト領域を有する、請求項1から請求項8のいずれかに記載のオプトエレクトロニクス半導体ボディ。
- 前記第1の接続層および前記第2の接続層のそれぞれが、
前記半導体ボディの外側に配置されており、前記半導体ボディの前記面の上のコンタクトに接続されているリード、を形成している部分要素、
を備えている、
請求項1から請求項9のいずれかに記載のオプトエレクトロニクス半導体ボディ。 - オプトエレクトロニクス半導体ボディを製造する方法であって、
− 成長基板上に半導体積層体をエピタキシャル成長させるステップであって、前記半導体積層体が、電磁放射を発生させるために適している活性層を有し、第1の主面から電磁放射を放出するように構成されている、前記ステップと、
− 少なくとも2つの部分活性層に分割する目的で、少なくとも前記半導体積層体の前記活性層に電気絶縁性の溝を形成するステップと、
− 前記活性層との接続を形成する目的で、前記第1の主面とは反対側である前記半導体積層体の面に、第1の電気接続層を堆積させるステップと、
− 前記第1の主面とは反対側である前記半導体積層体の前記面に、分離層を形成するステップと、
− 前記第1の主面とは反対側である前記半導体積層体の前記面に、第2の電気接続層を堆積させるステップと、
を含んでおり、
− 前記第1の電気接続層と、前記分離層と、前記第2の電気接続層とが、これらが少なくとも部分的に横方向に重なり合うように形成されており、
− 前記接続層が少なくとも2つの部分活性層との接続を形成して直列回路が形成されている、
方法。 - − 前記活性層に穿孔を形成するステップと、
− 前記穿孔の中に前記第2の電気接続層の部分要素を形成するステップであって、前記第2の電気接続層が、前記第1の電気接続層から前記分離層によって電気的に絶縁されている、前記ステップと、
をさらに含んでいる、請求項11に記載の方法。 - 前記第1の電気接続層が反射性として形成されている、請求項11または請求項12に記載の方法。
- 穿孔が前記分離層に形成されており、前記穿孔が、第1の部分活性層との接続を形成している前記第1の接続層を、第2の部分活性層との接続を形成している前記第2の接続層の1つに導電接続している、請求項11から請求項13のいずれかに記載の方法。
- − 前記第1の主面とは反対側の前記面に第1のコンタクトパネルを形成するステップであって、前記第1のコンタクトパネルが、前記第1の接続層との接続を形成することによって前記第1の部分活性層との電気接続を形成している、前記ステップと、
− 前記第1の主面とは反対側の前記面に第2のコンタクトパネルを形成するステップであって、前記第2のコンタクトパネルが、前記第2の接続層との接続を形成することによって前記第2の部分活性層との電気接続を形成している、前記ステップと、
をさらに含んでいる、請求項11から請求項14のいずれかに記載の方法。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE102008011848A DE102008011848A1 (de) | 2008-02-29 | 2008-02-29 | Optoelektronischer Halbleiterkörper und Verfahren zur Herstellung eines solchen |
PCT/DE2009/000281 WO2009106069A1 (de) | 2008-02-29 | 2009-02-25 | Optoelektronischer halbleiterkörper und verfahren zur herstellung eines solchen |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2014087561A Division JP2014160854A (ja) | 2008-02-29 | 2014-04-21 | オプトエレクトロニクス半導体ボディおよびその製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2011513959A true JP2011513959A (ja) | 2011-04-28 |
JP2011513959A5 JP2011513959A5 (ja) | 2012-04-05 |
Family
ID=40791442
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010547954A Pending JP2011513959A (ja) | 2008-02-29 | 2009-02-25 | オプトエレクトロニクス半導体ボディおよびその製造方法 |
JP2014087561A Pending JP2014160854A (ja) | 2008-02-29 | 2014-04-21 | オプトエレクトロニクス半導体ボディおよびその製造方法 |
Family Applications After (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2014087561A Pending JP2014160854A (ja) | 2008-02-29 | 2014-04-21 | オプトエレクトロニクス半導体ボディおよびその製造方法 |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8823024B2 (ja) |
EP (1) | EP2248175B1 (ja) |
JP (2) | JP2011513959A (ja) |
KR (1) | KR101577846B1 (ja) |
CN (1) | CN101960602B (ja) |
DE (1) | DE102008011848A1 (ja) |
WO (1) | WO2009106069A1 (ja) |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2014158020A (ja) * | 2013-02-15 | 2014-08-28 | Lg Innotek Co Ltd | 発光素子 |
JP2015041762A (ja) * | 2013-08-20 | 2015-03-02 | 正幸 安部 | 光半導体装置 |
JP2015177030A (ja) * | 2014-03-14 | 2015-10-05 | スタンレー電気株式会社 | 発光装置 |
JP2015177031A (ja) * | 2014-03-14 | 2015-10-05 | スタンレー電気株式会社 | 発光装置 |
JP2017112166A (ja) * | 2015-12-15 | 2017-06-22 | スタンレー電気株式会社 | 半導体発光素子アレイおよび車両用灯具 |
JP2018519665A (ja) * | 2015-07-16 | 2018-07-19 | オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツングOsram Opto Semiconductors GmbH | オプトエレクトロニクス装置およびオプトエレクトロニクス装置の製造方法 |
Families Citing this family (85)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8941141B2 (en) * | 2006-10-17 | 2015-01-27 | Epistar Corporation | Light-emitting device |
US9461201B2 (en) | 2007-11-14 | 2016-10-04 | Cree, Inc. | Light emitting diode dielectric mirror |
DE102008062933B4 (de) | 2008-12-23 | 2021-05-12 | OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung | Optoelektronische Projektionsvorrichtung |
KR100986570B1 (ko) * | 2009-08-31 | 2010-10-07 | 엘지이노텍 주식회사 | 반도체 발광소자 및 그 제조방법 |
US9362459B2 (en) | 2009-09-02 | 2016-06-07 | United States Department Of Energy | High reflectivity mirrors and method for making same |
JP5506313B2 (ja) * | 2009-09-30 | 2014-05-28 | スタンレー電気株式会社 | 車両ヘッドライト用発光ダイオード光源 |
US9435493B2 (en) | 2009-10-27 | 2016-09-06 | Cree, Inc. | Hybrid reflector system for lighting device |
DE102009060749B4 (de) * | 2009-12-30 | 2021-12-30 | OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung | Optoelektronischer Halbleiterchip |
KR101106151B1 (ko) | 2009-12-31 | 2012-01-20 | 서울옵토디바이스주식회사 | 발광 소자 및 그것을 제조하는 방법 |
KR101039999B1 (ko) * | 2010-02-08 | 2011-06-09 | 엘지이노텍 주식회사 | 반도체 발광소자 및 그 제조방법 |
DE102010013494A1 (de) * | 2010-03-31 | 2011-10-06 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronischer Halbleiterchip |
US9012938B2 (en) | 2010-04-09 | 2015-04-21 | Cree, Inc. | High reflective substrate of light emitting devices with improved light output |
US9105824B2 (en) | 2010-04-09 | 2015-08-11 | Cree, Inc. | High reflective board or substrate for LEDs |
DE102010023342A1 (de) | 2010-06-10 | 2011-12-15 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Leuchtdiodenanordnung und Leuchtmittel insbesondere mit solch einer Leuchtdiodenanordnung |
DE102010025320B4 (de) * | 2010-06-28 | 2021-11-11 | OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung | Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zu dessen Herstellung |
KR101761385B1 (ko) * | 2010-07-12 | 2017-08-04 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광 소자 |
KR101692410B1 (ko) * | 2010-07-26 | 2017-01-03 | 삼성전자 주식회사 | 발광소자 및 그 제조방법 |
TWI495156B (zh) * | 2010-07-30 | 2015-08-01 | Epistar Corp | 半導體發光元件及其製造方法 |
TWI557934B (zh) * | 2010-09-06 | 2016-11-11 | 晶元光電股份有限公司 | 半導體光電元件 |
DE102010045784B4 (de) | 2010-09-17 | 2022-01-20 | OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung | Optoelektronischer Halbleiterchip |
DE102010046792A1 (de) * | 2010-09-28 | 2012-03-29 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronischer Halbleiterchip und Verfahren zu dessen Herstellung |
DE102010048159B4 (de) * | 2010-10-11 | 2023-10-05 | OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung | Leuchtdiodenchip |
DE102011012924A1 (de) | 2011-03-03 | 2012-09-06 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Träger für eine optoelektronische Struktur und optoelektronischer Halbleiterchip mit solch einem Träger |
DE102011015821B4 (de) | 2011-04-01 | 2023-04-20 | OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung | Optoelektronischer Halbleiterchip |
DE102011016302A1 (de) | 2011-04-07 | 2012-10-11 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronischer Halbleiterchip |
CN102751431A (zh) * | 2011-04-18 | 2012-10-24 | 北京地调科技发展有限公司 | Led芯片及其制备方法 |
CN105762166B (zh) * | 2011-04-25 | 2018-11-20 | 晶元光电股份有限公司 | 发光二极管阵列 |
US8492182B2 (en) | 2011-04-29 | 2013-07-23 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Method for the producing of a light-emitting semiconductor chip, method for the production of a conversion die and light-emitting semiconductor chip |
JP5830166B2 (ja) * | 2011-05-25 | 2015-12-09 | オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツングOsram Opto Semiconductors GmbH | オプトエレクトロニクス半導体チップ |
US10243121B2 (en) | 2011-06-24 | 2019-03-26 | Cree, Inc. | High voltage monolithic LED chip with improved reliability |
US9728676B2 (en) | 2011-06-24 | 2017-08-08 | Cree, Inc. | High voltage monolithic LED chip |
JP5662277B2 (ja) | 2011-08-08 | 2015-01-28 | 株式会社東芝 | 半導体発光装置及び発光モジュール |
US9299742B2 (en) | 2011-08-15 | 2016-03-29 | Micron Technology, Inc. | High-voltage solid-state transducers and associated systems and methods |
KR101830719B1 (ko) * | 2011-09-01 | 2018-02-21 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광 소자 |
CN102324458A (zh) * | 2011-09-29 | 2012-01-18 | 南昌黄绿照明有限公司 | 具有透明有机支撑基板的半导体发光器件及其制备方法 |
DE102011056888A1 (de) | 2011-12-22 | 2013-06-27 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Anzeigevorrichtung und Verfahren zur Herstellung einer Anzeigevorrichtung |
DE102012105176B4 (de) | 2012-06-14 | 2021-08-12 | OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung | Optoelektronischer Halbleiterchip |
US8816383B2 (en) * | 2012-07-06 | 2014-08-26 | Invensas Corporation | High performance light emitting diode with vias |
DE102012106364B4 (de) * | 2012-07-16 | 2021-09-09 | OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung | Optoelektronischer Halbleiterchip und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterchips |
DE102012106953A1 (de) | 2012-07-30 | 2014-01-30 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Verfahren zur Herstellung einer Mehrzahl von optoelektronischen Halbleiterchips und optoelektronischer Halbleiterchip |
US10388690B2 (en) | 2012-08-07 | 2019-08-20 | Seoul Viosys Co., Ltd. | Wafer level light-emitting diode array |
DE112013003887T5 (de) * | 2012-09-07 | 2015-05-07 | Seoul Viosys Co., Ltd. | Leuchtdiodenarray auf Wafer-Ebene |
DE102012108763B4 (de) | 2012-09-18 | 2023-02-09 | OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung | Optoelektronischer halbleiterchip und lichtquelle mit dem optoelektronischen halbleiterchip |
DE102012108883A1 (de) * | 2012-09-20 | 2014-03-20 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronischer Halbleiterchip und Verfahren zur Herstellung von optoelektronischen Halbleiterchips |
KR101565122B1 (ko) * | 2012-11-05 | 2015-11-02 | 일진엘이디(주) | 열전도성 기판을 갖는 단일칩 반도체 발광소자 |
DE102012110775A1 (de) * | 2012-11-09 | 2014-05-15 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronischer Halbleiterchip und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterchips |
DE102012112302A1 (de) * | 2012-12-14 | 2014-06-18 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Anzeigevorrichtung und Verfahren zur Herstellung einer Anzeigevorrichtung |
DE102012112530A1 (de) * | 2012-12-18 | 2014-06-18 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Verfahren zum Herstellen von optoelektronischen Halbleiterchips und optoelektronischer Halbleiterchip |
DE102013100470A1 (de) * | 2013-01-17 | 2014-07-17 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronischer Halbleiterchip |
DE102013100818B4 (de) * | 2013-01-28 | 2023-07-27 | OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung | Optoelektronischer Halbleiterchip und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterchips |
DE102013101367A1 (de) * | 2013-02-12 | 2014-08-14 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Halbleiterchip |
DE102013102667A1 (de) | 2013-03-15 | 2014-10-02 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Anzeigevorrichtung |
DE102013103409A1 (de) | 2013-04-05 | 2014-10-09 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronischer Halbleiterchip und optoelektronisches Modul |
DE102013212294A1 (de) * | 2013-06-26 | 2014-12-31 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronischer Halbleiterchip |
KR102053408B1 (ko) * | 2013-07-11 | 2019-12-06 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광 소자 |
WO2015054029A1 (en) * | 2013-10-09 | 2015-04-16 | Cree, Inc. | High voltage monolithic led chip |
DE102013111496A1 (de) | 2013-10-18 | 2015-04-23 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Verfahren zum Herstellen von optoelektronischen Halbleiterbauelementen und optoelektronisches Halbleiterbauelement |
DE102014100773A1 (de) * | 2014-01-23 | 2015-07-23 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Halbleiterbauelement und Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements |
KR102212666B1 (ko) * | 2014-06-27 | 2021-02-05 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광소자 |
TWI625868B (zh) | 2014-07-03 | 2018-06-01 | 晶元光電股份有限公司 | 光電元件及其製造方法 |
DE102014112562A1 (de) | 2014-09-01 | 2016-03-03 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronisches Halbleiterbauelement |
TWI568026B (zh) * | 2014-11-04 | 2017-01-21 | 錼創科技股份有限公司 | 發光裝置 |
KR102237148B1 (ko) * | 2014-11-07 | 2021-04-07 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광소자 제조방법 |
FR3031238B1 (fr) * | 2014-12-30 | 2016-12-30 | Aledia | Dispositif optoelectronique a diodes electroluminescentes |
US10658546B2 (en) * | 2015-01-21 | 2020-05-19 | Cree, Inc. | High efficiency LEDs and methods of manufacturing |
CN107223285B (zh) * | 2015-02-13 | 2020-01-03 | 首尔伟傲世有限公司 | 发光元件以及发光二极管 |
DE102015104144A1 (de) * | 2015-03-19 | 2016-09-22 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronischer Halbleiterkörper und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterkörpers |
DE102015105509A1 (de) * | 2015-04-10 | 2016-10-13 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Bauelement und Verfahren zur Herstellung eines Bauelements |
JP6160726B2 (ja) * | 2015-04-27 | 2017-07-12 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
JP6260640B2 (ja) * | 2015-05-22 | 2018-01-17 | 日亜化学工業株式会社 | 発光素子 |
DE102015111721A1 (de) * | 2015-07-20 | 2017-01-26 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Verfahren zur Herstellung einer Vielzahl von Halbleiterchips und strahlungsemittierender Halbleiterchip |
DE102015118041A1 (de) * | 2015-10-22 | 2017-04-27 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Leuchtdiodenchip und Verfahren zur Herstellung eines Leuchtdiodenchips |
DE102015119353B4 (de) * | 2015-11-10 | 2024-01-25 | OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung | Optoelektronisches Halbleiterbauteil und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterbauteils |
DE102016111113A1 (de) * | 2016-06-17 | 2017-12-21 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronisches Halbleiterbauelement |
DE102016114571A1 (de) * | 2016-08-05 | 2018-02-08 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Filament mit einem träger |
DE102017100716A1 (de) | 2017-01-16 | 2018-07-19 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronisches Halbleiterbauteil |
DE102017125105A1 (de) * | 2017-10-26 | 2019-05-02 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronischer Halbleiterchip |
DE102017126446A1 (de) * | 2017-11-10 | 2019-05-16 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronisches Halbleiterbauelement und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterbauelements |
DE102018125281A1 (de) * | 2018-10-12 | 2020-04-16 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronisches Halbleiterbauteil |
DE102019103638A1 (de) * | 2019-02-13 | 2020-08-13 | OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung | Optoelektronisches halbleiterbauelement mit abschnitten einer leitfähigen schicht und verfahren zur herstellung eines optoelektronischen halbleiterbauelements |
DE102019107030A1 (de) * | 2019-03-19 | 2020-09-24 | OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung | Optoelektronische halbleitervorrichtung mit einer vielzahl von bildelementen und trennelementen und verfahren zur herstellung der optoelektronischen halbleitervorrichtung |
DE102019126506A1 (de) * | 2019-10-01 | 2021-04-01 | OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung | Verfahren zur herstellung von optoelektronischen halbleiterchips und optoelektronischer halbleiterchip |
DE102021102332A1 (de) * | 2021-02-02 | 2022-08-04 | OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung | Verfahren zur herstellung einer anordnung von halbleiterchips und anordnung von halbleiterchips |
CN113257966B (zh) * | 2021-04-13 | 2022-05-31 | 深圳市思坦科技有限公司 | Led芯片结构、其制备方法以及显示模组 |
DE102021123996A1 (de) | 2021-09-16 | 2023-03-16 | OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung | Optoelektornisches halbleiterbauelement und verfahren zur herstellung eines optoelektronischen halbleiterbauelements |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002335010A (ja) * | 2001-03-05 | 2002-11-22 | Nichia Chem Ind Ltd | 窒化物半導体発光素子 |
JP2006073815A (ja) * | 2004-09-02 | 2006-03-16 | Rohm Co Ltd | 半導体発光装置 |
JP2007116097A (ja) * | 2005-09-22 | 2007-05-10 | Sony Corp | 発光ダイオードおよびその製造方法ならびに集積型発光ダイオードおよびその製造方法ならびに窒化物系iii−v族化合物半導体の成長方法ならびに窒化物系iii−v族化合物半導体成長用基板ならびに光源セルユニットならびに発光ダイオードバックライトならびに発光ダイオード照明装置ならびに発光ダイオードディスプレイならびに電子機器ならびに電子装置およびその製造方法 |
US20070131958A1 (en) * | 2005-12-14 | 2007-06-14 | Advanced Optoelectronic Technology Inc. | Single chip with multi-LED |
JP2007324581A (ja) * | 2006-05-01 | 2007-12-13 | Mitsubishi Chemicals Corp | 集積型半導体発光装置およびその製造方法 |
Family Cites Families (29)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5684309A (en) | 1996-07-11 | 1997-11-04 | North Carolina State University | Stacked quantum well aluminum indium gallium nitride light emitting diodes |
JP3447527B2 (ja) * | 1996-09-09 | 2003-09-16 | 株式会社東芝 | 半導体発光素子およびその製造方法 |
CN1297016C (zh) | 1997-01-09 | 2007-01-24 | 日亚化学工业株式会社 | 氮化物半导体元器件 |
US5831277A (en) | 1997-03-19 | 1998-11-03 | Northwestern University | III-nitride superlattice structures |
EP0905797B1 (de) | 1997-09-29 | 2010-02-10 | OSRAM Opto Semiconductors GmbH | Halbleiterlichtquelle und Verfahren zu ihrer Herstellung |
US5952681A (en) * | 1997-11-24 | 1999-09-14 | Chen; Hsing | Light emitting diode emitting red, green and blue light |
DE19955747A1 (de) | 1999-11-19 | 2001-05-23 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optische Halbleitervorrichtung mit Mehrfach-Quantentopf-Struktur |
US6514782B1 (en) | 1999-12-22 | 2003-02-04 | Lumileds Lighting, U.S., Llc | Method of making a III-nitride light-emitting device with increased light generating capability |
US20020017652A1 (en) | 2000-08-08 | 2002-02-14 | Stefan Illek | Semiconductor chip for optoelectronics |
JP4960665B2 (ja) | 2006-08-11 | 2012-06-27 | キヤノン株式会社 | 発光素子アレイ及び画像形成装置 |
US6635902B1 (en) * | 2002-05-24 | 2003-10-21 | Para Light Electronics Co., Ltd. | Serial connection structure of light emitting diode chip |
TWI249148B (en) * | 2004-04-13 | 2006-02-11 | Epistar Corp | Light-emitting device array having binding layer |
US6958494B2 (en) * | 2003-08-14 | 2005-10-25 | Dicon Fiberoptics, Inc. | Light emitting diodes with current spreading layer |
JP4474892B2 (ja) | 2003-10-14 | 2010-06-09 | 日亜化学工業株式会社 | フリップチップ型led |
JP5305594B2 (ja) | 2004-02-20 | 2013-10-02 | オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング | 光電素子、多数の光電素子を有する装置および光電素子を製造する方法 |
DE102005016592A1 (de) | 2004-04-14 | 2005-11-24 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Leuchtdiodenchip |
TWI254469B (en) | 2004-04-14 | 2006-05-01 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Luminous diode chip |
US20060113548A1 (en) | 2004-11-29 | 2006-06-01 | Ching-Chung Chen | Light emitting diode |
WO2006061728A2 (en) | 2004-12-06 | 2006-06-15 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Single chip led as compact color variable light source |
DE112005003841B4 (de) | 2004-12-14 | 2016-03-03 | Seoul Viosys Co., Ltd. | Licht emittierendes Bauelement mit einer Mehrzahl Licht emittierender Zellen |
US7221044B2 (en) | 2005-01-21 | 2007-05-22 | Ac Led Lighting, L.L.C. | Heterogeneous integrated high voltage DC/AC light emitter |
TWI291246B (en) * | 2005-10-20 | 2007-12-11 | Epistar Corp | Light emitting device and method of forming the same |
TW200739952A (en) | 2005-12-22 | 2007-10-16 | Rohm Co Ltd | Light emitting device and illumination instrument |
US7994514B2 (en) * | 2006-04-21 | 2011-08-09 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Semiconductor light emitting device with integrated electronic components |
DE102006055884B4 (de) * | 2006-09-29 | 2023-03-16 | Pictiva Displays International Limited | Strahlungsemittierende Vorrichtung und Verfahren zu ihrer Herstellung |
TW200837943A (en) | 2007-01-22 | 2008-09-16 | Led Lighting Fixtures Inc | Fault tolerant light emitters, systems incorporating fault tolerant light emitters and methods of fabricating fault tolerant light emitters |
DE102007019775A1 (de) | 2007-04-26 | 2008-10-30 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronisches Bauelement |
DE102007022947B4 (de) | 2007-04-26 | 2022-05-05 | OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung | Optoelektronischer Halbleiterkörper und Verfahren zur Herstellung eines solchen |
US8643034B2 (en) | 2008-02-29 | 2014-02-04 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Monolithic, optoelectronic semiconductor body and method for the production thereof |
-
2008
- 2008-02-29 DE DE102008011848A patent/DE102008011848A1/de not_active Withdrawn
-
2009
- 2009-02-25 CN CN2009801072822A patent/CN101960602B/zh active Active
- 2009-02-25 KR KR1020107020196A patent/KR101577846B1/ko active IP Right Grant
- 2009-02-25 US US12/920,313 patent/US8823024B2/en active Active
- 2009-02-25 WO PCT/DE2009/000281 patent/WO2009106069A1/de active Application Filing
- 2009-02-25 EP EP09714298.8A patent/EP2248175B1/de active Active
- 2009-02-25 JP JP2010547954A patent/JP2011513959A/ja active Pending
-
2014
- 2014-04-21 JP JP2014087561A patent/JP2014160854A/ja active Pending
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002335010A (ja) * | 2001-03-05 | 2002-11-22 | Nichia Chem Ind Ltd | 窒化物半導体発光素子 |
JP2006073815A (ja) * | 2004-09-02 | 2006-03-16 | Rohm Co Ltd | 半導体発光装置 |
JP2007116097A (ja) * | 2005-09-22 | 2007-05-10 | Sony Corp | 発光ダイオードおよびその製造方法ならびに集積型発光ダイオードおよびその製造方法ならびに窒化物系iii−v族化合物半導体の成長方法ならびに窒化物系iii−v族化合物半導体成長用基板ならびに光源セルユニットならびに発光ダイオードバックライトならびに発光ダイオード照明装置ならびに発光ダイオードディスプレイならびに電子機器ならびに電子装置およびその製造方法 |
US20070131958A1 (en) * | 2005-12-14 | 2007-06-14 | Advanced Optoelectronic Technology Inc. | Single chip with multi-LED |
JP2007324581A (ja) * | 2006-05-01 | 2007-12-13 | Mitsubishi Chemicals Corp | 集積型半導体発光装置およびその製造方法 |
Cited By (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2014158020A (ja) * | 2013-02-15 | 2014-08-28 | Lg Innotek Co Ltd | 発光素子 |
US9356193B2 (en) | 2013-02-15 | 2016-05-31 | Lg Innotek Co., Ltd. | Light emitting device |
JP2015041762A (ja) * | 2013-08-20 | 2015-03-02 | 正幸 安部 | 光半導体装置 |
JP2015177030A (ja) * | 2014-03-14 | 2015-10-05 | スタンレー電気株式会社 | 発光装置 |
JP2015177031A (ja) * | 2014-03-14 | 2015-10-05 | スタンレー電気株式会社 | 発光装置 |
JP2018519665A (ja) * | 2015-07-16 | 2018-07-19 | オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツングOsram Opto Semiconductors GmbH | オプトエレクトロニクス装置およびオプトエレクトロニクス装置の製造方法 |
US10854783B2 (en) | 2015-07-16 | 2020-12-01 | Osram Oled Gmbh | Optoelectronic arrangement and method for producing an optoelectronic arrangement |
US11527678B2 (en) | 2015-07-16 | 2022-12-13 | Osram Oled Gmbh | Optoelectronic arrangement and method for producing an optoelectronic arrangement |
JP2017112166A (ja) * | 2015-12-15 | 2017-06-22 | スタンレー電気株式会社 | 半導体発光素子アレイおよび車両用灯具 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2014160854A (ja) | 2014-09-04 |
WO2009106069A1 (de) | 2009-09-03 |
KR101577846B1 (ko) | 2015-12-15 |
US8823024B2 (en) | 2014-09-02 |
CN101960602A (zh) | 2011-01-26 |
US20120086026A1 (en) | 2012-04-12 |
EP2248175B1 (de) | 2017-03-29 |
DE102008011848A1 (de) | 2009-09-03 |
CN101960602B (zh) | 2012-09-26 |
KR20100126733A (ko) | 2010-12-02 |
EP2248175A1 (de) | 2010-11-10 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2014160854A (ja) | オプトエレクトロニクス半導体ボディおよびその製造方法 | |
JP5992662B2 (ja) | モノリシックなオプトエレクトロニクス半導体ボディおよびその製造方法 | |
JP5193048B2 (ja) | 垂直に積層された発光ダイオードを有する発光素子 | |
JP5801359B2 (ja) | オプトエレクトロニクス半導体ボディ | |
US7704771B2 (en) | Light emitting device, method of manufacturing the same and monolithic light emitting diode array | |
US6547249B2 (en) | Monolithic series/parallel led arrays formed on highly resistive substrates | |
US9620680B2 (en) | Optoelectronic semiconductor body | |
JP2004128502A (ja) | トンネル接合を含む発光装置 | |
WO2004030112A2 (en) | Optimized contact design for flip-chip led | |
KR20100094243A (ko) | 발광소자 및 그 제조방법 | |
US11784210B2 (en) | Light-emitting device and manufacturing method thereof | |
JP7043551B2 (ja) | 発光デバイスのp型層を形成する方法 | |
US9705036B2 (en) | Light emitting device and light emitting device package | |
KR102299735B1 (ko) | 발광소자 및 조명시스템 | |
KR100700531B1 (ko) | 발광 다이오드 및 그 제조 방법 | |
JP2018534781A (ja) | 紫外線発光素子及び発光素子パッケージ | |
KR20170027450A (ko) | 발광 소자 및 이를 구비한 발광 소자 패키지 | |
KR20160147304A (ko) | 발광소자 및 그 제조방법 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20120217 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20120217 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20130424 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20130430 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20130726 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20130802 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20131030 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20131224 |