JP2011505597A - 低損失、低クロストークの光信号ルーチング用の集積された平面状ポリマー導波路 - Google Patents
低損失、低クロストークの光信号ルーチング用の集積された平面状ポリマー導波路 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2011505597A JP2011505597A JP2010536078A JP2010536078A JP2011505597A JP 2011505597 A JP2011505597 A JP 2011505597A JP 2010536078 A JP2010536078 A JP 2010536078A JP 2010536078 A JP2010536078 A JP 2010536078A JP 2011505597 A JP2011505597 A JP 2011505597A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- based resin
- polymer
- organofunctional siloxane
- forming
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 title claims abstract description 61
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 title description 46
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims abstract description 79
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims abstract description 79
- KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N disiloxane Chemical class [SiH3]O[SiH3] KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 50
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 28
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 24
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 27
- 239000000835 fiber Substances 0.000 claims description 14
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 6
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 50
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 44
- 125000003700 epoxy group Chemical group 0.000 description 27
- -1 polydimethylsiloxane Polymers 0.000 description 16
- 239000000047 product Substances 0.000 description 15
- 239000011342 resin composition Substances 0.000 description 15
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 13
- 238000005253 cladding Methods 0.000 description 13
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 description 13
- 125000002029 aromatic hydrocarbon group Chemical group 0.000 description 11
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 125000001931 aliphatic group Chemical group 0.000 description 10
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 10
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 9
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000012792 core layer Substances 0.000 description 8
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 8
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 7
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 7
- 239000003999 initiator Substances 0.000 description 7
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 7
- 125000001424 substituent group Chemical group 0.000 description 7
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 6
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 description 6
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 6
- 125000001183 hydrocarbyl group Chemical group 0.000 description 6
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 6
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 6
- 229910004283 SiO 4 Inorganic materials 0.000 description 5
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 5
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 5
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 239000004205 dimethyl polysiloxane Substances 0.000 description 5
- 239000010408 film Substances 0.000 description 5
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 5
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 5
- 229920000435 poly(dimethylsiloxane) Polymers 0.000 description 5
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 4
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 4
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 description 4
- 125000000962 organic group Chemical group 0.000 description 4
- 125000001997 phenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(*)C([H])=C1[H] 0.000 description 4
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 4
- KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M Potassium hydroxide Chemical compound [OH-].[K+] KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 3
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 3
- 238000009833 condensation Methods 0.000 description 3
- 230000005494 condensation Effects 0.000 description 3
- 238000006482 condensation reaction Methods 0.000 description 3
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 3
- 238000013461 design Methods 0.000 description 3
- 238000003780 insertion Methods 0.000 description 3
- 230000037431 insertion Effects 0.000 description 3
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 3
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 3
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 3
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 3
- 125000003944 tolyl group Chemical group 0.000 description 3
- 229910003902 SiCl 4 Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 2
- 238000011161 development Methods 0.000 description 2
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 2
- LIKFHECYJZWXFJ-UHFFFAOYSA-N dimethyldichlorosilane Chemical compound C[Si](C)(Cl)Cl LIKFHECYJZWXFJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 239000005054 phenyltrichlorosilane Substances 0.000 description 2
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 2
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 2
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 2
- ORVMIVQULIKXCP-UHFFFAOYSA-N trichloro(phenyl)silane Chemical compound Cl[Si](Cl)(Cl)C1=CC=CC=C1 ORVMIVQULIKXCP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000003866 trichloromethyl group Chemical group ClC(Cl)(Cl)* 0.000 description 2
- 125000000391 vinyl group Chemical group [H]C([*])=C([H])[H] 0.000 description 2
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 2
- 125000003903 2-propenyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])=C([H])[H] 0.000 description 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RWSOTUBLDIXVET-UHFFFAOYSA-N Dihydrogen sulfide Chemical group S RWSOTUBLDIXVET-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 241001050985 Disco Species 0.000 description 1
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 1
- 101150071746 Pbsn gene Proteins 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 125000003545 alkoxy group Chemical group 0.000 description 1
- 125000002947 alkylene group Chemical group 0.000 description 1
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 238000003491 array Methods 0.000 description 1
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 1
- 150000001555 benzenes Chemical class 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 238000009835 boiling Methods 0.000 description 1
- 125000000484 butyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 239000006227 byproduct Substances 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000001309 chloro group Chemical group Cl* 0.000 description 1
- 230000002860 competitive effect Effects 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 238000004132 cross linking Methods 0.000 description 1
- 238000006880 cross-coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 230000018044 dehydration Effects 0.000 description 1
- 238000006297 dehydration reaction Methods 0.000 description 1
- 239000012954 diazonium Chemical group 0.000 description 1
- 150000001989 diazonium salts Chemical group 0.000 description 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 1
- 125000001301 ethoxy group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])O* 0.000 description 1
- 125000001495 ethyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 239000011888 foil Substances 0.000 description 1
- 239000003365 glass fiber Substances 0.000 description 1
- 125000006038 hexenyl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000004051 hexyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- XMBWDFGMSWQBCA-UHFFFAOYSA-N hydrogen iodide Chemical group I XMBWDFGMSWQBCA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 230000000977 initiatory effect Effects 0.000 description 1
- 230000014759 maintenance of location Effects 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 125000000956 methoxy group Chemical group [H]C([H])([H])O* 0.000 description 1
- 239000005055 methyl trichlorosilane Substances 0.000 description 1
- JLUFWMXJHAVVNN-UHFFFAOYSA-N methyltrichlorosilane Chemical compound C[Si](Cl)(Cl)Cl JLUFWMXJHAVVNN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 1
- 125000001624 naphthyl group Chemical group 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 150000004714 phosphonium salts Chemical group 0.000 description 1
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 1
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 125000001436 propyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 230000008929 regeneration Effects 0.000 description 1
- 238000011069 regeneration method Methods 0.000 description 1
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 description 1
- SPVXKVOXSXTJOY-UHFFFAOYSA-O selenonium Chemical group [SeH3+] SPVXKVOXSXTJOY-UHFFFAOYSA-O 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 230000008054 signal transmission Effects 0.000 description 1
- 150000004756 silanes Chemical group 0.000 description 1
- SCPYDCQAZCOKTP-UHFFFAOYSA-N silanol Chemical compound [SiH3]O SCPYDCQAZCOKTP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- 239000012815 thermoplastic material Substances 0.000 description 1
- JOXIMZWYDAKGHI-UHFFFAOYSA-M toluene-4-sulfonate Chemical group CC1=CC=C(S([O-])(=O)=O)C=C1 JOXIMZWYDAKGHI-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
- 150000003918 triazines Chemical group 0.000 description 1
- BPSIOYPQMFLKFR-UHFFFAOYSA-N trimethoxy-[3-(oxiran-2-ylmethoxy)propyl]silane Chemical compound CO[Si](OC)(OC)CCCOCC1CO1 BPSIOYPQMFLKFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920002554 vinyl polymer Polymers 0.000 description 1
- 125000005023 xylyl group Chemical group 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
- G02B6/10—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type
- G02B6/12—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type of the integrated circuit kind
- G02B6/13—Integrated optical circuits characterised by the manufacturing method
- G02B6/138—Integrated optical circuits characterised by the manufacturing method by using polymerisation
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
- G02B6/10—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type
- G02B6/12—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type of the integrated circuit kind
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
- G02B6/10—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type
- G02B6/12—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type of the integrated circuit kind
- G02B6/122—Basic optical elements, e.g. light-guiding paths
- G02B6/1221—Basic optical elements, e.g. light-guiding paths made from organic materials
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
- G02B6/10—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type
- G02B6/12—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type of the integrated circuit kind
- G02B6/122—Basic optical elements, e.g. light-guiding paths
- G02B6/125—Bends, branchings or intersections
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
- G02B6/10—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type
- G02B6/12—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type of the integrated circuit kind
- G02B2006/12166—Manufacturing methods
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
- G02B6/24—Coupling light guides
- G02B6/42—Coupling light guides with opto-electronic elements
- G02B6/43—Arrangements comprising a plurality of opto-electronic elements and associated optical interconnections
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Optical Integrated Circuits (AREA)
Abstract
Description
(R1R2R3SiO1/2)a(R4R5SiO2/2)b(R6SiO3/2)c(SiO4/2)d、
式中、R1、R2、R3、R4、R5及びR6は、1〜6個の炭素原子を有する一価脂肪族炭化水素基、6〜10個の炭素原子を有する一価芳香族炭化水素基及びエポキシ基含有一価炭化水素基から選択される有機基であり、1つの分子は、エポキシ基含有一価炭化水素基を有するシリコーン単位を2〜50モル%含み、すべての有機基の14モル%超は、6〜10個の炭素原子を有する一価芳香族炭化水素基であり、a+b+c+d=1の条件が満たされ、「a」は平均で0≦d<0.4の条件を満たし、「b」は平均で0<b<0.5の条件を満たし、「c」は平均で0<c<1の条件を満たし、「d」は平均で0 b d<0.4の条件を満たし、「b」及び「c」は0.1≦b/c≦0.3の条件によって拘束される。ただし、a、b、c及びdは、これらのモル単位の合計が1に等しいとした場合の各シロキサン単位の平均モル数を示す。換言すれば、これらの符号は平均モル%、又は1分子中の各シロキサン単位の構成比を示し、したがって(a+b+c+d)=1である。この成分がエポキシ基を含有するため、それを光重合開始剤(B)の存在下で紫外線などの活性エネルギー線で照射することによって、それを迅速に硬化させることができる。
(R4R5SiO2/2)b(R6SiO3/2)c
(R1R2R3SiO1/2)a(R4R5SiO2/2)b(R6SiO3/2)c
(R4R5SiO2/2)b(R6SiO3/2)c(SiO4/2)d
(R1R2R3SiO1/2)a(R4R5SiO2/2)b(R6SiO3/2)c(SiO4/2)d
で示す単位からなることができる。
3−(グリシドキシ)プロピル基:
2−(グリシドキシカルボニル)プロピル基:
2−(3,4−エポキシシクロヘキシル)エチル基:
2−(4−メチル−3,4−エポキシシクロヘキシル)プロピル基:
である。
Claims (18)
- 基板上に互いに隣接して形成され、第1の屈折率を有する第1の材料により形成された第1の層及び第3の層と、
前記第1の層と第2の層の間に形成され、前記第1の屈折率よりも大きい第2の屈折率を有する第2の材料により形成された第2の層と、
前記第2の層の中に、及び隣接する前記第1の層及び前記第3の層によって規定される面内に形成された複数の有機官能性シロキサン・ベースの樹脂又はポリマーの導波路とを備え、
それぞれの有機官能性シロキサン・ベースの樹脂又はポリマーの導波路が、前記第2の層の1つの縁部に入力部を有し、前記第2の層の1つの縁部に出力部を有し、前記入力部及び出力部が異なる見通し経路上に存在し、前記複数の有機官能性シロキサン・ベースの樹脂又はポリマーの導波路が、前記複数の有機官能性シロキサン・ベースの樹脂又はポリマーの導波路の交差がほぼ直角になるように形成されている、装置。 - 前記複数の有機官能性シロキサン・ベースの樹脂又はポリマーの導波路が、マンハッタン式ルーチング・パターンによってルート指定される複数の有機官能性シロキサン・ベースの樹脂又はポリマーの導波路を含む請求項1に記載された装置。
- 前記複数の有機官能性シロキサン・ベースの樹脂又はポリマーの導波路のそれぞれが、前記入力部と前記出力部の間に実質的に90°の屈曲部を含む請求項1に記載された装置。
- 前記第2の層の相対する縁部の前記入力部が、前記入力部に近接する対応する有機官能性シロキサン・ベースの樹脂又はポリマーの導波路の方向に垂直な方向に互いにオフセットされている請求項1に記載された装置。
- 前記第2の層の相対する縁部の前記出力部が、前記出力部に近接する対応する有機官能性シロキサン・ベースの樹脂又はポリマーの導波路の方向に垂直な方向に互いにオフセットされている請求項1に記載された装置。
- 前記入力部及び前記出力部が、リボン・ファイバ・ジャンパに結合されるように構成されている請求項1に記載された装置。
- 第1の屈折率を有する第1の材料により形成される第1の層及び第3の層を、基板上に互いに隣接して形成する段階と、
前記第1の屈折率よりも大きい第2の屈折率を有する第2の材料により形成される第2の層を、前記第1の層と前記第3の層との間に形成する段階と、
前記第2の層の中に、及び隣接する前記第1の層及び前記第3の層によって規定される面内に、有機官能性シロキサン・ベースの樹脂又はポリマーの少なくとも1つでできた複数の導波路を形成する段階であって、それぞれのポリマー導波路が、前記第2の層の1つの縁部に入力部を、前記第2の層の1つの縁部に出力部を、前記入力部及び出力部が異なる見通し経路上に存在するように有し、前記複数のポリマー導波路が、当該複数のポリマー導波路の交差がほぼ直角に形成される、複数の導波路を形成する段階と
を含む方法。 - 前記有機官能性シロキサン・ベースの樹脂又はポリマーの少なくとも1つでできた複数の導波路を形成する段階が、前記複数の有機官能性シロキサン・ベースの樹脂又はポリマーの導波路を、前記複数の有機官能性シロキサン・ベースの樹脂又はポリマーの導波路がマンハッタン式ルーチング・パターンによってルート指定されるように形成することを含む請求項7に記載された方法。
- 前記有機官能性シロキサン・ベースの樹脂又はポリマーの少なくとも1つでできた複数の導波路を形成する段階が、前記複数の有機官能性シロキサン・ベースの樹脂又はポリマーの導波路を、前記複数の有機官能性シロキサン・ベースの樹脂又はポリマーの導波路のそれぞれが前記入力部と前記出力部の間に実質的に90°の屈曲部を含むように形成することを含む請求項7に記載された方法。
- 前記有機官能性シロキサン・ベースの樹脂又はポリマーの少なくとも1つでできた複数の導波路を形成する段階が、前記複数の有機官能性シロキサン・ベースの樹脂又はポリマーの導波路を、前記第2の層の相対する縁部上の前記入力部が前記入力部に近接する対応するポリマー導波路の方向に垂直な方向に互いにオフセットされるように形成することを含む請求項7に記載された方法。
- 前記有機官能性シロキサン・ベースの樹脂又はポリマーの少なくとも1つでできた複数の導波路を形成する段階が、前記複数の有機官能性シロキサン・ベースの樹脂又はポリマーの導波路を、前記第2の層の相対する縁部上の前記出力部が前記出力部に近接する対応する有機官能性シロキサン・ベースの樹脂又はポリマーの導波路の方向に垂直な方向に互いにオフセットされるように形成することを含む請求項7に記載された方法。
- 前記入力部及び前記出力部を、リボン・ファイバ・ジャンパに結合することができるように形成することを含む請求項7に記載された装置。
- 平面導波路であって、
第1の屈折率を有する第1の材料により形成される第1の層及び第3の層を、基板上に互いに隣接して形成する段階と、
前記第1の屈折率よりも大きい第2の屈折率を有する第2の材料により形成される第2の層を、前記第1の層と前記第3の層との間に形成する段階と、
前記第2の層の中に、及び隣接する前記第1及び第3の層によって規定される面内に、複数の有機官能性シロキサン・ベースの樹脂又はポリマーの導波路を形成する段階であって、それぞれの有機官能性シロキサン・ベースの樹脂又はポリマーの導波路が、前記第3の層の1つの縁部に入力部を、前記第3の層の1つの縁部に出力部を、前記入力部及び出力部が異なる見通し経路上に存在するように有し、前記複数の有機官能性シロキサン・ベースの樹脂又はポリマーの導波路は、前記複数のポリマー導波路の交差がほぼ直角に形成される、複数の有機官能性シロキサン・ベースの樹脂又はポリマーの導波路を形成する段階と
を含む工程によって形成される平面導波路。 - 前記複数の有機官能性シロキサン・ベースの樹脂又はポリマーの導波路を形成する段階が、前記複数の有機官能性シロキサン・ベースの樹脂又はポリマーの導波路を、当該複数の有機官能性シロキサン・ベースの樹脂又はポリマーの導波路がマンハッタン式ルーチング・パターンによってルート指定されるように形成することを含む請求項13に記載された工程によって形成される平面導波路。
- 前記複数の有機官能性シロキサン・ベースの樹脂又はポリマーの導波路を形成する段階が、前記複数の有機官能性シロキサン・ベースの樹脂又はポリマーの導波路を、当該複数の有機官能性シロキサン・ベースの樹脂又はポリマーの導波路のそれぞれが前記入力部と前記出力部の間に実質的に90°の屈曲部を含むように形成することを含む請求項13に記載された工程によって形成される平面導波路。
- 前記複数の有機官能性シロキサン・ベースの樹脂又はポリマーの導波路を形成する段階が、前記複数の有機官能性シロキサン・ベースの樹脂又はポリマーの導波路を、前記第2の層の相対する縁部上の前記入力部が、前記入力部に近接する対応する有機官能性シロキサン・ベースの樹脂又はポリマーの導波路の方向に垂直な方向に互いにオフセットされるように形成することを含む請求項13に記載された工程によって形成される平面導波路。
- 前記複数の有機官能性シロキサン・ベースの樹脂又はポリマーの導波路を形成する段階が、前記複数の有機官能性シロキサン・ベースの樹脂又はポリマーの導波路を、前記第2の層の相対する縁部上の前記出力部が、前記出力部に近接する対応する有機官能性シロキサン・ベースの樹脂又はポリマーの導波路の方向に垂直な方向に互いにオフセットされるように形成することを含む請求項13に記載された工程によって形成される平面導波路。
- 前記入力部及び前記出力部を、リボン・ファイバ・ジャンパに結合することができるように形成することを含む請求項13に記載された工程によって形成される平面導波路。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US99136807P | 2007-11-30 | 2007-11-30 | |
US60/991,368 | 2007-11-30 | ||
PCT/US2008/084310 WO2009073404A1 (en) | 2007-11-30 | 2008-11-21 | An integrated planar polymer waveguide for low-loss, low-crosstalk optical signal routing |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2011505597A true JP2011505597A (ja) | 2011-02-24 |
JP5431354B2 JP5431354B2 (ja) | 2014-03-05 |
Family
ID=40352305
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010536078A Active JP5431354B2 (ja) | 2007-11-30 | 2008-11-21 | 低損失、低クロストークの光信号ルーチング用の集積された平面状ポリマー導波路 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US8885994B2 (ja) |
EP (1) | EP2217955B1 (ja) |
JP (1) | JP5431354B2 (ja) |
KR (1) | KR101576268B1 (ja) |
CN (1) | CN101878441B (ja) |
WO (1) | WO2009073404A1 (ja) |
Families Citing this family (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5431354B2 (ja) * | 2007-11-30 | 2014-03-05 | ダウ コーニング コーポレーション | 低損失、低クロストークの光信号ルーチング用の集積された平面状ポリマー導波路 |
JP2012073358A (ja) * | 2010-09-28 | 2012-04-12 | Nitto Denko Corp | コネクタ用光導波路の製法 |
US9354518B2 (en) | 2011-05-25 | 2016-05-31 | Dow Corning Corporation | Epoxy-functional radiation-curable composition containing an epoxy-functional siloxane oligomer for enhanced film retention and adhesion during solvent development |
US9297951B2 (en) | 2012-02-27 | 2016-03-29 | Sumitomo Bakelite Co., Ltd. | Optical waveguide, optical wiring component, optical waveguide module and electronic device |
US10435585B2 (en) | 2013-05-17 | 2019-10-08 | Dow Corning Corporation | Curable composition, method of preparing cured article, and cured article formed thereby |
US10107959B2 (en) | 2017-02-02 | 2018-10-23 | International Business Machines Corporation | Waveguide architecture for photonic neural component |
US10914895B2 (en) * | 2018-09-18 | 2021-02-09 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Package structure and manufacturing method thereof |
CN112241042B (zh) * | 2020-11-10 | 2023-08-15 | 桂林电子科技大学 | 一种低串扰的相交聚合物微纳光纤 |
US12002252B2 (en) * | 2021-05-12 | 2024-06-04 | Rakuten Group, Inc. | Image matching system |
Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH11191656A (ja) * | 1996-12-26 | 1999-07-13 | Nec Corp | 光半導体素子 |
JP2002258081A (ja) * | 2001-02-28 | 2002-09-11 | Fujitsu Ltd | 光配線基板、光配線基板の製造方法及び多層光配線 |
JP2004199032A (ja) * | 2002-12-05 | 2004-07-15 | Sony Corp | 高分子光導波路 |
JP2005171069A (ja) * | 2003-12-10 | 2005-06-30 | Dow Corning Toray Silicone Co Ltd | 活性エネルギー線硬化型オルガノポリシロキサン樹脂組成物、光伝送部材および光伝送部材の製造方法 |
JP2005181871A (ja) * | 2003-12-22 | 2005-07-07 | Kyocera Corp | 光導波路基板 |
JP2005227767A (ja) * | 2004-01-20 | 2005-08-25 | E I Du Pont De Nemours & Co | 超高屈折コントラストプレーナ型の厳密非ブロッキング高ポートカウントのクロスコネクトスイッチマトリックス |
JP2006023749A (ja) * | 2004-07-09 | 2006-01-26 | Fujitsu Ltd | 複数の電子部品間を光学的に相互接続する光装置 |
JP2006525556A (ja) * | 2003-05-01 | 2006-11-09 | ニューポート オプティコム インコーポレイテッド | 面外導波路を使用する低損失光導波路クロスオーバ |
Family Cites Families (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0547262A1 (en) * | 1991-12-18 | 1993-06-23 | International Business Machines Corporation | Modular photonic waveguide distribution system |
US5757989A (en) * | 1992-09-10 | 1998-05-26 | Fujitsu Limited | Optical circuit system capable of producing optical signal having a small fluctuation and components of same |
US5521992A (en) * | 1994-08-01 | 1996-05-28 | Motorola, Inc. | Molded optical interconnect |
WO2000050938A1 (en) | 1999-02-22 | 2000-08-31 | Massachusetts Institute Of Technology | Vertically coupled optical resonator devices over a cross-grid waveguide architecture |
US6442323B1 (en) * | 2001-01-05 | 2002-08-27 | Us Conec Ltd. | Flexible optical circuit having a protective foam layer |
DE10103273A1 (de) * | 2001-01-25 | 2002-08-01 | Sel Alcatel Ag | Optische Wellenleiterstruktur und Verfahren zur Herstellung einer solchen Wellenleiterstruktur |
AU2003216121A1 (en) | 2002-01-30 | 2003-09-02 | Photon-X, Inc. | Microresonators made of nanoparticles with halogenated polymer coating embedded in halogenated polymer host matrix |
US7532782B2 (en) * | 2002-04-18 | 2009-05-12 | Pivotal Decisions Llc | Flexible optical circuit apparatus and method |
JP3945322B2 (ja) * | 2002-06-27 | 2007-07-18 | 富士ゼロックス株式会社 | 光学素子およびその製造方法 |
JP4144468B2 (ja) * | 2003-07-25 | 2008-09-03 | 富士ゼロックス株式会社 | 積層型高分子光導波路およびその製造方法 |
JP3987500B2 (ja) * | 2004-02-17 | 2007-10-10 | 浜松ホトニクス株式会社 | 光配線基板および光配線基板の製造方法 |
US7811640B2 (en) * | 2006-05-02 | 2010-10-12 | Rpo Pty Limited | Methods for fabricating polymer optical waveguides on large area panels |
JP5431354B2 (ja) * | 2007-11-30 | 2014-03-05 | ダウ コーニング コーポレーション | 低損失、低クロストークの光信号ルーチング用の集積された平面状ポリマー導波路 |
-
2008
- 2008-11-21 JP JP2010536078A patent/JP5431354B2/ja active Active
- 2008-11-21 KR KR1020107014607A patent/KR101576268B1/ko active IP Right Grant
- 2008-11-21 US US12/740,422 patent/US8885994B2/en active Active
- 2008-11-21 CN CN200880118222.6A patent/CN101878441B/zh active Active
- 2008-11-21 WO PCT/US2008/084310 patent/WO2009073404A1/en active Application Filing
- 2008-11-21 EP EP08857066.8A patent/EP2217955B1/en active Active
-
2014
- 2014-06-25 US US14/314,349 patent/US9091809B2/en active Active
Patent Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH11191656A (ja) * | 1996-12-26 | 1999-07-13 | Nec Corp | 光半導体素子 |
JP2002258081A (ja) * | 2001-02-28 | 2002-09-11 | Fujitsu Ltd | 光配線基板、光配線基板の製造方法及び多層光配線 |
JP2004199032A (ja) * | 2002-12-05 | 2004-07-15 | Sony Corp | 高分子光導波路 |
JP2006525556A (ja) * | 2003-05-01 | 2006-11-09 | ニューポート オプティコム インコーポレイテッド | 面外導波路を使用する低損失光導波路クロスオーバ |
JP2005171069A (ja) * | 2003-12-10 | 2005-06-30 | Dow Corning Toray Silicone Co Ltd | 活性エネルギー線硬化型オルガノポリシロキサン樹脂組成物、光伝送部材および光伝送部材の製造方法 |
JP2005181871A (ja) * | 2003-12-22 | 2005-07-07 | Kyocera Corp | 光導波路基板 |
JP2005227767A (ja) * | 2004-01-20 | 2005-08-25 | E I Du Pont De Nemours & Co | 超高屈折コントラストプレーナ型の厳密非ブロッキング高ポートカウントのクロスコネクトスイッチマトリックス |
JP2006023749A (ja) * | 2004-07-09 | 2006-01-26 | Fujitsu Ltd | 複数の電子部品間を光学的に相互接続する光装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US9091809B2 (en) | 2015-07-28 |
EP2217955A1 (en) | 2010-08-18 |
CN101878441A (zh) | 2010-11-03 |
JP5431354B2 (ja) | 2014-03-05 |
CN101878441B (zh) | 2012-07-04 |
KR20100100931A (ko) | 2010-09-15 |
US8885994B2 (en) | 2014-11-11 |
US20140369643A1 (en) | 2014-12-18 |
KR101576268B1 (ko) | 2015-12-08 |
WO2009073404A1 (en) | 2009-06-11 |
EP2217955B1 (en) | 2017-08-16 |
US20110176764A1 (en) | 2011-07-21 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5431354B2 (ja) | 低損失、低クロストークの光信号ルーチング用の集積された平面状ポリマー導波路 | |
KR101302767B1 (ko) | 광도파로-형성 에폭시 수지 조성물, 광도파로-형성 경화 필름, 광전송 가요성 인쇄 회로, 및 전자 정보 장치 | |
CN101669053B (zh) | 光电复合基板的制造方法 | |
US20090269503A1 (en) | Flexible optical waveguide and process for its production | |
KR101111473B1 (ko) | 단거리 광 상호접속 장치 | |
US20130183014A1 (en) | Optical waveguide structure and electronic device | |
JP6251989B2 (ja) | 光電気混載基板および電子機器 | |
JP5625706B2 (ja) | 積層体の製造方法 | |
KR101665740B1 (ko) | 광도파로의 제조방법, 광도파로 및 광전기 복합배선판 | |
DeGroot Jr | Cost-effective optical waveguide components for printed circuit applications | |
JP6268816B2 (ja) | 光導波路用部材、光導波路、光導波路の製造方法および電子機器 | |
JP6364884B2 (ja) | 光導波路、光電気混載基板、光モジュールおよび電子機器 | |
JP6958063B2 (ja) | 光導波路の製造方法 | |
Lamprecht et al. | Highly reliable silicone based optical waveguides embedded in PCBs | |
Eldada | Polymeric optoelectronic interconnects | |
KR100861939B1 (ko) | 집적화된 연성 광 인쇄회로기판 | |
Eldada | Advances in polymer optical interconnects | |
JP2015087657A (ja) | 光導波路、光電気混載基板および電子機器 | |
WO2013191175A1 (ja) | 光導波路、光配線部品、光モジュール、光電気混載基板および電子機器 | |
Hara et al. | Preparation and properties of novel silicone-based flexible optical waveguide | |
JP6268817B2 (ja) | 光導波路用部材、光導波路、光導波路の製造方法および電子機器 | |
Tsou et al. | 12.5‐Gb/s Highly Flexible 180° Polymer Waveguide on Optical and Electronic Printed Circuit Board | |
JP6413224B2 (ja) | 光導波路、光電気混載基板および電子機器 | |
JP2014026268A (ja) | 光導波路、光配線部品、光モジュール、光電気混載基板および電子機器 | |
JP2012133238A (ja) | 光電気複合基板及び光電気複合モジュールの製造方法、並びにそれにより得られる光電気複合基板及び光電気複合モジュール |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20110802 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20120815 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20120817 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20121119 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20121127 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20121217 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20121225 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20130116 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20130712 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20131011 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20131105 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20131204 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Ref document number: 5431354 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
S802 | Written request for registration of partial abandonment of right |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R311802 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |