JP2011250491A - 半導体モジュール、および、それを用いた駆動装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】パワーモジュール60では、インバータ入力端子122、U相巻線端子123、インバータグランド端子124は、この順で隣り合って配列されてU相端子群をなす。インバータ入力端子126、V相巻線端子125、インバータグランド端子124は、この順で隣り合って配列されてV相端子群をなす。インバータ入力端子126、W相巻線端子127、インバータグランド端子128は、この順で隣り合って配列されてW相端子群をなす。これにより、隣り合う端子に流れる電流の向きが反対になるので、インバータにおけるインダクタンスを低減することができる。
【選択図】 図20
Description
本発明は、上述の課題に鑑みてなされたものであり、その目的は、インダクタンスを低減し、装置の小型化が可能な半導体モジュール、および、それを用いた駆動装置を提供することにある。
制御端子は、制御配線部側に設けられ、高電位側スイッチング素子および低電位側スイッチング素子のオンおよびオフの切り替えに係る制御信号が入出力される。「制御信号」とは、高電位側スイッチング素子および低電位側スイッチング素子を駆動するための信号に限らず、例えば高電位側スイッチング素子および低電位側スイッチング素子のオン/オフの制御を行うためにマイコン等に出力される電圧信号等のセンサ信号等も含む。
モールド部は、低電位側スイッチング素子、高電位側スイッチング素子、インバータ入力端子、巻線端子、インバータグランド端子、および制御端子を一体にモールドする。
例えば高電位側スイッチング素子がオンされたとき、電流は、インバータ入力端子から高電位側スイッチング素子を経由して巻線端子へ流れる。インバータ入力端子と巻線端子とは、いずれもパワー配線部側において隣り合って配置されるので、インバータ入力端子に流れる電流の向きと巻線端子に流れる電流の向きが反対となる。これにより、インバータにおけるインダクタンスを低減することができる。
なお、本発明における「接続」とは、主に電気的な接続を意味し、直接的に接続されている場合に限らず、他の部材を介して間接的に接続されている場合を含むものとする。
巻線が3相以上である場合、以下の構成を採用することが好ましい。
請求項3に記載の発明では、第1の端子群と第2の端子群とは、交互に配置される。
請求項13に記載の駆動装置は、モータと、ヒートシンクと、半導体モジュールと、制御配線部と、パワー配線部と、を備える。モータは、モータケース、ステータ、ロータ、およびシャフトを有する。筒状のモータケースは、外郭を形成する。ステータは、モータケースの径方向内側に配置され、複数相を構成するように巻線が巻回される。ロータは、ステータの径方向内側に配置され、ステータに対して相対回転可能に設けられる。シャフトは、ロータとともに回転する。
制御端子は、制御配線部側に設けられ、高電位側スイッチング素子および低電位側スイッチング素子のオンおよびオフの切り替えに係る制御信号が入出力される。「制御信号」とは、高電位側スイッチング素子および低電位側スイッチング素子を駆動するための信号に限らず、例えば高電位側スイッチング素子および低電位側スイッチング素子のオン/オフの制御を行うためにマイコン等に出力される電圧信号等のセンサ信号等も含む。
モールド部は、低電位側スイッチング素子、高電位側スイッチング素子、インバータ入力端子、巻線端子、インバータ出力端子、および制御端子を一体にモールドする。
例えば高電位側スイッチング素子がオンされたとき、電流は、インバータ入力端子から高電位側スイッチング素子を経由して巻線端子へ流れる。インバータ入力端子と巻線端子とは、いずれもパワー配線部側において隣り合って配置されるので、インバータ入力端子に流れる電流の向きと巻線端子に流れる電流の向きが反対となる。これにより、インバータ回路におけるインダクタンスを低減することができる。
なお、本発明における「接続」とは、主に電気的な接続を意味し、直接的に接続されている場合に限らず、他の部材を介して間接的に接続されている場合を含むものとする。
なお、以下、複数の実施形態において、実質的に同一の構成には同一の符号を付して説明を省略する。
(第1実施形態)
本発明の第1実施形態による駆動装置を図1〜図20に示す。本実施形態の駆動装置1は、電動パワーステアリング装置(以下、「EPS」という。)に適用される。駆動装置1は、モータ2およびコントローラ3を備える。コントローラ3は、制御配線部としての制御基板40、ヒートシンク50、半導体モジュールとしてのパワーモジュール60、パワー配線部としてのパワー基板70等から構成されている。
図1に示すように、駆動装置1は、車両のステアリング5の回転軸たるコラム軸6に取り付けられたギア7を介しコラム軸6に回転トルクを発生させ、ステアリング5による操舵をアシストする。具体的には、ステアリング5が運転者によって操作されると、当該操作によってコラム軸6に生じる操舵トルクをトルクセンサ8によって検出し、また、車速情報を図示しないCAN(Controller Area Network)から取得して、運転者のステアリング5による操舵をアシストする。もちろん、このような機構を利用すれば、制御手法によっては、操舵のアシストのみでなく、高速道路における車線キープ、駐車場における駐車スペースへの誘導など、ステアリング5の操作を自動制御することも可能である。
一方のインバータ80は、電界効果トランジスタの一種であるMOSFET(metal-oxide-semiconductor field-effect transistor、以下、「MOS」という。)81〜86を有している。MOS81〜86は、ゲート電位により、ソース−ドレイン間がON(導通)またはOFF(遮断)される。
MOS82は、ドレインが電源ライン側に接続され、ソースがMOS85のドレインに接続されている。MOS85のソースは、グランドに接続されている。MOS82とMOS85との接続点は、モータ2のV相コイルに接続されている。
MOS83は、ドレインが電源ラインに接続され、ソースがMOS86のドレインに接続されている。MOS86のソースは、グランドに接続されている。MOS83とMOS86との接続点は、モータ2のW相コイルに接続されている。
検出電圧増幅部97は、シャント抵抗107〜109の両端電圧を検出し、当該両端電圧を増幅してマイコン94へ出力する。
本実施形態の駆動装置1は、モータ2の軸方向の一方の端部にコントローラ3が設けられており、モータ2とコントローラ3とが積層構造になっている。
モータケース10は、鉄等により筒状に形成される。モータケース10のコントローラ3と反対側の端部には、アルミにより形成されるフレームエンド14がねじ等により固定される。モータケース10のコントローラ3側の端部の軸中心には、開口11が設けられている。開口11には、シャフト35が挿通される。
モータケース10のコントローラ3側の端部には、樹脂ガイド16が設けられる。樹脂ガイド16は、略環状に形成され、中心部が開口している。
また、シャフト35は、コントローラ3の反対側の端部に出力端37を有している。シャフト35の反コントローラ3側には、内部にギア7を有する図示しないギアボックスが設けられる。ギア7は、出力端37と連結され、シャフト35の駆動力によって回転駆動される。
コントローラ3は、モータケース10を軸方向に投影した領域であるモータケース領域に収まるように設けられている。コントローラ3は、軸方向において、モータ2側から、制御基板40、ヒートシンク50およびパワーモジュール60、パワー基板70がこの順で配列されている。すなわち、軸方向において、モータケース10、制御基板40、ヒートシンク50およびパワーモジュール60、パワー基板70が、この順で配列されている。
制御端子64は、モールド部61の幅広面の長手方向に垂直な面である第1の面62に形成される。また、パワー端子65は、モールド部61の幅広面の長手方向に垂直な面であって、第1の面62と対向する第2の面63に形成される。本実施形態では、パワーモジュール60は、制御端子64が形成される第1の面62が制御基板40側、パワー端子65が形成される第2の面63がパワー基板70側となるようにヒートシンク50の受熱面59に沿って縦配置される。すなわち、制御端子64が制御基板40側に突設され、パワー端子65がパワー基板70側に突設される。
制御グランド端子66は、制御端子64と同等の太さに形成される。制御グランド端子66は、モールド部61を貫通して設けられ、パワー基板70のグランドと制御基板40とを接続している。
パワーユニット105を構成するチョークコイル76、コンデンサ77、78、パワーコネクタ79は、2つの放熱ブロックの間に形成される空間に配置される。また、軸方向において、チョークコイル76、コンデンサ77、78、パワーコネクタ79は、ヒートシンク50の連結部52とパワー基板70との間に設けられる。これらの電子部品は、制御基板40に接続される制御コネクタ45側から、チョークコイル76、コンデンサ77およびコンデンサ78、パワーコネクタ79がこの順で直線的に配列される。
制御基板40上のマイコン94は、位置センサ93、トルクセンサ8、シャント抵抗107〜109等からの信号に基づき、車速に応じてステアリング5の操舵をアシストするように、プリドライバ91を介してPWM制御により作出されたパルス信号を生成する。
すなわち、巻線26に通電される巻線電流により、モータ2を駆動している。この意味で、巻線26に通電される巻線電流は、モータ2を駆動する駆動電流である、といえる。
なお、ステータ20、ロータ30等のサイズは、要求される出力に応じて設定可能である。
電源入力端子121は、ランド161と一体に形成される。ランド161には、電源リレー87が載置される。電源リレー87のゲートは、制御端子131と接続される。制御端子131を介して電源リレー87のゲート電圧を切り替えることにより、電源リレー87のオン/オフの切り替えが制御される。また、電源リレー87のソースは、配線部材191により電源リレー88のソースと接続される。配線部材191は、制御端子132と接続され、電源リレー87と電源リレー88との間に印加される電圧に係る電圧信号を制御基板40側に出力する。この電圧信号は、駆動装置1における故障検出に用いられる。
また、ランド161には、孔171が形成される。孔171は、モールド部61に形成される孔172よりも直径の大きい円形に形成される。孔171、172には、ねじ69(図13等参照)が挿通される。
ランド163には、U下MOS84が載置される。U下MOS84は、U上MOS81のソースとランド163とを接続する配線部材192よりも制御基板40側に配置される。すなわち、U下MOS84は、U上MOS81よりも制御基板40側に配置されている。U下MOS84のゲートは、制御端子135と接続される。制御端子135を介してU下MOS84のゲート電圧を切り替えることにより、U下MOS84のオン/オフの切り替えが制御される。
ランド165には、V下MOS85が載置される。V下MOS85は、V上MOS82とランド165とを接続する配線部材193よりも制御基板40側に配置される。すなわち、V下MOS85は、V上MOS82よりも制御基板40側に配置されている。V下MOS85のゲートは、制御端子142と接続される。制御端子142を介してV下MOS85のゲート電圧を切り替えることにより、V下MOS85のオン/オフの切り替えが制御される。
ランド166には、V上MOS82が載置される。V上MOS82のソースは、配線部材193によりランド165と接続される。また、V上MOS82のゲートは、制御端子143と接続される。制御端子143を介してV上MOS82のゲート電圧を切り替えることにより、V上MOS82のオン/オフの切り替えが制御される。
ランド167には、W下MOS86が載置される。W下MOS86は、W上MOS83のソースとランド167とを接続する配線部材194よりも制御基板40側に配置される。すなわち、W下MOS86は、W上MOS83よりも制御基板40側に配置されている。W下MOS86のゲートは、制御端子146と接続される。制御端子146を介してW下MOS86のゲート電圧を切り替えることにより、W下MOS86のオン/オフの切り替えが制御される。
電源入力端子121は、パワー基板70およびパワーコネクタ79を介して電源75と接続する。また、電源入力端子121は、ランド161、電源リレー87、配線部材191、電源リレー88、およびランド162を経由してインバータ入力端子122と接続している。これにより、電源リレー87、88がオンされると、電源75からの電力は、電源入力端子121に入力され、インバータ入力端子122から出力される。
電流遮断用の電源リレー87および逆接防止用の電源リレー88は、駆動装置1全体の配線に異常がない場合、通電可能となるように制御されている。以下、電源リレー87、88はオンされているものとする。
まず、U上MOS81がオンされる場合を説明する。このとき、V下MOS85およびW下MOS86の少なくとも一方がオンされるように制御される。
また、W下MOS86がオンされている場合、U相コイルへ供給された電力は、W相コイルを経由してW相巻線端子127に供給され、ランド167、W下MOS86、シャント抵抗109、ランド168、およびインバータグランド端子128を経由し、パワー基板70のグランドに落とされる。
V上MOS82のドレインには、電源入力端子121およびコンデンサ78からインバータ入力端子126およびランド166を経由して電力が供給されている。V上MOS82がオンされると、V上MOS82のドレインに供給されていた電力は、配線部材193、ランド165、およびV相巻線端子125を経由してV相コイルへ供給される。
また、W相下MOS86がオンされている場合、V相コイルへ供給された電力は、W相コイルを経由してW相巻線端子127に供給され、ランド167、W下MOS86、シャント抵抗109、ランド168、およびインバータグランド端子128を経由し、パワー基板70のグランドに落とされる。
W相上MOS83のドレインには、電源入力端子121およびコンデンサ78からインバータ入力端子126およびランド166を経由して電力が供給されている。W上MOS83がオンされると、W上MOS83のドレインに供給されていた電力は、配線部材194、ランド167、およびW相巻線端子127を経由してW相コイルへ供給される。
V下MOS85がオンされている場合、W相コイルへ供給された電力は、V相コイルを経由してV相巻線端子125に供給され、ランド167、V下MOS85、シャント抵抗108、ランド164、およびインバータグランド端子124を経由し、パワー基板70のグランドに落とされる。
このように、隣り合う端子に流れる電流の向きが反対となるので、寄生インダクタンスを低減することができる。
(1)パワーモジュール60では、電源入力端子121側から、インバータ入力端子122、U相巻線端子123、インバータグランド端子124の順に配列されてU相端子群をなす。また、制御グランド端子66側から、インバータ入力端子126、V相巻線端子125、インバータグランド端子124の順に配列されてV相端子群をなす。さらにまた、電源入力端子121側から、インバータ入力端子126、W相巻線端子127、インバータグランド端子128の順に配列されてW相端子群をなす。
(11)また、制御グランド端子66は、インバータグランド端子124、128とは別体として設けられている。これにより、制御基板40側において、パワー基板70側に大電流が通電されることにより生じるノイズの影響を低減することができる。
そこで、駆動装置1が発揮する効果について説明する。
また、2つのパワーモジュール60が、それぞれインバータ80、89を構成し、パワーモジュール60は、2つのインバータに対応するように2つ設けられ、1つの放熱ブロック51に対して1つのインバータが対応するように放熱ブロック51ごとに配置される。本実施形態では、それぞれのパワーモジュール60から発生する熱が同等であるので、放熱ブロック51に対して1つのインバータを構成するパワーモジュール60を1つずつ配置することにより、バランスよく放熱することができる。
図21に示すように、本発明の第2実施形態によるパワーモジュール500では、制御グランド端子566は、インバータグランド端子128およびランド168と一体に形成されている。また、制御グランド端子566は、パワー基板70のグランドと制御基板40とを接続している。すなわち、制御グランド端子566は、インバータグランド端子128の一部が制御基板40側へ分岐する分岐端子である、ということもできる。
また、制御グランド端子566は、インバータグランド端子128と一体に形成されているので、パワー基板70側の端子数を減らすことができ、パワーモジュール500自体の体格を小型化することができる。
図22に示すように、本発明の第3実施形態によるパワーモジュール510では、電源リレー87、88が内蔵されていない。
本実施形態では、インバータ入力端子122が、パワー基板70およびパワーコネクタ79を経由して電源75に接続している。また、インバータ入力端子122は、第1施形態と同様、パワー基板70を経由してコンデンサ78とも接続している。
制御電力入力端子567は、インバータ入力端子122およびランド162と一体に形成されている。これにより、制御電力入力端子567は、パワー基板70側から制御基板40側へ電力を供給する。すなわち、制御電力入力端子567は、インバータ入力端子122から入力された電力の一部を制御基板40側へ分岐する分岐端子である、ということもできる。
また、制御電力入力端子567は、インバータ入力端子122と一体に形成されているので、パワー基板70側の端子数を減らすことができ、パワーモジュール510自体の体格を小型化することができる。
また、電源リレー87、88がパワーモジュール60に内蔵されていないので、パワーモジュール60自体の体格を小型化することができる。
図23に示すように、本発明の第3実施形態によるパワーモジュール520では、第2実施形態と同様、制御グランド端子566は、インバータグランド端子128およびランド168と一体に形成されている。制御グランド端子566は、パワー基板70のグランドと制御基板40とを接続している。すなわち、制御グランド端子566は、インバータグランド端子128の一部が制御基板40側へ分岐する分岐端子である、ということもできる。
また、制御グランド端子566は、インバータグランド端子128と一体に形成されているので、パワー基板70側の端子数を減らすことができ、パワーモジュール500自体の体格を小型化することができる。
さらに、制御電力入力端子567は、インバータ入力端子122と一体に形成されているので、パワー基板70側の端子数を減らすことができ、パワーモジュール510自体の体格を小型化することができる。
また、電源リレー87、88がパワーモジュール60に内蔵されていないので、パワーモジュール60自体の体格を小型化することができる。
上記実施形態では、ヒートシンクの受熱面は、モータケースの軸方向における端面に対して略垂直に形成され、この受熱面に沿ってパワーモジュールが配置されていた。したがって、パワーモジュールは、モータケースの軸方向の端面に対して略垂直に配置されていた。他の実施形態では、モータケースの軸方向の端面に対して、斜めに配置してもよい。詳しく言うと、モータケースの軸方向の端面に対してパワーモジュールが水平に配置されている場合においてモータケースの軸方向の端面とパワーモジュールの幅広面とのなす角度を0°とし、モータケースの軸方向の端面に対してパワーモジュールが垂直に水平に配置されている場合においてモータケースの端面とパワーモジュールとのなす角度を90°とすると、モータケースの軸方向の端面とパワーモジュールとのなす角度θ1が0°<θ1≦90°である場合、「パワーモジュールは、モータケースの軸方向の端面に対して縦配置されている」としてもよい。すなわち、ヒートシンクの受熱面とモータケースの軸方向の端面とのなす角度θ2が0°<θ2≦90°の範囲で形成され、この受熱面に沿ってパワーモジュールが配置されている場合、「受熱面は、モータケースの軸方向における端部から立ち上がる方向に形成されている」とし、「パワーモジュールは、モータケースの軸方向の端面に対して縦配置されている」としてもよい。このように構成しても、モータケースの軸方向における端面に水平にパワーモジュールを配置した場合と比較して、径方向における体格を小型化することができる。
チョークコイルについても同様に、斜めに配置されている場合も「チョークコイルの軸線がシャフトの中心線と非平行となるように縦配置されている」に含まれる。
また、上記実施形態では、インバータが2系統の例を説明したが、インバータは3系統以上であってもよい。放熱ブロックは、インバータの系統数に応じて設けられることが好ましいが、インバータの系統数と異なる数であってもよい。例えば1系統のインバータを構成するパワーモジュールを複数の放熱ブロックに分散させて配置してもよい。また例えば、複数のインバータを構成するパワーモジュールを、1つの放熱ブロックに配置してもよい。
また、上記実施形態では、スイッチング素子としてMOSを用いたが、これに限らず、スイッチング機能を有するものであれば、どのようなものを用いてもよい。
以上、本発明は、上記実施形態になんら限定されるものではなく、発明の趣旨を逸脱しない範囲において種々の形態で実施可能である。
2・・・モータ
3・・・コントローラ
10・・・モータケース
20・・・ステータ
26・・・巻線
27・・・モータ線
30・・・ロータ
35・・・シャフト
36・・・マグネット
40・・・制御基板(制御配線部)
50・・・ヒートシンク
51・・・放熱ブロック(柱状部)
59・・・受熱面
60・・・パワーモジュール(半導体モジュール)
61・・・モールド部
64・・・制御端子
65・・・パワー端子
66・・・制御グランド端子
67・・・制御電力入力端子
70・・・パワー基板(パワー配線部)
75・・・電源
76・・・チョークコイル
80・・・インバータ
81〜83・・・上MOS(高電位側スイッチング素子)
84〜86・・・下MOS(低電位側スイッチング素子)
87、88・・・電源リレー(遮断手段)
89・・・インバータ
90・・・制御部
100・・・パワー部
105・・・パワーユニット
107〜109:シャント抵抗(電流検出手段)
121・・・電源入力端子
122、126・・・インバータ入力端子
123、125、127・・・巻線端子
124、128・・・インバータグランド端子
500・・・パワーモジュール(半導体モジュール)
510・・・パワーモジュール(半導体モジュール)
520・・・パワーモジュール(半導体モジュール)
Claims (16)
- 巻線に通電される巻線電流が通電されるパワー配線部と、前記巻線への通電を制御する制御部を有する制御配線部との間に配置される半導体モジュールであって、
前記巻線への通電を切り替えるインバータを構成し、グランド側に設けられる低電位側スイッチング素子と、
前記巻線への通電を切り替える前記インバータを構成し、前記低電位側スイッチング素子よりも高電位側に設けられる高電位側スイッチング素子と、
前記パワー配線部側に設けられ、前記高電位側スイッチング素子と電力貯留部と接続するインバータ入力端子と、
前記パワー配線部側に設けられ、前記高電位側スイッチング素子および前記低電位側スイッチング素子と前記巻線と接続する巻線端子と、
前記パワー配線部側に設けられ、前記低電位側スイッチング素子とグランドとを接続するインバータグランド端子と、
前記制御配線部側に設けられ、前記高電位側スイッチング素子および前記低電位側スイッチング素子のオンおよびオフの切り替えに係る制御信号が入出力される制御端子と、
前記低電位側スイッチング素子、前記高電位側スイッチング素子、前記インバータ入力端子、前記巻線端子、前記インバータグランド端子および前記制御端子を一体にモールドするモールド部と、
を備え、
前記インバータ入力端子、前記巻線端子、前記インバータグランド端子は、この順で隣り合って配列されて端子群をなすことを特徴とする半導体モジュール。 - 前記巻線が複数相で構成され、前記端子群が前記巻線の各相に対応して設けられ、
第1の前記端子群は、一方の側から、前記インバータ入力端子、前記巻線端子、前記インバータグランド端子の順で配列され、
前記第1の端子群と隣り合う第2の前記端子群は、前記一方の側から、前記インバータグランド端子、前記巻線端子、前記インバータグランド端子の順で配列されることを特徴とする請求項1に記載の半導体モジュール。 - 前記第1の端子群と前記第2の端子群とは、交互に配置されることを特徴とする請求項2に記載の半導体モジュール。
- 前記第1の端子群の前記インバータグランド端子と、前記第2の端子群の前記インバータグランド端子とは、一体に形成されることを特徴とする請求項2または3に記載の半導体モジュール。
- 前記第1の端子群の前記インバータ入力端子と、前記第2の端子群の前記インバータ入力端子とは、一体に形成されることを特徴とする請求項2〜4のいずれか一項に記載の半導体モジュール。
- 前記巻線に通電される電流を検出する電流検出手段をさらに備えることを特徴とする請求項1〜5のいずれか一項に記載の半導体モジュール。
- 前記電流検出手段と前記制御配線部とを接続する電流検出配線は、前記巻線電流が通電される領域よりも前記制御配線部側に設けられることを特徴とする請求項6に記載の半導体モジュール。
- 前記インバータへの電力の供給を遮断する遮断手段をさらに備えることを特徴とする請求項1〜7のいずれか一項に記載の半導体モジュール。
- 前記モールド部にモールドされ、前記パワー配線部側から前記制御配線部側へ電力を供給する制御電力入力端子をさらに備えることを特徴とする請求項1〜8のいずれか一項に記載の半導体モジュール。
- 前記制御電力入力端子は、前記インバータ入力端子と一体に形成されることを特徴とする請求項9に記載の半導体モジュール。
- 前記モールド部にモールドされ、前記パワー配線部のグランドと前記制御配線部とを接続する制御グランド端子をさらに備えることを特徴とする請求項1〜10のいずれか一項に記載の半導体モジュール。
- 前記制御グランド端子は、前記インバータグランド端子と一体に形成されることを特徴とする請求項11に記載の半導体モジュール。
- 外郭を形成する筒状のモータケース、前記モータケースの径方向内側に配置され複数相を構成するよう巻線が巻回されたステータ、前記ステータの径方向内側に配置され前記ステータに対して相対回転可能に設けられるロータ、および前記ロータと共に回転するシャフトを有するモータと、
前記モータケースの軸方向における端部から立ち上がる方向に形成される受熱面を有するヒートシンクと、
前記ヒートシンクの前記受熱面に沿って配置される半導体モジュールと、
前記モータの駆動を制御する制御部を有し、前記半導体モジュールと電気的に接続される制御配線部と、
前記巻線に通電される巻線電流が通電され、前記半導体モジュールと電気的に接続されるパワー配線部と、
を備え、
軸方向において、前記モータケース、前記制御配線部または前記パワー配線部の一方、前記ヒートシンクおよび前記半導体モジュール、前記制御配線部または前記パワー配線部の他方が、この順で配列され、
前記半導体モジュールは、
前記巻線への通電を切り替えるインバータを構成し、グランド側に設けられる低電位側スイッチング素子と、
前記巻線への通電を切り替える前記インバータを構成し、前記低電位側スイッチング素子よりも高電位側に設けられる高電位側スイッチング素子と、
前記パワー配線部側に設けられ、前記高電位側スイッチング素子と電力貯留部と接続するインバータ入力端子と、
前記パワー配線部側に設けられ、前記高電位側スイッチング素子および前記低電位側スイッチング素子と前記巻線と接続する巻線端子と、
前記パワー配線部側に設けられ、前記低電位側スイッチング素子とグランドとを接続するインバータグランド端子と、
前記制御配線部側に設けられ、前記高電位側スイッチング素子および前記低電位側スイッチング素子のオンおよびオフの切り替えに係る制御信号が入出力される制御端子と、
前記低電位側スイッチング素子、前記高電位側スイッチング素子、前記インバータ入力端子、前記巻線端子、前記インバータグランド端子および前記制御端子を一体にモールドするモールド部と、
を有し、
前記インバータ入力端子、前記巻線端子、前記インバータグランド端子は、この順で隣り合って配列されて端子群をなすことを特徴とする駆動装置。 - 軸方向において、前記モータケース、前記制御配線部、前記ヒートシンクおよび前記半導体モジュール、前記パワー配線部が、この順で配列されることを特徴とする請求項13に記載の駆動装置。
- 前記モータ線は、軸方向において、前記モールド部の前記モータと反対側において前記半導体モジュールと接続されることを特徴とする請求項14に記載の駆動装置。
- 前記ヒートシンクは、相互に離間する複数の柱状部を有し、
前記半導体モジュールは、複数の前記インバータに対応するよう複数設けられ、前記一つの柱状部に対し一つの前記インバータが対応するように前記柱状部に配置されることを特徴とする請求項13〜15のいずれか一項に記載の駆動装置。
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