JP2011222830A - 発光装置の製造方法 - Google Patents
発光装置の製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2011222830A JP2011222830A JP2010091567A JP2010091567A JP2011222830A JP 2011222830 A JP2011222830 A JP 2011222830A JP 2010091567 A JP2010091567 A JP 2010091567A JP 2010091567 A JP2010091567 A JP 2010091567A JP 2011222830 A JP2011222830 A JP 2011222830A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light
- particles
- reflective
- anisotropic conductive
- emitting element
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 39
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims abstract description 207
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 claims abstract description 95
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 claims abstract description 95
- 229920001971 elastomer Polymers 0.000 claims abstract description 60
- 239000000806 elastomer Substances 0.000 claims abstract description 39
- 238000003825 pressing Methods 0.000 claims abstract description 22
- 239000005060 rubber Substances 0.000 claims abstract description 21
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract description 20
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 67
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 67
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 39
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 26
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 claims description 25
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 claims description 24
- 239000011342 resin composition Substances 0.000 claims description 23
- 239000010954 inorganic particle Substances 0.000 claims description 19
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 18
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 13
- 239000002923 metal particle Substances 0.000 claims description 13
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims description 13
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 12
- 239000007769 metal material Substances 0.000 claims description 11
- 238000002156 mixing Methods 0.000 claims description 10
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 claims description 9
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 claims description 9
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 8
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 8
- 150000008065 acid anhydrides Chemical class 0.000 claims description 7
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 claims description 7
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims description 6
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 claims description 6
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 5
- PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N Boron nitride Chemical compound N#B PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052582 BN Inorganic materials 0.000 claims 1
- 238000013329 compounding Methods 0.000 claims 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 abstract description 10
- 238000002955 isolation Methods 0.000 abstract 1
- 239000004634 thermosetting polymer Substances 0.000 abstract 1
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 22
- 238000001723 curing Methods 0.000 description 22
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 19
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 18
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 17
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 17
- -1 polyethylene Polymers 0.000 description 14
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 12
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 12
- 239000007771 core particle Substances 0.000 description 10
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 10
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 9
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 9
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 8
- 229920005992 thermoplastic resin Polymers 0.000 description 8
- 239000004408 titanium dioxide Substances 0.000 description 8
- 125000002723 alicyclic group Chemical group 0.000 description 7
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 7
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 7
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 6
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 6
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 6
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 6
- LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N Ethylene glycol Chemical compound OCCO LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000003963 antioxidant agent Substances 0.000 description 5
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 5
- IISBACLAFKSPIT-UHFFFAOYSA-N bisphenol A Chemical compound C=1C=C(O)C=CC=1C(C)(C)C1=CC=C(O)C=C1 IISBACLAFKSPIT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 5
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 5
- XYFCBTPGUUZFHI-UHFFFAOYSA-N Phosphine Chemical compound P XYFCBTPGUUZFHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 4
- 125000000623 heterocyclic group Chemical group 0.000 description 4
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 4
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 4
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 3
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- DNIAPMSPPWPWGF-UHFFFAOYSA-N Propylene glycol Chemical compound CC(O)CO DNIAPMSPPWPWGF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000006087 Silane Coupling Agent Substances 0.000 description 3
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 3
- 230000003712 anti-aging effect Effects 0.000 description 3
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 3
- 125000003055 glycidyl group Chemical group C(C1CO1)* 0.000 description 3
- LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N haloperidol Chemical compound C1CC(O)(C=2C=CC(Cl)=CC=2)CCN1CCCC(=O)C1=CC=C(F)C=C1 LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 3
- 238000001579 optical reflectometry Methods 0.000 description 3
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 3
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 3
- SVTBMSDMJJWYQN-UHFFFAOYSA-N 2-methylpentane-2,4-diol Chemical compound CC(O)CC(C)(C)O SVTBMSDMJJWYQN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QTWJRLJHJPIABL-UHFFFAOYSA-N 2-methylphenol;3-methylphenol;4-methylphenol Chemical compound CC1=CC=C(O)C=C1.CC1=CC=CC(O)=C1.CC1=CC=CC=C1O QTWJRLJHJPIABL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004342 Benzoyl peroxide Substances 0.000 description 2
- OMPJBNCRMGITSC-UHFFFAOYSA-N Benzoylperoxide Chemical compound C=1C=CC=CC=1C(=O)OOC(=O)C1=CC=CC=C1 OMPJBNCRMGITSC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VTYYLEPIZMXCLO-UHFFFAOYSA-L Calcium carbonate Chemical compound [Ca+2].[O-]C([O-])=O VTYYLEPIZMXCLO-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N Diethyl ether Chemical compound CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BRLQWZUYTZBJKN-UHFFFAOYSA-N Epichlorohydrin Chemical compound ClCC1CO1 BRLQWZUYTZBJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PEDCQBHIVMGVHV-UHFFFAOYSA-N Glycerine Chemical compound OCC(O)CO PEDCQBHIVMGVHV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QIGBRXMKCJKVMJ-UHFFFAOYSA-N Hydroquinone Chemical compound OC1=CC=C(O)C=C1 QIGBRXMKCJKVMJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WOBHKFSMXKNTIM-UHFFFAOYSA-N Hydroxyethyl methacrylate Chemical compound CC(=C)C(=O)OCCO WOBHKFSMXKNTIM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VVQNEPGJFQJSBK-UHFFFAOYSA-N Methyl methacrylate Chemical compound COC(=O)C(C)=C VVQNEPGJFQJSBK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N Phenol Chemical compound OC1=CC=CC=C1 ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 2
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- PPBRXRYQALVLMV-UHFFFAOYSA-N Styrene Chemical compound C=CC1=CC=CC=C1 PPBRXRYQALVLMV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KKEYFWRCBNTPAC-UHFFFAOYSA-N Terephthalic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC=C(C(O)=O)C=C1 KKEYFWRCBNTPAC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000005083 Zinc sulfide Substances 0.000 description 2
- 125000001931 aliphatic group Chemical group 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- TZCXTZWJZNENPQ-UHFFFAOYSA-L barium sulfate Chemical compound [Ba+2].[O-]S([O-])(=O)=O TZCXTZWJZNENPQ-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 235000019400 benzoyl peroxide Nutrition 0.000 description 2
- PXKLMJQFEQBVLD-UHFFFAOYSA-N bisphenol F Chemical compound C1=CC(O)=CC=C1CC1=CC=C(O)C=C1 PXKLMJQFEQBVLD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YCIMNLLNPGFGHC-UHFFFAOYSA-N catechol Chemical compound OC1=CC=CC=C1O YCIMNLLNPGFGHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229930003836 cresol Natural products 0.000 description 2
- 239000003431 cross linking reagent Substances 0.000 description 2
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 2
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 2
- RAXXELZNTBOGNW-UHFFFAOYSA-N imidazole Natural products C1=CNC=N1 RAXXELZNTBOGNW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QQVIHTHCMHWDBS-UHFFFAOYSA-N isophthalic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC=CC(C(O)=O)=C1 QQVIHTHCMHWDBS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 2
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 2
- VYKXQOYUCMREIS-UHFFFAOYSA-N methylhexahydrophthalic anhydride Chemical compound C1CCCC2C(=O)OC(=O)C21C VYKXQOYUCMREIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920003986 novolac Polymers 0.000 description 2
- 150000002978 peroxides Chemical class 0.000 description 2
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 2
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910000073 phosphorus hydride Inorganic materials 0.000 description 2
- XNGIFLGASWRNHJ-UHFFFAOYSA-N phthalic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC=CC=C1C(O)=O XNGIFLGASWRNHJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 2
- 229920000098 polyolefin Polymers 0.000 description 2
- 238000004382 potting Methods 0.000 description 2
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 2
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
- DVKJHBMWWAPEIU-UHFFFAOYSA-N toluene 2,4-diisocyanate Chemical compound CC1=CC=C(N=C=O)C=C1N=C=O DVKJHBMWWAPEIU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ARCGXLSVLAOJQL-UHFFFAOYSA-N trimellitic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC=C(C(O)=O)C(C(O)=O)=C1 ARCGXLSVLAOJQL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052984 zinc sulfide Inorganic materials 0.000 description 2
- DRDVZXDWVBGGMH-UHFFFAOYSA-N zinc;sulfide Chemical compound [S-2].[Zn+2] DRDVZXDWVBGGMH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NIDNOXCRFUCAKQ-UMRXKNAASA-N (1s,2r,3s,4r)-bicyclo[2.2.1]hept-5-ene-2,3-dicarboxylic acid Chemical compound C1[C@H]2C=C[C@@H]1[C@H](C(=O)O)[C@@H]2C(O)=O NIDNOXCRFUCAKQ-UMRXKNAASA-N 0.000 description 1
- JYEUMXHLPRZUAT-UHFFFAOYSA-N 1,2,3-triazine Chemical group C1=CN=NN=C1 JYEUMXHLPRZUAT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RNFJDJUURJAICM-UHFFFAOYSA-N 2,2,4,4,6,6-hexaphenoxy-1,3,5-triaza-2$l^{5},4$l^{5},6$l^{5}-triphosphacyclohexa-1,3,5-triene Chemical compound N=1P(OC=2C=CC=CC=2)(OC=2C=CC=CC=2)=NP(OC=2C=CC=CC=2)(OC=2C=CC=CC=2)=NP=1(OC=1C=CC=CC=1)OC1=CC=CC=C1 RNFJDJUURJAICM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GVPODVKBTHCGFU-UHFFFAOYSA-N 2,4,6-tribromoaniline Chemical compound NC1=C(Br)C=C(Br)C=C1Br GVPODVKBTHCGFU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LJBWJFWNFUKAGS-UHFFFAOYSA-N 2-[bis(2-hydroxyphenyl)methyl]phenol Chemical compound OC1=CC=CC=C1C(C=1C(=CC=CC=1)O)C1=CC=CC=C1O LJBWJFWNFUKAGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CDAWCLOXVUBKRW-UHFFFAOYSA-N 2-aminophenol Chemical compound NC1=CC=CC=C1O CDAWCLOXVUBKRW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VEORPZCZECFIRK-UHFFFAOYSA-N 3,3',5,5'-tetrabromobisphenol A Chemical compound C=1C(Br)=C(O)C(Br)=CC=1C(C)(C)C1=CC(Br)=C(O)C(Br)=C1 VEORPZCZECFIRK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ALKYHXVLJMQRLQ-UHFFFAOYSA-N 3-Hydroxy-2-naphthoate Chemical compound C1=CC=C2C=C(O)C(C(=O)O)=CC2=C1 ALKYHXVLJMQRLQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IBFJDBNISOJRCW-UHFFFAOYSA-N 3-methylphthalic acid Chemical compound CC1=CC=CC(C(O)=O)=C1C(O)=O IBFJDBNISOJRCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- URDOJQUSEUXVRP-UHFFFAOYSA-N 3-triethoxysilylpropyl 2-methylprop-2-enoate Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)CCCOC(=O)C(C)=C URDOJQUSEUXVRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YBRVSVVVWCFQMG-UHFFFAOYSA-N 4,4'-diaminodiphenylmethane Chemical compound C1=CC(N)=CC=C1CC1=CC=C(N)C=C1 YBRVSVVVWCFQMG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VPWNQTHUCYMVMZ-UHFFFAOYSA-N 4,4'-sulfonyldiphenol Chemical compound C1=CC(O)=CC=C1S(=O)(=O)C1=CC=C(O)C=C1 VPWNQTHUCYMVMZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ODJUOZPKKHIEOZ-UHFFFAOYSA-N 4-[2-(4-hydroxy-3,5-dimethylphenyl)propan-2-yl]-2,6-dimethylphenol Chemical compound CC1=C(O)C(C)=CC(C(C)(C)C=2C=C(C)C(O)=C(C)C=2)=C1 ODJUOZPKKHIEOZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ALYNCZNDIQEVRV-UHFFFAOYSA-N 4-aminobenzoic acid Chemical compound NC1=CC=C(C(O)=O)C=C1 ALYNCZNDIQEVRV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XRBNDLYHPCVYGC-UHFFFAOYSA-N 4-phenylbenzene-1,2,3-triol Chemical group OC1=C(O)C(O)=CC=C1C1=CC=CC=C1 XRBNDLYHPCVYGC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GZVHEAJQGPRDLQ-UHFFFAOYSA-N 6-phenyl-1,3,5-triazine-2,4-diamine Chemical compound NC1=NC(N)=NC(C=2C=CC=CC=2)=N1 GZVHEAJQGPRDLQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229930185605 Bisphenol Natural products 0.000 description 1
- 229920002799 BoPET Polymers 0.000 description 1
- MQJKPEGWNLWLTK-UHFFFAOYSA-N Dapsone Chemical compound C1=CC(N)=CC=C1S(=O)(=O)C1=CC=C(N)C=C1 MQJKPEGWNLWLTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 244000043261 Hevea brasiliensis Species 0.000 description 1
- 239000004677 Nylon Substances 0.000 description 1
- 239000004743 Polypropylene Substances 0.000 description 1
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OUUQCZGPVNCOIJ-UHFFFAOYSA-M Superoxide Chemical compound [O-][O] OUUQCZGPVNCOIJ-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007983 Tris buffer Substances 0.000 description 1
- GKXVJHDEWHKBFH-UHFFFAOYSA-N [2-(aminomethyl)phenyl]methanamine Chemical compound NCC1=CC=CC=C1CN GKXVJHDEWHKBFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000007513 acids Chemical class 0.000 description 1
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000013006 addition curing Methods 0.000 description 1
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 1
- 230000032683 aging Effects 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- WNROFYMDJYEPJX-UHFFFAOYSA-K aluminium hydroxide Chemical compound [OH-].[OH-].[OH-].[Al+3] WNROFYMDJYEPJX-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 description 1
- 229960004050 aminobenzoic acid Drugs 0.000 description 1
- 230000003078 antioxidant effect Effects 0.000 description 1
- JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N barium titanate Chemical compound [Ba+2].[Ba+2].[O-][Ti]([O-])([O-])[O-] JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910002113 barium titanate Inorganic materials 0.000 description 1
- RWCCWEUUXYIKHB-UHFFFAOYSA-N benzophenone Chemical compound C=1C=CC=CC=1C(=O)C1=CC=CC=C1 RWCCWEUUXYIKHB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012965 benzophenone Substances 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 229910000019 calcium carbonate Inorganic materials 0.000 description 1
- BVKZGUZCCUSVTD-UHFFFAOYSA-N carbonic acid Chemical compound OC(O)=O BVKZGUZCCUSVTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005266 casting Methods 0.000 description 1
- 230000003197 catalytic effect Effects 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 1
- 238000007334 copolymerization reaction Methods 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 239000007822 coupling agent Substances 0.000 description 1
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 1
- IFDVQVHZEKPUSC-UHFFFAOYSA-N cyclohex-3-ene-1,2-dicarboxylic acid Chemical compound OC(=O)C1CCC=CC1C(O)=O IFDVQVHZEKPUSC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YMHQVDAATAEZLO-UHFFFAOYSA-N cyclohexane-1,1-diamine Chemical compound NC1(N)CCCCC1 YMHQVDAATAEZLO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000014113 dietary fatty acids Nutrition 0.000 description 1
- GYZLOYUZLJXAJU-UHFFFAOYSA-N diglycidyl ether Chemical compound C1OC1COCC1CO1 GYZLOYUZLJXAJU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 238000007772 electroless plating Methods 0.000 description 1
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 1
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 1
- 125000003700 epoxy group Chemical group 0.000 description 1
- 150000002148 esters Chemical class 0.000 description 1
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 1
- 239000000194 fatty acid Substances 0.000 description 1
- 229930195729 fatty acid Natural products 0.000 description 1
- 150000004665 fatty acids Chemical class 0.000 description 1
- 239000003063 flame retardant Substances 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007429 general method Methods 0.000 description 1
- 235000011187 glycerol Nutrition 0.000 description 1
- 208000010727 head pressing Diseases 0.000 description 1
- VBZWSGALLODQNC-UHFFFAOYSA-N hexafluoroacetone Chemical compound FC(F)(F)C(=O)C(F)(F)F VBZWSGALLODQNC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940051250 hexylene glycol Drugs 0.000 description 1
- WGCNASOHLSPBMP-UHFFFAOYSA-N hydroxyacetaldehyde Natural products OCC=O WGCNASOHLSPBMP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001771 impaired effect Effects 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 239000003112 inhibitor Substances 0.000 description 1
- 239000003999 initiator Substances 0.000 description 1
- 229910052500 inorganic mineral Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 239000012948 isocyanate Substances 0.000 description 1
- 150000002513 isocyanates Chemical class 0.000 description 1
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 1
- 239000000395 magnesium oxide Substances 0.000 description 1
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N magnesium oxide Inorganic materials [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N magnesium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Mg+2] AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 1
- 238000000691 measurement method Methods 0.000 description 1
- 229910052976 metal sulfide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010445 mica Substances 0.000 description 1
- 229910052618 mica group Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011707 mineral Substances 0.000 description 1
- 239000000178 monomer Substances 0.000 description 1
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 1
- 229920003052 natural elastomer Polymers 0.000 description 1
- 229920001194 natural rubber Polymers 0.000 description 1
- SLCVBVWXLSEKPL-UHFFFAOYSA-N neopentyl glycol Chemical compound OCC(C)(C)CO SLCVBVWXLSEKPL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 229920001778 nylon Polymers 0.000 description 1
- 150000001451 organic peroxides Chemical class 0.000 description 1
- 238000007500 overflow downdraw method Methods 0.000 description 1
- JMANVNJQNLATNU-UHFFFAOYSA-N oxalonitrile Chemical compound N#CC#N JMANVNJQNLATNU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZXQPRTUUOOOZAS-UHFFFAOYSA-N oxiran-2-yl(oxiran-2-ylmethoxy)methanamine Chemical compound C1OC1C(N)OCC1CO1 ZXQPRTUUOOOZAS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AFEQENGXSMURHA-UHFFFAOYSA-N oxiran-2-ylmethanamine Chemical compound NCC1CO1 AFEQENGXSMURHA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000011837 pasties Nutrition 0.000 description 1
- 238000001782 photodegradation Methods 0.000 description 1
- 229920000768 polyamine Polymers 0.000 description 1
- 239000004848 polyfunctional curative Substances 0.000 description 1
- 229920000151 polyglycol Polymers 0.000 description 1
- 239000010695 polyglycol Substances 0.000 description 1
- 229920001155 polypropylene Polymers 0.000 description 1
- 229920001451 polypropylene glycol Polymers 0.000 description 1
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 1
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 description 1
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 150000003242 quaternary ammonium salts Chemical class 0.000 description 1
- 239000007870 radical polymerization initiator Substances 0.000 description 1
- 238000010526 radical polymerization reaction Methods 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- GHMLBKRAJCXXBS-UHFFFAOYSA-N resorcinol Chemical compound OC1=CC=CC(O)=C1 GHMLBKRAJCXXBS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229960001755 resorcinol Drugs 0.000 description 1
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 description 1
- 229920002379 silicone rubber Polymers 0.000 description 1
- 239000004945 silicone rubber Substances 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- VEALVRVVWBQVSL-UHFFFAOYSA-N strontium titanate Chemical compound [Sr+2].[O-][Ti]([O-])=O VEALVRVVWBQVSL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000005846 sugar alcohols Polymers 0.000 description 1
- 150000003464 sulfur compounds Chemical class 0.000 description 1
- 230000001502 supplementing effect Effects 0.000 description 1
- 229920003051 synthetic elastomer Polymers 0.000 description 1
- 239000005061 synthetic rubber Substances 0.000 description 1
- UFDHBDMSHIXOKF-UHFFFAOYSA-N tetrahydrophthalic acid Natural products OC(=O)C1=C(C(O)=O)CCCC1 UFDHBDMSHIXOKF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920002725 thermoplastic elastomer Polymers 0.000 description 1
- 150000004992 toluidines Chemical class 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 description 1
- 239000006097 ultraviolet radiation absorber Substances 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
- 125000000391 vinyl group Chemical group [H]C([*])=C([H])[H] 0.000 description 1
- 229910052724 xenon Inorganic materials 0.000 description 1
- FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N xenon atom Chemical compound [Xe] FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/44—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the coatings, e.g. passivation layer or anti-reflective coating
- H01L33/46—Reflective coating, e.g. dielectric Bragg reflector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
- H01L24/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies
- H01L24/75—Apparatus for connecting with bump connectors or layer connectors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L24/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/64—Heat extraction or cooling elements
- H01L33/641—Heat extraction or cooling elements characterized by the materials
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
- H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
- H01L2224/161—Disposition
- H01L2224/16151—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/16221—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/16225—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
- H01L2224/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
- H01L2224/29001—Core members of the layer connector
- H01L2224/29099—Material
- H01L2224/29198—Material with a principal constituent of the material being a combination of two or more materials in the form of a matrix with a filler, i.e. being a hybrid material, e.g. segmented structures, foams
- H01L2224/29298—Fillers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
- H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
- H01L2224/321—Disposition
- H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/32225—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
- H01L2224/732—Location after the connecting process
- H01L2224/73201—Location after the connecting process on the same surface
- H01L2224/73203—Bump and layer connectors
- H01L2224/73204—Bump and layer connectors the bump connector being embedded into the layer connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
- H01L2224/75—Apparatus for connecting with bump connectors or layer connectors
- H01L2224/7525—Means for applying energy, e.g. heating means
- H01L2224/753—Means for applying energy, e.g. heating means by means of pressure
- H01L2224/75301—Bonding head
- H01L2224/75314—Auxiliary members on the pressing surface
- H01L2224/75315—Elastomer inlay
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
- H01L2224/75—Apparatus for connecting with bump connectors or layer connectors
- H01L2224/7525—Means for applying energy, e.g. heating means
- H01L2224/753—Means for applying energy, e.g. heating means by means of pressure
- H01L2224/75301—Bonding head
- H01L2224/75314—Auxiliary members on the pressing surface
- H01L2224/75315—Elastomer inlay
- H01L2224/75316—Elastomer inlay with retaining mechanisms
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
- H01L2224/831—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector the layer connector being supplied to the parts to be connected in the bonding apparatus
- H01L2224/83101—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector the layer connector being supplied to the parts to be connected in the bonding apparatus as prepeg comprising a layer connector, e.g. provided in an insulating plate member
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/06—Polymers
- H01L2924/078—Adhesive characteristics other than chemical
- H01L2924/0781—Adhesive characteristics other than chemical being an ohmic electrical conductor
- H01L2924/07811—Extrinsic, i.e. with electrical conductive fillers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/11—Device type
- H01L2924/12—Passive devices, e.g. 2 terminal devices
- H01L2924/1204—Optical Diode
- H01L2924/12041—LED
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/52—Encapsulations
- H01L33/54—Encapsulations having a particular shape
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Led Device Packages (AREA)
- Manufacturing Of Electrical Connectors (AREA)
- Wire Bonding (AREA)
Abstract
【解決手段】発光素子と、該発光素子が接続されるべき配線板との間に、熱硬化性樹脂組成物、導電粒子及び光反射性絶縁粒子を含有する光反射性異方性導電接着剤を配置した後、配線板に対して発光素子を、押圧面のショアAゴム硬度(JIS K6253)が40以上90未満であるエラストマーヘッドで加熱加圧して異方性導電接続を行うことにより発光装置を製造する。
【選択図】図1C
Description
工程(A)
発光素子と、該発光素子が接続されるべき配線板との間に、熱硬化性樹脂組成物、導電粒子及び光反射性絶縁粒子を含有する光反射性異方性導電接着剤を配置する工程; 及び
工程(B)
配線板に対して発光素子を、押圧面のショアAゴム硬度(JIS K6253)が40以上90未満であるエラストマーヘッドで加熱加圧することにより異方性導電接続を行う工程
を有する製造方法を提供する。なお、この製造方法は、更に、以下の工程(C)
工程(C)
配線板上に異方性導電接続された発光素子を、透明樹脂を用いて封止する工程
を有していてもよい。
まず、図1Aに示すように、発光素子1と、発光素子1が接続されるべき配線板2との間に、通常、互いに接続されるべき発光素子1の電極1aと配線板の電極2aとを互いに対向させた間に、光反射性異方性導電接着剤3をその形態(液状、ペースト状、フィルム状等)などに応じて公知の手法、例えば、スクリーン印刷法、パッド転写法、ディスペンス塗布法等により配置する。具体的には、配線板2の少なくとも電極2a上に光反射性異方性導電接着剤3を仮貼着し、その光反射性異方性導電接着剤3を挟み込むように発光素子1の電極1aを配線板2の電極2aに対向させる。
工程(A)の後、配線板に対して発光素子を加熱加圧することにより異方性導電接続を行う。具体的には、図1Bに示すように、発光素子1を押圧できる位置に、加熱加圧するためのエラストマーヘッド4をセットし、図1Cに示すように、エラストマーヘッド4の押圧面4aを、必要に応じて保護フィルム(図示せず)を介して、発光素子1を配線板2に押し当て、加熱加圧する。これにより、光反射性異方性導電接着剤3を流動させた後硬化させて発光素子1を配線板2に異方性導電接続することができ、図1Dに示す発光装置100を得ることができる。この発光装置100では、発光素子1が発した光のうち、配線板2側に向かって発した光は、光反射性異方性導電接着剤の硬化物3′中の光反射性絶縁粒子3cで反射し、発光装置100の上面から出射する。従って、発光効率の低下を防止することができる。
図1Dに示す、工程(B)で得られた発光装置100に対し、図1Eに示すように、発光素子1全体を覆うように、透明封止樹脂6を用いて封止してもよい。これにより、耐久性が向上した発光装置110となる。この透明封止樹脂6としては、発光素子1の樹脂封止に用いられる一般的な樹脂であれば特に制限されないが、例えば、硬化物の粘着性が低く、経時劣化が少なく、硬化時間が短い等の観点から、シリコーン系又はアクリル系の透明封止樹脂を好ましく使用することができる。
(光反射性異方性導電接着剤の調製)
主剤として脂環式エポキシ樹脂(2021P、ダイセル化学工業(株))50質量部と、硬化剤としてメチルヘキサヒドロフタル酸無水物50質量部と、導電粒子として平均粒径5μmのAu被覆樹脂導電粒子(平均粒径4.6μmの球状アクリル樹脂粒子に0.2μm厚の無電解金メッキを施した粒子(ブライト20GNB4.6EH、日本化学工業(株)))15質量部と、有機ホスフィン系硬化促進剤(TPP−BF、北興化学工業(株))3質量部と、リン系着色防止剤(HCA、三光(株))0.5質量部とからなる熱硬化型エポキシ系異方性導電接着剤に、光反射性絶縁粒子として平均粒径210nmの二酸化ケイ素粉末(シーホスター KE−E30、日本触媒(株))を15体積%となるように配合し、均一に混合することにより、外観色が白色のペースト状の光反射性異方性導電接着剤を得た。
100μmピッチの銅配線にNi/Au(5.0μm厚/0.3μm厚)メッキ処理した所定の形状の配線を有するガラスエポキシ配線板の接続用電極上に、バンプボンダー(FB700、カイジョー(株))を用いて15μm高の金バンプを形成した。この金バンプ付きガラスエポキシ配線板に、上記で得た光反射性異方性導電接着剤を適用し、その上に、0.3mm角で0.1mm厚の青色LED素子(ピーク波長455nm、定格電流20mA、定格電圧3.2V)20個を配置し、ショアAゴム硬度(JIS K6253)65の押圧面を有するエラストマーヘッド(縦50mm×横50mm、厚さ10mm)を用い、250℃(エラストマーヘッド押圧面温度)、30秒、1N/チップという条件でフィリップチップ実装し、発光装置としてLEDモジュールを得た。
上記で得られた発光装置に対し、付加硬化型メチルシリコーン樹脂(KER2500、信越化学工業(株))を用いてキャスト法により樹脂封止を行い、透明樹脂封止された発光装置(LEDモジュール)を得た。
光反射性絶縁粒子として、二酸化ケイ素粉末に代えて、平均粒径225nmの酸化亜鉛粉末(JIS規格酸化亜鉛1種、ハクスイテック(株))を15体積%で用いること以外、実施例1と同様にして、外観色が白色のペースト状の光反射性異方性導電接着剤を得、更にこの光反射性異方性導電接着剤を用いて透明樹脂封止されたLEDモジュールを得た。
光反射性絶縁粒子として、二酸化ケイ素粉末に代えて、平均粒径210nmの二酸化チタン粉末(KR−380、チタン工業(株))を15体積%で用いること以外、実施例1と同様にして、外観色が白色のペースト状の光反射性異方性導電接着剤を得、更にこの光反射性異方性導電接着剤を用いて透明樹脂封止されたLEDモジュールを得た。
光反射性絶縁粒子として、二酸化ケイ素粉末に代えて、平均粒径190nmの二酸化チタン粉末(KR−380、チタン工業(株))を15体積%用いること以外、実施例1と同様にして、外観色が白色のペースト状の光反射性異方性導電接着剤を得、更にこの光反射性異方性導電接着剤を用いて透明樹脂封止されたLEDモジュールを得た。
光反射性絶縁粒子として、二酸化ケイ素粉末に代えて、平均粒径300nmの二酸化チタン粉末(KR−380、チタン工業(株))を15体積%用いること以外、実施例1と同様にして、外観色が白色のペースト状の光反射性異方性導電接着剤を得、更にこの光反射性異方性導電接着剤を用いて透明樹脂封止されたLEDモジュールを得た。
光反射性絶縁粒子として、二酸化ケイ素粉末に代えて、平均粒径210nmの二酸化チタン粉末(KR−380、チタン工業(株))を5体積%用いること以外、実施例1と同様にして、外観色が白色のペースト状の光反射性異方性導電接着剤を得、更にこの光反射性異方性導電接着剤を用いて透明樹脂封止されたLEDモジュールを得た。
光反射性絶縁粒子として、二酸化ケイ素粉末に代えて、平均粒径210nmの二酸化チタン粉末(KR−380、チタン工業(株))を25体積%用いること以外、実施例1と同様にして、外観色が白色のペースト状の光反射性異方性導電接着剤を得、更にこの光反射性異方性導電接着剤を用いて透明樹脂封止されたLEDモジュールを得た。
光反射性絶縁粒子として、二酸化ケイ素粉末に代えて、平均粒径210nmの二酸化チタン粉末(KR−380、チタン工業(株))を15体積%用い且つショアAゴム硬度60のエラストマーヘッドに代えてショアAゴム硬度40のエラストマーヘッドを用いること以外、実施例1と同様にして、外観色が白色のペースト状の光反射性異方性導電接着剤を得、更にこの光反射性異方性導電接着剤を用いて透明樹脂封止されたLEDモジュールを得た。
光反射性絶縁粒子として、二酸化ケイ素粉末に代えて、平均粒径210nmの二酸化チタン粉末(KR−380、チタン工業(株))を15体積%用い、且つショアAゴム硬度60のエラストマーヘッドに代えてショアAゴム硬度80のエラストマーヘッドを用いること以外、実施例1と同様にして、外観色が白色のペースト状の光反射性異方性導電接着剤を得、更にこの光反射性異方性導電接着剤を用いて透明樹脂封止されたLEDモジュールを得た。
光反射性絶縁粒子として、二酸化ケイ素粉末に代えて、以下に説明するように調製した平均粒径1.2μmの光反射性絶縁粒子を15体積%使用すること以外、実施例1と同様にして、外観色が白色のペースト状の光反射性異方性導電接着剤を得、更にこの光反射性異方性導電接着剤を用いて透明樹脂封止されたLEDモジュールを得た。
攪拌機つきフラスコに粒状銀粒子(平均粒径1μm)5gとトルエン50mlとを投入し、攪拌しながらフラスコにシランカップリング剤(3−メタクリロキシプロピルトリエトキシシラン)0.25gを投入し、25℃で60分間攪拌した。次に、この混合物に、メタクリル酸メチル2gとメタクリル酸−2−ヒドロキシエチル2gとベンゾイルパーオキサイド0.04gと2,4−トリレンジイソシアネート1gとを投入し、80℃で12時間攪拌することにより、光反射性絶縁粒子として絶縁被覆銀粒子を得た。絶縁被覆を含めた光反射性絶縁粒子の平均粒径は1.2μmであった。この光反射性絶縁粒子の外観色は灰色であった。
Au被覆樹脂導電粒子に代えて、以下に説明するように調製した平均粒径5μmの光反射性導電粒子を使用すること以外、実施例1と同様にして、外観色が白色のペースト状の光反射性異方性導電接着剤を得、更にこの光反射性異方性導電接着剤を用いて透明樹脂封止されたLEDモジュールを得た。
平均粒子径0.5μmの酸化チタン粉末(KR−380、チタン工業(株))4質量部と、外観色が茶色の平均粒径5μmのAu被覆樹脂導電粒子(平均粒径4.6μmの球状アクリル樹脂粒子に0.2μm厚の無電解金メッキを施した粒子)20質量部とを、メカノフュージョン装置(AMS−GMP、ホソカワミクロン(株))に投入し、導電粒子の表面に酸化チタン粒子からなる約0.5μm厚の光反射層を成膜することにより、光反射性導電粒子を得た。この光反射性導電粒子の外観色は灰色であった。
(異方性導電接着剤の調製)
主剤としてビスフェノールA型エポキシ樹脂(エピコート828、JER(株))10質量部と、脂肪族ポリアミン系硬化剤(アデカハードナー EH4357S、(株)ADEKA)1質量部と、導電粒子として平均粒径5μmのAu被覆樹脂導電粒子(平均粒径4.6μmの球状アクリル樹脂粒子に0.2μm厚の無電解金メッキを施した粒子(ブライト20GNB4.6EH、日本化学工業(株))10質量部とからなる、外観色が茶色のペースト状の異方性導電接着剤を得た。
光反射性異方性導電接着剤に代えて上記で得た異方性導電接着剤を用い且つショアAゴム硬度が65のエラストマーヘッドに代えてステンレススチール製の金属ヘッドを用いること以外、実施例1と同様にして透明樹脂封止されたLEDモジュールを得た。
光反射性異方性導電接着剤に代えて、上記の比較例1で得た異方性導電接着剤を用いること以外、実施例1と同様にして透明樹脂封止されたLEDモジュールを得た。
(異方性導電接着剤の調製)
付加硬化型メチルシリコーン樹脂(KER2500、信越化学工業(株))100質量部に、導電粒子として平均粒径5μmのAu被覆樹脂導電粒子(平均粒径4.6μmの球状アクリル樹脂粒子に0.2μm厚の無電解金メッキを施した粒子(ブライト20GNB4.6EH、日本化学工業(株))10質量部を均一に混合することにより、外観色が茶色のペースト状の異方性導電接着剤を得、更にこの光反射性異方性導電接着剤を用いて、実施例1と同様にして透明樹脂封止されたLEDモジュールを得た。
光反射性絶縁粒子を配合しないこと以外、実施例1と同様にして、外観色が茶色のペースト状の異方性導電接着剤を得、更にこの光反射性異方性導電接着剤を用いて透明樹脂封止されたLEDモジュールを得た。
ショアAゴム硬度60のエラストマーヘッドに代えてステンレススチール製の金属ヘッドを用いること以外、実施例1と同様にして、透明樹脂封止されたLEDモジュールを得た。
光反射性絶縁粒子として、二酸化ケイ素粉末に代えて、平均粒径210nmの二酸化チタン粉末(KR−380、チタン工業(株))を15体積%用い且つショアAゴム硬度が60のエラストマーヘッドに代えてショアAゴム硬度が90のエラストマーヘッドを用いること以外、実施例1と同様にして、外観色が白色のペースト状の異方性導電接着剤を得、更にこの光反射性異方性導電接着剤を用いて透明樹脂封止されたLEDモジュールを得た。
(光反射率評価試験)
実施例及び比較例で得られた異方性導電接着剤を、ガラスエポキシ基板に、10mm角で乾燥厚で0.3mmとなるように塗布し、250℃で30秒間加熱して硬化させた。この硬化物に対し、キセノンランプ光源から光で照射し、積分球を用いる分光側色計(CM3600d、コニカミノルタ(株))を用いて、波長450nmの光に対する反射率(JIS K7150)を、硬化物に垂直な軸と8度の角度の光について測定した。反射率は、実用上30%以上であることが望まれる。
実施例及び比較例で作成した各LEDモジュールについて、20個のLED素子の外観を目視観察し、亀裂又は欠けが発生しているLED素子の個数をカウントした。得られた結果を表1に示す。なお、「チップの欠け」評価の「0〜1」の意味は、通常は20個のLED素子に亀裂又は欠けが生ずることがないが、極めて稀にチップの欠けが生ずる場合があることを意味する。
実施例及び比較例で作成した各LEDモジュールにおけるLED素子と配線板との接着力として、LEDモジュールの300μm角LED素子1チップ当たりのダイシェア強度を、ダイシェア強度試験機(PTR−1100、(株)レスカ)を用い、剪断速度20μm/secの条件で測定した。測定は、点灯前の初期状態のLEDモジュールと、85℃、85%RHの高温高湿環境下において300時間連続点灯後のLEDモジュールの2つのサンプルについて行った。得られた結果を表1に示す。ダイシェア強度は、上記の測定方法で測定して、実用上300gf/チップ以上、好ましくは400gf/チップ以上であることが望まれる。
実施例及び比較例で作成した各LEDモジュールについて、透明性維持性の評価として、全光束測定システム(積分全球)(LE−2100、大塚電子(株))を用いて全光束量を測定した(測定条件:If=20mA(定電流制御))。測定は、点灯前の初期状態のLEDモジュールと、85℃、85%RHの高温高湿環境下において300時間連続点灯後のLEDモジュールの2つのサンプルについて行った。得られた結果を表1に示す。全光束量は、上記の測定方法で測定して、実用上200mlm以上、好ましくは350mlm以上であることが望まれる。
2 配線板
3 光反射性異方性導電接着剤
3a 熱硬化性樹脂組成物
3b 導電粒子
3c 光反射性絶縁粒子
4 エラストマーヘッド
4a エラストマーヘッドの押圧面
5 ヘッドベース
6 透明封止樹脂
21 コア粒子
22 無機粒子
23 光反射層
24 熱可塑性樹脂
100、110 発光装置
200 光反射性導電粒子
300 多層化光反射性導電粒子
Claims (14)
- 発光素子を配線板に異方性導電接続してなる発光装置の製造方法において、以下の工程(A)及び(B):
工程(A)
発光素子と、該発光素子が接続されるべき配線板との間に、熱硬化性樹脂組成物、導電粒子及び光反射性絶縁粒子を含有する光反射性異方性導電接着剤を配置する工程; 及び
工程(B)
配線板に対して発光素子を、押圧面のショアAゴム硬度(JIS K6253)が40以上90未満であるエラストマーヘッドで加熱加圧することにより異方性導電接続を行う工程
を有する製造方法。 - 光反射性異方性導電接着剤の波長450nmの光に対する分光反射率(JIS K7105)が、30%以上である請求項1記載の製造方法。
- 光反射性絶縁粒子が、酸化ケイ素、酸化チタン、窒化ホウ素、酸化亜鉛及び酸化アルミニウムからなる群より選択される少なくとも一種の無機粒子である請求項1又は2記載の製造方法。
- 光反射性絶縁粒子の平均粒子径が、150nm〜550nmである請求項1〜3のいずれかに記載の製造方法。
- 光反射性絶縁粒子の屈折率(JIS K7142)が、熱硬化性樹脂組成物の硬化物の屈折率(JIS K7142)よりも大きい請求項1〜4のいずれかに記載の製造方法。
- 光反射性絶縁粒子が、鱗片状又は球状銀粒子の表面を絶縁性樹脂で被覆した樹脂被覆金属粒子である請求項1〜5のいずれかに記載の製造方法。
- 熱硬化性樹脂組成物中における光反射性絶縁粒子の配合量が、1〜50体積%である請求項1〜6のいずれかに記載の製造方法。
- 熱硬化性樹脂組成物が、エポキシ樹脂と酸無水物系硬化剤とを含有する請求項1〜7のいずれかに記載の製造方法。
- エラストマーヘッドの押圧面のショアAゴム硬度(JIS K6253)が、65以上80以下である請求項1〜8のいずれかに記載の製造方法。
- 更に、以下の工程(C)
(C)配線板上に異方性導電接続された発光素子を、透明樹脂を用いて封止する工程
を有する請求項1〜9のいずれかに記載の製造方法。 - 導電粒子が、金属材料で被覆されているコア樹脂粒子と、その表面に酸化チタン粒子、酸化亜鉛粒子又は酸化アルミニウム粒子から選択された少なくとも一種の無機粒子から形成された光反射層とからなる光反射性導電粒子である請求項1〜10のいずれかに記載の製造方法。
- 熱硬化性樹脂組成物100質量部に対する光反射性導電粒子の配合量が、1〜100質量部である請求項11記載の製造方法。
- 請求項1〜12のいずれかに記載の製造方法により製造された発光装置。
- 発光素子が、発光ダイオードである請求項13記載の発光装置。
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010091567A JP5402804B2 (ja) | 2010-04-12 | 2010-04-12 | 発光装置の製造方法 |
TW100112603A TWI529980B (zh) | 2010-04-12 | 2011-04-12 | Manufacturing method of light emitting device |
CN201180018865.5A CN102823084B (zh) | 2010-04-12 | 2011-04-12 | 发光装置的制造方法 |
PCT/JP2011/059042 WO2011129313A1 (ja) | 2010-04-12 | 2011-04-12 | 発光装置の製造方法 |
KR1020117018368A KR101892753B1 (ko) | 2010-04-12 | 2011-04-12 | 발광 장치의 제조 방법 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010091567A JP5402804B2 (ja) | 2010-04-12 | 2010-04-12 | 発光装置の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2011222830A true JP2011222830A (ja) | 2011-11-04 |
JP5402804B2 JP5402804B2 (ja) | 2014-01-29 |
Family
ID=44798685
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010091567A Active JP5402804B2 (ja) | 2010-04-12 | 2010-04-12 | 発光装置の製造方法 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5402804B2 (ja) |
KR (1) | KR101892753B1 (ja) |
CN (1) | CN102823084B (ja) |
TW (1) | TWI529980B (ja) |
WO (1) | WO2011129313A1 (ja) |
Cited By (20)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN103337578A (zh) * | 2013-05-24 | 2013-10-02 | 袁灵 | 正装双电极芯片反贴应用的方法及结构 |
JP2013243344A (ja) * | 2012-04-23 | 2013-12-05 | Nichia Chem Ind Ltd | 発光装置 |
JP2014001273A (ja) * | 2012-06-15 | 2014-01-09 | Dexerials Corp | 光反射性異方性導電接着剤及び発光装置 |
JP2014003242A (ja) * | 2012-06-20 | 2014-01-09 | Nichia Chem Ind Ltd | ダイボンド材及び発光装置 |
JP2014037528A (ja) * | 2012-07-19 | 2014-02-27 | Dexerials Corp | 光反射性異方性導電接着剤及び発光装置 |
KR20140091055A (ko) * | 2011-11-14 | 2014-07-18 | 데쿠세리아루즈 가부시키가이샤 | 이방성 도전 필름, 접속 방법 및 접합체 |
WO2014178666A1 (ko) * | 2013-04-30 | 2014-11-06 | 주식회사 세미콘라이트 | 반도체 발광소자 및 이를 제조하는 방법 |
JP2015119013A (ja) * | 2013-12-18 | 2015-06-25 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
WO2015102225A1 (ko) * | 2013-12-30 | 2015-07-09 | 일진엘이디(주) | 신뢰성이 향상된 발광 소자 |
JP2015153981A (ja) * | 2014-02-18 | 2015-08-24 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
JP2015207737A (ja) * | 2014-04-23 | 2015-11-19 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置及びその製造方法 |
JP2016072524A (ja) * | 2014-09-30 | 2016-05-09 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置およびその製造方法 |
WO2016148004A1 (ja) * | 2015-03-18 | 2016-09-22 | デクセリアルズ株式会社 | 発光装置製造方法 |
JP2017195408A (ja) * | 2012-04-23 | 2017-10-26 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
US9812625B2 (en) | 2014-02-18 | 2017-11-07 | Nichia Corporation | Light-emitting device having resin member with conductive particles |
KR101933190B1 (ko) * | 2012-03-28 | 2018-12-31 | 서울반도체 주식회사 | 발광다이오드 패키지 및 그 제조방법 |
WO2020076603A1 (en) * | 2018-10-08 | 2020-04-16 | Facebook Technologies, Llc | Bonding of a light emitting diode to a substrate |
US10644210B2 (en) | 2016-04-01 | 2020-05-05 | Nichia Corporation | Method of manufacturing light emitting element mounting base member, method of manufacturing light emitting device using the light emitting element mounting base member, light emitting element mounting base member, and light emitting device using the light emitting element mounting base member |
JP2020087907A (ja) * | 2018-11-21 | 2020-06-04 | 信越化学工業株式会社 | 異方性フィルムの製造方法 |
US10790426B2 (en) | 2016-04-01 | 2020-09-29 | Nichia Corporation | Method of manufacturing light emitting element mounting base member, method of manufacturing light emitting device using the light emitting element mounting base member, light emitting element mounting base member, and light emitting device using the light emitting element mounting base member |
Families Citing this family (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN103378282A (zh) * | 2012-04-27 | 2013-10-30 | 展晶科技(深圳)有限公司 | 发光二极管封装结构的制造方法 |
CN103000796A (zh) * | 2012-11-23 | 2013-03-27 | 王知康 | 一种利用非对称导电胶水(acp)安装led的方法 |
CN106104930A (zh) * | 2014-03-20 | 2016-11-09 | 迪睿合株式会社 | 各向异性导电膜及其制备方法 |
EP3200250B1 (en) * | 2014-09-26 | 2020-09-02 | Toshiba Hokuto Electronics Corp. | Production method for light-emission module |
US10319697B2 (en) * | 2015-05-21 | 2019-06-11 | Goertek, Inc. | Transferring method, manufacturing method, device and electronic apparatus of micro-LED |
CN104821369A (zh) * | 2015-05-25 | 2015-08-05 | 叶志伟 | 一种倒装led的封装方法 |
DE102015112967A1 (de) * | 2015-08-06 | 2017-02-09 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements und optoelektronisches Bauelement |
TWI837362B (zh) * | 2016-03-15 | 2024-04-01 | 晶元光電股份有限公司 | 發光模組 |
TWI696300B (zh) | 2016-03-15 | 2020-06-11 | 晶元光電股份有限公司 | 半導體裝置及其製造方法 |
JP7011147B2 (ja) * | 2016-04-01 | 2022-01-26 | 日亜化学工業株式会社 | 発光素子載置用基体の製造方法及びそれを用いた発光装置の製造方法並びに発光素子載置用基体及びそれを用いた発光装置 |
JP7011148B2 (ja) * | 2016-04-01 | 2022-01-26 | 日亜化学工業株式会社 | 発光素子載置用基体の製造方法及びそれを用いた発光装置の製造方法並びに発光素子載置用基体及びそれを用いた発光装置 |
CN108803149B (zh) * | 2018-07-20 | 2021-05-25 | 京东方科技集团股份有限公司 | 面光源及其制作方法以及液晶显示装置 |
US11735684B2 (en) | 2018-10-12 | 2023-08-22 | Osram Gmbh | Method for manufacturing a light-emitting device |
TWI779188B (zh) * | 2019-05-02 | 2022-10-01 | 光感動股份有限公司 | 發光元件封裝結構及其製作方法 |
KR102252598B1 (ko) * | 2019-10-01 | 2021-05-18 | 주식회사 에스엘바이오닉스 | 기판 및 이를 이용한 반도체 발광소자 |
JP2021153114A (ja) * | 2020-03-24 | 2021-09-30 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 配線基板及び表示装置 |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001332124A (ja) * | 2000-05-22 | 2001-11-30 | Toshiba Chem Corp | 導電性ペーストおよび光半導体装置 |
JP2010050236A (ja) * | 2008-08-20 | 2010-03-04 | Mitsubishi Chemicals Corp | 半導体発光装置およびその製造方法 |
Family Cites Families (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH1120233A (ja) * | 1997-06-30 | 1999-01-26 | Kyocera Corp | 光プリンタヘッド |
JPH11168235A (ja) * | 1997-12-05 | 1999-06-22 | Toyoda Gosei Co Ltd | 発光ダイオード |
JP2001234152A (ja) * | 2000-02-24 | 2001-08-28 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | 導電性接着剤 |
JP4114364B2 (ja) * | 2001-11-08 | 2008-07-09 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置およびその製造方法 |
JP3886401B2 (ja) * | 2002-03-25 | 2007-02-28 | ソニーケミカル&インフォメーションデバイス株式会社 | 接続構造体の製造方法 |
JP4539813B2 (ja) * | 2003-08-19 | 2010-09-08 | ソニーケミカル&インフォメーションデバイス株式会社 | 絶縁被覆導電粒子 |
JP4891895B2 (ja) * | 2005-03-04 | 2012-03-07 | ソニーケミカル&インフォメーションデバイス株式会社 | 異方導電性接着剤及びこれを用いた電極の接続方法 |
JP2007157940A (ja) * | 2005-12-02 | 2007-06-21 | Nichia Chem Ind Ltd | 発光装置および発光装置の製造方法 |
JP4925669B2 (ja) * | 2006-01-13 | 2012-05-09 | ソニーケミカル&インフォメーションデバイス株式会社 | 圧着装置及び実装方法 |
JP5099289B2 (ja) * | 2006-02-03 | 2012-12-19 | ソニーケミカル&インフォメーションデバイス株式会社 | 熱硬化型接着剤 |
JP2007324413A (ja) * | 2006-06-01 | 2007-12-13 | Sony Chemical & Information Device Corp | 熱圧着ヘッド及びこれを用いた実装装置 |
JP4432949B2 (ja) * | 2006-09-15 | 2010-03-17 | パナソニック株式会社 | 電気部品の接続方法 |
JP5608955B2 (ja) * | 2007-02-06 | 2014-10-22 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置及びその製造方法並びに発光装置用成形体 |
JP5074082B2 (ja) * | 2007-04-16 | 2012-11-14 | ソニーケミカル&インフォメーションデバイス株式会社 | 導電性粒子体及びこれを用いた異方性導電接続材料、並びに導電性粒子体の製造方法 |
JP5226562B2 (ja) * | 2008-03-27 | 2013-07-03 | デクセリアルズ株式会社 | 異方性導電フィルム、並びに、接合体及びその製造方法 |
JP2010050235A (ja) * | 2008-08-20 | 2010-03-04 | Mitsubishi Chemicals Corp | 半導体発光装置およびその製造方法 |
-
2010
- 2010-04-12 JP JP2010091567A patent/JP5402804B2/ja active Active
-
2011
- 2011-04-12 CN CN201180018865.5A patent/CN102823084B/zh active Active
- 2011-04-12 WO PCT/JP2011/059042 patent/WO2011129313A1/ja active Application Filing
- 2011-04-12 TW TW100112603A patent/TWI529980B/zh active
- 2011-04-12 KR KR1020117018368A patent/KR101892753B1/ko active IP Right Grant
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001332124A (ja) * | 2000-05-22 | 2001-11-30 | Toshiba Chem Corp | 導電性ペーストおよび光半導体装置 |
JP2010050236A (ja) * | 2008-08-20 | 2010-03-04 | Mitsubishi Chemicals Corp | 半導体発光装置およびその製造方法 |
Cited By (26)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101582766B1 (ko) | 2011-11-14 | 2016-01-05 | 데쿠세리아루즈 가부시키가이샤 | 이방성 도전 필름, 접속 방법 및 접합체 |
KR20140091055A (ko) * | 2011-11-14 | 2014-07-18 | 데쿠세리아루즈 가부시키가이샤 | 이방성 도전 필름, 접속 방법 및 접합체 |
KR101933190B1 (ko) * | 2012-03-28 | 2018-12-31 | 서울반도체 주식회사 | 발광다이오드 패키지 및 그 제조방법 |
JP2013243344A (ja) * | 2012-04-23 | 2013-12-05 | Nichia Chem Ind Ltd | 発光装置 |
JP2017195408A (ja) * | 2012-04-23 | 2017-10-26 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
JP2014001273A (ja) * | 2012-06-15 | 2014-01-09 | Dexerials Corp | 光反射性異方性導電接着剤及び発光装置 |
JP2014003242A (ja) * | 2012-06-20 | 2014-01-09 | Nichia Chem Ind Ltd | ダイボンド材及び発光装置 |
JP2014037528A (ja) * | 2012-07-19 | 2014-02-27 | Dexerials Corp | 光反射性異方性導電接着剤及び発光装置 |
WO2014178666A1 (ko) * | 2013-04-30 | 2014-11-06 | 주식회사 세미콘라이트 | 반도체 발광소자 및 이를 제조하는 방법 |
CN103337578A (zh) * | 2013-05-24 | 2013-10-02 | 袁灵 | 正装双电极芯片反贴应用的方法及结构 |
JP2015119013A (ja) * | 2013-12-18 | 2015-06-25 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
WO2015102225A1 (ko) * | 2013-12-30 | 2015-07-09 | 일진엘이디(주) | 신뢰성이 향상된 발광 소자 |
JP2015153981A (ja) * | 2014-02-18 | 2015-08-24 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
US9812625B2 (en) | 2014-02-18 | 2017-11-07 | Nichia Corporation | Light-emitting device having resin member with conductive particles |
JP2015207737A (ja) * | 2014-04-23 | 2015-11-19 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置及びその製造方法 |
JP2016072524A (ja) * | 2014-09-30 | 2016-05-09 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置およびその製造方法 |
JPWO2016148004A1 (ja) * | 2015-03-18 | 2017-12-28 | デクセリアルズ株式会社 | 発光装置製造方法 |
WO2016148004A1 (ja) * | 2015-03-18 | 2016-09-22 | デクセリアルズ株式会社 | 発光装置製造方法 |
US10626301B2 (en) | 2015-03-18 | 2020-04-21 | Dexerials Corporation | Method for manufacturing light emitting device |
US10644210B2 (en) | 2016-04-01 | 2020-05-05 | Nichia Corporation | Method of manufacturing light emitting element mounting base member, method of manufacturing light emitting device using the light emitting element mounting base member, light emitting element mounting base member, and light emitting device using the light emitting element mounting base member |
US10790426B2 (en) | 2016-04-01 | 2020-09-29 | Nichia Corporation | Method of manufacturing light emitting element mounting base member, method of manufacturing light emitting device using the light emitting element mounting base member, light emitting element mounting base member, and light emitting device using the light emitting element mounting base member |
US11223000B2 (en) | 2016-04-01 | 2022-01-11 | Nichia Corporation | Method of manufacturing light emitting element mounting base member, method of manufacturing light emitting device using the light emitting element mounting base member, light emitting element mounting base member, and light emitting device using the light emitting element mounting base member |
US11257999B2 (en) | 2016-04-01 | 2022-02-22 | Nichia Corporation | Light emitting element mounting base member, and light emitting device using the light emitting element mounting base member |
WO2020076603A1 (en) * | 2018-10-08 | 2020-04-16 | Facebook Technologies, Llc | Bonding of a light emitting diode to a substrate |
US10964867B2 (en) | 2018-10-08 | 2021-03-30 | Facebook Technologies, Llc | Using underfill or flux to promote placing and parallel bonding of light emitting diodes |
JP2020087907A (ja) * | 2018-11-21 | 2020-06-04 | 信越化学工業株式会社 | 異方性フィルムの製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP5402804B2 (ja) | 2014-01-29 |
WO2011129313A1 (ja) | 2011-10-20 |
TWI529980B (zh) | 2016-04-11 |
CN102823084A (zh) | 2012-12-12 |
KR20120135006A (ko) | 2012-12-12 |
CN102823084B (zh) | 2015-11-25 |
KR101892753B1 (ko) | 2018-08-28 |
TW201145620A (en) | 2011-12-16 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5402804B2 (ja) | 発光装置の製造方法 | |
JP5617210B2 (ja) | 光反射性異方性導電接着剤及び発光装置 | |
TWI553088B (zh) | A light reflective anisotropic conductive adhesive and a light emitting device | |
JP5888023B2 (ja) | 光反射性異方性導電接着剤及び発光装置 | |
JP5958107B2 (ja) | 光反射性異方性導電接着剤及び発光装置 | |
JP5526698B2 (ja) | 光反射性導電粒子、異方性導電接着剤及び発光装置 | |
JP5555038B2 (ja) | 光反射性異方性導電接着剤及び発光装置 | |
WO2012144033A1 (ja) | 光反射性導電粒子、異方性導電接着剤及び発光装置 | |
WO2014013984A1 (ja) | 光反射性異方性導電接着剤及び発光装置 | |
JP5785306B2 (ja) | 光反射性異方性導電接着剤及び発光装置 | |
JP2014030026A (ja) | 異方性導電接着剤及び発光装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20130201 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20131001 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20131014 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5402804 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |