JP2013123041A5 - 半導体装置の作製方法 - Google Patents

Claims (4)

1. 絶縁表面上にソース電極層及びドレイン電極層を形成し、
   前記ソース電極層及び前記ドレイン電極層の間隙に、塗布法によって酸化物半導体層を形成し、
   前記ソース電極層の上面、前記ドレイン電極層の上面、及び前記酸化物半導体層の上面に接するようにゲート絶縁層を形成し、
   前記ゲート絶縁層を介して前記酸化物半導体層と重畳する領域に、ゲート電極層を形成し、
   前記ゲート電極層をマスクとして、前記酸化物半導体層に不純物元素を導入して、前記酸化物半導体層に一対の不純物領域と、前記一対の不純物領域に挟まれたチャネル形成領域と、を形成し、
   前記ゲート電極層を覆う導電膜を形成し、
   前記導電膜上に絶縁層を形成し、
   前記絶縁層を加工して、前記導電膜を介して前記ゲート電極層のチャネル長方向の側面に位置する第１の側壁絶縁層及び第２の側壁絶縁層を形成し、
   前記第１の側壁絶縁層及び前記第２の側壁絶縁層をマスクとして、前記導電膜をエッチングして、前記ゲート電極層のチャネル長方向の側面に接する第１の導電層及び第２の導電層を形成する半導体装置の作製方法。
2. 絶縁表面上にソース電極層及びドレイン電極層を形成し、
   前記ソース電極層及び前記ドレイン電極層の間隙に、塗布法によって酸化物半導体層を形成した後、前記酸化物半導体層に熱処理を施し、
   前記ソース電極層の上面、前記ドレイン電極層の上面、及び前記酸化物半導体層の上面に接するようにゲート絶縁層を形成し、
   前記ゲート絶縁層を介して前記酸化物半導体層と重畳する領域に、ゲート電極層を形成し、
   前記ゲート電極層をマスクとして、前記酸化物半導体層に不純物元素を導入して、前記酸化物半導体層に一対の不純物領域と、前記一対の不純物領域に挟まれたチャネル形成領域と、を形成し、
   前記ゲート電極層を覆う導電膜を形成し、
   前記導電膜上に絶縁層を形成し、
   前記絶縁層を加工して、前記導電膜を介して前記ゲート電極層のチャネル長方向の側面に位置する第１の側壁絶縁層及び第２の側壁絶縁層を形成し、
   前記第１の側壁絶縁層及び前記第２の側壁絶縁層をマスクとして、前記導電膜をエッチングして、前記ゲート電極層のチャネル長方向の側面に接する第１の導電層及び第２の導電層を形成する半導体装置の作製方法。
3. 請求項１又は２において、
   前記第１の側壁絶縁層、前記第２の側壁絶縁層及び前記ゲート電極層を覆う層間絶縁層を形成し、
   前記層間絶縁層及び前記ゲート絶縁層に、前記ソース電極層又は前記ドレイン電極層に達する開口を形成し、
   前記開口に配線層を形成する半導体装置の作製方法。
4. 請求項３において、
   前記層間絶縁層として、酸化アルミニウム膜を含む層を形成する半導体装置の作製方法。