JP2011187544A - 固体撮像装置、固体撮像装置の製造方法、固体撮像装置の駆動方法、及び電子機器 - Google Patents
固体撮像装置、固体撮像装置の製造方法、固体撮像装置の駆動方法、及び電子機器 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2011187544A JP2011187544A JP2010049233A JP2010049233A JP2011187544A JP 2011187544 A JP2011187544 A JP 2011187544A JP 2010049233 A JP2010049233 A JP 2010049233A JP 2010049233 A JP2010049233 A JP 2010049233A JP 2011187544 A JP2011187544 A JP 2011187544A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electrode
- photoelectric conversion
- substrate
- solid
- state imaging
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 title claims abstract description 165
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 31
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 10
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims abstract description 158
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 142
- 239000011368 organic material Substances 0.000 claims abstract description 29
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 claims abstract description 13
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 claims abstract description 13
- 238000007599 discharging Methods 0.000 claims abstract description 4
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 38
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 claims description 33
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 9
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 claims description 8
- 238000010030 laminating Methods 0.000 claims description 3
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 claims description 3
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 claims description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 28
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 26
- 102100040678 Programmed cell death protein 1 Human genes 0.000 description 24
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 17
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 17
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 17
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 12
- 230000016507 interphase Effects 0.000 description 6
- 238000005070 sampling Methods 0.000 description 6
- 230000008859 change Effects 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 5
- YTPLMLYBLZKORZ-UHFFFAOYSA-N Thiophene Chemical compound C=1C=CSC=1 YTPLMLYBLZKORZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 4
- ZYGHJZDHTFUPRJ-UHFFFAOYSA-N coumarin Chemical compound C1=CC=C2OC(=O)C=CC2=C1 ZYGHJZDHTFUPRJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 4
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 4
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 4
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 4
- 230000001629 suppression Effects 0.000 description 4
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 3
- 239000000975 dye Substances 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 230000008569 process Effects 0.000 description 3
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 3
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 3
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 101710089372 Programmed cell death protein 1 Proteins 0.000 description 2
- NRCMAYZCPIVABH-UHFFFAOYSA-N Quinacridone Chemical compound N1C2=CC=CC=C2C(=O)C2=C1C=C1C(=O)C3=CC=CC=C3NC1=C2 NRCMAYZCPIVABH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- DZBUGLKDJFMEHC-UHFFFAOYSA-N acridine Chemical compound C1=CC=CC2=CC3=CC=CC=C3N=C21 DZBUGLKDJFMEHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 229960000956 coumarin Drugs 0.000 description 2
- 235000001671 coumarin Nutrition 0.000 description 2
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 2
- -1 etc.) Chemical compound 0.000 description 2
- 230000006870 function Effects 0.000 description 2
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 2
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 2
- XSCHRSMBECNVNS-UHFFFAOYSA-N quinoxaline Chemical compound N1=CC=NC2=CC=CC=C21 XSCHRSMBECNVNS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000009751 slip forming Methods 0.000 description 2
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 2
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 2
- 238000004611 spectroscopical analysis Methods 0.000 description 2
- 229930192474 thiophene Natural products 0.000 description 2
- YXUQBFUQBFSGLE-UHFFFAOYSA-N 1,2,3,4,5,6-hexapropyltetracene Chemical compound C1=CC=CC2=CC3=CC4=C(CCC)C(CCC)=C(CCC)C(CCC)=C4C(CCC)=C3C(CCC)=C21 YXUQBFUQBFSGLE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JYEUMXHLPRZUAT-UHFFFAOYSA-N 1,2,3-triazine Chemical compound C1=CN=NN=C1 JYEUMXHLPRZUAT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BCHZICNRHXRCHY-UHFFFAOYSA-N 2h-oxazine Chemical compound N1OC=CC=C1 BCHZICNRHXRCHY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005725 8-Hydroxyquinoline Substances 0.000 description 1
- GZSUIHUAFPHZSU-UHFFFAOYSA-N 9-ethyl-2,3-dihydro-1h-carbazol-4-one Chemical compound C12=CC=CC=C2N(CC)C2=C1C(=O)CCC2 GZSUIHUAFPHZSU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PAYRUJLWNCNPSJ-UHFFFAOYSA-N Aniline Chemical compound NC1=CC=CC=C1 PAYRUJLWNCNPSJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NLZUEZXRPGMBCV-UHFFFAOYSA-N Butylhydroxytoluene Chemical compound CC1=CC(C(C)(C)C)=C(O)C(C(C)(C)C)=C1 NLZUEZXRPGMBCV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XMWRBQBLMFGWIX-UHFFFAOYSA-N C60 fullerene Chemical compound C12=C3C(C4=C56)=C7C8=C5C5=C9C%10=C6C6=C4C1=C1C4=C6C6=C%10C%10=C9C9=C%11C5=C8C5=C8C7=C3C3=C7C2=C1C1=C2C4=C6C4=C%10C6=C9C9=C%11C5=C5C8=C3C3=C7C1=C1C2=C4C6=C2C9=C5C3=C12 XMWRBQBLMFGWIX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DGEZNRSVGBDHLK-UHFFFAOYSA-N [1,10]phenanthroline Chemical compound C1=CN=C2C3=NC=CC=C3C=CC2=C1 DGEZNRSVGBDHLK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MCEWYIDBDVPMES-UHFFFAOYSA-N [60]pcbm Chemical compound C123C(C4=C5C6=C7C8=C9C%10=C%11C%12=C%13C%14=C%15C%16=C%17C%18=C(C=%19C=%20C%18=C%18C%16=C%13C%13=C%11C9=C9C7=C(C=%20C9=C%13%18)C(C7=%19)=C96)C6=C%11C%17=C%15C%13=C%15C%14=C%12C%12=C%10C%10=C85)=C9C7=C6C2=C%11C%13=C2C%15=C%12C%10=C4C23C1(CCCC(=O)OC)C1=CC=CC=C1 MCEWYIDBDVPMES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- APLQAVQJYBLXDR-UHFFFAOYSA-N aluminum quinoline Chemical compound [Al+3].N1=CC=CC2=CC=CC=C12.N1=CC=CC2=CC=CC=C12.N1=CC=CC2=CC=CC=C12 APLQAVQJYBLXDR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- HFACYLZERDEVSX-UHFFFAOYSA-N benzidine Chemical compound C1=CC(N)=CC=C1C1=CC=C(N)C=C1 HFACYLZERDEVSX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 229910003472 fullerene Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000007857 hydrazones Chemical class 0.000 description 1
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 1
- WCPAKWJPBJAGKN-UHFFFAOYSA-N oxadiazole Chemical compound C1=CON=N1 WCPAKWJPBJAGKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229960003540 oxyquinoline Drugs 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 1
- SLIUAWYAILUBJU-UHFFFAOYSA-N pentacene Chemical compound C1=CC=CC2=CC3=CC4=CC5=CC=CC=C5C=C4C=C3C=C21 SLIUAWYAILUBJU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 125000002080 perylenyl group Chemical group C1(=CC=C2C=CC=C3C4=CC=CC5=CC=CC(C1=C23)=C45)* 0.000 description 1
- CSHWQDPOILHKBI-UHFFFAOYSA-N peryrene Natural products C1=CC(C2=CC=CC=3C2=C2C=CC=3)=C3C2=CC=CC3=C1 CSHWQDPOILHKBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000001007 phthalocyanine dye Substances 0.000 description 1
- 229920000301 poly(3-hexylthiophene-2,5-diyl) polymer Polymers 0.000 description 1
- 229920003227 poly(N-vinyl carbazole) Polymers 0.000 description 1
- 229920000548 poly(silane) polymer Polymers 0.000 description 1
- 229920000768 polyamine Polymers 0.000 description 1
- 229920002098 polyfluorene Polymers 0.000 description 1
- 229920000128 polypyrrole Polymers 0.000 description 1
- 229920006295 polythiol Polymers 0.000 description 1
- 229920000123 polythiophene Polymers 0.000 description 1
- 150000004033 porphyrin derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 150000004032 porphyrins Chemical class 0.000 description 1
- DNXIASIHZYFFRO-UHFFFAOYSA-N pyrazoline Chemical compound C1CN=NC1 DNXIASIHZYFFRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000001022 rhodamine dye Substances 0.000 description 1
- YYMBJDOZVAITBP-UHFFFAOYSA-N rubrene Chemical compound C1=CC=CC=C1C(C1=C(C=2C=CC=CC=2)C2=CC=CC=C2C(C=2C=CC=CC=2)=C11)=C(C=CC=C2)C2=C1C1=CC=CC=C1 YYMBJDOZVAITBP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- IFLREYGFSNHWGE-UHFFFAOYSA-N tetracene Chemical compound C1=CC=CC2=CC3=CC4=CC=CC=C4C=C3C=C21 IFLREYGFSNHWGE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ANRHNWWPFJCPAZ-UHFFFAOYSA-M thionine Chemical compound [Cl-].C1=CC(N)=CC2=[S+]C3=CC(N)=CC=C3N=C21 ANRHNWWPFJCPAZ-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- FMZQNTNMBORAJM-UHFFFAOYSA-N tri(propan-2-yl)-[2-[13-[2-tri(propan-2-yl)silylethynyl]pentacen-6-yl]ethynyl]silane Chemical compound C1=CC=C2C=C3C(C#C[Si](C(C)C)(C(C)C)C(C)C)=C(C=C4C(C=CC=C4)=C4)C4=C(C#C[Si](C(C)C)(C(C)C)C(C)C)C3=CC2=C1 FMZQNTNMBORAJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K tri(quinolin-8-yloxy)alumane Chemical compound [Al+3].C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1 TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 150000003852 triazoles Chemical class 0.000 description 1
- AAAQKTZKLRYKHR-UHFFFAOYSA-N triphenylmethane Chemical compound C1=CC=CC=C1C(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 AAAQKTZKLRYKHR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
- 238000004804 winding Methods 0.000 description 1
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N23/00—Cameras or camera modules comprising electronic image sensors; Control thereof
- H04N23/70—Circuitry for compensating brightness variation in the scene
- H04N23/73—Circuitry for compensating brightness variation in the scene by influencing the exposure time
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/50—Control of the SSIS exposure
- H04N25/53—Control of the integration time
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/60—Noise processing, e.g. detecting, correcting, reducing or removing noise
- H04N25/616—Noise processing, e.g. detecting, correcting, reducing or removing noise involving a correlated sampling function, e.g. correlated double sampling [CDS] or triple sampling
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K39/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic radiation-sensitive element covered by group H10K30/00
- H10K39/30—Devices controlled by radiation
- H10K39/32—Organic image sensors
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Multimedia (AREA)
- Signal Processing (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
Abstract
【解決手段】有機材料又は無機材料からなる光電変換膜19を第1の電極18及び第2の電極20で挟んで構成された光電変換素子21を基板13上部に備える固体撮像装置において、第1の電極18をアンプトランジスタTr1のアンプゲート電極24にのみ接続する。そして、画素信号の読み出しは、第1の電極18側から行い、リセット動作は、第2の電極20側から信号電荷を排出することで行う。
【選択図】図2
Description
光電変換素子は、有機材料、又は無機材料からなり、入射した光の光量に応じた信号電荷を生成する光電変換膜を、画素毎に別個に設けられた第1の電極と前記第1の電極に対向して設けられた第2の電極との間に挟持して構成される。アンプトランジスタは、第1の電極と接続されたアンプゲート電極を有して構成される。電圧制御回路は、第2の電極と接続され、第2の電極に所望の電圧を供給する。
1. 固体撮像装置の全体構成
2. 第1の実施形態:表面照射型の固体撮像装置
2−1 構成及び製造方法
2−2 駆動方法
3. 第2の実施形態:表面照射型の固体撮像装置
4. 第3の実施形態:表面照射型の固体撮像装置
5. 第4の実施形態:裏面照射型の固体撮像装置
6. 第5の実施形態:裏面照射型の固体撮像装置
7. 第6の実施形態:電子機器
まず、図1を用いて、以下に説明する実施形態が適用されるCMOS型の固体撮像装置、すなわち、CMOSイメージセンサの全体構造について説明する。
以下に説明する実施形態における固体撮像装置は、図1における固体撮像装置1を構成するものであり、特に有効撮像領域における画素の断面構成を示すものである。
本発明の第1の実施形態に係る固体撮像装置について説明する。
まず、本実施形態例の固体撮像装置の構成、及び製造方法について説明する。図2は、本実施形態例の固体撮像装置1における画素2の概略断面構成図(一部回路ブロック図を含む)である。
次に、本実施形態例の固体撮像装置1の駆動方法について説明する。本実施形態例の固体撮像装置1は、図2に示すように、基板13表面側の光電変換素子21が形成された側から光Lを照射する表面型固体撮像装置であり、電子−ホール対のうち、電子を信号電荷として用いる例である。
また、第2の電極20には、電荷蓄積時において、第1の電極18の電圧Vよりも低い第1の電圧Vlを印加し、リセット時において、第1の電極18の電圧Vよりも高い第2の電圧Vh(リセットパルス)を印加する。
このとき、ホールは第1の電極18よりも低い電圧である第1の電圧Vlが印加されている第2の電極20に引かれ、図示しない所要の配線を通じて排出される。
これにより、第1の電極18側に蓄積された信号電荷である電子eが第2の電極20に移動し、電圧制御回路22に排出される。この場合、リセット時における光電変換素子21のバンド構造を適切に設定することで、第1の電極18からアンプゲート電極24にかけて蓄積されていた信号電荷を全て電圧制御回路22側に排出させることができる。
ところで、一般的に、固体撮像装置では、光電変換素子をリセットした直後に検出した信号出力(P相出力)と、電荷蓄積後に検出した信号出力(D相出力)に対して相間二重サンプリングを用いることにより、ノイズの低減が図られている。
次に、本実施形態例の固体撮像装置1において、相間二重サンプリングを用いる場合の駆動方法を説明する。
これにより、D相出力を得る。
本実施形態例の固体撮像装置1では、メカニカルシャッタを用いることで、グローバル露光が可能となる。図5、及び図6を用いて、グローバル露光について説明する。
このように、メカニカルシャッタを用い、D相出力の前にメカニカルシャッタの開閉動作をすることにより、信号電荷の蓄積の同時性を実現することができ、全画素2で同時刻の画像を取得することが可能となる。
図7は、変形例1に係る撮像領域に対する第2の電極20の平面構成図である。変形例1は、第1の実施形態とは、第2の電極20の構成のみを異ならせたものである。
変形例1では、図7に示すように、第2の電極20を、画素2の行ごとに形成している。このような第2の電極20は、光電変換膜19上に電極材料を形成した後、パターニングすることにより形成される。
図8は、変形例2に係る撮像領域3に対する第2の電極20の平面構成図である。変形例2は、第1の実施形態とは、第2の電極20の構成のみを異ならせたものである。
変形例2では、図8に示すように、第2の電極20を、画素2毎に形成している。このような第2の電極20は、光電変換膜19上に電極材料を形成した後、パターニングすることにより形成される。
次に、本発明の第2の実施形態に係る固体撮像装置について説明する。図9は、本実施形態例の固体撮像装置50の1画素分の概略断面構成図である。図9において、図2に対応する部分には同一符号を付し重複説明を省略する。また、本実施形態例の固体撮像装置50の全体の構成は、図1と同様であるから、重複説明を省略する。
次に、本発明の第3の実施形態に係る固体撮像装置について説明する。図10は、本実施形態例の固体撮像装置51の1画素分の概略断面構成図である。図10において図2に対応する部分には同一符号を付し重複説明を省略する。また、本実施形態例の固体撮像装置51の全体に構成は、図1と同様であるから、重複説明を省略する。
そして、本実施形態例においても、第1の実施形態と同様の効果を得ることができる。
次に、本発明の第4の実施形態に係る固体撮像装置について説明する。図11は、本実施形態例の固体撮像装置52の1画素分の概略断面構成図である。図11において図2に対応する部分には同一符号を付し重複説明を省略する。また、本実施形態例の固体撮像装置52の全体に構成は、図1と同様であるから、重複説明を省略する。
次に、本発明の第5の実施形態に係る固体撮像装置について説明する。図12は、本実施形態例の固体撮像装置53の1画素分の概略断面構成図である。図12において図2及び図11に対応する部分には同一符号を付し重複説明を省略する。また、本実施形態例の固体撮像装置53の全体に構成は、図1と同様であるから、重複説明を省略する。
なお、固体撮像装置はワンチップとして形成された形態であってもよいし、画素部と、信号処理部または光学系とがまとめてパッケージングされた撮像機能を有するモジュール状の形態であってもよい。
次に、本発明の第6の実施形態に係る電子機器について説明する。図13は、本発明の第6の実施形態に係る電子機器200の概略構成図である。
本実施形態例の電子機器200は、上述した本発明の第1の実施形態における固体撮像装置1を電子機器(カメラ)に用いた場合の実施形態を示す。
シャッタ装置211は、固体撮像装置1への光照射期間および遮光期間を制御する。
駆動回路212は、固体撮像装置1の転送動作およびシャッタ装置211のシャッタ動作を制御する駆動信号を供給する。駆動回路212から供給される駆動信号(タイミング信号)により、固体撮像装置1の信号転送を行なう。信号処理回路213は、各種の信号処理を行う。信号処理が行われた映像信号は、メモリなどの記憶媒体に記憶され、あるいはモニタに出力される。
Claims (14)
- 基板と、
基板の光入射面側に設けられ、有機材料、又は無機材料からなり、入射した光の光量に応じた信号電荷を生成する光電変換膜を、画素毎に別個に設けられた第1の電極と、前記第1の電極に対向して設けられた第2の電極との間に挟持して構成された光電変換素子と、
前記第1の電極と接続されたアンプゲート電極を有するアンプトランジスタと、
前記第2の電極と接続され、前記第2の電極に所望の電圧を供給する電圧制御回路と、
を備える固体撮像装置。 - 前記電圧制御回路は、電荷蓄積動作時に光電変換膜で生成された信号電荷を前記第1の電極側に移動させる第1の電圧を供給し、リセット動作時に、前記信号電荷を前記第2の電極側に移動させる第2の電圧を供給する
請求項1記載の固体撮像装置。 - 前記第2の電極が画素毎に別個に設けられている
請求項2記載の固体撮像装置。 - 前記第2の電極が全画素共通に設けられている
請求項2記載の固体撮像装置。 - 前記画素は2次元マトリクス状に配置され、前記第2の電極は前記画素の行毎に共通に設けられている
請求項2記載の固体撮像装置。 - 前記光電変換素子が、基板の光入射面側に複数層積層して設けられている
請求項1〜5のいずれか一項に記載の固体撮像装置。 - 基板内に、入射した光の光量に応じた信号電荷を生成するフォトダイオードが、少なくとも1つ設けられている
請求項1〜6のいずれか一項に記載の固体撮像装置。 - 前記光電変換素子は、基板表面側に形成され、前記第1の電極と前記アンプゲート電極との接続は、光電変換素子と基板との間に設けられた配線層によってなされる
請求項1〜7のいずれか一項に記載の固体撮像装置。 - 前記光電変換素子は、基板裏面側に形成され、前記第1の電極とアンプゲート電極との接続は、基板を貫通する貫通電極と、基板の表面側に形成された配線層によってなされる
請求項1〜7のいずれか一項に記載の固体撮像装置。 - 基板に、複数のトランジスタを形成する工程と、
前記基板上に、複数の配線が層間絶縁膜を介して積層された配線層を形成する工程と、
前記基板の光照射面側に、前記複数のトランジスタのうちのアンプトランジスタのアンプゲート電極に電気的に接続される第1の電極を画素毎に別個に形成する工程と、
前記第1の電極上部に、有機材料又は無機材料からなる光電変換膜を形成する工程と、
前記光電変換膜上部に、電圧制御回路に電気的に接続される第2の電極を形成する工程と、
を含む固体撮像装置の製造方法。 - 基板と、
基板の光入射面側に設けられ、有機材料、又は無機材料からなり、入射した光の光量に応じた信号電荷を生成する光電変換膜を、画素毎に別個に設けられた第1の電極と、前記第1の電極に対向して設けられた第2の電極との間に挟持して構成された光電変換素子と、
前記第1の電極と接続されたアンプゲート電極を有するアンプトランジスタと、
前記第2の電極と接続され、前記第2の電極に所望の電圧を供給する電圧制御回路と、
を備える固体撮像装置の駆動方法であって、
電荷蓄積動作時には、前記第2の電極に、前記電圧制御回路から第1の電圧を供給することにより、前記光電変換膜に生成された信号電荷を前記第1の電極側に移動させ、前記アンプトランジスタで前記第1の電極の電位を検出することにより画素信号を出力し、
リセット動作時には、前記第2の電極に、前記電荷蓄積動作時とは異なる第2の電圧を前記電圧制御回路から供給することにより、前記第1の電極側に蓄積された信号電荷を排出する
固体撮像装置の駆動方法。 - 前記リセット動作により前記第1の電極側に蓄積された信号電荷を排出した直後に前記アンプトランジスタで前記第1の電極の電位を検出することによりリセット信号を読み出し、
前記画素信号とリセット信号とを比較することにより、ノイズ信号を検出する
請求項11に記載の固体撮像装置の駆動方法。 - 前記電荷蓄積動作時は、メカニカルシャッタを開けることで、全画素で同時に露光を開始し、前記メカニカルシャッタを閉じることで、全画素で同時に露光を終了する
請求項12に記載の固体撮像装置の駆動方法。 - 光学レンズと、
基板と、基板の光入射面側に設けられ、有機材料、又は無機材料からなり、入射した光の光量に応じた信号電荷を生成する光電変換膜を、画素毎に別個に設けられた第1の電極と、前記第1の電極に対向して設けられた第2の電極との間に挟持して構成された光電変換素子と、前記第1の電極と接続されたアンプゲート電極を有するアンプトランジスタと、前記第2の電極と接続され、前記第2の電極に所望の電圧を供給する電圧制御回路と、有して構成され、前記光学レンズに集光された光が入射される固体撮像装置と、
前記固体撮像装置から出力される出力信号を処理する信号処理回路と、
を含む電子機器。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010049233A JP5533046B2 (ja) | 2010-03-05 | 2010-03-05 | 固体撮像装置、固体撮像装置の製造方法、固体撮像装置の駆動方法、及び電子機器 |
US13/029,338 US8704924B2 (en) | 2010-03-05 | 2011-02-17 | Solid-state imaging device with a photoelectric conversion element, and method thereof |
CN201110040541.3A CN102196195B (zh) | 2010-03-05 | 2011-02-18 | 固体摄像器件、其制造方法、其驱动方法及电子装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010049233A JP5533046B2 (ja) | 2010-03-05 | 2010-03-05 | 固体撮像装置、固体撮像装置の製造方法、固体撮像装置の駆動方法、及び電子機器 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2011187544A true JP2011187544A (ja) | 2011-09-22 |
JP5533046B2 JP5533046B2 (ja) | 2014-06-25 |
Family
ID=44531019
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010049233A Expired - Fee Related JP5533046B2 (ja) | 2010-03-05 | 2010-03-05 | 固体撮像装置、固体撮像装置の製造方法、固体撮像装置の駆動方法、及び電子機器 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8704924B2 (ja) |
JP (1) | JP5533046B2 (ja) |
CN (1) | CN102196195B (ja) |
Cited By (28)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2013084789A (ja) * | 2011-10-11 | 2013-05-09 | Fujifilm Corp | 有機撮像素子 |
WO2014021177A1 (ja) * | 2012-08-02 | 2014-02-06 | ソニー株式会社 | 半導体素子、半導体素子の製造方法、固体撮像装置、および電子機器 |
JP2015038931A (ja) * | 2013-08-19 | 2015-02-26 | ソニー株式会社 | 固体撮像素子および電子機器 |
JP2015073070A (ja) * | 2013-10-02 | 2015-04-16 | 采▲ぎょく▼科技股▲ふん▼有限公司VisEra Technologies Company Limited | 光電変換層の隔壁を有する撮像装置 |
KR20150106400A (ko) | 2013-01-16 | 2015-09-21 | 소니 주식회사 | 고체 촬상 소자 및 전자 기기 |
JP2016033977A (ja) * | 2014-07-31 | 2016-03-10 | キヤノン株式会社 | 光電変換装置、及び撮像システム |
WO2016104177A1 (ja) * | 2014-12-26 | 2016-06-30 | ソニー株式会社 | 固体撮像素子およびその製造方法、並びに電子機器 |
JP2017103428A (ja) * | 2015-12-04 | 2017-06-08 | キヤノン株式会社 | 撮像装置、および、撮像システム |
JP2017103429A (ja) * | 2015-12-04 | 2017-06-08 | キヤノン株式会社 | 撮像装置、および、撮像システム |
TWI596746B (zh) * | 2012-07-31 | 2017-08-21 | 台灣積體電路製造股份有限公司 | 影像感測晶片及其製造方法 |
JP2017157864A (ja) * | 2012-06-28 | 2017-09-07 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 固体撮像装置 |
US9761636B2 (en) | 2014-07-31 | 2017-09-12 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Image sensors including semiconductor channel patterns |
KR101774491B1 (ko) | 2011-10-14 | 2017-09-13 | 삼성전자주식회사 | 유기 포토다이오드를 포함하는 유기 픽셀, 이의 제조 방법, 및 상기 유기 픽셀을 포함하는 장치들 |
JP2017201695A (ja) * | 2015-07-08 | 2017-11-09 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 撮像装置 |
KR20170124548A (ko) | 2015-03-09 | 2017-11-10 | 소니 세미컨덕터 솔루션즈 가부시키가이샤 | 촬상 소자 및 그 제조 방법 및 전자 기기 |
US9825072B2 (en) | 2012-06-27 | 2017-11-21 | Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. | Wiring structure for solid-state imaging device |
JPWO2016194653A1 (ja) * | 2015-06-05 | 2018-03-29 | ソニー株式会社 | 撮像素子、電子機器、並びに、製造装置および方法 |
KR101861650B1 (ko) * | 2011-10-17 | 2018-05-29 | 삼성전자주식회사 | 이미지 센서, 이를 포함하는 전자 시스템 및 그 이미지 센싱 방법 |
JP2018093263A (ja) * | 2016-11-30 | 2018-06-14 | キヤノン株式会社 | 光電変換装置、光電変換装置の駆動方法、および、撮像システム |
JP2018113489A (ja) * | 2015-11-12 | 2018-07-19 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 光センサ |
WO2019035270A1 (ja) * | 2017-08-16 | 2019-02-21 | ソニー株式会社 | 撮像素子、積層型撮像素子及び固体撮像装置 |
JPWO2018008614A1 (ja) * | 2016-07-06 | 2019-04-25 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 撮像素子、撮像素子の製造方法、及び、電子機器 |
US10453898B2 (en) | 2014-12-26 | 2019-10-22 | Sony Semiconductor Solutions Corporation | Solid state image sensor pixel electrode below a photoelectronic conversion film |
US10506191B2 (en) | 2017-02-03 | 2019-12-10 | Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. | Imaging device having a voltage supply circuit supplying potential differences between electrodes of dual imaging cells |
WO2020189169A1 (ja) | 2019-03-20 | 2020-09-24 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 撮像装置 |
JP2020174188A (ja) * | 2020-06-25 | 2020-10-22 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 固体撮像素子、および電子装置 |
JP2021073688A (ja) * | 2016-03-14 | 2021-05-13 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 撮像装置 |
US11895854B2 (en) | 2020-01-23 | 2024-02-06 | Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. | Imaging device |
Families Citing this family (45)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8464952B2 (en) * | 2009-11-18 | 2013-06-18 | Hand Held Products, Inc. | Optical reader having improved back-illuminated image sensor |
US8736733B2 (en) | 2010-03-19 | 2014-05-27 | Invisage Technologies, Inc. | Dark current reduction in image sensors via dynamic electrical biasing |
JP2013026332A (ja) * | 2011-07-19 | 2013-02-04 | Sony Corp | 固体撮像素子および製造方法、並びに電子機器 |
ITBO20110571A1 (it) * | 2011-10-06 | 2013-04-07 | Consiglio Nazionale Ricerche | Porta logica e corrispondente metodo di funzionamento |
JP2013084785A (ja) * | 2011-10-11 | 2013-05-09 | Sony Corp | 固体撮像装置、撮像装置 |
JP2013123000A (ja) * | 2011-12-12 | 2013-06-20 | Sony Corp | 固体撮像装置およびその製造方法 |
JP5696081B2 (ja) * | 2012-03-23 | 2015-04-08 | 株式会社東芝 | 固体撮像装置 |
US20130258144A1 (en) * | 2012-03-28 | 2013-10-03 | Omnivision Technologies, Inc. | System, apparatus and method for dark current correction |
US9147705B2 (en) * | 2012-04-02 | 2015-09-29 | Sony Corporation | Image pickup unit and electronic apparatus |
KR101389790B1 (ko) * | 2012-05-24 | 2014-04-29 | 한양대학교 산학협력단 | 이미지 센서 및 그 구동 방법 |
CN104380467B (zh) | 2012-06-27 | 2017-11-17 | 松下知识产权经营株式会社 | 固体摄像装置 |
JP2015053296A (ja) * | 2013-01-28 | 2015-03-19 | ソニー株式会社 | 半導体素子およびこれを備えた半導体装置 |
JP6271841B2 (ja) * | 2013-02-13 | 2018-01-31 | ラピスセミコンダクタ株式会社 | 半導体装置、半導体装置の製造方法および半導体装置を搭載したシステム |
JP2014199898A (ja) * | 2013-03-11 | 2014-10-23 | ソニー株式会社 | 固体撮像素子および製造方法、並びに、電子機器 |
KR102078621B1 (ko) | 2013-04-18 | 2020-02-19 | 삼성전자주식회사 | 이미지 센서 및 이를 포함하는 컴퓨팅 시스템 |
US9491383B2 (en) | 2013-06-07 | 2016-11-08 | Invisage Technologies, Inc. | Image sensor with noise reduction |
JP2015012059A (ja) * | 2013-06-27 | 2015-01-19 | ソニー株式会社 | 固体撮像素子及びその製造方法、並びに撮像装置 |
JP6108172B2 (ja) | 2013-09-02 | 2017-04-05 | ソニー株式会社 | 固体撮像素子およびその製造方法、並びに電子機器 |
WO2015060010A1 (ja) | 2013-10-24 | 2015-04-30 | ソニー株式会社 | 調光装置、撮像素子及び撮像装置、並びに、調光装置の光透過率制御方法 |
JP2015088691A (ja) * | 2013-11-01 | 2015-05-07 | ソニー株式会社 | 固体撮像装置およびその製造方法、並びに電子機器 |
JP6171997B2 (ja) | 2014-03-14 | 2017-08-02 | ソニー株式会社 | 固体撮像素子およびその駆動方法、並びに電子機器 |
WO2015188146A2 (en) | 2014-06-05 | 2015-12-10 | Edward Hartley Sargent | Sensors and systems for the capture of scenes and events in space and time |
US9692968B2 (en) | 2014-07-31 | 2017-06-27 | Invisage Technologies, Inc. | Multi-mode power-efficient light and gesture sensing in image sensors |
WO2016019258A1 (en) * | 2014-07-31 | 2016-02-04 | Emanuele Mandelli | Image sensors with noise reduction |
JP6494207B2 (ja) * | 2014-07-31 | 2019-04-03 | キヤノン株式会社 | 光電変換装置、光電変換システム、光電変換装置の駆動方法 |
KR102282493B1 (ko) * | 2014-08-12 | 2021-07-26 | 삼성전자주식회사 | 이미지 센서 및 이를 포함하는 전자 장치 |
JP2016058918A (ja) * | 2014-09-10 | 2016-04-21 | 株式会社東芝 | 積層型撮像装置および信号処理方法 |
KR20170072889A (ko) * | 2014-10-10 | 2017-06-27 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 촬상 장치 |
CN107851648B (zh) * | 2015-07-16 | 2022-08-16 | 索尼半导体解决方案公司 | 固态摄像元件、制造方法和电子装置 |
JP6711573B2 (ja) * | 2015-08-10 | 2020-06-17 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 固体撮像素子 |
CN107018289B (zh) * | 2016-01-22 | 2021-01-19 | 松下知识产权经营株式会社 | 摄像装置 |
JP6780421B2 (ja) * | 2016-03-01 | 2020-11-04 | ソニー株式会社 | 撮像素子、積層型撮像素子及び固体撮像装置、並びに、固体撮像装置の駆動方法 |
CN106098722B (zh) * | 2016-06-29 | 2019-07-02 | 清华大学 | 一种图像传感装置及其制备方法与使用方法 |
WO2018075997A1 (en) * | 2016-10-21 | 2018-04-26 | Invisage Technologies, Inc. | Motion tracking using multiple exposures |
JP7019596B2 (ja) | 2016-12-09 | 2022-02-15 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 固体撮像素子及び電子機器 |
KR102619669B1 (ko) * | 2016-12-30 | 2023-12-29 | 삼성전자주식회사 | 이미지 센서 |
KR102635858B1 (ko) | 2017-01-05 | 2024-02-15 | 삼성전자주식회사 | 이미지 센서 |
US12009379B2 (en) * | 2017-05-01 | 2024-06-11 | Visera Technologies Company Limited | Image sensor |
US10425601B1 (en) | 2017-05-05 | 2019-09-24 | Invisage Technologies, Inc. | Three-transistor active reset pixel |
JP7099073B2 (ja) * | 2017-06-21 | 2022-07-12 | ソニーグループ株式会社 | 撮像素子、積層型撮像素子及び固体撮像装置 |
JP2019041142A (ja) * | 2017-08-22 | 2019-03-14 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 固体撮像素子、固体撮像素子の製造方法、及び電子機器 |
JP2019047294A (ja) * | 2017-08-31 | 2019-03-22 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 固体撮像装置および固体撮像装置の制御方法 |
JP2019057649A (ja) * | 2017-09-21 | 2019-04-11 | 株式会社リコー | 撮像素子、撮像装置および画像入力装置 |
KR102561079B1 (ko) * | 2017-10-30 | 2023-07-27 | 소니 세미컨덕터 솔루션즈 가부시키가이샤 | 고체 촬상 소자 |
CN112119500A (zh) * | 2018-05-21 | 2020-12-22 | 索尼公司 | 固态摄像元件及其制造方法 |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS61255063A (ja) * | 1985-05-08 | 1986-11-12 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 焦電型赤外線撮像素子 |
JPH07107389A (ja) * | 1993-09-30 | 1995-04-21 | Olympus Optical Co Ltd | 固体撮像装置 |
JPH09275201A (ja) * | 1996-04-04 | 1997-10-21 | Fuji Xerox Co Ltd | 固体撮像素子 |
JP2008228265A (ja) * | 2007-02-14 | 2008-09-25 | Fujifilm Corp | 撮像装置 |
JP2008270298A (ja) * | 2007-04-16 | 2008-11-06 | Nikon Corp | 固体撮像素子及びこれを用いた撮像装置 |
JP2009054794A (ja) * | 2007-08-27 | 2009-03-12 | Fujifilm Corp | 光電変換素子、固体撮像素子、及び光電変換素子の製造方法 |
Family Cites Families (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS60123059A (ja) * | 1983-12-08 | 1985-07-01 | Toshiba Corp | 密着型カラ−イメ−ジセンサ |
US6323490B1 (en) * | 1998-03-20 | 2001-11-27 | Kabushiki Kaisha Toshiba | X-ray semiconductor detector |
US6507026B2 (en) * | 2000-01-12 | 2003-01-14 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Planar X-ray detector |
JP3696176B2 (ja) * | 2002-05-14 | 2005-09-14 | 株式会社東芝 | 撮像装置 |
JP2005268476A (ja) | 2004-03-18 | 2005-09-29 | Fuji Film Microdevices Co Ltd | 光電変換膜積層型固体撮像装置 |
JP4491323B2 (ja) * | 2004-10-22 | 2010-06-30 | 富士フイルム株式会社 | 光電変換膜積層型カラー固体撮像装置 |
JP4725095B2 (ja) * | 2004-12-15 | 2011-07-13 | ソニー株式会社 | 裏面入射型固体撮像装置及びその製造方法 |
JP4130211B2 (ja) * | 2006-05-31 | 2008-08-06 | 三洋電機株式会社 | 撮像装置 |
US8054356B2 (en) * | 2007-02-14 | 2011-11-08 | Fujifilm Corporation | Image pickup apparatus having a charge storage section and charge sweeping section |
TWI504256B (zh) * | 2008-04-07 | 2015-10-11 | Sony Corp | 固態成像裝置,其訊號處理方法,及電子設備 |
JP5124368B2 (ja) * | 2008-07-03 | 2013-01-23 | 富士フイルム株式会社 | 撮像装置及び固体撮像素子の駆動方法 |
JP5124369B2 (ja) * | 2008-07-03 | 2013-01-23 | 富士フイルム株式会社 | 撮像装置及び固体撮像素子の駆動方法 |
JP5458869B2 (ja) * | 2009-12-21 | 2014-04-02 | ソニー株式会社 | 固体撮像装置およびその駆動方法、カメラ |
-
2010
- 2010-03-05 JP JP2010049233A patent/JP5533046B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2011
- 2011-02-17 US US13/029,338 patent/US8704924B2/en active Active
- 2011-02-18 CN CN201110040541.3A patent/CN102196195B/zh active Active
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS61255063A (ja) * | 1985-05-08 | 1986-11-12 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 焦電型赤外線撮像素子 |
JPH07107389A (ja) * | 1993-09-30 | 1995-04-21 | Olympus Optical Co Ltd | 固体撮像装置 |
JPH09275201A (ja) * | 1996-04-04 | 1997-10-21 | Fuji Xerox Co Ltd | 固体撮像素子 |
JP2008228265A (ja) * | 2007-02-14 | 2008-09-25 | Fujifilm Corp | 撮像装置 |
JP2008270298A (ja) * | 2007-04-16 | 2008-11-06 | Nikon Corp | 固体撮像素子及びこれを用いた撮像装置 |
JP2009054794A (ja) * | 2007-08-27 | 2009-03-12 | Fujifilm Corp | 光電変換素子、固体撮像素子、及び光電変換素子の製造方法 |
Cited By (53)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2013084789A (ja) * | 2011-10-11 | 2013-05-09 | Fujifilm Corp | 有機撮像素子 |
KR101774491B1 (ko) | 2011-10-14 | 2017-09-13 | 삼성전자주식회사 | 유기 포토다이오드를 포함하는 유기 픽셀, 이의 제조 방법, 및 상기 유기 픽셀을 포함하는 장치들 |
KR101861650B1 (ko) * | 2011-10-17 | 2018-05-29 | 삼성전자주식회사 | 이미지 센서, 이를 포함하는 전자 시스템 및 그 이미지 센싱 방법 |
US11508764B2 (en) | 2012-06-27 | 2022-11-22 | Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. | Solid-state imaging device |
US10600826B2 (en) | 2012-06-27 | 2020-03-24 | Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. | Solid-state imaging device |
US9825072B2 (en) | 2012-06-27 | 2017-11-21 | Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. | Wiring structure for solid-state imaging device |
JP2017157864A (ja) * | 2012-06-28 | 2017-09-07 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 固体撮像装置 |
TWI596746B (zh) * | 2012-07-31 | 2017-08-21 | 台灣積體電路製造股份有限公司 | 影像感測晶片及其製造方法 |
WO2014021177A1 (ja) * | 2012-08-02 | 2014-02-06 | ソニー株式会社 | 半導体素子、半導体素子の製造方法、固体撮像装置、および電子機器 |
US9954018B2 (en) | 2013-01-16 | 2018-04-24 | Sony Semiconductor Solutions Corporation | Solid-state image pickup unit and electronic apparatus |
KR20210146427A (ko) | 2013-01-16 | 2021-12-03 | 소니 세미컨덕터 솔루션즈 가부시키가이샤 | 고체 촬상 소자 및 전자 기기 |
KR20200139272A (ko) | 2013-01-16 | 2020-12-11 | 소니 세미컨덕터 솔루션즈 가부시키가이샤 | 고체 촬상 소자 및 전자 기기 |
KR20230048168A (ko) | 2013-01-16 | 2023-04-10 | 소니 세미컨덕터 솔루션즈 가부시키가이샤 | 고체 촬상 소자 및 전자 기기 |
KR20150106400A (ko) | 2013-01-16 | 2015-09-21 | 소니 주식회사 | 고체 촬상 소자 및 전자 기기 |
KR20240024350A (ko) | 2013-01-16 | 2024-02-23 | 소니 세미컨덕터 솔루션즈 가부시키가이샤 | 고체 촬상 소자 및 전자 기기 |
US11855227B2 (en) | 2013-01-16 | 2023-12-26 | Sony Semiconductor Solutions Corporation | Solid-state image pickup unit and electronic apparatus |
US11862655B2 (en) | 2013-08-19 | 2024-01-02 | Sony Group Corporation | Solid-state imaging device having through electrode provided therein and electronic apparatus incorporating the solid-state imaging device |
JP2015038931A (ja) * | 2013-08-19 | 2015-02-26 | ソニー株式会社 | 固体撮像素子および電子機器 |
US9698188B2 (en) | 2013-08-19 | 2017-07-04 | Sony Corporation | Solid-state imaging device and electronic apparatus |
JP2015073070A (ja) * | 2013-10-02 | 2015-04-16 | 采▲ぎょく▼科技股▲ふん▼有限公司VisEra Technologies Company Limited | 光電変換層の隔壁を有する撮像装置 |
US9761636B2 (en) | 2014-07-31 | 2017-09-12 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Image sensors including semiconductor channel patterns |
JP2016033977A (ja) * | 2014-07-31 | 2016-03-10 | キヤノン株式会社 | 光電変換装置、及び撮像システム |
US10453898B2 (en) | 2014-12-26 | 2019-10-22 | Sony Semiconductor Solutions Corporation | Solid state image sensor pixel electrode below a photoelectronic conversion film |
WO2016104177A1 (ja) * | 2014-12-26 | 2016-06-30 | ソニー株式会社 | 固体撮像素子およびその製造方法、並びに電子機器 |
US10903279B2 (en) | 2014-12-26 | 2021-01-26 | Sony Semiconductor Solutions Corporation | Solid state image sensor pixel electrode below a photoelectric conversion film |
KR20230074836A (ko) | 2015-03-09 | 2023-05-31 | 소니 세미컨덕터 솔루션즈 가부시키가이샤 | 촬상 소자 및 그 제조 방법 및 전자 기기 |
KR102536429B1 (ko) * | 2015-03-09 | 2023-05-25 | 소니 세미컨덕터 솔루션즈 가부시키가이샤 | 촬상 소자 및 그 제조 방법 및 전자 기기 |
KR20170124548A (ko) | 2015-03-09 | 2017-11-10 | 소니 세미컨덕터 솔루션즈 가부시키가이샤 | 촬상 소자 및 그 제조 방법 및 전자 기기 |
JPWO2016194653A1 (ja) * | 2015-06-05 | 2018-03-29 | ソニー株式会社 | 撮像素子、電子機器、並びに、製造装置および方法 |
JP7006268B2 (ja) | 2015-06-05 | 2022-01-24 | ソニーグループ株式会社 | 撮像素子、電子機器、並びに、製造装置および方法 |
JP7199039B2 (ja) | 2015-07-08 | 2023-01-05 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 撮像装置 |
JP2017201695A (ja) * | 2015-07-08 | 2017-11-09 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 撮像装置 |
JP2021007161A (ja) * | 2015-07-08 | 2021-01-21 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 撮像装置 |
JP2018113489A (ja) * | 2015-11-12 | 2018-07-19 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 光センサ |
JP2017103428A (ja) * | 2015-12-04 | 2017-06-08 | キヤノン株式会社 | 撮像装置、および、撮像システム |
JP2017103429A (ja) * | 2015-12-04 | 2017-06-08 | キヤノン株式会社 | 撮像装置、および、撮像システム |
JP7336709B2 (ja) | 2016-03-14 | 2023-09-01 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 撮像装置 |
JP2021073688A (ja) * | 2016-03-14 | 2021-05-13 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 撮像装置 |
US11424278B2 (en) | 2016-07-06 | 2022-08-23 | Sony Semiconductor Solutions Corporation | Imaging device, method for manufacturing imaging device, and electronic device |
JPWO2018008614A1 (ja) * | 2016-07-06 | 2019-04-25 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 撮像素子、撮像素子の製造方法、及び、電子機器 |
JP7125345B2 (ja) | 2016-07-06 | 2022-08-24 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 撮像素子、撮像素子の製造方法、及び、電子機器 |
US11456325B2 (en) | 2016-07-06 | 2022-09-27 | Sony Semiconductor Solutions Corporation | Imaging device, method for manufacturing imaging device, and electronic device |
JP2018093263A (ja) * | 2016-11-30 | 2018-06-14 | キヤノン株式会社 | 光電変換装置、光電変換装置の駆動方法、および、撮像システム |
US10506191B2 (en) | 2017-02-03 | 2019-12-10 | Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. | Imaging device having a voltage supply circuit supplying potential differences between electrodes of dual imaging cells |
US10523888B2 (en) | 2017-02-03 | 2019-12-31 | Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. | Imaging device |
US10841526B2 (en) | 2017-02-03 | 2020-11-17 | Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. | Imaging device having a voltage supply circuit supplying potential differences between electrodes of dual imaging cells |
US11044433B2 (en) | 2017-02-03 | 2021-06-22 | Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. | Imaging device |
JPWO2019035270A1 (ja) * | 2017-08-16 | 2020-10-01 | ソニー株式会社 | 撮像素子、積層型撮像素子及び固体撮像装置 |
WO2019035270A1 (ja) * | 2017-08-16 | 2019-02-21 | ソニー株式会社 | 撮像素子、積層型撮像素子及び固体撮像装置 |
WO2020189169A1 (ja) | 2019-03-20 | 2020-09-24 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 撮像装置 |
US11895854B2 (en) | 2020-01-23 | 2024-02-06 | Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. | Imaging device |
JP2020174188A (ja) * | 2020-06-25 | 2020-10-22 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 固体撮像素子、および電子装置 |
JP7022174B2 (ja) | 2020-06-25 | 2022-02-17 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 固体撮像素子、および電子装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20110216212A1 (en) | 2011-09-08 |
CN102196195B (zh) | 2015-06-03 |
JP5533046B2 (ja) | 2014-06-25 |
US8704924B2 (en) | 2014-04-22 |
CN102196195A (zh) | 2011-09-21 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5533046B2 (ja) | 固体撮像装置、固体撮像装置の製造方法、固体撮像装置の駆動方法、及び電子機器 | |
JP5564847B2 (ja) | 固体撮像装置とその製造方法、及び電子機器 | |
US10580831B2 (en) | Imaging device, manufacturing device, and manufacturing method | |
KR102333239B1 (ko) | 고체 촬상 소자 및 전자 기기 | |
US8687101B2 (en) | Solid-state imaging device and camera | |
KR100962449B1 (ko) | 광전 변환층 스택 타입 칼라 고상 이미징 장치 | |
KR20180121330A (ko) | 촬상 소자, 적층형 촬상 소자 및 고체 촬상 장치, 및, 고체 촬상 장치의 구동 방법 | |
WO2014007132A1 (ja) | 固体撮像装置およびその製造方法、並びに電子機器 | |
WO2013099475A1 (ja) | 半導体素子、半導体素子の製造方法、固体撮像装置および電子機器 | |
JP6186205B2 (ja) | 撮像素子および撮像装置 | |
JP2014127545A (ja) | 固体撮像素子およびこれを備えた固体撮像装置 | |
JP2011204797A (ja) | 固体撮像装置とその製造方法、及び電子機器 | |
JP2015053296A (ja) | 半導体素子およびこれを備えた半導体装置 | |
JP2008294175A (ja) | 固体撮像装置およびカメラ | |
JP2013055252A (ja) | 固体撮像素子および製造方法、並びに電子機器 | |
JP2014011392A (ja) | 固体撮像装置及びその製造方法、電子機器 | |
US8730362B2 (en) | Image sensor with controllable vertically integrated photodetectors | |
US11127910B2 (en) | Imaging device and electronic apparatus | |
WO2018105334A1 (ja) | 固体撮像素子及び電子機器 | |
WO2016104177A1 (ja) | 固体撮像素子およびその製造方法、並びに電子機器 | |
TW202018930A (zh) | 攝像元件及電子機器 | |
JP2013005297A (ja) | 撮像素子および駆動方法、並びに電子機器 | |
WO2023013307A1 (ja) | 固体撮像素子および電子機器 | |
JP2019133963A (ja) | 固体撮像素子および固体撮像装置 | |
WO2022131077A1 (ja) | 固体撮像素子および電子機器 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20130214 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20140110 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20140121 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20140312 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20140401 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20140414 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |