JP2011181677A - フォーカスリング及び基板載置システム - Google Patents

フォーカスリング及び基板載置システム Download PDF

Info

Publication number
JP2011181677A
JP2011181677A JP2010044345A JP2010044345A JP2011181677A JP 2011181677 A JP2011181677 A JP 2011181677A JP 2010044345 A JP2010044345 A JP 2010044345A JP 2010044345 A JP2010044345 A JP 2010044345A JP 2011181677 A JP2011181677 A JP 2011181677A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
heat transfer
focus ring
transfer sheet
heat
temperature
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2010044345A
Other languages
English (en)
Inventor
tsugio Kitajima
次雄 北島
Yoshiyuki Kobayashi
義之 小林
Atsushi Watanabe
淳 渡辺
Takuya Okada
拓也 岡田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Tokyo Electron Ltd
Denka Co Ltd
Original Assignee
Tokyo Electron Ltd
Denki Kagaku Kogyo KK
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Tokyo Electron Ltd, Denki Kagaku Kogyo KK filed Critical Tokyo Electron Ltd
Priority to JP2010044345A priority Critical patent/JP2011181677A/ja
Priority to TW100106401A priority patent/TW201203350A/zh
Priority to KR1020110018061A priority patent/KR101217379B1/ko
Priority to US13/036,368 priority patent/US20110247759A1/en
Priority to CN2011100509357A priority patent/CN102194634A/zh
Publication of JP2011181677A publication Critical patent/JP2011181677A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
    • H01L21/3065—Plasma etching; Reactive-ion etching
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
    • H01L21/67103—Apparatus for thermal treatment mainly by conduction
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
    • H01J37/32082—Radio frequency generated discharge
    • H01J37/32091—Radio frequency generated discharge the radio frequency energy being capacitively coupled to the plasma
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
    • H01J37/32082—Radio frequency generated discharge
    • H01J37/32137—Radio frequency generated discharge controlling of the discharge by modulation of energy
    • H01J37/32155—Frequency modulation
    • H01J37/32165—Plural frequencies
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32623—Mechanical discharge control means
    • H01J37/32642—Focus rings
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67248—Temperature monitoring
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68735—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by edge profile or support profile
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05H—PLASMA TECHNIQUE; PRODUCTION OF ACCELERATED ELECTRICALLY-CHARGED PARTICLES OR OF NEUTRONS; PRODUCTION OR ACCELERATION OF NEUTRAL MOLECULAR OR ATOMIC BEAMS
    • H05H1/00—Generating plasma; Handling plasma
    • H05H1/24—Generating plasma
    • H05H1/46—Generating plasma using applied electromagnetic fields, e.g. high frequency or microwave energy

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)

Abstract

【課題】プラズマ処理に適した膜厚の伝熱シートを有するフォーカスリングを提供する。
【解決手段】プラズマ処理装置において、フォーカスリング２５は、冷媒室を有するサセプタ１２に載置されたウエハＷの外周を囲い、サセプタ１２と接触するサセプタ接触面４０と、該サセプタ接触面４０に形成された伝熱シート３８とを備え、伝熱シート３８は、熱伝導率が０．５〜５．０Ｗ／ｍ・Ｋの範囲にあり、シリコンを成分に含む耐熱性の粘着剤やゴム、及び該粘着剤やゴムに混入された酸化物、窒化物または炭化物のセラミックスフィラーを、該粘着剤やゴム中に２５〜６０体積％で含み、伝熱シート３８の膜厚は４０μｍ以上且つ１００μｍ未満である。
【選択図】図２

Description

本発明は、フォーカスリング及び基板載置システムに関し、特に、基板載置システムに配されて基板の外周を囲うフォーカスリングに関する。
基板としてのウエハにプラズマ処理、例えばエッチング処理を施す場合、ウエハの各部位におけるエッチングレートはそれぞれ各部位の温度の影響を受けるため、エッチング処理中においてウエハの全表面の温度を均一に保つことが要求されている。
ウエハにエッチング処理を施す基板処理装置は、ウエハを収容する減圧可能なチャンバと、該チャンバ内に配置されてウエハを載置する基板載置システムを備える。減圧されたチャンバ内にはプラズマが発生し、該プラズマがウエハをエッチングする。基板載置システムは、頂部にウエハを載置する円柱状のサセプタと、該サセプタに載置されたウエハの外周を囲うフォーカスリングとを有する。フォーカスリングはウエハとほぼ同材質からなり、ウエハの上方に生じるプラズマの分布域をウエハ上だけでなく該フォーカスリング上まで拡大させて、ウエハの全面に施されるエッチング処理の均一性を確保する。
ウエハにエッチング処理が施される際、ウエハはプラズマから熱を受けて温度が変動する。ウエハの温度はウエハの上方に存在するプラズマ中のラジカルの分布に影響を与えるため、同一ロット中にウエハの温度が変動すると、同一ロット内の複数のウエハに均一なエッチング処理を施すことが困難である。そこで、基板載置システムのサセプタは温調機構を有し、同一ロットのウエハのエッチング処理において温調機構によってウエハを冷却し、各ウエハの温度を所望の温度に調整する。
ウエハにエッチング処理が施される際、フォーカスリングもプラズマから熱を受けて温度が変動する。フォーカスリングの温度が変動した場合、ウエハの周縁部の温度もフォーカスリングの温度変動の影響を受けて変動するため、同一ロットのウエハのエッチング処理においてフォーカスリングの温度もサセプタの温調機構によって所望の温度に調整する必要がある。ところが、フォーカスリングはサセプタに載置されるのみなので、フォーカスリング及びサセプタの密着度は低く、フォーカスリング及びサセプタの熱伝達効率は低い。その結果、フォーカスリングを所望の温度に調整するのは困難である。
これに対応して、近年、フォーカスリング及びサセプタの熱伝達効率を改善し、サセプタの温調機構によってフォーカスリングを積極的に温調する手法が本出願人によって開発されている（例えば、特許文献１参照。）。この手法では、フォーカスリング及びサセプタの間に伝熱シートを配置して熱伝達効率を改善する。
特開２００２−１６１２６号公報
しかしながら、伝熱シートはシリコンゴムを基材とするため、厚みが増すと伝熱シートの熱抵抗が増加し、フォーカスリングの温度が所望の温度まで低下しない等の問題が生じる。すなわち、プラズマ処理に適した伝熱シートの膜厚は未だ見出されていない。
本発明の目的は、プラズマ処理に適した膜厚の伝熱シートを有するフォーカスリング及び基板載置システムを提供することにある。
上記目的を達成するために、請求項１記載のフォーカスリングは、温調機構を有する載置台に載置された基板の外周を囲い、前記載置台と接触する接触面と、該接触面に形成された伝熱シートとを備えるフォーカスリングであって、前記伝熱シートは、有機材料及び該有機材料に混入された伝熱材を含み、前記伝熱シートの膜厚は４０μｍ以上且つ１００μｍ未満であることを特徴とする。
請求項２記載のフォーカスリングは、請求項１記載のフォーカスリングにおいて、前記伝熱シートの熱伝導率は０．５〜５．０Ｗ／ｍ・Ｋの範囲にあり、前記有機材料はシリコンを成分に含む耐熱性の粘着剤やゴムであり、前記伝熱材は酸化物、窒化物または炭化物のセラミックスフィラーであり、前記フィラーが前記耐熱性の粘着剤やゴム中に２５〜６０体積％で含有されることを特徴とする。
上記目的を達成するために、請求項３記載の基板載置システムは、所定の処理が施される基板を載置する載置台と、前記載置台に載置された基板の外周を囲うフォーカスリングとを備える基板載置システムであって、前記載置台は温調機構を有し、前記フォーカスリングは前記載置台と接触する接触面と、該接触面に形成された伝熱シートとを有し、前記伝熱シートは、有機材料及び該有機材料に混入された伝熱材を含み、前記伝熱シートの膜厚は４０μｍ以上且つ１００μｍ未満であることを特徴とする。
請求項１記載のフォーカスリング及び請求項３記載の基板載置システムによれば、温調機構を有する載置台との接触面に形成されたフォーカスリングの伝熱シートの膜厚は４０μｍ以上且つ１００μｍ未満である。伝熱シートの膜厚が４０μｍ以上であれば、載置台におけるフォーカスリングとの接触面にうねりや面粗さが存在しても、伝熱シートを確実に載置台に密着させることができ、もって、載置台の温調機構によってフォーカスリングの温度を調整することができる。また、伝熱シートの膜厚が１００μｍ未満であれば、フォーカスリング及び伝熱シートの合成熱容量が増加しても、フォーカスリングの昇温形態が変化するのを防止することができ、もって、合成熱容量の増加が基板へのプラズマ処理の結果に影響を与えるのを防止することができる。したがって、伝熱シートの膜厚が４０μｍ以上且つ１００μｍ未満であれば、伝熱シートの膜厚をプラズマ処理に適したものにすることができる。
請求項２記載のフォーカスリングによれば、伝熱シートの有機材料はシリコンを成分に含む耐熱性の粘着剤やゴムであるので、伝熱シートは柔軟に変形し、載置台におけるフォーカスリングとの接触面が多少うねっていても確実に密着することができる。また、伝熱シートの伝熱材は酸化物、窒化物または炭化物のセラミックスフィラーであり、フィラーが上記耐熱性の粘着剤やゴム中に２５〜６０体積％で含有されているので、伝熱シートは全域に亘ってほぼ均一に熱を伝達することができ、その結果、フォーカスリング全体をほぼ均一に温度調整することができる。
さらに、伝熱シートの熱伝導率が０．５〜５．０Ｗ／ｍ・Ｋの範囲にあると、載置台の温調機構によってフォーカスリングの温度をスムーズに調整することができる。特に、熱伝導率が１．０〜２．０Ｗ／ｍ・Ｋの範囲にあるときは、載置台の温調機構によってフォーカスリングの温度をスムーズに調整できるとともに、載置台におけるフォーカスリングとの接触面に存在するうねりや面粗さへの追随性も特に良好な伝熱シートが得られるので、さらに好ましい。
なお、本発明におけるシリコンを成分に含む耐熱性の粘着剤やゴムは、シリコンを含有するものであれば特に制限はないが、好ましくは主鎖骨格がシロキサンユニットから構成されるポリオルガノシロキサンであって、架橋構造を有するものが挙げられる。ポリオルガノシロキサンの内では熱硬化のものが好ましく、主材のポリオルガノシロキサンに加えて、硬化剤（架橋性ポリオルガノシロキサン）を用いることが好ましい。ポリオルガノシロキサンの繰り返し単位構造は、ジメチルシロキサンユニット、フェニルメチルシロキサンユニット、ジフェニルシロキサンユニット等が挙げられる。また、ビニル基、エポキシ基等の官能基を有する変性ポリオルガノシロキサンを用いてもよい。
伝熱シート中の伝熱材は酸化物、窒化物または炭化物のセラミックスフィラーであるが、具体的に例示すると、酸化物としてはアルミナ、マグネシア、酸化亜鉛、シリカ等、窒化物としては窒化アルミニウム、窒化ホウ素、窒化ケイ素等、炭化物としては炭化ケイ素等が挙げられる。当該セラミックスフィラーは球形の構造を持つものが好ましく、形状に異方性があるものは伝熱特性を最大にするように配向させることが好ましい。特に好ましいセラミックスフィラーとしては、アルミナ、酸化亜鉛、窒化アルミニウム、窒化ホウ素、窒化ケイ素、炭化ケイ素等が挙げられる。
さらに、伝熱材の含有率は、本発明における伝熱シート中において２５〜６０体積％である。伝熱材の含有率が当該範囲内にあるとき、伝熱シートが載置台におけるフォーカスリングとの接触面が多少うねっていても確実に密着することができる程度に柔軟であり、かつ熱伝導性も伝熱シートの全域に亘ってほぼ均一に、むら無く熱を伝達することができるようになる。
本発明の実施の形態に係るフォーカスリングを備えるプラズマ処理装置の構成を概略的に示す断面図である。 図１のプラズマ処理装置におけるフォーカスリング、伝熱シート及びフォーカスリング載置面近傍の構成を概略的に示す拡大断面図である。 伝熱シートの膜厚を変更した場合の各ウエハにおけるエッチングレートの測定部位を示す。 従来のフォーカスリングにおける消耗部位を説明するための断面図である。 伝熱シートの膜厚と、フォーカスリング及びフォーカスリング載置面の温度差との関係を示すグラフである。
以下、本発明の実施の形態について図面を参照しながら詳細に説明する。
図１は、本実施の形態に係るフォーカスリングを備えるプラズマ処理装置の構成を概略的に示す断面図である。本プラズマ処理装置は、基板としての半導体デバイス用のウエハ（以下、単に「ウエハ」という。）にプラズマエッチング処理を施す。
図１において、プラズマ処理装置１０は、例えば、直径が３００ｍｍのウエハＷを収容するチャンバ１１を有し、該チャンバ１１内には半導体デバイス用のウエハＷを載置する円柱状のサセプタ１２（載置台）が配置されている。プラズマ処理装置１０では、チャンバ１１の内側壁とサセプタ１２の側面とによって側方排気路１３が形成される。この側方排気路１３の途中には排気プレート１４が配置される。
排気プレート１４は多数の貫通孔を有する板状部材であり、チャンバ１１内部を上部と下部に仕切る仕切り板として機能する。排気プレート１４によって仕切られたチャンバ１１内部の上部（以下、「処理室」という。）１５には後述するようにプラズマが発生する。また、チャンバ１１内部の下部（以下、「排気室（マニホールド）」という。）１６にはチャンバ１１内のガスを排出する排気管１７が接続される。排気プレート１４は処理室１５に発生するプラズマを捕捉又は反射してマニホールド１６への漏洩を防止する。
排気管１７にはＴＭＰ（Turbo Molecular Pump）及びＤＰ（Dry Pump）（ともに図示しない）が接続され、これらのポンプはチャンバ１１内を真空引きして減圧する。具体的には、ＤＰはチャンバ１１内を大気圧から中真空状態（例えば、１．３×１０Ｐａ（０．１Ｔｏｒｒ）以下）まで減圧し、ＴＭＰはＤＰと協働してチャンバ１１内を中真空状態より低い圧力である高真空状態（例えば、１．３×１０−３Ｐａ（１．０×１０−５Ｔｏｒｒ）以下）まで減圧する。なお、チャンバ１１内の圧力はＡＰＣバルブ（図示しない）によって制御される。
チャンバ１１内のサセプタ１２には第１の高周波電源１８が第１の整合器１９を介して接続され、且つ第２の高周波電源２０が第２の整合器２１を介して接続されており、第１の高周波電源１８は比較的低い周波数、例えば、２ＭＨｚのイオン引き込み用の高周波電力をサセプタ１２に印加し、第２の高周波電源２０は比較的高い周波数、例えば、６０ＭＨｚのプラズマ生成用の高周波電力をサセプタ１２に印加する。これにより、サセプタ１２は電極として機能する。また、第１の整合器１９及び第２の整合器２１は、サセプタ１２からの高周波電力の反射を低減して高周波電力のサセプタ１２への印加効率を最大にする。
サセプタ１２の上部は、大径の円柱の先端から小径の円柱が同心軸に沿って突出している形状を呈し、該上部には小径の円柱を囲うように段差が形成される。小径の円柱の先端には静電電極板２２を内部に有するセラミックスからなる静電チャック２３が配置されている。静電電極板２２には直流電源２４が接続されており、静電電極板２２に正の直流電圧が印加されると、ウエハＷにおける静電チャック２３側の面（以下、「裏面」という。）には負電位が発生して静電電極板２２及びウエハＷの裏面の間に電位差が生じ、該電位差に起因するクーロン力又はジョンソン・ラーベック力により、ウエハＷは静電チャック２３に吸着保持される。
また、サセプタ１２の上部には、静電チャック２３に吸着保持されたウエハＷを囲うように、フォーカスリング２５がサセプタ１２の上部における段差へ載置される。フォーカスリング２５はシリコン（Ｓｉ）や炭化硅素（ＳｉＣ）等によって構成される。すなわち、フォーカスリング２５は半導電体からなるので、プラズマの分布域をウエハＷ上だけでなく該フォーカスリング２５上まで拡大してウエハＷの周縁部上におけるプラズマの密度を該ウエハＷの中央部上におけるプラズマの密度と同程度に維持する。これにより、ウエハＷの全面に施されるプラズマエッチング処理の均一性を確保する。
サセプタ１２の内部には、例えば、円周方向に延在する環状の冷媒室２６（温調機構）が設けられる。この冷媒室２６には、チラーユニット（図示しない）から冷媒用配管２７を介して低温の冷媒、例えば、冷却水やガルデン（登録商標）が循環供給される。該低温の冷媒によって冷却されたサセプタ１２はウエハＷ及びフォーカスリング２５を冷却する。
静電チャック２３は、静電吸着しているウエハＷに向けて開口する複数の伝熱ガス供給孔２８を有する。これら複数の伝熱ガス供給孔２８は、伝熱ガス供給ライン２９を介して伝熱ガス供給部（図示しない）に接続され、該伝熱ガス供給部は伝熱ガスとしてのＨｅ（ヘリウム）ガスを、伝熱ガス供給孔２８を介して吸着面及びウエハＷの裏面の間隙に供給する。吸着面及びウエハＷの裏面の間隙に供給されたヘリウムガスはウエハＷの熱をサセプタ１２に効果的に伝達する。
また、フォーカスリング２５はサセプタ１２の上部における段差との接触面（以下、「サセプタ接触面」という）４０に後述の伝熱シート３８を有する。伝熱シート３８は、サセプタ接触面４０及び上記段差（より具体的には、段差におけるフォーカスリング載置面３９）の間に生じる微小な隙間を充填してフォーカスリング２５及びサセプタ１２の熱伝達効率を改善し、フォーカスリング２５の熱をサセプタ１２に効果的に伝達する。
本実施の形態では、サセプタ１２、静電チャック２３及びフォーカスリング２５が基板載置システムを構成する。
チャンバ１１の天井部には、サセプタ１２と対向するようにシャワーヘッド３０が配置される。シャワーヘッド３０は、上部電極板３１と、該上部電極板３１を着脱可能に釣支するクーリングプレート３２と、該クーリングプレート３２を覆う蓋体３３とを有する。上部電極板３１は厚み方向に貫通する多数のガス孔３４を有する円板状部材からなり、半導電体であるシリコンによって構成される。また、クーリングプレート３２の内部にはバッファ室３５が設けられ、このバッファ室３５には処理ガス導入管３６が接続されている。
また、シャワーヘッド３０の上部電極板３１には直流電源３７が接続され、上部電極板３１へ負の直流電圧が印加される。このとき、上部電極板３１は二次電子を放出して処理室１５内部の電子密度が低下するのを防止する。
プラズマ処理装置１０では、処理ガス導入管３６からバッファ室３５へ供給された処理ガスがガス孔３４を介して処理室１５内部へ導入され、該導入された処理ガスは、第２の高周波電源２０からサセプタ１２を介して処理室１５内部へ印加されたプラズマ生成用の高周波電力によって励起されてプラズマとなる。該プラズマ中のイオンは、第１の高周波電源１８がサセプタ１２に印加するイオン引き込み用の高周波電力によってウエハＷに向けて引きこまれ、該ウエハＷにプラズマエッチング処理を施す。
上述したプラズマ処理装置１０の各構成部品の動作は、プラズマ処理装置１０が備える制御部（図示しない）のＣＰＵがプラズマエッチング処理に対応するプログラムに応じて制御する。
図２は、図１のプラズマ処理装置におけるフォーカスリング、伝熱シート及びフォーカスリング載置面近傍の構成を概略的に示す拡大断面図である。
図２において、サセプタ１２の段差の平面部は、フォーカスリング２５が載置されて該フォーカスリング２５と接触するフォーカスリング載置面３９を構成する。フォーカスリング２５の伝熱シート３８は、フォーカスリング２５がフォーカスリング載置面３９に載置された際、フォーカスリング載置面３９と接触してサセプタ接触面４０及びフォーカスリング載置面３９の間に生じる微小な隙間を充填する。これにより、フォーカスリング２５及びサセプタ１２の熱伝達効率が改善されてフォーカスリング２５の熱がサセプタ１２に効果的に伝達され、その結果、フォーカスリング２５が冷却される。
ここで、フォーカスリング２５はサセプタ１２によって冷却されても２００℃近くまで温度が上昇するので、伝熱シート３８は耐熱性を有し且つ高温において形状を維持する必要がある。したがって、伝熱シート３８の基材として耐熱性の有機材料、例えば、耐熱性のシリコンを成分に含む耐熱性の粘着剤やゴム（以下、「シリコン含有耐熱剤」という。）が用いられる。また、伝熱シート３８には多数の伝熱性フィラーが練り込まれており、伝熱性フィラーは伝熱シート３８中に分散している。伝熱性フィラーは、例えば、酸化物、窒化物または炭化物のセラミックスフィラーからなり、伝熱シート３８の熱伝達率を改善する。なお、耐熱性の有機材料は耐熱性のエポキシであってもよく、プラズマエッチング処理の種類に応じて適切な有機材料が選択される。
サセプタ１２の上部、特にフォーカスリング載置面３９は切削加工によって形成されるため、うねりが存在し、また或る程度の面粗さは残る。うねりや面粗さのため、局所的に比較的大きな間隙がサセプタ接触面４０及びフォーカスリング載置面３９の間に生じることがある。このとき、伝熱シート３８が薄すぎると、該伝熱シート３８はサセプタ接触面４０及びフォーカスリング載置面３９の隙間を充填することができない、換言すれば、伝熱シート３８はフォーカスリング載置面３９へ密着することができない。
また、伝熱シート３８が厚くなると、フォーカスリング２５及び伝熱シート３８の合成熱容量が大きくなり、プラズマエッチング処理中におけるフォーカスリング２５の昇温形態が該プラズマエッチング処理に適したものにならない虞がある。
そこで、本発明者は鋭意研究を行い、伝熱シート３８の厚さが４０μｍ以上且つ１００μｍ未満であれば、伝熱シート３８をフォーカスリング載置面３９へ確実に密着させることができるとともに、フォーカスリング２５の昇温形態をプラズマエッチング処理に適するように維持できるのを見出した。本発明は本知見に基づくものである。
まず、伝熱シート３８の厚さの下限の設定の考え方について説明する。
伝熱シート３８が薄すぎるとフォーカスリング載置面３９へ密着しないため、伝熱シート３８が薄すぎる部位に対応するフォーカスリング２５の部位の温度が低下しない。このとき、温度が低下しないフォーカスリング２５の部位に対向するウエハＷの部位がフォーカスリング２５からの放射熱によって加熱され、該ウエハＷの部位の上方におけるプラズマ中のラジカルの分布が変化する。その結果、該ウエハＷの部位におけるプラズマエッチング処理におけるエッチングレートが他の部位のエッチングレートに比べてばらつく傾向にある。
そこで、本発明者は、エッチングレートのばらつきが許容値（１０ｎｍ／ｍｉｎ）に収まる伝熱シート３８の膜厚を見出すべく、４種類の膜厚（２５μｍ、２６μｍ、２７μｍ、４０μｍ）の伝熱シート３８を準備し、各膜厚の伝熱シート３８についてプラズマ処理装置１０において１ロット分（２５枚）のウエハＷへプラズマエッチング処理を施し、１ロットにおける各部位のエッチングレートのばらつきを測定した。当該ウエハＷでは、プラズマエッチング処理において該ウエハＷ上に形成されたシリコン酸化膜がエッチングされ、該プラズマエッチング処理では、処理ガスとしてＣ５Ｆ８／Ａｒ／Ｏ２ガスが用いられた。
また、各伝熱シート３８は次のように作製した。すなわち、ポリオルガノシロキサンとしてＸＥ１４−Ｂ８５３０（Ａ）（モメンティブパフォーマンスマテリアルズ製）とＸＥ１４−Ｂ８５３０（Ｂ）（モメンティブパフォーマンスマテリアルズ製）を用い、両者を重量比１：１で混合した液（この液を以下、「混合液Ａ」とする。）を調製した。続いて混合液ＡにアルミナフィラーとしてＤＡＭ５（電気化学工業製、平均粒径５μｍ）を、混合液Ａ：アルミナフィラー＝６０：４０（体積比）となるように添加し、さらに、架橋性ポリオルガノシロキサン系硬化剤であるＲＤ−１（東レ・ダウコーニングシリコーン製）を、混合液Ａとアルミナフィラーの重量の合計に対して０．０４重量％となるように添加し、良く攪拌した。こうして得られた液（この液を以下、「混合液Ｂ」とする。）を所望の膜厚になるようにフォーカスリング上に塗工し、１５０℃で３０時間加熱して硬化させて、各伝熱シート３８を形成させた。なお当該伝熱シート３８の熱伝導率は、混合液Ｂのみを硬化させた試験片を用いてレーザーフラッシュ法で測定した結果、１．２Ｗ／ｍ・Ｋであった。
図３は、伝熱シートの膜厚を変更した場合の各ウエハにおけるエッチングレートの測定部位を示す。図３に示すように、エッチングレートは各ウエハの周縁部において９０度ピッチで配置された４点（図中「●」で示す。）において測定された。そして、測定結果を下記表１に示した。なお、表中、エッチングレートは「Ｅ／Ｒ」と略して表された。
Figure 2011181677
表１に示すように、伝熱シート３８の膜厚が４０μｍ以上になれば、エッチングレートのばらつきが許容値内に収まることが分かった。すなわち、伝熱シート３８の膜厚を４０μｍ以上にすれば、伝熱シート３８がフォーカスリング載置面３９へ確実に密着することが分かった。
次に、伝熱シート３８の厚さの上限の設定の考え方について説明する。
伝熱シート３８が厚すぎると、フォーカスリング２５及び伝熱シート３８の合成熱容量が、フォーカスリングが伝熱シートを伴わないときの熱容量（従来のフォーカスリングにおける熱容量）に比べて増加し、フォーカスリング２５の昇温形態が従来のフォーカスリングの昇温形態に比べて変化する。具体的には、フォーカスリング２５が昇温しにくくなり、また降温しにくくなる。フォーカスリング２５の温度はウエハＷ上のプラズマ中におけるラジカルの分布形態に影響を与えるため、フォーカスリング２５の昇温形態が変化するとウエハＷへ所望のプラズマエッチング処理を施すことができないおそれがある。
一方、フォーカスリングはプラズマエッチング処理を繰り返す間にプラズマ中の陽イオンによるスパッタリング等によって消耗する。特に、ウエハの周縁部に対向する部位が大きく消耗する（図４）。フォーカスリングが消耗するとフォーカスリングの熱容量が変化してウエハＷへ所望のプラズマエッチング処理を施すことができないおそれがある。そこで、従来はシリコンからなるフォーカスリングが質量で４．０％ほど消耗するとフォーカスリングを交換する。換言すると、同一密度の材料からなる物体では質量が容積に比例するので、フォーカスリングの４．０％（容積）の消耗に相当する熱容量の変化はプラズマエッチング処理への影響の観点から許容される。
本発明者は、上述した許容される熱容量の変化代（以下、「許容熱容量」という。）に注目し、該許容熱容量に基づいて伝熱シート３８の厚さの上限を見出した。具体的には、シリコンの単位質量当たりの熱容量は０．７Ｊ／ｇ・Ｋであり、シリコンの比重は２．３３ｇ／ｃｍ３であるため、フォーカスリングの単位容積当たりの熱容量は１．６３Ｊ／ｃｍ３・Ｋであり、許容熱容量は下記式（１）で表される。
許容熱容量＝１．６３×フォーカスリングの厚み×フォーカスリングの底面積×０．０４ … （１）
一方、伝熱シート３８を形成する耐熱性の粘着剤の単位質量当たりの熱容量は１．０Ｊ／ｇ・Ｋであり、上記耐熱性の粘着剤の比重は２．１ｇ／ｃｍ３であるため、伝熱シート３８の単位容積当たりの熱容量は２．１Ｊ／ｃｍ３・Ｋであり、伝熱シート３８の熱容量は下記式（２）で表される。
伝熱シートの熱容量＝２．１×伝熱シートの厚み×伝熱シートの底面積 … （２）
ここで、フォーカスリング２５及び伝熱シート３８の合成熱容量の従来のフォーカスリングにおける熱容量に対する増加代は伝熱シート３８の熱容量に他ならないため、伝熱シート３８の熱容量を許容熱容量に収めれば、熱容量プラズマエッチング処理への影響の観点から、伝熱シート３８による熱容量の増加は許容される。すなわち、フォーカスリング２５の昇温形態をプラズマエッチング処理に適するように維持できる。そこで、フォーカスリングの底面積と伝熱シートの底面積とは同じであり、フォーカスリングの厚みは３．４ｍｍであるとすると、上記式（１）及び（２）より、伝熱シート３８の膜厚の上限は下記式（３）で表される。
伝熱シート３８の膜厚の上限＝１．６３×０．３４×０．０４÷２．１＝０．０１０６（ｃｍ）…（３）
したがって、伝熱シート３８の膜厚が１０６μｍ以下、換言すれば、凡そ１００μｍ未満になれば、フォーカスリング２５の昇温形態をプラズマエッチング処理に適するように維持できることが分かった。
次に、伝熱シート３８の厚さの上限の設定の他の考え方について説明する。
伝熱シート３８の基材としてシリコン含有耐熱剤が用いられるため、伝熱シート３８が厚くなると該伝熱シート３８の熱伝達率が悪化する。伝熱シート３８の熱伝達率が悪化すると、フォーカスリング２５の温度が低下せず、該フォーカスリング２５に囲われたウエハＷの周縁部がフォーカスリング２５からの放射熱によって加熱される。
一方、サセプタ１２の冷媒室２６及び伝熱ガス供給孔２８は、静電チャック２３によって静電吸着されたウエハＷにおける温度ばらつきを解消することができる。具体的には、ウエハＷの中心部と周縁部の温度差が２０℃あっても、冷媒室２６中の冷媒の流量や伝熱ガス供給孔２８からのヘリウムガスの供給量を調整することにより、ウエハＷの中心部の温度と周縁部の温度とを同じにできる。したがって、伝熱シート３８が厚くなってフォーカスリング２５がウエハＷの周縁部を加熱しても、加熱されたウエハＷの周縁部の温度がウエハＷの中心部の温度よりも２０℃高いだけの範囲に収まっていれば、冷媒室２６及び伝熱ガス供給孔２８によってウエハＷの中心部の温度と周縁部の温度とを同じにできる。
また、ウエハＷの中心部の温度はヘリウムガスによる熱伝達によってほぼサセプタ１２の温度に等しくなっており、また、ウエハＷの周縁部の温度はフォーカスリング２５の温度よりも高くなることがないため、伝熱シート３８が厚くなってもフォーカスリング２５とサセプタ１２（のフォーカスリング載置面３９）との温度差が２０℃以内に収まっていれば、フォーカスリング２５からの放射熱によって加熱されたウエハＷの周縁部の温度がウエハＷの中心部の温度よりも２０℃以上高くなることはない。
そこで、本発明者は伝熱シート３８の膜厚と、フォーカスリング２５及びフォーカスリング載置面３９の温度差との関係を求め、該関係から該温度差が２０℃以内に収まる伝熱シート３８の膜厚を見出した。
具体的には、まず、本発明者は硅素からなる板状のテストピースを３枚準備し、テストピースに何も貼り付けずプラズマを照射したときのテストピースの温度（以下、「第１の温度」という。）を測定し、次に、テストピースに膜厚が３０μｍの伝熱シート３８を介して硅素からなる板状の他のテストピースを貼り付けてプラズマを照射したときの他のテストピースの温度（以下、「第２の温度」という。）を測定し、さらに、テストピースに膜厚が５００μｍの伝熱シート３８を介して硅素からなる板状の他のテストピースを貼り付けてプラズマを照射したときの他のテストピースの温度（以下、「第３の温度」という。）を測定した。
このとき、第１の温度はフォーカスリング載置面３９の温度に相当し、第２の温度は伝熱シート３８の膜厚が３０μｍのフォーカスリング２５の温度に相当し、第３の温度は伝熱シート３８の膜厚が５００μｍのフォーカスリング２５の温度に相当する。したがって、第２の温度と第１の温度との差は、膜厚が３０μｍのフォーカスリング２５及びフォーカスリング載置面３９の温度差に相当し、第３の温度と第１の温度との差は、膜厚が５００μｍのフォーカスリング２５及びフォーカスリング載置面３９の温度差に相当する。本発明者は、第２の温度と第１の温度との差、及び第３の温度と第１の温度との差を図５のグラフにプロットし、１次近似によって伝熱シート３８の膜厚と、フォーカスリング２５及びフォーカスリング載置面３９の温度差との関係を求めた。該関係は、下記式（４）で表される。
温度差＝０．０４７×伝熱シートの膜厚＋１５．６ … （４）
上記式（４）より、フォーカスリング２５及びフォーカスリング載置面３９の温度差を２０℃以内に収めるには、伝熱シート３８の膜厚が９３．６μｍ、換言すれば、凡そ１００μｍ未満であればよい。したがって、伝熱シート３８の膜厚を１００μｍ未満にすれば、ウエハＷの周縁部がフォーカスリング２５から放射熱を受けても、ウエハＷの中心部の温度と周縁部の温度とを同じにできることが分かった。
本実施の形態に係るフォーカスリングによれば、冷媒室２６を有するサセプタ１２とのサセプタ接触面４０に形成された伝熱シート３８の膜厚は４０μｍ以上且つ１００μｍ未満である。
伝熱シート３８の膜厚が４０μｍ以上であれば、伝熱シート３８をフォーカスリング載置面３９へ確実に密着させることができ、もって、フォーカスリング２５において温度が低下しない部位が生じるのを防止することができる。
また、伝熱シート３８の膜厚が１００μｍ未満であれば、フォーカスリング２５及び伝熱シート３８の合成熱容量の増加を適切な範囲に収めることができ、もって、フォーカスリング２５の昇温形態をプラズマエッチング処理に適するように維持でき、さらに、フォーカスリング２５及びフォーカスリング載置面３９の温度差を２０℃以内に収めることができ、もって、ウエハＷの周縁部がフォーカスリング２５から放射熱を受けても、ウエハＷの中心部の温度と周縁部の温度とを同じにできる。
すなわち、伝熱シート３８の膜厚は４０μｍ以上且つ１００μｍ未満であれば、伝熱シート３８の膜厚がプラズマ処理に適したものにすることができる。
上述したフォーカスリングでは、伝熱シート３８はシリコンを含有する耐熱性のポリオルガノシロキサン系粘着剤からなるので、伝熱シート３８は柔軟に変形し、サセプタ１２におけるフォーカスリング載置面３９が多少うねっていても密着することができる。また、伝熱シート３８の伝熱材は酸化物、窒化物または炭化物のセラミックスフィラーであり、伝熱シート３８中に２５〜６０体積％で含有されていて、さらに伝熱シート３８の熱伝導率が０．５〜５．０Ｗ／ｍ・Ｋの範囲にあるので、伝熱シート３８は全域に亘ってほぼ均一に熱を伝達することができ、その結果、フォーカスリング２５全体をほぼ均一に温度調整することができる。
なお、上述した実施の形態においてプラズマエッチング処理が施される基板は半導体デバイス用のウエハに限られず、ＬＣＤ（Liquid Crystal Display）等を含むＦＰＤ（Flat Panel Display）等に用いる各種基板や、フォトマスク、ＣＤ基板、プリント基板等であってもよい。
Ｗ ウエハ
１０ プラズマ処理装置
１２ サセプタ
２５ フォーカスリング
２６ 冷媒室
３８ 伝熱シート
３９ フォーカスリング載置面
４０ サセプタ接触面

Claims (3)

  1. 温調機構を有する載置台に載置された基板の外周を囲い、前記載置台と接触する接触面と、該接触面に形成された伝熱シートとを備えるフォーカスリングであって、
    前記伝熱シートは、有機材料及び該有機材料に混入された伝熱材を含み、前記伝熱シートの膜厚は４０μｍ以上且つ１００μｍ未満であることを特徴とするフォーカスリング。
  2. 前記伝熱シートの熱伝導率が０．５〜５．０Ｗ／ｍ・Ｋの範囲にあり、前記有機材料はシリコンを成分に含む耐熱性の粘着剤やゴムであり、前記伝熱材は酸化物、窒化物または炭化物のセラミックスフィラーであり、前記フィラーは前記耐熱性の粘着剤やゴム中に２５〜６０体積％で含有されることを特徴とする請求項１記載のフォーカスリング。
  3. 所定の処理が施される基板を載置する載置台と、前記載置台に載置された基板の外周を囲うフォーカスリングとを備える基板載置システムであって、
    前記載置台は温調機構を有し、
    前記フォーカスリングは前記載置台と接触する接触面と、該接触面に形成された伝熱シートとを有し、前記伝熱シートは、有機材料及び該有機材料に混入された伝熱材を含み、前記伝熱シートの膜厚は４０μｍ以上且つ１００μｍ未満であることを特徴とする基板載置システム。
JP2010044345A 2010-03-01 2010-03-01 フォーカスリング及び基板載置システム Pending JP2011181677A (ja)

Priority Applications (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2010044345A JP2011181677A (ja) 2010-03-01 2010-03-01 フォーカスリング及び基板載置システム
TW100106401A TW201203350A (en) 2010-03-01 2011-02-25 Focus ring and substrate mounting system
KR1020110018061A KR101217379B1 (ko) 2010-03-01 2011-02-28 포커스 링 및 기판 탑재 시스템
US13/036,368 US20110247759A1 (en) 2010-03-01 2011-02-28 Focus ring and substrate mounting system
CN2011100509357A CN102194634A (zh) 2010-03-01 2011-03-01 聚焦环和基板载置***

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2010044345A JP2011181677A (ja) 2010-03-01 2010-03-01 フォーカスリング及び基板載置システム

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2011181677A true JP2011181677A (ja) 2011-09-15

Family

ID=44602504

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2010044345A Pending JP2011181677A (ja) 2010-03-01 2010-03-01 フォーカスリング及び基板載置システム

Country Status (5)

Country Link
US (1) US20110247759A1 (ja)
JP (1) JP2011181677A (ja)
KR (1) KR101217379B1 (ja)
CN (1) CN102194634A (ja)
TW (1) TW201203350A (ja)

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2012009563A (ja) * 2010-06-23 2012-01-12 Tokyo Electron Ltd フォーカスリング及びその製造方法
CN102679893A (zh) * 2012-05-18 2012-09-19 北京控制工程研究所 一种确定星敏感器调焦环厚度的方法
JP2015084383A (ja) * 2013-10-25 2015-04-30 東京エレクトロン株式会社 フォーカスリング及びプラズマ処理装置
JP2015090897A (ja) * 2013-11-05 2015-05-11 東京エレクトロン株式会社 熱伝導性シリコーンシート及びその製造方法及びこれを用いたプラズマ処理装置
US9111969B2 (en) 2012-06-08 2015-08-18 Kabushiki Kaisha Toshiba Seal member, etching apparatus, and a method of manufacturing a semiconductor device
JPWO2019163757A1 (ja) * 2018-02-20 2021-02-04 住友大阪セメント株式会社 静電チャック装置および静電チャック装置の製造方法

Families Citing this family (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102418075A (zh) * 2011-12-07 2012-04-18 宁波江丰电子材料有限公司 聚焦环、聚焦环组合、imp溅射设备
JP5886700B2 (ja) * 2012-07-09 2016-03-16 東京エレクトロン株式会社 伝熱シート貼付装置及び伝熱シート貼付方法
JP6027492B2 (ja) * 2013-05-22 2016-11-16 東京エレクトロン株式会社 エッチング方法及びエッチング装置
KR102581226B1 (ko) * 2016-12-23 2023-09-20 삼성전자주식회사 플라즈마 처리 장치
JP6198168B1 (ja) * 2017-02-23 2017-09-20 日本新工芯技株式会社 電極用リング
US10199252B2 (en) 2017-06-30 2019-02-05 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Thermal pad for etch rate uniformity
KR102332189B1 (ko) * 2017-09-18 2021-12-02 매슨 테크놀로지 인크 플라즈마 처리 장치를 위한 냉각된 포커스 링
JP2021180283A (ja) * 2020-05-15 2021-11-18 東京エレクトロン株式会社 載置台アセンブリ、基板処理装置および基板処理方法
KR20220102201A (ko) 2021-01-12 2022-07-20 삼성전자주식회사 척 어셈블리, 그를 포함하는 반도체 소자의 제조 장치, 및 반도체 소자의 제조방법
JP2022118687A (ja) 2021-02-02 2022-08-15 株式会社ロゴスコーポレーション 支持脚及びこれを備えた折り畳み椅子
WO2023239574A1 (en) * 2022-06-08 2023-12-14 Lam Research Corporation Chucking system with silane coupling agent

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003273202A (ja) * 2002-03-19 2003-09-26 Ngk Insulators Ltd 半導体支持装置
JP2008177493A (ja) * 2007-01-22 2008-07-31 Tokyo Electron Ltd 基板処理装置及びフォーカスリング
JP2011151280A (ja) * 2010-01-25 2011-08-04 Denki Kagaku Kogyo Kk 放熱部材及びその製造方法

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6073577A (en) * 1998-06-30 2000-06-13 Lam Research Corporation Electrode for plasma processes and method for manufacture and use thereof
TW484187B (en) * 2000-02-14 2002-04-21 Tokyo Electron Ltd Apparatus and method for plasma treatment
JP4592916B2 (ja) * 2000-04-25 2010-12-08 東京エレクトロン株式会社 被処理体の載置装置
US20050049350A1 (en) * 2003-08-25 2005-03-03 Sandeep Tonapi Thin bond-line silicone adhesive composition and method for preparing the same
US7544251B2 (en) * 2004-10-07 2009-06-09 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for controlling temperature of a substrate
JP2008016727A (ja) * 2006-07-07 2008-01-24 Tokyo Electron Ltd 伝熱構造体及び基板処理装置
JP2008251742A (ja) * 2007-03-29 2008-10-16 Tokyo Electron Ltd 基板処理装置及びフォーカスリングを載置する基板載置台

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003273202A (ja) * 2002-03-19 2003-09-26 Ngk Insulators Ltd 半導体支持装置
JP2008177493A (ja) * 2007-01-22 2008-07-31 Tokyo Electron Ltd 基板処理装置及びフォーカスリング
JP2011151280A (ja) * 2010-01-25 2011-08-04 Denki Kagaku Kogyo Kk 放熱部材及びその製造方法

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2012009563A (ja) * 2010-06-23 2012-01-12 Tokyo Electron Ltd フォーカスリング及びその製造方法
CN102679893A (zh) * 2012-05-18 2012-09-19 北京控制工程研究所 一种确定星敏感器调焦环厚度的方法
US9111969B2 (en) 2012-06-08 2015-08-18 Kabushiki Kaisha Toshiba Seal member, etching apparatus, and a method of manufacturing a semiconductor device
JP2015084383A (ja) * 2013-10-25 2015-04-30 東京エレクトロン株式会社 フォーカスリング及びプラズマ処理装置
JP2015090897A (ja) * 2013-11-05 2015-05-11 東京エレクトロン株式会社 熱伝導性シリコーンシート及びその製造方法及びこれを用いたプラズマ処理装置
JPWO2019163757A1 (ja) * 2018-02-20 2021-02-04 住友大阪セメント株式会社 静電チャック装置および静電チャック装置の製造方法
JP7140183B2 (ja) 2018-02-20 2022-09-21 住友大阪セメント株式会社 静電チャック装置および静電チャック装置の製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
KR101217379B1 (ko) 2012-12-31
KR20110099181A (ko) 2011-09-07
TW201203350A (en) 2012-01-16
US20110247759A1 (en) 2011-10-13
CN102194634A (zh) 2011-09-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2011181677A (ja) フォーカスリング及び基板載置システム
JP5619486B2 (ja) フォーカスリング、その製造方法及びプラズマ処理装置
JP5762798B2 (ja) 天井電極板及び基板処理載置
TWI521589B (zh) An electrode unit, a substrate processing device, and an electrode unit
JP5049891B2 (ja) 基板温調固定装置
JP4855177B2 (ja) 静電チャック装置
JP4695606B2 (ja) 被処理基板の載置装置におけるフォーカスリングの熱伝導改善方法
JP5035884B2 (ja) 熱伝導シート及びこれを用いた被処理基板の載置装置
TW200837865A (en) Substrate processing apparatus and focus ring
JP2006049352A (ja) サセプタ装置
JP2009302347A (ja) 静電チャック及び基板温調固定装置
KR101746567B1 (ko) 기판 탈착 방법 및 기판 처리 장치
US20090242133A1 (en) Electrode structure and substrate processing apparatus
JP2008251742A (ja) 基板処理装置及びフォーカスリングを載置する基板載置台
JP5503503B2 (ja) プラズマ処理装置
TW200818311A (en) Heat conductive structure and substrate treatment apparatus
JP5479180B2 (ja) 載置台
JP4943085B2 (ja) 静電チャック装置及びプラズマ処理装置
JP4456218B2 (ja) プラズマ処理装置
JP2008042137A (ja) 静電チャック装置
JP2010225642A (ja) 温度調節装置、温度調節方法及び基板処理装置

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20130222

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20131021

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20131029

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20140408