JP2003273202A - 半導体支持装置 - Google Patents
半導体支持装置Info
- Publication number
- JP2003273202A JP2003273202A JP2002075818A JP2002075818A JP2003273202A JP 2003273202 A JP2003273202 A JP 2003273202A JP 2002075818 A JP2002075818 A JP 2002075818A JP 2002075818 A JP2002075818 A JP 2002075818A JP 2003273202 A JP2003273202 A JP 2003273202A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor
- adhesive sheet
- filler
- semiconductor supporting
- metal member
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
- H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
- H01L21/68757—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a coating or a hardness or a material
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
- H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
- H01L21/68785—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by the mechanical construction of the susceptor, stage or support
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
- Adhesive Tapes (AREA)
- Adhesives Or Adhesive Processes (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】半導体支持部材、金属部材、および半導体支持
部材と金属部材とを接合する接合層を備えている半導体
支持装置において、半導体支持部材の表面の平面度を向
上させるのと共に、ウエハー表面の温度を制御する。 【解決手段】半導体を支持する平面を有する半導体支持
部材１、金属部材７、および半導体支持部材１と金属部
材７とを接合する接合層２７を備えている半導体支持装
置１２であって、接合層２７が接着シート４からなり、
接着シート４が、樹脂マトリックス１１およびこの樹脂
マトリックス１１中に分散されているフィラー１０を含
む。
部材と金属部材とを接合する接合層を備えている半導体
支持装置において、半導体支持部材の表面の平面度を向
上させるのと共に、ウエハー表面の温度を制御する。 【解決手段】半導体を支持する平面を有する半導体支持
部材１、金属部材７、および半導体支持部材１と金属部
材７とを接合する接合層２７を備えている半導体支持装
置１２であって、接合層２７が接着シート４からなり、
接着シート４が、樹脂マトリックス１１およびこの樹脂
マトリックス１１中に分散されているフィラー１０を含
む。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体支持装置に
関するものである。
関するものである。
【０００２】
【従来の技術】ＣＶＤ法、スパッタリング法、エッチン
グ法等の半導体プロセスにおいては、いわゆるサセプタ
ーの上に半導体ウエハーを設置し、このサセプターを加
熱して半導体ウエハーを加熱している。セラミックス製
の静電チャックをサセプターとして使用し、半導体ウエ
ハーをサセプターに対して吸着しながら加熱処理する方
法が知られている。しかし、半導体ウエハーの生産量を
向上させるためには、サセプター上の半導体ウエハーの
着脱サイクルにおける温度変化を抑制するために、加熱
と冷却とを応答性良く行うことが必要であり、このため
にはサセプターに対して冷却装置を結合する必要があ
る。
グ法等の半導体プロセスにおいては、いわゆるサセプタ
ーの上に半導体ウエハーを設置し、このサセプターを加
熱して半導体ウエハーを加熱している。セラミックス製
の静電チャックをサセプターとして使用し、半導体ウエ
ハーをサセプターに対して吸着しながら加熱処理する方
法が知られている。しかし、半導体ウエハーの生産量を
向上させるためには、サセプター上の半導体ウエハーの
着脱サイクルにおける温度変化を抑制するために、加熱
と冷却とを応答性良く行うことが必要であり、このため
にはサセプターに対して冷却装置を結合する必要があ
る。
【０００３】特開平４−２８７３４４号公報において
は、ペースト状のシリコーン樹脂からなる接着剤組成物
を使用し、サセプターと金属冷却板とを接着している。
また、特開平９−４５７５７号公報においては、サセプ
ターと金属冷却板とをインジウムを用いて結合してい
る。
は、ペースト状のシリコーン樹脂からなる接着剤組成物
を使用し、サセプターと金属冷却板とを接着している。
また、特開平９−４５７５７号公報においては、サセプ
ターと金属冷却板とをインジウムを用いて結合してい
る。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかし、樹脂からなる
接着剤組成物やインジウムを用いて、セラミックス製静
電チャックと金属製の水冷フランジとを接合する際に
は、接合時の圧力が小さいと、接合後に、静電チャック
の半導体ウエハー吸着面の平面度が低下することがあっ
た。ウエハー処理時には、ウエハーが静電チャックの吸
着面に対して吸着するので、吸着面の平面度が低下する
と使用できなくなり、歩留り低下の原因となる。また、
静電チャックの表面側へとバックサイドガスを供給する
ことが多いが、静電チャックと金属部材との間の接合部
分の気密性を高く維持することは難しい問題である。特
に半導体製造システムの内部では熱サイクルが印加され
るが、熱サイクル印加後にも接合部分の気密性を高度に
維持することが求められている。一方、接合時の圧力を
大きくすると、静電チャックと水冷フランジとの界面か
ら接着剤が外部へとはみ出すおそれがある。また、接着
剤の厚さが不均一になったり、製品ごとに不揃いになっ
たりするおそれがある。この場合には、半導体支持部材
と金属部材との間の熱伝導性能が不均一になるので、製
造歩留りが低下する。
接着剤組成物やインジウムを用いて、セラミックス製静
電チャックと金属製の水冷フランジとを接合する際に
は、接合時の圧力が小さいと、接合後に、静電チャック
の半導体ウエハー吸着面の平面度が低下することがあっ
た。ウエハー処理時には、ウエハーが静電チャックの吸
着面に対して吸着するので、吸着面の平面度が低下する
と使用できなくなり、歩留り低下の原因となる。また、
静電チャックの表面側へとバックサイドガスを供給する
ことが多いが、静電チャックと金属部材との間の接合部
分の気密性を高く維持することは難しい問題である。特
に半導体製造システムの内部では熱サイクルが印加され
るが、熱サイクル印加後にも接合部分の気密性を高度に
維持することが求められている。一方、接合時の圧力を
大きくすると、静電チャックと水冷フランジとの界面か
ら接着剤が外部へとはみ出すおそれがある。また、接着
剤の厚さが不均一になったり、製品ごとに不揃いになっ
たりするおそれがある。この場合には、半導体支持部材
と金属部材との間の熱伝導性能が不均一になるので、製
造歩留りが低下する。
【０００５】また、シリコーン樹脂からなる接着剤組成
物は、伸びが少ないため熱応力を逃がすことができず、
接合後にそりが大きくなったり、接合面が剥離したりす
る場合がある。
物は、伸びが少ないため熱応力を逃がすことができず、
接合後にそりが大きくなったり、接合面が剥離したりす
る場合がある。
【０００６】本発明の課題は、半導体を支持する平面を
有する半導体支持部材、金属部材、および半導体支持部
材と金属部材とを接合する接合層を備えている半導体装
置において、半導体支持部材の表面の平面度を向上させ
るのと共に、ウエハー表面の温度を制御可能とすること
である。
有する半導体支持部材、金属部材、および半導体支持部
材と金属部材とを接合する接合層を備えている半導体装
置において、半導体支持部材の表面の平面度を向上させ
るのと共に、ウエハー表面の温度を制御可能とすること
である。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明は、半導体を支持
する平面を有する半導体支持部材、金属部材、および半
導体支持部材と金属部材とを接合する接合層を備えてい
る半導体支持装置であって、接合層が接着シートからな
り、接着シートが、樹脂マトリックスおよびこの樹脂マ
トリックス中に分散されているフィラーを含むことを特
徴とする。
する平面を有する半導体支持部材、金属部材、および半
導体支持部材と金属部材とを接合する接合層を備えてい
る半導体支持装置であって、接合層が接着シートからな
り、接着シートが、樹脂マトリックスおよびこの樹脂マ
トリックス中に分散されているフィラーを含むことを特
徴とする。
【０００８】本発明者は、接合層に接着剤組成物を用い
ることも検討した。しかし、この場合には、接着剤組成
物に流動性があるので、加圧すると接着剤がはみ出して
しまう。このため、加圧して接合層の平面度を高くする
のが困難である。樹脂マトリックスからなる接着シート
は、すでに硬化処理されているので、加熱時に加圧して
も接合層から樹脂マトリックスがはみ出すことがない。
従って、接合時に加圧することによって、半導体支持面
の平面度を高くすることができる。
ることも検討した。しかし、この場合には、接着剤組成
物に流動性があるので、加圧すると接着剤がはみ出して
しまう。このため、加圧して接合層の平面度を高くする
のが困難である。樹脂マトリックスからなる接着シート
は、すでに硬化処理されているので、加熱時に加圧して
も接合層から樹脂マトリックスがはみ出すことがない。
従って、接合時に加圧することによって、半導体支持面
の平面度を高くすることができる。
【０００９】しかし、接着シートは樹脂で形成されてい
るため、熱伝導性が低い。また、接着シートはある程度
の厚みを有している。このため、接合層における熱伝導
性が低く、ウエハー表面において発生する熱を接合層を
介して逃がすことができない。従って、ウエハー表面に
おける温度が上昇し過ぎてしまう。
るため、熱伝導性が低い。また、接着シートはある程度
の厚みを有している。このため、接合層における熱伝導
性が低く、ウエハー表面において発生する熱を接合層を
介して逃がすことができない。従って、ウエハー表面に
おける温度が上昇し過ぎてしまう。
【００１０】そこで、発明者は、接着シートにフィラー
を添加することを想致した。フィラーを添加することに
よって、接合層における熱伝導性が高くなる。従って、
これにより、半導体支持部材の表面の平面度を向上させ
るのと共に、ウエハー表面の温度を制御することができ
る。
を添加することを想致した。フィラーを添加することに
よって、接合層における熱伝導性が高くなる。従って、
これにより、半導体支持部材の表面の平面度を向上させ
るのと共に、ウエハー表面の温度を制御することができ
る。
【００１１】前記フィラーが前記樹脂マトリックスより
も熱伝導性の高い材質からなることが好ましい。このよ
うに、樹脂マトリックス中に樹脂マトリックスよりも熱
伝導性の高い材質からなるフィラーを添加することによ
って、接着シートにおける熱伝導性を高めることができ
る。
も熱伝導性の高い材質からなることが好ましい。このよ
うに、樹脂マトリックス中に樹脂マトリックスよりも熱
伝導性の高い材質からなるフィラーを添加することによ
って、接着シートにおける熱伝導性を高めることができ
る。
【００１２】また、前記接着シートのヤング率が１００
MPａ以下であることが好ましく、接着シートの伸びが１
００％以上であることが好ましく、さらに１５０％以上
であることがより好ましい。このように、接着シートの
伸縮性が高いので、半導体支持部材と金属部材との間の
気密性を保つことができる。また、接着シートが伸びる
ことにより熱応力を逃がすことができる。従って、熱応
力により接合後にそりが大きくなったり、接合面が剥離
したりするのを防ぐことができる。
MPａ以下であることが好ましく、接着シートの伸びが１
００％以上であることが好ましく、さらに１５０％以上
であることがより好ましい。このように、接着シートの
伸縮性が高いので、半導体支持部材と金属部材との間の
気密性を保つことができる。また、接着シートが伸びる
ことにより熱応力を逃がすことができる。従って、熱応
力により接合後にそりが大きくなったり、接合面が剥離
したりするのを防ぐことができる。
【００１３】なお、接着シートの伸びとは、以下のよう
にして測定されたものである。幅２５ｍｍの接着シート
の上下端を治具でつかむ。この際、上端と下端との把持
箇所の間隔（つかみ間隔）が１００ｍｍになるようにす
る。上端と下端とを３００ｍｍ／分の速度で接着シート
が切断するまで引張る。（切断時のつかみ間隔−１００
ｍｍ）／１００ｍｍ×１００（％）を「伸び」とした。
にして測定されたものである。幅２５ｍｍの接着シート
の上下端を治具でつかむ。この際、上端と下端との把持
箇所の間隔（つかみ間隔）が１００ｍｍになるようにす
る。上端と下端とを３００ｍｍ／分の速度で接着シート
が切断するまで引張る。（切断時のつかみ間隔−１００
ｍｍ）／１００ｍｍ×１００（％）を「伸び」とした。
【００１４】
【発明の実施の形態】以下、図面を適宜参照しつつ、本
発明を更に説明する。図１（ａ）は、本発明の一実施形
態において使用する半導体支持部材１を概略的に示す断
面図であり、図１（ｂ）は金属部材７の断面図である。
図２は、金属部材７に接合されている接着シート４の拡
大図である。
発明を更に説明する。図１（ａ）は、本発明の一実施形
態において使用する半導体支持部材１を概略的に示す断
面図であり、図１（ｂ）は金属部材７の断面図である。
図２は、金属部材７に接合されている接着シート４の拡
大図である。
【００１５】半導体支持部材１は、静電チャックであ
り、セラミックス製の基体２と、基体２内に埋設された
静電チャック電極３とを備えている。電極３には端子６
が接続されている。基体２の吸着面２ａに半導体ウエハ
ーを支持し、吸着する。また、半導体支持部材１には、
半導体ウェハーを冷却するために、金属部材から導入さ
れるバックサイドガスを供給するガス供給孔甲１８ａが
設けられている。
り、セラミックス製の基体２と、基体２内に埋設された
静電チャック電極３とを備えている。電極３には端子６
が接続されている。基体２の吸着面２ａに半導体ウエハ
ーを支持し、吸着する。また、半導体支持部材１には、
半導体ウェハーを冷却するために、金属部材から導入さ
れるバックサイドガスを供給するガス供給孔甲１８ａが
設けられている。
【００１６】本例の金属部材７は、冷却機能を有する冷
却フランジである。冷却フランジ７にはガス供給孔乙１
８ｂが設けられており、ガス供給孔乙１８ｂからバック
サイドガス、例えばアルゴンガスや窒素ガスを供給可能
となっている。また、金属部材７には、端子６を外部電
源と接続するための端子接続孔２０が設けられている。
また、冷却フランジ７および半導体支持部材１には、半
導体ウエハーを持ち上げるためのリフトピン用の貫通孔
を形成できる（図示せず）。
却フランジである。冷却フランジ７にはガス供給孔乙１
８ｂが設けられており、ガス供給孔乙１８ｂからバック
サイドガス、例えばアルゴンガスや窒素ガスを供給可能
となっている。また、金属部材７には、端子６を外部電
源と接続するための端子接続孔２０が設けられている。
また、冷却フランジ７および半導体支持部材１には、半
導体ウエハーを持ち上げるためのリフトピン用の貫通孔
を形成できる（図示せず）。
【００１７】基体２の接合面２ｂと、金属部材７の接合
面７ａとのいずれか一方に、接着シート４を設ける。接
合面４ｂが金属部材７と接合し、接合面４ａが基体２と
接合する。接合面４ａ、４ｂは、粘着性や接着性を有し
ている。接着シート４は、樹脂マトリックス１１および
この樹脂マトリックス１１中に分散されているフィラー
１０を有する。
面７ａとのいずれか一方に、接着シート４を設ける。接
合面４ｂが金属部材７と接合し、接合面４ａが基体２と
接合する。接合面４ａ、４ｂは、粘着性や接着性を有し
ている。接着シート４は、樹脂マトリックス１１および
この樹脂マトリックス１１中に分散されているフィラー
１０を有する。
【００１８】樹脂マトリックス１１を構成する樹脂は、
伸縮性のある樹脂が好ましく、具体的には、アクリル樹
脂、エポキシ樹脂からなることが好ましい。アクリル樹
脂の種類は特に限定されない。一般的には、アクリル樹
脂は、アクリル酸およびアクリル酸の誘導体の重合体の
総称であり、ホモポリマーとコポリマーとの両者を含
み、架橋物、部分架橋物、未架橋物のいずれも含む。ア
クリル酸の誘導体は、アクリル酸エステル、アクリルア
ミド、アクリロニトリル、メタクリル酸、メタクリル酸
エステルを含む。エポキシ樹脂の種類も特に限定されな
い。
伸縮性のある樹脂が好ましく、具体的には、アクリル樹
脂、エポキシ樹脂からなることが好ましい。アクリル樹
脂の種類は特に限定されない。一般的には、アクリル樹
脂は、アクリル酸およびアクリル酸の誘導体の重合体の
総称であり、ホモポリマーとコポリマーとの両者を含
み、架橋物、部分架橋物、未架橋物のいずれも含む。ア
クリル酸の誘導体は、アクリル酸エステル、アクリルア
ミド、アクリロニトリル、メタクリル酸、メタクリル酸
エステルを含む。エポキシ樹脂の種類も特に限定されな
い。
【００１９】熱伝導性を高めるという観点からは、接着
シート４の厚さは２００μｍ以下であることが好まし
く、７０μｍ以下であることがさらに好ましい。また、
接着シート４の厚さは伸び性を十分発揮させるために３
０μｍ以上であることが好ましい。
シート４の厚さは２００μｍ以下であることが好まし
く、７０μｍ以下であることがさらに好ましい。また、
接着シート４の厚さは伸び性を十分発揮させるために３
０μｍ以上であることが好ましい。
【００２０】また、接着シート４を介して基体２および
金属部材７を接合するときの熱サイクルにおいて発生す
る熱応力を低減させる観点からは、接着シート４のヤン
グ率が１００MPａ以下であることが好ましい。また、接
着シート４の伸びが１００％以上であることが好まし
く、さらに１５０％以上であることがより好ましく、さ
らに２００％以上であることが一層好ましい。
金属部材７を接合するときの熱サイクルにおいて発生す
る熱応力を低減させる観点からは、接着シート４のヤン
グ率が１００MPａ以下であることが好ましい。また、接
着シート４の伸びが１００％以上であることが好まし
く、さらに１５０％以上であることがより好ましく、さ
らに２００％以上であることが一層好ましい。
【００２１】接着シート４における熱伝導性を高くする
という観点からは、フィラー１０は、樹脂マトリックス
１１よりも熱伝導性の高い材質からなることが好まし
い。フィラー１０としては例えば、アルミナ、窒化アル
ミニウム、シリカ、または炭化珪素を利用できる。
という観点からは、フィラー１０は、樹脂マトリックス
１１よりも熱伝導性の高い材質からなることが好まし
い。フィラー１０としては例えば、アルミナ、窒化アル
ミニウム、シリカ、または炭化珪素を利用できる。
【００２２】また、接着シート４における熱伝導性を向
上させる観点から、フィラー１０の平均粒径が５μｍ以
上であることが好ましい。また、フィラー１０の平均粒
径が５０μｍ以下であることが好ましい。
上させる観点から、フィラー１０の平均粒径が５μｍ以
上であることが好ましい。また、フィラー１０の平均粒
径が５０μｍ以下であることが好ましい。
【００２３】フィラーの形態、材質は特に限定されな
い。フィラーの形態は、例えば粒子状、鱗片状、ウィス
カー状であってよい。フィラーの材質は、セラミックス
や金属が好ましい。このセラミックスとしては、アルミ
ナ，窒化アルミニウム、シリカ、炭化珪素が好ましく、
金属としてはアルミニウムおよびアルミニウム合金が好
ましい。
い。フィラーの形態は、例えば粒子状、鱗片状、ウィス
カー状であってよい。フィラーの材質は、セラミックス
や金属が好ましい。このセラミックスとしては、アルミ
ナ，窒化アルミニウム、シリカ、炭化珪素が好ましく、
金属としてはアルミニウムおよびアルミニウム合金が好
ましい。
【００２４】接着層内のフィラーの含有量は、接着層の
熱伝導を促進するという観点からは、３ｖｏｌ％以上が
好ましく、８ｖｏｌ％以上が更に好ましい。また、接着
部分の気密性を一層向上させること、および伸び性を維
持するという観点からは、５０ｖｏｌ％以下が好まし
く、３０ｖｏｌ％以下が更に好ましい。
熱伝導を促進するという観点からは、３ｖｏｌ％以上が
好ましく、８ｖｏｌ％以上が更に好ましい。また、接着
部分の気密性を一層向上させること、および伸び性を維
持するという観点からは、５０ｖｏｌ％以下が好まし
く、３０ｖｏｌ％以下が更に好ましい。
【００２５】本実施の形態における半導体支持部材１
は、静電チャックであるが、これに特に限定されない。
半導体支持部材１は半導体ウエハーを設置するサセプタ
ーであればよく、種々の機能を有していてよい。基体の
内部に抵抗発熱体を設けた場合には、この保持部材をセ
ラミックスヒーターとして使用できる。更に、基体中に
プラズマ発生用の電極を設けた場合には、この保持部材
をプラズマ発生用電極として使用できる。
は、静電チャックであるが、これに特に限定されない。
半導体支持部材１は半導体ウエハーを設置するサセプタ
ーであればよく、種々の機能を有していてよい。基体の
内部に抵抗発熱体を設けた場合には、この保持部材をセ
ラミックスヒーターとして使用できる。更に、基体中に
プラズマ発生用の電極を設けた場合には、この保持部材
をプラズマ発生用電極として使用できる。
【００２６】半導体支持部材１の基体２を構成するセラ
ミックスとしては、アルミナのような酸化物系セラミッ
クス、チタン酸カルシウム、チタン酸バリウム、窒化物
セラミックスを例示できる。窒化物セラミックスとして
は、窒化珪素およびサイアロンが、耐熱衝撃性の点で好
ましい。また、窒化アルミニウムは、フッ素系腐食性ガ
スに対する耐蝕性、および熱伝導性の点で好ましい。
ミックスとしては、アルミナのような酸化物系セラミッ
クス、チタン酸カルシウム、チタン酸バリウム、窒化物
セラミックスを例示できる。窒化物セラミックスとして
は、窒化珪素およびサイアロンが、耐熱衝撃性の点で好
ましい。また、窒化アルミニウムは、フッ素系腐食性ガ
スに対する耐蝕性、および熱伝導性の点で好ましい。
【００２７】金属部材７の材質は特に制限はないが、ハ
ロゲン系腐食性ガスに対して冷却装置がさらされる場合
には、アルミニウム、銅、ステンレス鋼、ニッケルまた
はこれらの金属の合金を使用することが好ましい。
ロゲン系腐食性ガスに対して冷却装置がさらされる場合
には、アルミニウム、銅、ステンレス鋼、ニッケルまた
はこれらの金属の合金を使用することが好ましい。
【００２８】冷却装置において使用できる冷媒は、水、
シリコンオイル等の液体であってよく、また空気、不活
性ガス等の気体であってもよい。
シリコンオイル等の液体であってよく、また空気、不活
性ガス等の気体であってもよい。
【００２９】図１（ａ）に示すように、半導体支持部材
１を支持棒９によって支持し、半導体支持部材１の接合
面２ｂを金属部材７の接合面７ａに対向させる。
１を支持棒９によって支持し、半導体支持部材１の接合
面２ｂを金属部材７の接合面７ａに対向させる。
【００３０】次いで、図３に示すように、半導体支持部
材１と金属部材７とを積層して積層体２８を作製する。
そして、積層体２８を加熱および加圧し、接合する。こ
の時点においては、積層体２８を等方加圧しながら加熱
することが好ましい。なお、加圧の方向は、図３におけ
るＡの方向である。ここで、積層体２８の等方加圧方法
や加熱方法は特に限定されない。典型的には、図３に示
すように、積層体２８を被膜１９内に真空パックし、不
活性雰囲気の充填された密閉容器内に収容し、この密閉
容器内で不活性雰囲気によって積層体を等方加圧する。
しかし、液体によって積層体を等方加圧することも可能
である。
材１と金属部材７とを積層して積層体２８を作製する。
そして、積層体２８を加熱および加圧し、接合する。こ
の時点においては、積層体２８を等方加圧しながら加熱
することが好ましい。なお、加圧の方向は、図３におけ
るＡの方向である。ここで、積層体２８の等方加圧方法
や加熱方法は特に限定されない。典型的には、図３に示
すように、積層体２８を被膜１９内に真空パックし、不
活性雰囲気の充填された密閉容器内に収容し、この密閉
容器内で不活性雰囲気によって積層体を等方加圧する。
しかし、液体によって積層体を等方加圧することも可能
である。
【００３１】被膜１９の材質は、弾性および加熱温度で
の耐熱性を有する限り、特に限定されない。不活性気体
としては、窒素、アルゴン、窒素とアルゴンとの混合気
体を例示できる。
の耐熱性を有する限り、特に限定されない。不活性気体
としては、窒素、アルゴン、窒素とアルゴンとの混合気
体を例示できる。
【００３２】密閉容器は特に限定されないが、好適な実
施形態においてはオートクレーブである。
施形態においてはオートクレーブである。
【００３３】本発明においては、少なくとも、加熱時の
最高温度時に等方加圧を行っていることが好ましい。即
ち、図６に示すように、加熱時の最高温度（Ｔ１）時
（時間ｔ２からｔ３の間）には、圧力が所定圧力Ｐ１に
達している必要がある。
最高温度時に等方加圧を行っていることが好ましい。即
ち、図６に示すように、加熱時の最高温度（Ｔ１）時
（時間ｔ２からｔ３の間）には、圧力が所定圧力Ｐ１に
達している必要がある。
【００３４】好適な実施形態においては、最高温度Ｔ１
からの降温時（ｔ３以降）にも等方加圧を継続する。特
に好適な実施形態においては、室温ＴＲへの温度降下時
（ｔ４）まで等方加圧を継続する。これによって、接合
後の半導体支持部材１の吸着面２ａの平面度が一層向上
する。
からの降温時（ｔ３以降）にも等方加圧を継続する。特
に好適な実施形態においては、室温ＴＲへの温度降下時
（ｔ４）まで等方加圧を継続する。これによって、接合
後の半導体支持部材１の吸着面２ａの平面度が一層向上
する。
【００３５】接着シート４の加熱温度Ｔ１は、特に限定
されないが、冷却時の熱応力を低減させるという観点か
らは、１２０℃以下である。なお、樹脂マトリックス１
１の種類によっては、加熱は必ずしも必要なく、あるい
は６０℃以下の低温加熱でも十分に硬化する場合があ
る。低温の方が、半導体支持部材と金属部材の熱膨張差
による熱応力の発生を低減できるので有利である。
されないが、冷却時の熱応力を低減させるという観点か
らは、１２０℃以下である。なお、樹脂マトリックス１
１の種類によっては、加熱は必ずしも必要なく、あるい
は６０℃以下の低温加熱でも十分に硬化する場合があ
る。低温の方が、半導体支持部材と金属部材の熱膨張差
による熱応力の発生を低減できるので有利である。
【００３６】また、半導体支持部材１および金属部材７
を安定に接合させるという観点からは、所定の圧力Ｐ１
は、５ａｔｍ以上である。
を安定に接合させるという観点からは、所定の圧力Ｐ１
は、５ａｔｍ以上である。
【００３７】この結果、図４に示すような半導体支持装
置１２が得られる。図５は、図４の半導体支持装置１２
に含まれる接合層２７の平面図であり、従って半導体支
持部材１は図示省略してある。この装置１２において
は、基体２の接合面２ｂと金属部材７の接合面７ａとが
接合層２７によって接合されている。
置１２が得られる。図５は、図４の半導体支持装置１２
に含まれる接合層２７の平面図であり、従って半導体支
持部材１は図示省略してある。この装置１２において
は、基体２の接合面２ｂと金属部材７の接合面７ａとが
接合層２７によって接合されている。
【００３８】本発明において、半導体支持部材１の吸着
面２ａの平面度は、好ましくは３０μｍ以下であり、更
に好ましくは１０μｍ以下である。
面２ａの平面度は、好ましくは３０μｍ以下であり、更
に好ましくは１０μｍ以下である。
【００３９】
【実施例】（実施例１）図１〜図４を参照しつつ説明し
た方法に従って、図４、図５に示す半導体支持装置１２
を製造した。具体的には、半導体支持部材１と水冷フラ
ンジ７とを準備した。半導体支持部材１の基体２は、直
径φ３００ｍｍ、厚さ１０ｍｍの円板形状をしている。
基体２は窒化アルミニウムからなり、基体２の内部にモ
リブデン製の金網からなる電極３が埋設されている。水
冷フランジ７はアルミニウム合金製であり、寸法φ３０
０ｍｍ、厚さ３０ｍｍの円板形状をしている。水冷フラ
ンジ７の内部には水冷溝が形成されており、かつ端子用
の孔、リフトピン用の貫通孔、バックサイドガス用のガ
ス供給孔が設けられている。半導体支持部材１の吸着面
２ａの平面度は１０μｍである。接合面２ｂ、７ａの平
面度は３０μｍ以下である。半導体支持部材１を、アセ
トン、イソプロピルアルコールおよび純水の順番で超音
波洗浄した。
た方法に従って、図４、図５に示す半導体支持装置１２
を製造した。具体的には、半導体支持部材１と水冷フラ
ンジ７とを準備した。半導体支持部材１の基体２は、直
径φ３００ｍｍ、厚さ１０ｍｍの円板形状をしている。
基体２は窒化アルミニウムからなり、基体２の内部にモ
リブデン製の金網からなる電極３が埋設されている。水
冷フランジ７はアルミニウム合金製であり、寸法φ３０
０ｍｍ、厚さ３０ｍｍの円板形状をしている。水冷フラ
ンジ７の内部には水冷溝が形成されており、かつ端子用
の孔、リフトピン用の貫通孔、バックサイドガス用のガ
ス供給孔が設けられている。半導体支持部材１の吸着面
２ａの平面度は１０μｍである。接合面２ｂ、７ａの平
面度は３０μｍ以下である。半導体支持部材１を、アセ
トン、イソプロピルアルコールおよび純水の順番で超音
波洗浄した。
【００４０】アクリルからなる接着シート４を使用し
た。このアクリル中には、平均粒径１０μｍのアルミナ
粒子からなるフィラーが、１０ｖｏｌ％添加されてい
る。接着シート４の厚さは５０μｍである。
た。このアクリル中には、平均粒径１０μｍのアルミナ
粒子からなるフィラーが、１０ｖｏｌ％添加されてい
る。接着シート４の厚さは５０μｍである。
【００４１】次いで、真空容器中に水冷フランジ７を設
置し、その上に半導体支持部材１を貼り合わせて積層体
２８を得た。この積層体２８を真空パックし、オートク
レーブ中に収容し、図６に示した圧力および温度スケジ
ュールに沿って５０℃、１４３ａｔｍで２時間加熱およ
び加圧し、接着シート４を介して半導体支持部材１と水
冷フランジ７とを接合した。
置し、その上に半導体支持部材１を貼り合わせて積層体
２８を得た。この積層体２８を真空パックし、オートク
レーブ中に収容し、図６に示した圧力および温度スケジ
ュールに沿って５０℃、１４３ａｔｍで２時間加熱およ
び加圧し、接着シート４を介して半導体支持部材１と水
冷フランジ７とを接合した。
【００４２】得られた半導体支持装置１２について、初
期と熱サイクル印加後との双方について、ウエハー吸着
面２ａの平面度とヘリウムリーク量とを測定した。ただ
し、熱サイクル印加時には、室温から５０℃まで２０℃
／分で温度を上昇させ、次いで５０℃で３０分間保持
し、−２０℃まで２０℃／分で温度を降下させた。これ
を１サイクルとし、５０サイクル繰り返した。
期と熱サイクル印加後との双方について、ウエハー吸着
面２ａの平面度とヘリウムリーク量とを測定した。ただ
し、熱サイクル印加時には、室温から５０℃まで２０℃
／分で温度を上昇させ、次いで５０℃で３０分間保持
し、−２０℃まで２０℃／分で温度を降下させた。これ
を１サイクルとし、５０サイクル繰り返した。
【００４３】吸着面２ａの平面度は、以下のように測定
した。定盤の上に半導体支持装置１２を設置する。この
際、吸着面２ａが上向きになるようにする。そして、吸
着面２ａの各測定点の高さをハイトゲージによって測定
する。吸着面２ａの中心点を測定するのと共に、中心点
からＸ軸方向に沿って８点選択して測定し、中心点から
Ｙ軸方向に沿って８点選択して測定する。合計１７点に
ついての高さの測定値を得た後、最高高さと最低高さと
の差を算出し、平面度とする。
した。定盤の上に半導体支持装置１２を設置する。この
際、吸着面２ａが上向きになるようにする。そして、吸
着面２ａの各測定点の高さをハイトゲージによって測定
する。吸着面２ａの中心点を測定するのと共に、中心点
からＸ軸方向に沿って８点選択して測定し、中心点から
Ｙ軸方向に沿って８点選択して測定する。合計１７点に
ついての高さの測定値を得た後、最高高さと最低高さと
の差を算出し、平面度とする。
【００４４】バックサイドガス用のガス供給孔甲１８ａ
をふさいだ状態でガス供給孔乙１８ｂを利用し、ヘリウ
ムリーク試験を行った。測定結果を表１に示す。
をふさいだ状態でガス供給孔乙１８ｂを利用し、ヘリウ
ムリーク試験を行った。測定結果を表１に示す。
【００４５】（実施例２）実施例１と同様にして、図
４、図５に示す半導体支持装置１２を製造した。ただ
し、接着シート４の厚さは１３０μｍである。接着シー
ト４中には、平均粒径１０μｍのアルミナ粒子からなる
フィラーが、１０vol％添加されている。接合時の温度
は５０℃とし、圧力は１４ｋｇ／ｃｍ２とした。測定結
果を表１に示す。
４、図５に示す半導体支持装置１２を製造した。ただ
し、接着シート４の厚さは１３０μｍである。接着シー
ト４中には、平均粒径１０μｍのアルミナ粒子からなる
フィラーが、１０vol％添加されている。接合時の温度
は５０℃とし、圧力は１４ｋｇ／ｃｍ２とした。測定結
果を表１に示す。
【００４６】（実施例３）実施例１と同様にして、図
４、図５に示す半導体支持装置１２を製造した。ただ
し、接着シート４の厚さは５０μｍである。接着シート
４中には、平均粒径１０μｍの窒化アルミニウム粒子か
らなるフィラーが、１０vol％添加されている。接合時
の温度は５０℃とし、圧力は１４ｋｇ／ｃｍ２とした。
測定結果を表１に示す。
４、図５に示す半導体支持装置１２を製造した。ただ
し、接着シート４の厚さは５０μｍである。接着シート
４中には、平均粒径１０μｍの窒化アルミニウム粒子か
らなるフィラーが、１０vol％添加されている。接合時
の温度は５０℃とし、圧力は１４ｋｇ／ｃｍ２とした。
測定結果を表１に示す。
【００４７】（比較例１）実施例１と同様にして、図
４、図５に示す半導体装置１２を製造した。ただし、接
着シート４のかわりにポリイミドテープを使用した。ポ
リイミドテープの厚さは１３０μｍである。また、フィ
ラーは添加しなかった。接合時の温度は１２０℃とし、
圧力１４ｋｇ／ｃｍ２で２時間加熱および加圧した。測
定結果を表１に示す。
４、図５に示す半導体装置１２を製造した。ただし、接
着シート４のかわりにポリイミドテープを使用した。ポ
リイミドテープの厚さは１３０μｍである。また、フィ
ラーは添加しなかった。接合時の温度は１２０℃とし、
圧力１４ｋｇ／ｃｍ２で２時間加熱および加圧した。測
定結果を表１に示す。
【００４８】（比較例２）実施例１と同様にして、図
４、図５に示す半導体装置１２を製造した。ただし、接
着シート４のかわりにシリコーン樹脂組成物を使用し
た。シリコーン樹脂組成物の塗膜の厚さは８０μｍであ
る。接着シート４中には、平均粒径１０μｍのアルミナ
粒子からなるフィラーが、３０vol％添加されている。
そして、両者の積層体を真空パックしてオートクレーブ
に収容する工程は行わず、積層体上に１５ｇ／ｃｍ２の
圧力のおもりを乗せた状態で、１２０℃で接合した。測
定結果を表１に示す。
４、図５に示す半導体装置１２を製造した。ただし、接
着シート４のかわりにシリコーン樹脂組成物を使用し
た。シリコーン樹脂組成物の塗膜の厚さは８０μｍであ
る。接着シート４中には、平均粒径１０μｍのアルミナ
粒子からなるフィラーが、３０vol％添加されている。
そして、両者の積層体を真空パックしてオートクレーブ
に収容する工程は行わず、積層体上に１５ｇ／ｃｍ２の
圧力のおもりを乗せた状態で、１２０℃で接合した。測
定結果を表１に示す。
【００４９】実施例１、２、３においては、初期、熱サ
イクル後共に吸着面の平面度が高く、ヘリウムリーク量
が２−１０Ｐａ・ｍ３／ｓ程度である。比較例１におい
ては、吸着面の平面度が十分に高くなるような加圧は可
能であった。しかし、熱サイクル後のヘリウムリーク量
が大きくなり、気密性が低下していた。比較例２におい
ては、初期、熱サイクル後ともに吸着面の平面度が低
い。
イクル後共に吸着面の平面度が高く、ヘリウムリーク量
が２−１０Ｐａ・ｍ３／ｓ程度である。比較例１におい
ては、吸着面の平面度が十分に高くなるような加圧は可
能であった。しかし、熱サイクル後のヘリウムリーク量
が大きくなり、気密性が低下していた。比較例２におい
ては、初期、熱サイクル後ともに吸着面の平面度が低
い。
【００５０】
【表１】
【００５１】（実施例４）窒化アルミニウムとアルミニ
ウムの接合体をそれぞれ製造した。接合材としてアクリ
ルシートを利用した。窒化アルミニウムは、直径φ１０
ｍｍ、厚さ１ｍｍの円板形状をしている。アルミニウム
は、直径φ１０ｍｍ、厚さ２ｍｍの円板形状をしてい
る。アクリルシートの厚さは５０μｍである。このアク
リルシート中には、平均粒径１０μｍのアルミナ粒子か
らなるフィラーが、１０vol％添加されている。
ウムの接合体をそれぞれ製造した。接合材としてアクリ
ルシートを利用した。窒化アルミニウムは、直径φ１０
ｍｍ、厚さ１ｍｍの円板形状をしている。アルミニウム
は、直径φ１０ｍｍ、厚さ２ｍｍの円板形状をしてい
る。アクリルシートの厚さは５０μｍである。このアク
リルシート中には、平均粒径１０μｍのアルミナ粒子か
らなるフィラーが、１０vol％添加されている。
【００５２】この接合体を真空パックし、オートクレー
ブ中に収容し、図６に示した圧力および温度スケジュー
ルに沿って５０℃、１４ａｔｍで２時間加熱および加圧
し、アクリルシートを介して窒化アルミニウムとアルミ
ニウムとを接合した。これらの接合体について、レーザ
フラッシュ法を利用して熱伝導率を測定した。測定結果
を表２に示す。
ブ中に収容し、図６に示した圧力および温度スケジュー
ルに沿って５０℃、１４ａｔｍで２時間加熱および加圧
し、アクリルシートを介して窒化アルミニウムとアルミ
ニウムとを接合した。これらの接合体について、レーザ
フラッシュ法を利用して熱伝導率を測定した。測定結果
を表２に示す。
【００５３】（実施例５）実施例４と同様にして、接合
体を製造した。ただし、アクリルシートの厚さは１３０
μｍである。測定結果を表２に示す。
体を製造した。ただし、アクリルシートの厚さは１３０
μｍである。測定結果を表２に示す。
【００５４】（比較例３）実施例４と同様にして接合体
を製造した。ただし、アクリルシートのかわりにポリイ
ミドテープを利用した。また、ポリイミドテープの厚さ
は１３０μｍであり、フィラーは添加しなかった。ま
た、接合時の加熱温度は１２０℃である。測定結果を表
２に示す。
を製造した。ただし、アクリルシートのかわりにポリイ
ミドテープを利用した。また、ポリイミドテープの厚さ
は１３０μｍであり、フィラーは添加しなかった。ま
た、接合時の加熱温度は１２０℃である。測定結果を表
２に示す。
【００５５】
【表２】
【００５６】実施例４および５の熱伝導率は、比較例３
の熱伝導率に比べて高い。また、実施例４の熱伝導率
は、実施例５の熱伝導率に比べて高い。
の熱伝導率に比べて高い。また、実施例４の熱伝導率
は、実施例５の熱伝導率に比べて高い。
【００５７】
【発明の効果】以上述べたように、本発明によれば、半
導体支持部材、金属部材、および半導体支持部材と金属
部材とを接合する接合層を備えている半導体支持装置に
おいて、半導体支持部材の表面の平面度を向上させるの
と共に、ウエハー表面の温度を制御することができる。
導体支持部材、金属部材、および半導体支持部材と金属
部材とを接合する接合層を備えている半導体支持装置に
おいて、半導体支持部材の表面の平面度を向上させるの
と共に、ウエハー表面の温度を制御することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】（ａ）は、本発明の一実施形態で使用する半導
体支持部材１を概略的に示す断面図であり、（ｂ）は、
金属部材７を概略的に示す断面図である。
体支持部材１を概略的に示す断面図であり、（ｂ）は、
金属部材７を概略的に示す断面図である。
【図２】金属部材７に接合されている接着シート４の拡
大図である。
大図である。
【図３】製造工程における半導体支持装置１２を概略的
に示す断面図である。
に示す断面図である。
【図４】半導体支持装置１２を概略的に示す断面図であ
る。
る。
【図５】図４の半導体支持装置１２に含まれる接合層２
７の平面図である（半導体支持部材１は図示省略してあ
る）。
７の平面図である（半導体支持部材１は図示省略してあ
る）。
【図６】接合時の圧力および温度スケジュールの一例を
示す。
示す。
１ 半導体支持部材（静電チャック） ２ 基体
２ａ 表面（吸着面） ２ｂ 接着面 ３
電極 ４ 接着シート ４ａ、４ｂ 接
着面 ６ 端子 ７ 金属部材（冷却フラ
ンジ） ７ａ 接着面 １０ フィラー
１１ 樹脂マトリックス １２ 半導体支
持装置 １８ａ ガス供給孔甲 １８ｂ ガス供給孔乙 ２０ 端子接続孔
２７ 接合層 Ａ 加圧の方向 Ｂ ガスの流れ
電極 ４ 接着シート ４ａ、４ｂ 接
着面 ６ 端子 ７ 金属部材（冷却フラ
ンジ） ７ａ 接着面 １０ フィラー
１１ 樹脂マトリックス １２ 半導体支
持装置 １８ａ ガス供給孔甲 １８ｂ ガス供給孔乙 ２０ 端子接続孔
２７ 接合層 Ａ 加圧の方向 Ｂ ガスの流れ
Claims (7)
- 【請求項１】半導体を支持する平面を有する半導体支持
部材、金属部材、および前記半導体支持部材と前記金属
部材とを接合する接合層を備えている半導体支持装置で
あって、 前記接合層が接着シートからなり、 前記接着シートが、樹脂マトリックスおよびこの樹脂マ
トリックス中に分散されているフィラーを含むことを特
徴とする、半導体支持装置。 - 【請求項２】前記フィラーが、前記樹脂マトリックスよ
りも熱伝導性の高い材質からなることを特徴とする、請
求項１に記載の半導体支持装置。 - 【請求項３】前記フィラーが、アルミナ、窒化アルミニ
ウム、シリカ、および炭化珪素の群から選ばれる１種類
以上の物質からなることを特徴とする、請求項２に記載
の半導体支持装置。 - 【請求項４】前記フィラーは、平均粒径が５μｍ以上の
粒子であることを特徴とする、請求項１〜３のいずれか
一つの請求項に記載の半導体支持装置。 - 【請求項５】前記樹脂マトリックスが、アクリル樹脂ま
たはエポキシ樹脂からなることを特徴とする、請求項１
〜４のいずれか一つの請求項に記載の半導体支持装置。 - 【請求項６】前記接着シートのヤング率が１００MPａ以
下であることを特徴とする、請求項１〜５のいずれか一
つの請求項に記載の半導体支持装置。 - 【請求項７】前記接着シートの伸びが１００％以上であ
ることを特徴とする、請求項１〜６のいずれか一つの請
求項に記載の半導体支持装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002075818A JP4034096B2 (ja) | 2002-03-19 | 2002-03-19 | 半導体支持装置 |
| US10/374,818 US6831307B2 (en) | 2002-03-19 | 2003-02-25 | Semiconductor mounting system |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002075818A JP4034096B2 (ja) | 2002-03-19 | 2002-03-19 | 半導体支持装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003273202A true JP2003273202A (ja) | 2003-09-26 |
| JP4034096B2 JP4034096B2 (ja) | 2008-01-16 |
Family
ID=28035388
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2002075818A Expired - Lifetime JP4034096B2 (ja) | 2002-03-19 | 2002-03-19 | 半導体支持装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6831307B2 (ja) |
| JP (1) | JP4034096B2 (ja) |
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006143580A (ja) * | 2004-11-22 | 2006-06-08 | Ngk Insulators Ltd | 接合体及びその製造方法 |
| JP2006152384A (ja) * | 2004-11-30 | 2006-06-15 | Toyo Tanso Kk | 耐ハロゲン腐食性に優れる複合層被覆部材及びその製造方法 |
| WO2009107701A1 (ja) * | 2008-02-26 | 2009-09-03 | 京セラ株式会社 | ウェハ支持部材とその製造方法、及びこれを用いた静電チャック |
| WO2010061740A1 (ja) * | 2008-11-25 | 2010-06-03 | 京セラ株式会社 | ウエハ加熱装置、静電チャックおよびウエハ加熱装置の製造方法 |
| JP2011181677A (ja) * | 2010-03-01 | 2011-09-15 | Tokyo Electron Ltd | フォーカスリング及び基板載置システム |
| WO2013179936A1 (ja) * | 2012-05-30 | 2013-12-05 | 京セラ株式会社 | 流路部材ならびにこれを用いた吸着装置および冷却装置 |
| KR101348650B1 (ko) | 2010-03-24 | 2014-01-08 | 토토 가부시키가이샤 | 정전 척 |
| JP2014183077A (ja) * | 2013-03-18 | 2014-09-29 | Ngk Insulators Ltd | 半導体製造装置用部材 |
| JP2015205955A (ja) * | 2014-04-17 | 2015-11-19 | 日本特殊陶業株式会社 | ウェハ加熱装置用の接着剤及びこれを用いたウェハ加熱装置 |
| KR20190006751A (ko) * | 2017-07-11 | 2019-01-21 | 에이디엘코리아(주) | 정전척 |
| KR20200115310A (ko) | 2019-03-28 | 2020-10-07 | 토토 가부시키가이샤 | 정전 척 |
Families Citing this family (19)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TWI327336B (en) * | 2003-01-13 | 2010-07-11 | Oc Oerlikon Balzers Ag | Arrangement for processing a substrate |
| US20050042881A1 (en) * | 2003-05-12 | 2005-02-24 | Tokyo Electron Limited | Processing apparatus |
| GB2409582B (en) * | 2003-12-24 | 2007-04-18 | Nokia Corp | Antenna for mobile communication terminals |
| JP4409373B2 (ja) * | 2004-06-29 | 2010-02-03 | 日本碍子株式会社 | 基板載置装置及び基板温度調整方法 |
| US20080314320A1 (en) * | 2005-02-04 | 2008-12-25 | Component Re-Engineering Company, Inc. | Chamber Mount for High Temperature Application of AIN Heaters |
| US20070169703A1 (en) * | 2006-01-23 | 2007-07-26 | Brent Elliot | Advanced ceramic heater for substrate processing |
| US9275887B2 (en) * | 2006-07-20 | 2016-03-01 | Applied Materials, Inc. | Substrate processing with rapid temperature gradient control |
| US8418649B2 (en) * | 2007-12-19 | 2013-04-16 | Lam Research Corporation | Composite showerhead electrode assembly for a plasma processing apparatus |
| SG187387A1 (en) * | 2007-12-19 | 2013-02-28 | Lam Res Corp | Film adhesive for semiconductor vacuum processing apparatus |
| US20100177454A1 (en) * | 2009-01-09 | 2010-07-15 | Component Re-Engineering Company, Inc. | Electrostatic chuck with dielectric inserts |
| WO2012056807A1 (ja) * | 2010-10-25 | 2012-05-03 | 日本碍子株式会社 | セラミックス材料、積層体、半導体製造装置用部材及びスパッタリングターゲット部材 |
| WO2012067883A2 (en) * | 2010-11-15 | 2012-05-24 | Applied Materials, Inc. | An adhesive material used for joining chamber components |
| JP5762798B2 (ja) * | 2011-03-31 | 2015-08-12 | 東京エレクトロン株式会社 | 天井電極板及び基板処理載置 |
| US9869392B2 (en) | 2011-10-20 | 2018-01-16 | Lam Research Corporation | Edge seal for lower electrode assembly |
| US9859142B2 (en) | 2011-10-20 | 2018-01-02 | Lam Research Corporation | Edge seal for lower electrode assembly |
| US10090211B2 (en) | 2013-12-26 | 2018-10-02 | Lam Research Corporation | Edge seal for lower electrode assembly |
| KR102508957B1 (ko) * | 2015-03-24 | 2023-03-13 | 스미토모 오사카 세멘토 가부시키가이샤 | 정전 척 장치 |
| JP2020017685A (ja) * | 2018-07-27 | 2020-01-30 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置及びプラズマシースの高さ制御方法 |
| CN114334700A (zh) * | 2020-09-29 | 2022-04-12 | 长鑫存储技术有限公司 | 半导体设备电极板的安装治具 |
Family Cites Families (17)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3220274B2 (ja) * | 1993-03-16 | 2001-10-22 | 日本碍子株式会社 | 耐腐食性セラミック体の接合構造 |
| US5886863A (en) * | 1995-05-09 | 1999-03-23 | Kyocera Corporation | Wafer support member |
| TW303487B (ja) * | 1995-05-29 | 1997-04-21 | Shinetsu Handotai Co Ltd | |
| JP3457477B2 (ja) * | 1995-09-06 | 2003-10-20 | 日本碍子株式会社 | 静電チャック |
| US6370007B2 (en) * | 1995-09-20 | 2002-04-09 | Hitachi, Ltd. | Electrostatic chuck |
| US5958794A (en) * | 1995-09-22 | 1999-09-28 | Minnesota Mining And Manufacturing Company | Method of modifying an exposed surface of a semiconductor wafer |
| US6108189A (en) * | 1996-04-26 | 2000-08-22 | Applied Materials, Inc. | Electrostatic chuck having improved gas conduits |
| JPH11163109A (ja) * | 1997-12-01 | 1999-06-18 | Kyocera Corp | ウエハ保持装置 |
| US6104596A (en) * | 1998-04-21 | 2000-08-15 | Applied Materials, Inc. | Apparatus for retaining a subtrate in a semiconductor wafer processing system and a method of fabricating same |
| JP4641569B2 (ja) * | 1998-07-24 | 2011-03-02 | 日本碍子株式会社 | 窒化アルミニウム質焼結体、耐蝕性部材、金属埋設および半導体保持装置 |
| US6280584B1 (en) * | 1998-07-29 | 2001-08-28 | Applied Materials, Inc. | Compliant bond structure for joining ceramic to metal |
| JP3323135B2 (ja) * | 1998-08-31 | 2002-09-09 | 京セラ株式会社 | 静電チャック |
| US6490146B2 (en) * | 1999-05-07 | 2002-12-03 | Applied Materials Inc. | Electrostatic chuck bonded to base with a bond layer and method |
| US6268994B1 (en) * | 1999-07-09 | 2001-07-31 | Dorsey Gage, Inc. | Electrostatic chuck and method of manufacture |
| US6494955B1 (en) * | 2000-02-15 | 2002-12-17 | Applied Materials, Inc. | Ceramic substrate support |
| US6483690B1 (en) * | 2001-06-28 | 2002-11-19 | Lam Research Corporation | Ceramic electrostatic chuck assembly and method of making |
| US6538872B1 (en) * | 2001-11-05 | 2003-03-25 | Applied Materials, Inc. | Electrostatic chuck having heater and method |
-
2002
- 2002-03-19 JP JP2002075818A patent/JP4034096B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
2003
- 2003-02-25 US US10/374,818 patent/US6831307B2/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (24)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006143580A (ja) * | 2004-11-22 | 2006-06-08 | Ngk Insulators Ltd | 接合体及びその製造方法 |
| JP4614868B2 (ja) * | 2004-11-22 | 2011-01-19 | 日本碍子株式会社 | 接合体及びその製造方法 |
| JP2006152384A (ja) * | 2004-11-30 | 2006-06-15 | Toyo Tanso Kk | 耐ハロゲン腐食性に優れる複合層被覆部材及びその製造方法 |
| WO2009107701A1 (ja) * | 2008-02-26 | 2009-09-03 | 京セラ株式会社 | ウェハ支持部材とその製造方法、及びこれを用いた静電チャック |
| JP5108933B2 (ja) * | 2008-02-26 | 2012-12-26 | 京セラ株式会社 | 静電チャック |
| KR101259484B1 (ko) * | 2008-02-26 | 2013-05-06 | 쿄세라 코포레이션 | 웨이퍼 지지 부재와 그 제조 방법, 및 이것을 사용한 정전 척 |
| US8503155B2 (en) | 2008-02-26 | 2013-08-06 | Kyocera Corporation | Wafer support member, method for manufacturing the same and electrostatic chuck using the same |
| WO2010061740A1 (ja) * | 2008-11-25 | 2010-06-03 | 京セラ株式会社 | ウエハ加熱装置、静電チャックおよびウエハ加熱装置の製造方法 |
| KR20110089336A (ko) * | 2008-11-25 | 2011-08-05 | 쿄세라 코포레이션 | 웨이퍼 가열 장치, 정전 척, 및 웨이퍼 가열 장치의 제조 방법 |
| JP5116855B2 (ja) * | 2008-11-25 | 2013-01-09 | 京セラ株式会社 | ウエハ加熱装置、静電チャック |
| KR101644495B1 (ko) * | 2008-11-25 | 2016-08-01 | 쿄세라 코포레이션 | 웨이퍼 가열 장치, 정전 척, 및 웨이퍼 가열 장치의 제조 방법 |
| JP2011181677A (ja) * | 2010-03-01 | 2011-09-15 | Tokyo Electron Ltd | フォーカスリング及び基板載置システム |
| KR101348650B1 (ko) | 2010-03-24 | 2014-01-08 | 토토 가부시키가이샤 | 정전 척 |
| JPWO2013179936A1 (ja) * | 2012-05-30 | 2016-01-18 | 京セラ株式会社 | 流路部材ならびにこれを用いた吸着装置および冷却装置 |
| WO2013179936A1 (ja) * | 2012-05-30 | 2013-12-05 | 京セラ株式会社 | 流路部材ならびにこれを用いた吸着装置および冷却装置 |
| US10480873B2 (en) | 2012-05-30 | 2019-11-19 | Kyocera Corporation | Flow path member, and adsorption device and cooling device using the same |
| JP2014183077A (ja) * | 2013-03-18 | 2014-09-29 | Ngk Insulators Ltd | 半導体製造装置用部材 |
| US11456189B2 (en) | 2013-03-18 | 2022-09-27 | Ngk Insulators, Ltd. | Member for semiconductor manufacturing apparatuses |
| JP2015205955A (ja) * | 2014-04-17 | 2015-11-19 | 日本特殊陶業株式会社 | ウェハ加熱装置用の接着剤及びこれを用いたウェハ加熱装置 |
| KR20190006751A (ko) * | 2017-07-11 | 2019-01-21 | 에이디엘코리아(주) | 정전척 |
| KR102519486B1 (ko) * | 2017-07-11 | 2023-04-14 | (주)포인트엔지니어링 | 정전척 |
| KR20200115310A (ko) | 2019-03-28 | 2020-10-07 | 토토 가부시키가이샤 | 정전 척 |
| KR20230118773A (ko) | 2019-03-28 | 2023-08-14 | 토토 가부시키가이샤 | 정전 척 |
| KR20240068599A (ko) | 2019-03-28 | 2024-05-17 | 토토 가부시키가이샤 | 정전 척 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US6831307B2 (en) | 2004-12-14 |
| JP4034096B2 (ja) | 2008-01-16 |
| US20030178638A1 (en) | 2003-09-25 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP4034096B2 (ja) | 半導体支持装置 | |
| JP4003932B2 (ja) | セラミックス−金属接合体 | |
| JP5994772B2 (ja) | 静電チャック装置 | |
| JP5423632B2 (ja) | 静電チャック装置 | |
| JP3485390B2 (ja) | 静電チャック | |
| JP5957812B2 (ja) | 静電チャック装置 | |
| WO2010095720A1 (ja) | セラミックス－金属接合体及びその製法 | |
| JP4614868B2 (ja) | 接合体及びその製造方法 | |
| JP2014138164A (ja) | 静電チャック装置 | |
| JP5982887B2 (ja) | 静電チャック装置 | |
| JP5522220B2 (ja) | 静電チャック装置 | |
| US7067200B2 (en) | Joined bodies and a method of producing the same | |
| JP2016058748A (ja) | 静電チャック装置 | |
| WO2017130827A1 (ja) | 静電チャック装置 | |
| JP2017059771A (ja) | 静電チャック装置及びその製造方法 | |
| JP2002093777A (ja) | ドライエッチング装置 | |
| JP4252231B2 (ja) | 半導体ウェハー支持部材接合体の製造方法および半導体ウェハー支持部材接合体 | |
| JP5343802B2 (ja) | 静電チャック装置 | |
| JP4744015B2 (ja) | ウエハ支持部材 | |
| JP6642170B2 (ja) | 静電チャック装置及びその製造方法 | |
| JP6597437B2 (ja) | 静電チャック装置 | |
| JP2004111533A (ja) | 静電吸着装置 | |
| JP2014049629A (ja) | 接合方法 | |
| JP2004296911A (ja) | 静電チャック | |
| JP3987841B2 (ja) | ウェハ保持装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20040809 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20070409 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20070607 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20070628 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20071023 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20071024 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101102 Year of fee payment: 3 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Ref document number: 4034096 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101102 Year of fee payment: 3 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111102 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111102 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121102 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131102 Year of fee payment: 6 |
|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |