JP2011154191A - 液晶表示装置及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】液晶表示装置は、絶縁層44上に配置された画素電極36と、絶縁層44下で画素電極36に対向する容量電極48と、絶縁層44とは反対側で画素電極36に対向する対向電極38と、画素電極36と対向電極38の間に配置された液晶20と、を有する。画素電極36は、データ信号Dが入力される主画素電極35と、主画素電極35とは分離された副画素電極37と、を含む。容量電極48は、主画素電極35に対向して共通電位Vcomに電気的に接続する主容量電極50と、副画素電極37に対向して共通電位Vcomに電気的に接続する副容量電極52と、副画素電極37に対向し、絶縁層44を貫通して主画素電極35に電気的に接続する分割容量電極54と、を含む。画素電極36、容量電極48及び分割容量電極54は、それぞれ透明導電材料からなる。
【選択図】図2
Description
図1は、本発明の第1の実施形態に係る液晶表示装置を示す分解斜視図である。液晶表示装置は、液晶表示パネル10を有する。液晶表示パネル10は、上フレーム12及び下フレーム14の間に支持される。液晶表示パネル10は、複数の画素によって画像を表示するようになっている。
本発明の第2の実施形態に係る液晶表示装置は、液晶表示パネル10、上フレーム12及び下フレーム14を有し、複数の画素によって画像を表示するようになっている点で、第1の実施形態と同様である(図1参照)。また、本実施形態に係る液晶表示装置は、図3に示す第2基板18、カラーフィルタ層40、オーバーコート層42、対向電極38、第2配向膜24、液晶20、第1配向膜22を有する点でも第1の実施形態と同様である。
図13は、本発明の第2実施形態の変形例に係る液晶表示装置の第1基板側の一部を示す断面図である。この例では、ゲート電極216及びゲート絶縁膜220を形成した後に、ゲート絶縁膜220の上に第1透明電極膜236を形成する。第1透明電極膜236をエッチングして容量電極212を形成する。その他の構成及び製造方法は、上記実施形態で説明した内容が該当する。本変形例でも、上記実施形態と同様の作用効果を達成することができる。
Claims (9)
- 絶縁層と、
前記絶縁層上に配置された画素電極と、
前記絶縁層下で前記画素電極に対向するように配置された容量電極と、
前記絶縁層とは反対側で、前記画素電極に対向する対向電極と、
前記画素電極と前記対向電極の間に配置された液晶と、
を有し、
前記画素電極は、データ信号が入力される主画素電極と、前記主画素電極とは分離された副画素電極と、を含み、
前記容量電極は、前記主画素電極に対向して共通電位に電気的に接続する主容量電極と、前記副画素電極に対向して前記共通電位に電気的に接続する副容量電極と、前記副画素電極に対向し、前記絶縁層を貫通して、前記主画素電極に電気的に接続する分割容量電極と、を含み、
前記画素電極及び前記容量電極は、それぞれ透明導電材料からなることを特徴とする液晶表示装置。 - 請求項1に記載された液晶表示装置において、
前記共通電位に電気的に接続される共通配線をさらに有し、
前記主容量電極は、前記主画素電極の投影領域内に完全に収まる形状を有し、
前記副容量電極は、前記副画素電極の投影領域内に完全に収まる形状を有し、
前記共通配線は、不透明導電材料からなり、前記主容量電極及び前記副容量電極に重なって電気的に接続することを特徴とする液晶表示装置。 - 請求項2に記載された液晶表示装置において、
前記分割容量電極は、前記副画素電極に対向する第1部分から前記主画素電極に対向する第2部分まで連続一体的に形成され、
前記第2部分に重なって電気的に接続するように前記不透明導電材料から形成されたパッド部をさらに有し、
前記パッド部で前記分割容量電極が前記主画素電極に電気的に接続されていることを特徴とする液晶表示装置。 - 第1スリットを有する容量電極の形状にパターニングするための、前記第1スリット及び前記容量電極の組み合わせを含む形状からなる第1透明電極膜を形成する工程と、
前記第1透明電極膜上に絶縁層を形成する工程と、
前記第1スリットと重なる第2スリットを有する画素電極の形状にパターニングするための第2透明電極膜を、前記絶縁層上に形成する工程と、
前記画素電極にされる領域の上方に位置する第1マスク部と前記第1マスク部よりも薄い第2マスク部を有し、前記第1スリット及び前記第2スリットを形成するための領域の上方に貫通穴が形成されているエッチングレジストを、前記第2透明電極膜上に形成する工程と、
前記エッチングレジストを介して、前記貫通穴から露出する前記第2透明電極膜及び前記絶縁層をエッチングして、前記第2透明電極膜に前記第2スリットを形成し、前記第2スリット内に前記第1透明電極膜を露出させる工程と、
前記第1マスク部を残すように前記エッチングレジストを薄くすることで前記第2マスク部を除去して、前記画素電極にされる前記領域の外側で前記第2透明電極膜を前記エッチングレジストから露出させる工程と、
残された前記第1マスク部を介して、前記第2透明電極膜をエッチングして前記画素電極を形成するとともに、前記貫通穴から露出する前記第1透明電極膜をエッチングして前記第1スリットを形成する工程と、
を含むことを特徴とする液晶表示装置の製造方法。 - 請求項4に記載された液晶表示装置の製造方法において、
前記第2透明電極膜及び前記絶縁層をエッチングする工程では、前記第2透明電極膜のエッチングと前記絶縁層のエッチングとを別々に行うことを特徴とする液晶表示装置の製造方法。 - 請求項5に記載された液晶表示装置の製造方法において、
前記第2透明電極膜及び前記第1透明電極膜のエッチングは、ウエットエッチングであり、
前記絶縁層のエッチングは、ドライエッチングであることを特徴とする液晶表示装置の製造方法。 - 請求項4から6のいずれか1項に記載された液晶表示装置の製造方法において、
ゲート電極、ゲート絶縁膜、半導体層、ドレイン電極及びソース電極を有する薄膜トランジスタを形成する工程をさらに含み、
前記第1透明電極膜及び前記ゲート電極を形成した後に、前記第1透明電極膜及び前記ゲート電極の上に前記ゲート絶縁膜を形成することを特徴とする液晶表示装置の製造方法。 - 請求項4から6のいずれか1項に記載された液晶表示装置の製造方法において、
ゲート電極、ゲート絶縁膜、半導体層、ドレイン電極及びソース電極を有する薄膜トランジスタを形成する工程をさらに含み、
前記ゲート電極及び前記ゲート絶縁膜を形成した後に、前記ゲート絶縁膜の上に前記第1透明電極膜を形成することを特徴とする液晶表示装置の製造方法。 - 絶縁層と、
前記絶縁層上に配置された画素電極と、
前記絶縁層下で前記画素電極に対向するように配置された容量電極と、
前記絶縁層とは反対側で、前記画素電極に対向する対向電極と、
前記画素電極と前記対向電極の間に配置された液晶と、
を有し、
前記画素電極は、複数のスリットが形成され、
前記容量電極は、前記複数のスリットの投影領域にはみ出さないように形成され、
前記画素電極及び前記容量電極は、透明導電材料からなることを特徴とする液晶表示装置。
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JP2000323698A (ja) * | 1999-03-11 | 2000-11-24 | Sharp Corp | アクティブマトリクス基板、その製造方法、及び、該基板を用いたイメージセンサ |
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