JP2006276583A - 液晶表示装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】 画素スイッチング素子としてTFDを用いた場合でも、画素分割可能な構成を提供すること。
【解決手段】 液晶表示装置の複数の画素Pにおいて、画素Pは、第1の副画素P1と第2の副画素P2とに分割され、液晶容量L1は、第1の副画素P1に対応する第1の副液晶容量L1と、第2の副画素P2に対応する第2の副液晶容量L2とに分割されている。ここで、第2の副液晶容量L2とTFD40との間には、第2の副液晶容量L2に直列、かつ、第1の副液晶容量L1に並列に補助容量Cが電気的に接続されている。従って、第2の副液晶容量L2は、第2の副液晶容量L2自身と、補助容量Cとによって容量分割された電圧が印加されることになり、第2の副液晶容量L2には、同一の画素P内に形成された第1の第1の副液晶容量L1と比較して低い電位が印加される。
【選択図】 図12
【解決手段】 液晶表示装置の複数の画素Pにおいて、画素Pは、第1の副画素P1と第2の副画素P2とに分割され、液晶容量L1は、第1の副画素P1に対応する第1の副液晶容量L1と、第2の副画素P2に対応する第2の副液晶容量L2とに分割されている。ここで、第2の副液晶容量L2とTFD40との間には、第2の副液晶容量L2に直列、かつ、第1の副液晶容量L1に並列に補助容量Cが電気的に接続されている。従って、第2の副液晶容量L2は、第2の副液晶容量L2自身と、補助容量Cとによって容量分割された電圧が印加されることになり、第2の副液晶容量L2には、同一の画素P内に形成された第1の第1の副液晶容量L1と比較して低い電位が印加される。
【選択図】 図12
Description
本発明は、複数の画素の各々に画素スイッチング素子として薄膜ダイオード(以下、TFD(Thin Film Diode)という)を備えた液晶表示装置に関するものである。
液晶表示装置において、1つの画素を複数の副画素に分割し、各副画素の液晶層に印加する電圧を変化させることによって、広い視野角で良好な多階調表示をさせて視角特性を改善する技術は、画素分割法と称せられる従来技術として周知である。このような画素分割法は、例えば、画素スイッチング素子としてTFT(Thin Film Transistor)を用いた液晶表示装置において、各画素に補助容量とは別に制御容量を形成することにより実現されている(例えば、特許文献1参照)。
特開平7−325322号公報
しかしながら、上記特許文献に記載の技術は、画素スイッチング素子としてTFTを用いたものであり、本願発明者等が調査した範囲では、TFDを画素スイッチング素子として用いた液晶表示装置に画素分割法を適用した例は見出されていない。
そこで、本発明の課題は、画素スイッチング素子としてTFDを用いた場合でも、画素分割可能な構成を提供することにある。
上記課題を解決するために、本発明では、走査線およびデータ線のうちの一方を第1の信号線とし、他方を第2の信号線としたとき、前記第1の信号線と前記第2の信号線の交差に対応して複数の画素を備え、当該画素は、前記第1の信号線と前記第2の信号線の間で前記第1の信号線側に接続された画素スイッチング用の薄膜ダイオードと、該薄膜ダイオードに直列に電気的に接続されて前記第2の信号線側に位置する液晶容量とを備えた液晶表示装置において、前記TFDに直列、かつ、前記液晶容量に並列に電気的に接続された補助容量を有するとともに、当該補助容量は、直列に接続された複数の副補助容量に分割され、前記液晶容量は、前記複数の副補助容量によって容量分割された電圧が印加される複数の副液晶容量に分割され、前記画素は、前記複数の副補助容量の各々に対応する複数の副画素に分割されている。
本発明では、補助容量を複数の副補助容量に分割し、複数の補助容量によって容量分割された電圧が複数の副液晶容量に印加されるように構成してある。このため、画素スイッチング素子としてTFDを用いた場合でも、画素を複数の副画素に分割することによって視角特性を改善することができる。
本発明は、IPS(In−Plane Switching)モードの液晶を用いた場合には比較的簡素な構成で画素分割を行うことができる。すなわち、本発明では、液晶層を挟んで対向配置された素子基板および対向基板を有し、前記素子基板には、前記第1の信号線と、前記第2の信号線と、前記TFDと、前記複数の副補助容量と、当該複数の副補助容量の各副補助容量用の上電極および各副補助用容量の下電極の各々に電気的に接続して前記複数の副液晶容量を構成する複数の液晶駆動用電極とが形成されている。
本発明においては、前記素子基板上では、前記第1の信号線およびTFD用の上電極は各々、第1の金属から構成され、前記第2の信号線およびTFD用の下電極は各々、前記第1の金属より上層側に形成された第2の金属から構成され、前記複数の副補助容量では、前記副補助容量用の下電極は前記第1の金属から構成され、前記副補助容量用の上電極は、前記第2の金属から構成されている。このように構成すると、画素スイッチング素子としてTFDを用いた液晶表示装置において、容量分割された電圧が複数の副液晶容量に印加されるように構成した場合でも、従来から用いられている金属層のみで構成することができる。
本発明において、前記複数の副補助容量に含まれる第1の副補助容量と第2の副補助容量とでは、前記第1の副補助容量の上電極が前記第2の副補助容量の下電極に直接、接続することにより、前記第1の副補助容量と前記第2の副補助容量とが直列に電気的に接続されていることが好ましい。このように構成すると、副補助容量同士を直列に電気的するのに大きなスペースが必要ないので、高い画素開口率を確保できる。
本発明の別の形態では、走査線およびデータ線のうちの一方を第1の信号線とし、他方を第2の信号線としたとき、前記第1の信号線と前記第2の信号線の交差点に対応する複数の位置の各々に画素を備え、当該画素は、前記第1の信号線と前記第2の信号線の間で前記第1の信号線側に接続された画素スイッチング用のTFDと、該TFDに直列に電気的に接続されて前記第2の信号線側に位置する液晶容量とを備えた液晶表示装置において、前記画素は、少なくとも第1の副画素と第2の副画素とに分割され、前記液晶容量は、前記第1の副画素に対応する第1の副液晶容量と、前記第2の副画素に対応する前記第2の副液晶容量とに分割され、前記第2の副液晶容量と前記TFDとの間には、当該第2の副液晶容量に直列、かつ、前記第1の副液晶容量に並列に補助容量が電気的に接続されていることを特徴とする。
本発明では、補助容量が第2の副液晶容量に直列、かつ、第1の副液晶容量に並列に電気的に接続されているため、第2の副液晶容量自身と補助容量とによって、駆動電圧を容量分割でき、容量分割された電圧が第1の副液晶容量と第2の副液晶容量に印加される。このため、画素スイッチング素子としてTFDを用いた場合でも、画素を複数の副画素に分割することによって視角特性を改善することができる。
本発明においては、例えば、液晶層を挟んで対向配置された素子基板および対向基板を有し、前記素子基板には、前記第1の信号線と、前記第2の信号線と、前記TFDと、前記補助容量と、前記第1の副画素電極と、前記第2の副画素電極と、前記第2の信号線から延びて前記第1の副画素電極および前記第2の副画素電極との間に前記第1の副液晶容量および前記第2の副液晶容量を構成する対向電極とが形成されている。すなわち、本発明は、IPSモード以外の各種液晶を用いた液晶表示装置に適用することができる。
本発明において、IPSモードやFFS(Fringe Field Switching)モードなど、横電界を利用する場合、液晶層を挟んで対向配置された素子基板および対向基板を有し、前記素子基板には、前記第1の信号線、前記TFD、前記補助容量、前記第1の副画素電極、および前記第2の副画素電極が形成され、前記対向基板には、前記第1の副画素電極および前記第2の副画素電極との間に前記第1の副液晶容量および前記第2の副液晶容量を構成する液晶駆動用電極が形成される。
本発明において、前記素子基板上において、前記第1の信号線および前記TFD用の上電極は各々、第1の金属から構成され、前記第2の信号線およびTFD用の下電極は各々、前記第1の金属より上層側に形成された第2の金属から構成され、前記複数の副補助容量では、前記副補助容量用の下電極は前記第1の金属から構成され、前記副補助容量用の上電極は、前記第2の金属から構成されていることが好ましい。このように構成すると、画素スイッチング素子としてTFDを用いた液晶表示装置において、容量分割された電圧が複数の副液晶容量に印加されるように構成した場合でも、従来から用いられている金属層のみで構成することができる。
本発明において、前記TFDの上電極は、前記補助容量の下電極に直接、接続することにより、前記TFDと前記補助容量とが直列に電気的に接続されていることが好ましい。このように構成すると、TFDと補助容量とを直列に電気的するのに大きなスペースが必要ないので、高い画素開口率を確保できる。
以下、本発明の実施形態を図面に基づいて説明する。なお、参照する各図において、図面上で認識可能な大きさとするために縮尺が各層や各部材ごとに異なる場合がある。また、以下の説明では、走査線およびデータ線のうち、走査線を第1の信号線とし、データ線を第2の信号線とし説明するが、データ線を第1の信号線とし、走査線を第2の信号線としてもよい。
[実施の形態1]
(液晶表示装置の基本構成)
図1は、画素スイッチング素子としてTFDを用いた液晶表示装置の基本的な電気的構成を示すブロック図である。
(液晶表示装置の基本構成)
図1は、画素スイッチング素子としてTFDを用いた液晶表示装置の基本的な電気的構成を示すブロック図である。
図1に示すように、本形態の液晶表示装置1では、複数本の走査線3aが行方向(X方向)に延在して形成され、複数本のデータ線6aが列(Y)方向に延在して形成されている。走査線3aとデータ線6aとの各交差点に対応する位置には画素Pが形成され、これらの画素Pは、マトリクス状に配置されている。各画素Pでは、液晶容量Lと、画素スイッチング素子としてのTFD40とが直列に接続しており、図1に示す例では、液晶容量Lが走査線3aの側に、TFD40がデータ線6aの側にそれぞれ接続されている。なお、液晶容量Lがデータ線6aの側に、TFD40が走査線3aの側にそれぞれ接続されることもある。ここで、各走査線3aは、走査線駆動回路57によって駆動される一方、各データ線6aは、データ線駆動回路58によって駆動される。
(画素構成)
図2、図3および図4は、本発明の実施の形態1に係る液晶表示装置の画素1つ分の等価回路図、この液晶表示装置の画素1つ分の断面図、および素子基板の画素1つ分の平面図である。なお、図3は、図4のA1−B1線での断面図に相当する。また、図4には、データ線と同時形成された導電膜に対しては右下がりの斜線を付し、走査線と同時形成された導電膜に対しては、右上がりの斜線を付してある。
図2、図3および図4は、本発明の実施の形態1に係る液晶表示装置の画素1つ分の等価回路図、この液晶表示装置の画素1つ分の断面図、および素子基板の画素1つ分の平面図である。なお、図3は、図4のA1−B1線での断面図に相当する。また、図4には、データ線と同時形成された導電膜に対しては右下がりの斜線を付し、走査線と同時形成された導電膜に対しては、右上がりの斜線を付してある。
図2に示すように、画素Pは、TFD40に直列、かつ、液晶容量Lに並列に電気的に接続された補助容量Cを有するとともに、補助容量Cは、直列に接続された第1の副補助容量C1と第2の副補助容量C2に分割されている。また、液晶容量Lは、第1の副補助容量C1と第2の副補助容量C2によって容量分割された電圧が印加される第1の副液晶容量L1と第2の副液晶容量L2とに分割され、画素Pは、第1の副液晶容量L1に対応する第1の副画素P1と、第2の副液晶容量L2に対応する第2の副画素P2とに分割されている。2つの副液晶容量L1、L2のうち、第1の副液晶容量L1は、2つの副補助容量C1、C2からなる補助容量Cに並列に電気的に接続し、第2の副液晶容量L2は、第2の副補助容量C2に並列に電気的に接続している。
このように構成した液晶表示装置1では、画素Pが選択されたとき、走査線3aとデータ線6aの差に相当する電圧が第1の副補助容量C1と第2の副補助容量C2とによって分割され、第2の副液晶容量L2には、同一の画素P内に形成された第1の第1の副液晶容量L1と比較して低い電位が印加される。それ故、第1の副液晶容量L1に対応する第1の副画素P1の視角特性と、第2の副液晶容量L2に対応する第2の副画素P2の視角特性が補完し合う結果、視角特性の向上が図られる。
本形態の液晶表示装置1を構成するにあたっては、図3に示すように、素子基板10と対向基板20とが対向配置され、かつ、これらの基板間に液晶層2が保持されている。本形態では、液晶層2にはIPS(In−Plane Switching)モードの液晶が用いられているため、対向基板20には、配向膜22は形成されているが、対向電極は形成されていない。また、IPSモードでは、液晶に水平方向の電界を印加するため、後述するように、副液晶容量L1、L2(副画素P1、P2)を構成する液晶駆動電極は全て素子基板20の方に形成されることになる。
図3および図4に示すように、TFD40は、2つのTFDが直列に接続されたBack−to−Back構造を有している。すなわち、TFD40は、素子基板20の表面に形成された下地層11上に下電極6bを有し、この下電極6bの上面および側面には絶縁膜7aが形成され、かつ、絶縁膜7aの上層には、走査線3aと上電極3bとが離間した位置に形成されている。下地層11は、例えば、厚さが80nm程度のタンタル酸化膜などの絶縁膜によって構成され、下電極6bの構成によっては省略してもよい。なお、データ線6aは、厚さ約200nm程度のタンタルやタンタル合金から形成され、走査線3aおよび上電極3bは、厚さが300nm程度のクロムから構成されている。
TFD40とデータ線6aとの間には、第1の副補助容量C1と第2の副補助容量C2とが形成されている。第1の副補助容量C1は、島状のタンタル膜からなる下電極6cと、この下電極6cの表面を覆うタンタル酸化膜からなる誘電体膜7cと、TFD40の上電極3bから延びた上電極3cとによって構成されている。第2の副補助容量C2は、データ線6aから延びた下電極6dと、この下電極6dの表面を覆うタンタル酸化膜からなる誘電体膜7dと、島状のクロム膜からなる上電極3dとによって構成されている。ここで、誘電体膜7c、7dは、TFD40の絶縁膜7aよりも厚く、その厚さは200nm程度である。
第2の副補助容量C2の上電極3dは、第1の副補助容量C1の下電極6cの切断面(露出部分6c′)に接触しており、上電極3dと下電極6cとは直接、接続されている。このようにして、第1の副補助容量C1と第2の副補助容量C2とが直列に電気的に接続されている。
本形態では、液晶をIPSモードで使用するため、第1の副補助容量C1の上電極3cには、厚さが50nm程度のITO膜からなる第1の液晶駆動電極8aが積層され、この第1の液晶駆動電極8aは、データ線6aと平行に延びている。また、第2の副補助容量C2の上電極3dには、同じく、厚さが50nm程度のITO膜からなる第2の液晶駆動電極8bが積層され、この第2の液晶駆動電極8bも、データ線6aと平行に延びている。第1の液晶駆動電極8aおよび第2の液晶駆動電極8bの上層側には配向膜19が形成されている。データ線6aからは、第1の液晶駆動電極8aおよび第2の液晶駆動電極8bを両側で挟むように櫛歯状の電極6eが延びている。従って、第1の液晶駆動電極8aと櫛歯状の電極6eとの間には、第1の副液晶容量L1(第1の副画素P1)が形成され、第2の液晶駆動電極8bと櫛歯状の電極6eおよびデータ線6aとの間には、第2の副液晶容量L2(第1の副画素P2)が形成されている。
なお、タンタル膜に関して点線で示す部分6x、6yは、後述する製造工程の途中まで、陽極酸化を行うために給電用にタンタル膜が形成されていた部分を示しており、かかる部分は、素子基板20の完成までの間に切除される。
(本形態の効果)
このように本形態では、導電膜としては、従来の液晶表示装置で使用されているクロム膜、タンタル膜、およびITO膜のみを用いるだけで、図2に示す電気的構成を備えた画素Pが構成されている。また、第1の副補助容量C1と第2の副補助容量C2とを直列に接続するにあたって、第2の副補助容量C2の上電極3dと、第1の副補助容量C1の下電極6cとを直接、接続しているので、かかる接続を行うのに大きなスペースが必要ない。従って、高い画素開口率を確保できる。
このように本形態では、導電膜としては、従来の液晶表示装置で使用されているクロム膜、タンタル膜、およびITO膜のみを用いるだけで、図2に示す電気的構成を備えた画素Pが構成されている。また、第1の副補助容量C1と第2の副補助容量C2とを直列に接続するにあたって、第2の副補助容量C2の上電極3dと、第1の副補助容量C1の下電極6cとを直接、接続しているので、かかる接続を行うのに大きなスペースが必要ない。従って、高い画素開口率を確保できる。
(製造方法)
図5(a)〜(g)は、本形態の液晶表示装置1の製造工程のうち、素子基板10の製造工程を示す工程断面図である。
図5(a)〜(g)は、本形態の液晶表示装置1の製造工程のうち、素子基板10の製造工程を示す工程断面図である。
本形態の素子基板10を形成するにあたっては、まず、図5(a)に示すように、素子基板20の表面に下地層11を形成する。次に、図5(b)に示すように、タンタル膜の成膜後、パターニングすることにより、データ線6a、下電極6b、6c、6dを形成する。その際、図4に点線で示す部分6x、6yにもタンタル膜を形成する。
次に、データ線6aを給電線としてタンタル膜に陽極酸化を施し、図5(c)に示すように、下電極6bの表面にタンタル酸化膜からなる絶縁膜7aを形成する。次に、図4に点線で示す部分6xのタンタル膜を除去した後、さらに高い電圧で陽極酸化を行い、図5(d)に示すように、下電極6c、6dの表面にタンタル酸化膜からなる誘電体膜7c、7dを形成する。
次に、図5(e)に示すように、図4に点線で示す部分6yのタンタル膜を除去する。次に、図5(f)に示すように、クロム膜の成膜後、パターニングすることにより、走査線3a、上電極3b、3c、3dを形成する。次に、図5(g)に示すように、ITO膜の成膜後、パターニングすることにより、第1の液晶駆動電極8aおよび第2の液晶駆動電極8bを形成する。以降の工程については、説明を省略する。
[実施の形態2]
図6および図7は、本発明の実施の形態2に係る液晶表示装置の画素1つ分の等価回路図、および素子基板の画素1つ分の平面図である。なお、本形態および後述する形態はいずれも、基本的な構成が実施の形態1と共通しているので、共通する部分には同一の符号を付してそれらの説明を省略する。
図6および図7は、本発明の実施の形態2に係る液晶表示装置の画素1つ分の等価回路図、および素子基板の画素1つ分の平面図である。なお、本形態および後述する形態はいずれも、基本的な構成が実施の形態1と共通しているので、共通する部分には同一の符号を付してそれらの説明を省略する。
図6に示すように、本形態の液晶表示装置においても、実施の形態1と同様、補助容量Cは、直列に接続された第1の副補助容量C1と第2の副補助容量C2とに分割されている。液晶容量Lは、副補助容量C1、C2によって容量分割された電圧が印加される副液晶容量L1、L2に分割され、画素Pは、第1の副液晶容量L1に対応する第1の副画素P1と、第2の副液晶容量L2に対応する第2の副画素P2とに分割されている。本形態において、第1の副液晶容量L1は、実施の形態1と同様、2つの副補助容量C1、C2からなる補助容量Cに並列に電気的に接続しているが、第2の副液晶容量L2は、実施の形態1と違って、第1の副補助容量C1に並列に電気的に接続している。
本形態の液晶表示装置1でも、液晶層2にはIPSモードの液晶が用いられているため、図7に示すように、素子基板20では、第1の副補助容量C1の上電極3cに、厚さが50nm程度のITO膜からなる液晶駆動電極8cが積層され、この液晶駆動電極8cは、データ線6aと平行に延びた後、コの字状に屈曲している。また、第1の副補助容量C2の下電極6dからは、2本の液晶駆動電極6g、6iが櫛歯状にデータ線6aと平行に延びている。従って、液晶駆動電極8cの先端部分8eと、液晶駆動電極6iおよびデータ線6aとの間に第1の副液晶容量L1(第1の副画素P1)が形成され、液晶駆動電極8cの根元部分8dと液晶駆動電極6g、6iとの間に第2の副液晶容量L2(第1の副画素P2)が形成されている。その他の構成は、実施の形態1と同様であるため、説明を省略する。
[実施の形態3]
図8および図9は、本発明の実施の形態3に係る液晶表示装置の画素1つ分の等価回路図、および素子基板の画素1つ分の平面図である。
図8および図9は、本発明の実施の形態3に係る液晶表示装置の画素1つ分の等価回路図、および素子基板の画素1つ分の平面図である。
図8に示すように、本形態の液晶表示装置においては、補助容量Cは、直列に接続された第1の副補助容量C1と第2の副補助容量C2と第3の副補助容量C3とに分割されている。また、液晶容量Lは、副補助容量C1、C2、C3によって容量分割された電圧が印加される副液晶容量L1、L2、L3に分割され、画素Pは、第1の副液晶容量L1に対応する第1の副画素P1と、第2の副液晶容量L2に対応する第2の副画素P2と、第3の副液晶容量L3に対応する第3の副画素P3とに分割されている。本形態において、副液晶容量L1、L2、L3は各々、副補助容量C1、C2、C3に並列に電気的に接続している。
本形態の液晶表示装置1でも、液晶層2にはIPSモードの液晶が用いられているため、図9に示すように、TFD40とデータ線6aとの間には、第1の副補助容量C1と第2の副補助容量C2と第3の副補助容量C3とこの順に配置され、かつ、直列に接続されている。第1の副補助容量C1は、島状のタンタル膜からなる下電極6cと、この下電極6cの表面を覆うタンタル酸化膜からなる誘電体膜と、TFD40の上電極3bから延びた上電極3cとによって構成されている。第2の副補助容量C2は、島状のタンタル膜からなる下電極6eと、この下電極6eの表面を覆うタンタル酸化膜からなる誘電体膜と、島状のクロム膜からなる上電極3eとによって構成されている。第3の副補助容量C3は、データ線6aから延びた下電極6fと、この下電極6fの表面を覆うタンタル酸化膜からなる誘電体膜7dと、島状のクロム膜からなる上電極3fとによって構成されている。
第2の副補助容量C2の上電極3eは、第1の副補助容量C1の下電極6cの切断面(露出部分6c′)に接触しており、上電極3eと下電極6cとは直接、接続されている。第3の副補助容量C3の上電極3fは、第2の副補助容量C2の下電極6eの切断面(露出部分6e′)に接触しており、上電極3fと下電極6eは直接、接続されている。このようにして、TFD40とデータ線6aとの間において、副補助容量C1、C2、C3が直列に電気的に接続されている。
本形態では、液晶をIPSモードで使用するため、第1の副補助容量C1の上電極3cには、厚さが50nm程度のITO膜からなる第1の液晶駆動電極8fが積層され、この第1の液晶駆動電極8fは、データ線6aと平行に延びている。また、第2の副補助容量C2の上電極3eには、同じく、厚さが50nm程度のITO膜からなる第2の液晶駆動電極8gが積層され、この第2の液晶駆動電極8gも、データ線6aと平行に延びている。さらに、第3の副補助容量C3の上電極3fには、同じく、厚さが50nm程度のITO膜からなる第3の液晶駆動電極8iが積層され、この第3の液晶駆動電極8iも、データ線6aと平行に延びている。一方、第1の副補助容量C1の下電極6cからは、データ線6aと平行に第4の液晶駆動電極6jが延びている。従って、第1の液晶駆動電極8fと第4の液晶駆動電極6jとの間には、第1の副液晶容量L1(第1の副画素P1)が形成され、第1の液晶駆動電極8aと第2の液晶駆動電極8gとの間にも第1の副液晶容量L1(第1の副画素P1)が形成されている。また、第2の液晶駆動電極8gと第3の液晶駆動電極8hとの間には、第2の副液晶容量L2(第2の副画素P2)が形成され、第3の液晶駆動電極8hとデータ線6aとの間には第3の副液晶容量L3(第3の副画素P3)が形成されている。
[実施の形態4]
図10および図11は、本発明の実施の形態4に係る液晶表示装置の画素1つ分の等価回路図、および素子基板の画素1つ分の平面図である。
図10および図11は、本発明の実施の形態4に係る液晶表示装置の画素1つ分の等価回路図、および素子基板の画素1つ分の平面図である。
図10に示すように、本形態の液晶表示装置において、補助容量Cは、直列に接続された第1の副補助容量C1と第2の副補助容量C2と第3の副補助容量C3とに分割されている。また、液晶容量Lは、副補助容量C1、C2、C3によって容量分割された電圧が印加される4つの副液晶容量L1、L2、L3、L4に分割され、画素Pは、第1の副液晶容量L1に対応する第1の副画素P1と、第2の副液晶容量L2に対応する第2の副画素P2と、第3の副液晶容量L3に対応する第3の副画素P3と、第4の副液晶容量L4に対応する第4の副画素P4に分割されている。本形態において、副液晶容量L2、L3は各々、副補助容量C1、C2に並列に電気的に接続している。また、副液晶容量L1は、3つの副補助容量C1、C2、C3を合成した補助容量Cに並列に電気的に接続し、副液晶容量L4は、2つの副補助容量C1、C2を合成した容量に並列に電気的に接続している。
本形態の液晶表示装置1でも、液晶層2にはIPSモードの液晶が用いられているため、実施の形態3と同様、図11に示すように、TFD40とデータ線6aとの間には、第1の副補助容量C1と第2の副補助容量C2と第3の副補助容量C3とこの順に配置され、かつ、直列に接続されている。
また、第1の副補助容量C1の上電極3cには、厚さが50nm程度のITO膜からなる第1の液晶駆動電極8iが積層され、この第1の液晶駆動電極8iは、データ線6aに平行に延びた後、コの字状に屈曲している。第1の副補助容量C1の下電極6cからは、第1の液晶駆動電極8iを間に挟むように第2の液晶駆動電極6mと第3の液晶駆動電極6nが延びている。さらに、第2の副補助容量C2の下電極6eからは、第3の液晶駆動電極6nと並列して第4の液晶駆動電極6sが延びている。従って、第1の液晶駆動電極8iの先端部分8kとデータ線6aとの間には、第1の副液晶容量L1(第1の副画素P1)が形成され、第2の液晶駆動電極6mと第1の液晶駆動電極8iの根元部分8jとの間に第2の副液晶容量L2(第2の副画素P2)が形成され、第3の液晶駆動電極6mと第4の液晶駆動電極6cとの間には、第4の副液晶容量L4(第4の副画素P4)が形成されている。
[実施の形態5]
上記実施の形態は、駆動電圧を複数の副補助容量によって容量分割する構成であったが、本形態および後述する実施の形態6では、液晶容量自身を容量分割に利用する形態であり、補助容量は1つだけである。かかる構成を図12、図13および図14を参照して説明する。
上記実施の形態は、駆動電圧を複数の副補助容量によって容量分割する構成であったが、本形態および後述する実施の形態6では、液晶容量自身を容量分割に利用する形態であり、補助容量は1つだけである。かかる構成を図12、図13および図14を参照して説明する。
図12、図13および図14は、本発明の実施の形態5に係る液晶表示装置の画素1つ分の等価回路図、この液晶表示装置の画素1つ分の断面図、および素子基板の画素1つ分の平面図である。なお、図13は、図14のA5−B5線での断面図に相当する。また、図14には、データ線と同時形成された導電膜に対しては右下がりの斜線を付し、走査線と同時形成された導電膜に対しては、右上がりの斜線を付してある。
図12に示すように、画素Pは、第1の副画素P1と第2の副画素P2とに分割され、液晶容量L1は、第1の副画素P1に対応する第1の副液晶容量L1と、第2の副画素P2に対応する第2の副液晶容量L2とに分割されている。ここで、第2の副液晶容量L2とTFD40との間には、第2の副液晶容量L2に直列、かつ、第1の副液晶容量L1に並列に補助容量Cが電気的に接続されている。従って、第2の副液晶容量L2は、第2の副液晶容量L2自身と、補助容量Cとによって容量分割された電圧が印加されることになり、第2の副液晶容量L2には、同一の画素P内に形成された第1の第1の副液晶容量L1と比較して低い電位が印加される。それ故、第1の副液晶容量L1に対応する第1の副画素P1の視角特性と、第2の副液晶容量L2に対応する第2の副画素P2の視角特性が補完し合う結果、視角特性の向上が図られる。
本形態の液晶表示装置1を構成するにあたっては、図13および図14に示すように、素子基板10では、TFD40とデータ線6aとの間に補助容量Cが構成されている。補助容量Cは、島状のタンタル膜からなる下電極6tと、この下電極6tの表面を覆うタンタル酸化膜からなる誘電体膜7tと、島状のクロム膜からなる上電極3tとによって構成されている。
ここで、TFD40の上電極3bは、補助容量Cの下電極6tの切断面(露出部分6t′)に接触しており、上電極3bと下電極6tとは直接、接続されている。このようにして、TFD40と補助容量Cが直列に電気的に接続されている。なお、本形態でも、タンタル膜に関して点線で示す部分6x、6yは、実施の形態1と同様、製造工程の途中まで、陽極酸化を行うために給電用にタンタル膜が形成されていた部分を示しており、かかる部分は各々、実施の形態1で説明したタイミングで切除される。
本形態では、液晶をIPSモードで使用するため、TFD40の上電極3bには、厚さが50nm程度のITO膜からなる第1の液晶駆動電極8sが積層され、この第1の液晶駆動電極8sは、データ線6aと平行に延びている。また、補助容量Cの上電極3tには、同じく、厚さが50nm程度のITO膜からなる第2の液晶駆動電極8tが積層され、この第2の液晶駆動電極8tも、データ線6aと平行に延びている。さらに、データ線6aからは、第1の液晶駆動電極8sおよび第2の液晶駆動電極8tを両側で挟むように櫛歯状の電極6eが延びている。従って、第1の液晶駆動電極8sと櫛歯状の電極6eとの間には、第1の副液晶容量L1(第1の副画素P1)が形成され、第2の液晶駆動電極8tと櫛歯状の電極6eおよびデータ線6aとの間には、第2の副液晶容量L2(第1の副画素P2)が形成されている。
このように本形態では、補助容量Cが第2の副液晶容量L2に直列、かつ、第1の副液晶容量L1に並列に電気的に接続されているため、第2の副液晶容量L2自身と補助容量Cとによって、駆動電圧を容量分割でき、容量分割された電圧が第1の副液晶容量L1と第2の副液晶容量L2に印加される。このため、画素スイッチング素子としてTFD40を用いた場合でも、画素Pを複数の副画素L1、L2に分割することによって視角特性を改善することができる。
また、TFD40の上電極3bは、補助容量Cの下電極6tの切断面(露出部分6t′)に接触して上電極3bと下電極6tとは直接、接続されているため、TFD40と補助容量Cを直列に電気的に接続するにあたって、かかる接続に要する領域が狭くて済む。それ故、高い画素開口率を確保することができる。
[実施の形態6]
上記実施の形態5は、液晶をIPSモードで使用する場合であったが、液晶容量自身を容量分割に利用する形態については、IPSモード以外の全ての液晶、例えば、TN液晶、ECBモードの液晶、ゲストホストタイプの液晶、垂直配向の液晶を用いた場合にも適用できるので、かかる構成を図15、図16および図17を参照して説明する。
上記実施の形態5は、液晶をIPSモードで使用する場合であったが、液晶容量自身を容量分割に利用する形態については、IPSモード以外の全ての液晶、例えば、TN液晶、ECBモードの液晶、ゲストホストタイプの液晶、垂直配向の液晶を用いた場合にも適用できるので、かかる構成を図15、図16および図17を参照して説明する。
図15、図16および図17は、本発明の実施の形態6に係る液晶表示装置の画素1つ分の等価回路図、この液晶表示装置の画素1つ分の断面図、および素子基板の画素1つ分の平面図である。なお、図16は、図17のA6−B6線での断面図に相当する。また、図17には、データ線と同時形成された導電膜に対しては右下がりの斜線を付し、走査線と同時形成された導電膜に対しては、右上がりの斜線を付してある。
図15に示すように、本形態でも、実施の形態5と同様、画素Pでは、走査線3aとデータ線6aとの間にTFD40と液晶容量Lとが直列に接続しているが、本形態においては、IPSモード以外の全ての液晶、例えば、TN液晶、ECBモードの液晶、ゲストホストタイプの液晶、あるいは垂直配向の液晶が使用されるので、データ線6aは、図16に示す対向基板20に形成した帯状の対向電極21によって構成されている。なお、対向基板20には配向膜22も形成されている。
再び図15において、本形態でも、実施の形態5と同様、画素Pは、第1の副画素P1と第2の副画素P2とに分割され、液晶容量L1は、第1の副画素P1に対応する第1の副液晶容量L1と、第2の副画素P2に対応する第2の副液晶容量L2とに分割されている。ここで、第2の副液晶容量L2とTFD40との間には、第2の副液晶容量L2に直列、かつ、第1の副液晶容量L1に並列に補助容量Cが電気的に接続されている。従って、第2の副液晶容量L2は、第2の副液晶容量L2自身と、補助容量Cとによって容量分割された電圧が印加されることになり、第2の副液晶容量L2には、同一の画素P内に形成された第1の第1の副液晶容量L1と比較して低い電位が印加される。それ故、第1の副液晶容量L1に対応する第1の副画素P1の視角特性と、第2の副液晶容量L2に対応する第2の副画素P2の視角特性が補完し合う結果、視角特性の向上が図られる。
本形態の液晶表示装置1を構成するにあたっては、図16および図17に示すように、TFD40とデータ線6aとの間に補助容量Cが構成されている。補助容量Cは、島状のタンタル膜からなる下電極6tと、この下電極6tの表面を覆うタンタル酸化膜からなる誘電体膜7tと、島状のクロム膜からなる上電極3tとによって構成されている。ここで、TFD40の上電極3bは、補助容量Cの下電極6tの切断面(露出部分6t′)に接触しており、上電極3bと下電極6tとは直接、接続されている。このようにして、TFD40と補助容量Cが直列に電気的に接続されている。
TFD40の上電極3bには、厚さが50nm程度のITO膜からなる第1の副画素電極8uが積層され、この第1の副画素電極8uは、対向電極21との間に第1の副液晶容量L1(第1の副画素P1)を構成している。また、保持容量Cの上電極3tには、同じく、厚さが50nm程度のITO膜からなる第2の副画素電極8vが積層され、この第2の副画素電極8vは、対向電極21との間に第2の副液晶容量L2(第2の副画素P2)を構成している。
なお、本形態でも、タンタル膜に関して点線で示す部分6x、6yは、実施の形態1と同様、製造工程の途中まで、陽極酸化を行うために給電用にタンタル膜が形成されていた部分を示しており、かかる部分は各々、実施の形態1で説明したタイミングで切除される。
[電子機器への搭載例]
本発明を適用した電気光学装置は、携帯電話機やモバイル型のパーソナルコンピュータの他、マルチメディア対応のパーソナルコンピュータ(PC)、エンジニアリング・ワークステーション(EWS)、ページャ、ワードプロセッサ、テレビ、ビューファインダ型またはモニタ直視型のビデオテープレコーダ、電子手帳、電子卓上計算機、カーナビゲーション装置、POS端末、タッチパネルなどの電子機器に適用できる他、30インチを越えるような大画面を備えた電子機器を構成するのに用いることもできる。
本発明を適用した電気光学装置は、携帯電話機やモバイル型のパーソナルコンピュータの他、マルチメディア対応のパーソナルコンピュータ(PC)、エンジニアリング・ワークステーション(EWS)、ページャ、ワードプロセッサ、テレビ、ビューファインダ型またはモニタ直視型のビデオテープレコーダ、電子手帳、電子卓上計算機、カーナビゲーション装置、POS端末、タッチパネルなどの電子機器に適用できる他、30インチを越えるような大画面を備えた電子機器を構成するのに用いることもできる。
1・・液晶表示装置、2・・液晶層、3a・・走査線、6a・・データ線、10・・素子基板、20・・対向基板、21対向電極、40・・TFD、C・・補助容量、C1、C2、C3・・副補助容量、L・・液晶容量、L1、L2、L3、L4・・副液晶容量、P・・画素、P1、P2、P3、P4・・副画素
Claims (9)
- 走査線およびデータ線のうちの一方を第1の信号線とし、他方を第2の信号線としたとき、前記第1の信号線と前記第2の信号線の交差に対応して複数の画素を備え、当該画素は、前記第1の信号線と前記第2の信号線の間で前記第1の信号線側に接続された画素スイッチング用の薄膜ダイオードと、該薄膜ダイオードに直列に電気的に接続されて前記第2の信号線側に位置する液晶容量とを備えた液晶表示装置において、
前記薄膜ダイオードに直列、かつ、前記液晶容量に並列に電気的に接続された補助容量を有するとともに、当該補助容量は、直列に接続された複数の副補助容量に分割され、
前記液晶容量は、前記複数の副補助容量によって容量分割された電圧が印加される複数の副液晶容量に分割され、
前記画素は、前記複数の副補助容量の各々に対応する複数の副画素に分割されていることを特徴とする液晶表示装置。 - 液晶層を挟んで対向配置された素子基板および対向基板を有し、
前記素子基板には、前記第1の信号線と、前記第2の信号線と、前記薄膜ダイオードと、前記複数の副補助容量と、当該複数の副補助容量の各副補助容量用の上電極および各副補助用容量の下電極の各々に電気的に接続して前記複数の副液晶容量を構成する複数の液晶駆動用電極とが形成されていることを特徴とする請求項1に記載の液晶表示装置。 - 前記素子基板上において、前記第1の信号線および薄膜ダイオード用の上電極は各々、第1の金属から構成され、前記第2の信号線および薄膜ダイオード用の下電極は各々、前記第1の金属より上層側に形成された第2の金属から構成され、
前記複数の副補助容量では、前記副補助容量用の下電極は前記第1の金属から構成され、前記副補助容量用の上電極は、前記第2の金属から構成されていることを特徴とする請求項2に記載の液晶表示装置。 - 前記複数の副補助容量に含まれる第1の副補助容量と第2の副補助容量とでは、前記第1の副補助容量の上電極が前記第2の副補助容量の下電極に直接、接続することにより、前記第1の副補助容量と前記第2の副補助容量とが直列に電気的に接続されていることを特徴とする請求項2または3に記載の液晶表示装置。
- 走査線およびデータ線のうちの一方を第1の信号線とし、他方を第2の信号線としたとき、前記第1の信号線と前記第2の信号線の交差に対応して複数の画素を備え、当該画素は、前記第1の信号線と前記第2の信号線の間で前記第1の信号線側に接続された画素スイッチング用の薄膜ダイオードと、該薄膜ダイオードに直列に電気的に接続されて前記第2の信号線側に位置する液晶容量とを備えた液晶表示装置において、
前記画素は、少なくとも第1の副画素と第2の副画素とに分割され、
前記液晶容量は、前記第1の副画素に対応する第1の副液晶容量と、前記第2の副画素に対応する前記第2の副液晶容量とに分割され、
前記第2の副液晶容量と前記薄膜ダイオードとの間には、当該第2の副液晶容量に直列、かつ、前記第1の副液晶容量に並列に補助容量が電気的に接続されていることを特徴とする液晶表示装置。 - 液晶層を挟んで対向配置された素子基板および対向基板を有し、
前記素子基板には、前記第1の信号線と、前記第2の信号線と、前記薄膜ダイオードと、前記補助容量と、前記第1の副画素電極と、前記第2の副画素電極と、前記第2の信号線から延びて前記第1の副画素電極および前記第2の副画素電極との間に前記第1の副液晶容量および前記第2の副液晶容量を構成する液晶駆動用電極とが形成されていることを特徴とする請求項5に記載の液晶表示装置。 - 液晶層を挟んで対向配置された素子基板および対向基板を有し、
前記素子基板には、前記第1の信号線、前記薄膜ダイオード、前記補助容量、前記第1の副画素電極、および前記第2の副画素電極が形成され、
前記対向基板には、前記第1の副画素電極および前記第2の副画素電極との間に前記第1の副液晶容量および前記第2の副液晶容量を構成する液晶駆動用電極が形成されていることを特徴とする請求項5に記載の液晶表示装置。 - 前記素子基板上において、前記第1の信号線および前記薄膜ダイオード用の上電極は各々、第1の金属から構成され、前記第2の信号線および薄膜ダイオード用の下電極は各々、前記第1の金属より上層側に形成された第2の金属から構成され、
前記複数の副補助容量では、前記副補助容量用の下電極は前記第1の金属から構成され、前記副補助容量用の上電極は、前記第2の金属から構成されていることを特徴とする請求項6または7に記載の液晶表示装置。 - 前記薄膜ダイオードの上電極は、前記補助容量の下電極に直接、接続することにより、前記薄膜ダイオードと前記補助容量とが直列に電気的に接続されていることを特徴とする請求項8に記載の液晶表示装置。
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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US8587505B2 (en) | 2005-05-03 | 2013-11-19 | Hannstar Display Corporation | Pixel structure with improved viewing angle |
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CN114706241A (zh) * | 2020-09-11 | 2022-07-05 | 山东蓝贝思特教装集团股份有限公司 | 具备书写显示和电驱动显示的液晶书写装置及方法 |
-
2005
- 2005-03-30 JP JP2005097194A patent/JP2006276583A/ja not_active Withdrawn
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