JP2006276582A - 液晶表示装置 - Google Patents
液晶表示装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2006276582A JP2006276582A JP2005097193A JP2005097193A JP2006276582A JP 2006276582 A JP2006276582 A JP 2006276582A JP 2005097193 A JP2005097193 A JP 2005097193A JP 2005097193 A JP2005097193 A JP 2005097193A JP 2006276582 A JP2006276582 A JP 2006276582A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- sub
- liquid crystal
- auxiliary
- electrode
- capacitor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Images
Landscapes
- Liquid Crystal (AREA)
- Thin Film Transistor (AREA)
Abstract
【課題】 画素分割によって視角特性を改善した場合でも、画素開口率の低下を抑えることのできる液晶表示装置を提供すること。
【解決手段】 液晶表示装置の複数の画素Pにおいて、補助容量Cは、直列に接続された2つの副補助容量C1、C2に分割され、液晶容量Lは、2つの副補助容量C1、C2によって容量分割された電圧が印加される2つの副液晶容量L1、L2に分割されている。従って、画素Pは、2つの副液晶容量L1、L2の各々対応する2つの副画素P1、P2に分割されている。
【選択図】 図2
【解決手段】 液晶表示装置の複数の画素Pにおいて、補助容量Cは、直列に接続された2つの副補助容量C1、C2に分割され、液晶容量Lは、2つの副補助容量C1、C2によって容量分割された電圧が印加される2つの副液晶容量L1、L2に分割されている。従って、画素Pは、2つの副液晶容量L1、L2の各々対応する2つの副画素P1、P2に分割されている。
【選択図】 図2
Description
本発明は、画素スイッチング用の薄膜トランジスタ(以下、TFT(Thin Film Transistor)という)および画素電極を備えた画素が複数の副画素に分割された液晶表示装置に関するものである。
液晶表示装置において、1つの画素を複数の副画素に分割し、各副画素の液晶層に印加する電圧を変化させることによって、広い視野角で良好な多階調表示をさせて視角特性を改善する技術は、画素分割法と称せられる従来技術として周知である。このような画素分割法は、例えば、画素スイッチング素子としてTFTを用いた液晶表示装置において、各画素に補助容量とは別に制御容量を形成することにより実現されている(例えば、特許文献1参照)。
特開平7−325322号公報
しかしながら、上記特許文献に記載の技術のように、各画素に補助容量とは別に制御容量を形成した場合には、画素内に制御容量を追加した分、画素内において表示光が出射される領域の比率(画素開口率)が低下し、明るい表示を行えなくなるという問題点がある。
以上の問題点に鑑みて、本発明の課題は、画素分割によって視角特性を改善した場合でも、画素開口率の低下を抑えることのできる液晶表示装置を提供することにある。
上記課題を解決するために、本発明では、複数の走査線と複数のデータ線との交差に対応して設けられた複数の画素を備え、当該画素は、画素スイッチング用の薄膜トランジスタを介して前記データ線に電気的に接続する液晶容量と、該液晶容量に並列に電気的に接続された補助容量とを備えた液晶表示装置において、前記補助容量は、直列に接続された複数の副補助容量に分割され、前記液晶容量は、前記複数の副補助容量によって容量分割された電圧が印加される複数の副液晶容量に分割され、前記画素は、前記複数の副補助容量の各々に対応する複数の副画素に分割されていることを特徴とする。
本発明では、画素を複数の副画素に分割することによって視角特性を改善するにあたり、液晶容量に並列に電気的に接続される補助容量を複数の副補助容量に分割し、複数の補助容量によって容量分割された電圧が複数の副液晶容量に印加されるように構成してある。このため、補助容量の他に制御容量を追加する必要がない。従って、画素分割によって視角特性を改善した場合でも、画素開口率の低下を抑えることができる。
本発明において、液晶層を挟んで対向配置された素子基板および対向基板を有し、前記素子基板には、前記走査線、前記データ線、前記TFT、前記複数の副補助容量、および前記複数の副画素に対応する複数の副画素電極が形成され、前記対向基板には、前記複数の副画素電極の各々との間に前記複数の副液晶容量を構成する対向電極が形成されている。すなわち、本発明は、IPSモード(In−Plane Switching)以外の各種液晶を用いた液晶表示装置に適用することができる。
また、IPSモードなどの横電界を利用する場合には、液晶層を挟んで対向配置された素子基板および対向基板のうち、前記素子基板の方に、前記走査線、前記データ線、前記TFT、前記複数の副補助容量、前記複数の副液晶容量に対応する複数の副画素電極、および当該複数の副画素電極の各々との間に前記複数の副液晶容量を構成する共通電極を形成すればよい。
本発明において、前記素子基板上には複数の絶縁層が積層されているとともに、当該複数の絶縁層の下層、層間および上層の各々に導電層が形成され、前記複数の副補助容量はいずれも、前記複数の導電層のうち、絶縁層を挟んで対向する2つの導電層を下電極および上電極として構成され、前記複数の副補助容量のうち、下層側に形成された下層側副補助容量の上電極と、当該下層側副補助容量の上層に形成された上層側副補助容量の下電極とは、共通の導電層からなることが好ましい。このように構成すると、複数の副補助容量を構成するための導電層が少なくて済むため、TFTなどを構成する複数の導電層と同時形成された導電層のみで2つの副補助容量を構成でき、さらに多数の副補助容量を構成する場合でも、追加すべき導電層の数が少なくて済む。また、下層側副補助容量と上層側副補助容量とを平面的に重なる領域に形成できるので、画素分割によって視角特性を改善した場合でも、画素開口率の低下を抑えることができる。
本発明において、前記複数の副補助容量を構成する複数の導電層には、前記TFTのゲート電極と同層位置に形成された導電層、前記TFTのソース電極と同層位置に形成された導電層、および前記複数の副画素電極の全てが含まれていることが好ましい。このように構成すると、これらの導電層で2つの副補助容量を構成することができるので、画素を2分割した場合には、新たな導電層が一切、不要である。
以下、本発明の実施形態を図面に基づいて説明する。なお、参照する各図において、図面上で認識可能な大きさとするために縮尺が各層や各部材ごとに異なる場合がある。
[実施の形態1]
(液晶表示装置の基本構成)
図1は、画素スイッチング素子としてTFTを用いた液晶表示装置の基本的な電気的構成を示すブロック図である。
(液晶表示装置の基本構成)
図1は、画素スイッチング素子としてTFTを用いた液晶表示装置の基本的な電気的構成を示すブロック図である。
図1に示す液晶表示装置1は、画素スイッチング素子としてTFTを用いたアクティブマトリクス型液晶表示装置であり、データ線6aと走査線3aとの交差に対応する各々の位置に画素Pを備えている。これらの画素Pの各々には、画素電極9を制御するための画素スイッチング用のTFT30が形成されており、画像信号を供給するデータ線6aが当該TFT30のソースに電気的に接続されている。データ線6aに書き込む画像信号は、データ線駆動回路102から供給される。また、TFT30のゲートには走査線3aが電気的に接続されており、所定のタイミングで、走査線3aにパルス的に走査信号が走査線駆動回路103から供給される。画素電極9は、TFT30のドレインに電気的に接続されており、スイッチング素子であるTFT30を一定期間だけそのオン状態とすることにより、データ線6aから供給される画像信号を各画素に所定のタイミングで書き込む。ここで、画素電極9は、後述する対向電極との間に液晶容量Lを構成しており、画素電極9を介して液晶容量Lに書き込まれた所定レベルの画像信号は、一定期間保持される。また、保持された画像信号がリークするのを防ぐことを目的に、液晶容量Lと並列に補助容量Cを付加することがある。この補助容量Cによって、画素電極9の電圧は、例えば、ソース電圧が印加された時間よりも3桁も長い時間だけ保持される。これにより、液晶容量Lにおける電荷の保持特性が改善され、コントラスト比の高い表示を行うことのできる電気光学装置が実現できる。なお、補助容量Cを形成する方法としては、容量線3bを利用する他、前段の走査線3aからの延設部分を利用することができるが、以下の説明では、容量線3bを利用した構成を説明する。
(画素構成)
図2、図3および図4は、本発明の実施の形態1に係る液晶表示装置の画素1つ分の等価回路図、この液晶表示装置の画素1つ分の断面図、および素子基板の画素1つ分の平面図である。なお、図3は、図4のA1−B1線での断面図に相当する。また、図4には、データ線と同時形成された導電膜に対しては右上がりの斜線を付し、走査線と同時形成された導電膜に対しては、右下がりの斜線を付し、画素電極については一点鎖線で示してある。
図2、図3および図4は、本発明の実施の形態1に係る液晶表示装置の画素1つ分の等価回路図、この液晶表示装置の画素1つ分の断面図、および素子基板の画素1つ分の平面図である。なお、図3は、図4のA1−B1線での断面図に相当する。また、図4には、データ線と同時形成された導電膜に対しては右上がりの斜線を付し、走査線と同時形成された導電膜に対しては、右下がりの斜線を付し、画素電極については一点鎖線で示してある。
図2に示すように、本形態では、補助容量Cは、直列に接続された2つの副補助容量C1、C2に分割され、液晶容量Lは、2つの副補助容量C1、C2によって容量分割された電圧が印加される2つの副液晶容量L1、L2に分割されている。従って、画素Pは、2つの副液晶容量L1、L2の各々対応する2つの副画素P1、P2に分割されている。2つの副液晶容量L1、L2のうち、第1の副液晶容量L1は、2つの副補助容量C1、C2からなる補助容量Cに並列に電気的に接続し、第2の副液晶容量L2は、2つの副補助容量C1、C2のうち、第2の副補助容量C2に並列に電気的に接続している状態にある。
このように構成した液晶表示装置1では、TFT30がオンした際、データ線6aの電位が第1の副補助容量C1と第2の副補助容量C2とによって分割され、第2の副補助容量C2および第2の副液晶容量L2には、同一の画素P内に形成された第1の副補助容量C1および第1の副液晶容量L2と比較して低い電位が印加される。それ故、第1の副液晶容量L1に対応する第1の副画素P1の視角特性と、第2の副液晶容量L2に対応する第2の副画素P2の視角特性が補完し合う結果、視角特性の向上が図られる。
本形態の液晶表示装置1を構成するにあたっては、図3に示すように、素子基板10と対向基板20とが対向配置され、かつ、これらの基板間に液晶層2が保持されている。本形態では、液晶層2には、後述するIPSモード以外の全ての液晶、例えば、TN液晶、ECBモードの液晶、ゲストホストタイプの液晶、垂直配向の液晶が用いられるので、対向基板20には、ITO層からなる対向電極21、および配向膜22がこの順に形成されている。
このような液晶表示装置1における素子基板10の平面構成は、図4に示すように表され、データ線6aと交差する方向に走査線3aが形成されるとともに、走査線3aと並列して容量線3bが形成されている。データ線6aは、TFT30のソース電極6bと一体に形成され、走査線3aは、TFT30のゲート電極3cと一体に構成されている。
容量線3bと平面的に重なる領域には、制御電極6cが形成され、制御電極6と容量線3bとの間に第2の副補助容量C2が形成されている。
TFT30のドレイン領域には、ドレイン電極6dを介して第1の副画素P1(第1の副液晶容量L1)を形成するための第1の副画素電極91が電気的に接続され、この第1の副画素電極91の一部は制御電極6cと平面的に重なって第1の副補助容量C1を形成している。また、画素Pには、第2の副画素P2(第2の副液晶容量L2)を形成するための第2の副画素電極92が形成され、第2の副画素電極92は、制御電極6cにコンタクトホール42bを介して接続している。
このように構成した素子基板20の断面構成は、図3に示すように、素子基板10の下層側から上層側に向かって、TFT30のゲート電極3c、厚さが約300nmのシリコン窒化膜などからなるゲート絶縁膜41、厚さが約150nmのシリコン膜などからなる半導体膜5、ソース電極6b、厚さが約180nmのシリコン窒化膜などからなる層間絶縁膜42、画素電極9、配向膜19が積層された構造になっている。ゲート電極3cと同層位置(ゲート絶縁膜41の下層)には、容量線3bが形成され、これらの導電層はいずれも、例えば、厚さが約250nmのアルミニウム層と、厚さが約250nmのモリブデン層との積層体として構成されている。また、ソース電極6bと同層位置(ゲート絶縁膜41と層間絶縁膜42の層間)には、ドレイン電極6dおよび制御電極6cが形成され、これらの導電層はいずれも、例えば、厚さが約250nmのアルミニウム層と、厚さが約250nmのモリブデン層との積層体として構成されている。さらに、層間絶縁膜42の上層側には、画素電極9として、第1の副画素電極91および第2の副画素電極92が形成され、これらの導電層はいずれも、例えば、厚さが約50nmのITOによって構成されている。
第1の副画素電極91は、層間絶縁膜42のコンタクトホール42aを介してドレイン電極6dに電気的に接続し、第2の副画素電極92は、層間絶縁膜42のコンタクトホール42bを介して制御電極6cに電気的に接続している。なお、半導体膜5のソース電極6bと接する領域、およびドレイン領域と接する領域は、高濃度の不純物がドープされた、厚さが約50nmの高濃度n型半導体層51、52が形成されている。
このように構成した液晶表示装置1では、容量線3b、ゲート絶縁膜41、制御電極6c、層間絶縁膜42、第1の副画素電極91が平面的に重なる領域で積層されている。従って、容量線3bと第1の副画素電極91との間には保持容量Cが構成され、かつ、保持容量Cは、第1の副補助容量C1と第2の副補助容量C2とに分割されている。ここで、第2の副補助容量C2は、容量線3bを下電極とし、ゲート絶縁膜41を誘電体層とし、制御電極6cを上電極としており、第1の副補助容量C1は、制御電極6cを下電極とし、層間絶縁膜42を誘電体層とし、第1の副画素電極91を上電極としている。
従って、第2の副補助容量C2を下層側副補助容量とし、第1の副補助容量C1を上層側副補助容量とみなしたとき、下層側副補助容量(第2の副補助容量C2)の上電極と、上層側副補助容量(第1の副補助容量C1)の下電極とは、共通の導電層(制御電極6c)によって構成されている。
また、本形態の液晶表示装置1では、第1の副画素電極91と対向電極21との間に第1の副液晶容量L1が構成され、第2の副画素電極92と対向電極21との間に第2の副液晶容量L2が構成されている。ここで、容量線3bは、対向電極21と同一の電位に保持されるので、副液晶容量91、92と、副補助容量C1、C2との電気的な接続は、図2を参照して説明したとおりである。
(製造方法)
このような液晶表示装置1を製造するにあたって、素子基板10は概ね、以下の工程
ゲート電極3c、容量線3bの形成工程
ゲート絶縁膜41の形成工程
半導体膜5の形成工程
高濃度n型半導体層51、52の形成工程
ソース電極6b、制御電極6c、ドレイン電極6c、の形成工程
層間絶縁膜42の形成工程
コンタクトホール42a、42bの形成工程
副画素電極91、92の形成工程
により製造でき、画素分割を行わない場合と同様、5回のフォトリソグラフィ工程で済む。すなわち、フォトリソグラフィ工程で用いるマスクパターンを一部変更するだけで、画素分割を採用した液晶表示装置1を製造できる。
このような液晶表示装置1を製造するにあたって、素子基板10は概ね、以下の工程
ゲート電極3c、容量線3bの形成工程
ゲート絶縁膜41の形成工程
半導体膜5の形成工程
高濃度n型半導体層51、52の形成工程
ソース電極6b、制御電極6c、ドレイン電極6c、の形成工程
層間絶縁膜42の形成工程
コンタクトホール42a、42bの形成工程
副画素電極91、92の形成工程
により製造でき、画素分割を行わない場合と同様、5回のフォトリソグラフィ工程で済む。すなわち、フォトリソグラフィ工程で用いるマスクパターンを一部変更するだけで、画素分割を採用した液晶表示装置1を製造できる。
(本形態の効果)
以上説明したように、本形態では、画素分割を行うにあたって、液晶容量Lに並列に電気的に接続される補助容量Cを複数の副補助容量C1、C2に分割し、複数の副補助容量C1、C2によって容量分割された電圧が複数の副液晶容量L1、L2に印加されるように構成してあるため、補助容量Cの他に制御容量を追加する必要がない。従って、画素分割によって視角特性を改善した場合でも、画素開口率の低下を抑えることができる。
以上説明したように、本形態では、画素分割を行うにあたって、液晶容量Lに並列に電気的に接続される補助容量Cを複数の副補助容量C1、C2に分割し、複数の副補助容量C1、C2によって容量分割された電圧が複数の副液晶容量L1、L2に印加されるように構成してあるため、補助容量Cの他に制御容量を追加する必要がない。従って、画素分割によって視角特性を改善した場合でも、画素開口率の低下を抑えることができる。
また、2つの副補助容量C1、C2はいずれも、絶縁層を挟んで対向する2つの導電層を下電極および上電極として構成され、下層側副補助容量(第2の副補助容量C2)の上電極と、上層側副補助容量(第1の副補助容量C1)の下電極とは、共通の導電層(制御電極6c)によって構成されている。このため、2つの副補助容量C1、C2を構成するための導電層が少なくて済むため、TFT30などを構成する複数の導電層と同時形成された導電層のみで2つの副補助容量C1、C2を構成できる。また、下層側副補助容量(第2の副補助容量C2)と、上層側副補助容量(第1の副補助容量C1)とを平面的に重なる領域に形成できるので、画素分割によって視角特性を改善した場合でも、画素開口率の低下を抑えることができる。
[実施の形態2]
図5、図6および図7は、本発明の実施の形態2に係る液晶表示装置の画素1つ分の等価回路図、この液晶表示装置の画素1つ分の断面図、および素子基板の画素1つ分の平面図である。なお、図6は、図7のA2−B2線での断面図に相当する。また、図7には、データ線と同時形成された導電膜に対しては右上がりの斜線を付し、走査線と同時形成された導電膜に対しては、右下がりの斜線を付し、画素電極については一点鎖線で示してある。本形態の液晶表示装置は、基本的な構成が実施の形態1と同様であるため、共通する機能を有する部分には同一の符号を付してそれらの説明を省略する。
図5、図6および図7は、本発明の実施の形態2に係る液晶表示装置の画素1つ分の等価回路図、この液晶表示装置の画素1つ分の断面図、および素子基板の画素1つ分の平面図である。なお、図6は、図7のA2−B2線での断面図に相当する。また、図7には、データ線と同時形成された導電膜に対しては右上がりの斜線を付し、走査線と同時形成された導電膜に対しては、右下がりの斜線を付し、画素電極については一点鎖線で示してある。本形態の液晶表示装置は、基本的な構成が実施の形態1と同様であるため、共通する機能を有する部分には同一の符号を付してそれらの説明を省略する。
図5に示すように、本形態の液晶表示装置1は、複数の画素Pの各々に液晶容量Lおよび補助容量Cを備えており、補助容量Cは、直列に接続された3つの副補助容量C1、C2、C3に分割され、液晶容量Lは、3つの副補助容量C1、C2、C3によって容量分割された電圧が印加される3つの副液晶容量L1、L2、L3に分割されている。従って、画素Pは、3つの副液晶容量L1、L2、L3の各々対応する3つの副画素P1、P2、P3に分割されている。3つの副液晶容量L1、L2、L3のうち、第1の副液晶容量L1は、3つの副補助容量C1、C2、C3を合成した容量に並列に電気的に接続し、第2の副液晶容量L2は、2つの副補助容量C2、C3を合成した容量に並列に電気的に接続し、第3の副液晶容量L3は、第3の副補助容量C3に並列に電気的に接続している状態にある。
このように構成した液晶表示装置1では、TFT30がオンした際、データ線6aの電位が3つの副補助容量C1、C2、C3とによって分割され、以下の高低で示す電位
第3の副補助容量C3および第3の副液晶容量L3
<第2の副補助容量C2および第2の副液晶容量L2
<第1の副補助容量C1および第1の副液晶容量L1
が印加されることになる。
第3の副補助容量C3および第3の副液晶容量L3
<第2の副補助容量C2および第2の副液晶容量L2
<第1の副補助容量C1および第1の副液晶容量L1
が印加されることになる。
このように本形態では、画素分割を行うにあたって、液晶容量Lに並列に電気的に接続される補助容量Cを複数の副補助容量C1、C2、C3に分割し、複数の副補助容量C1、C2、C3によって容量分割された電圧が複数の副液晶容量L1、L2、L3に印加されるように構成してあるため、補助容量Cの他に制御容量を追加する必要がない。従って、画素分割によって視角特性を改善した場合でも、画素開口率の低下を抑えることができる。
本形態の液晶表示装置1を構成するにあたっては、図6に示すように、素子基板10と対向基板20とが対向配置され、かつ、これらの基板間に液晶層2が保持されている。本形態では、液晶層2には、後述するIPSモード以外の全ての液晶が用いられるので、対向基板20には、ITO層からなる対向電極21、および配向膜29がこの順に形成されている。
このような液晶表示装置1における素子基板10の平面構成は、図7に示すように表される。データ線6a、走査線3a、TFT30などの構成は、実施の形態1と同様であるため、説明を省略するが、容量線3bと平面的に重なる領域には、第1の制御電極6cが形成され、第3の副補助容量C3が形成されている。第1の制御電極6cと平面的に重なる領域には、第2の制御電極7cが形成され、第2の副補助容量C2が形成されている。
ここで、画素Pには、第1の副画素P1(第1の副液晶容量L1)を形成するため第1の副画素電極91が電気的に接続され、この第1の副画素電極91の一部は第2の制御電極7cと平面的に重なって第1の副補助容量C1を形成している。また、画素Pには、第2の副画素P2(第2の副液晶容量L2)を形成するための第2の副画素電極92が形成され、第2の副画素電極92は、第2の制御電極4cにコンタクトホール43bを介して接続している。さらに、画素Pには、第3の副画素P3(第3の副液晶容量L3)を形成するための第3の副画素電極93が形成され、第3の副画素電極92は、第1の制御電極6cにコンタクトホール43cを介して接続している。
このように構成した素子基板20の断面構成は、図7に示すように、素子基板10の下層側から上層側に向かって、TFT30のゲート電極3c、厚さが約300nmのシリコン窒化膜などからなるゲート絶縁膜41、厚さが約150nmのシリコン膜などからなる半導体膜5、ソース電極6b、厚さが約180nmのシリコン窒化膜などからなる第1の層間絶縁膜42、第2の制御電極7c、厚さが約180nmのシリコン窒化膜などからなる第2の層間絶縁膜43、画素電極9、配向膜19が積層された構造になっている。
ここで、ゲート電極3cと同層位置(ゲート絶縁膜41の下層)には、容量線3bが形成され、これらの導電層はいずれも、例えば、厚さが約250nmのアルミニウム層と、厚さが約250nmのモリブデン層との積層体として構成されている。また、ソース電極6bと同層位置(ゲート絶縁膜41と層間絶縁膜42の層間)には、ドレイン電極6dおよび第1の制御電極6cが形成され、これらの導電層はいずれも、例えば、厚さが約250nmのアルミニウム層と、厚さが約250nmのモリブデン層との積層体として構成されている。さらに、層間絶縁膜42の上層側には、画素電極9として、第1の副画素電極91、第2の副画素電極92、および第3の副画素電極93が形成され、これらの導電層はいずれも、例えば、厚さが約50nmのITOによって構成されている。なお、第2の制御電極7cも、例えば、厚さが約250nmのアルミニウム層と、厚さが約250nmのモリブデン層との積層体として構成されている。
第1の副画素電極91は、層間絶縁膜42、43のコンタクトホール43aを介してドレイン電極6dに電気的に接続し、第2の副画素電極92は、第2の層間絶縁膜43のコンタクトホール43bを介して第2の制御電極7cに電気的に接続し、第3の副画素電極93は、層間絶縁膜42、43のコンタクトホール43cを介して第1の制御電極6cに電気的に接続している。
このように構成した液晶表示装置1では、容量線3b、ゲート絶縁膜41、第1の制御電極6c、第1の層間絶縁膜42、第2の制御電極7c、第2の層間絶縁膜43、第1の副画素電極91が平面的に重なる領域で積層されている。従って、容量線3bと第1の副画素電極91との間には保持容量Cが構成され、かつ、保持容量Cは、3つの副補助容量C1、C2、C3に分割されている。ここで、第3の副補助容量C3は、容量線3bを下電極とし、ゲート絶縁膜41を誘電体層とし、第1の制御電極6cを上電極としており、第2の副補助容量C1は、第1の制御電極6cを下電極とし、層間絶縁膜42を誘電体層とし、第2の制御電極7cを上電極としており、第1の副補助容量C1は、第2の制御電極7cを下電極とし、第2の層間絶縁膜43を誘電体層とし、第1の副画素電極91を上電極としている。従って、下層側に位置する副補助容量と、上層側に位置する副補助容量とは、電極を共有しているので、3つの副補助容量C1、C2、C3を構成する場合でも、導電層が少なくて済む。しかも、3つの副補助容量C1、C2、C3を平面的に重なる領域に形成できるので、画素分割によって視角特性を改善した場合でも、画素開口率の低下を抑えることができる。
[実施の形態3]
図8は、本発明の実施の形態3に係る液晶表示装置の平面図であり、データ線と同時形成された導電膜に対しては右上がりの斜線を付し、走査線と同時形成された導電膜に対しては、右下がりの斜線を付し、画素電極については一点鎖線で示してある。
図8は、本発明の実施の形態3に係る液晶表示装置の平面図であり、データ線と同時形成された導電膜に対しては右上がりの斜線を付し、走査線と同時形成された導電膜に対しては、右下がりの斜線を付し、画素電極については一点鎖線で示してある。
本形態の液晶表示装置1は、実施の形態1において図2を参照して説明したように、補助容量Cは、直列に接続された2つの副補助容量C1、C2に分割され、液晶容量Lは、2つの副補助容量C1、C2によって容量分割された電圧が印加される2つの副液晶容量L1、L2に分割されている。従って、画素Pは、2つの副液晶容量L1、L2の各々対応する2つの副画素P1、P2に分割されている。
本形態の液晶表示装置1を構成するにあたっては、素子基板と対向基板とが対向配置され、かつ、これらの基板間に液晶層が保持されている。本形態では、液晶層にはIPS(In−Plane Switching)モードの液晶が用いられているため、対向基板には、ITO層からなる対向電極が形成されているが、配向膜は形成されていない。
このような液晶表示装置1において、素子基板10に副補助容量C1、C2を構成するための断面構成は、実施の形態1と略同様であるが、IPSモードでは、液晶に水平方向の電界を印加するため、副液晶容量L1、L2(副画素P1、P2)を構成する副画素電極91、92に対向する共通電極も、素子基板20の方に形成する必要がある。従って、本形態の液晶表示装置1において、素子基板10は、図8に示す平面構成を有している。
図8において、データ線6aと交差する方向に走査線3aが形成されるとともに、走査線3aと並列して容量線3bが形成されている。データ線6aは、TFT30のソース電極6bと一体に形成され、走査線3aは、TFT30のゲート電極3cと一体に構成されている。また、容量線3bと平面的に重なる領域には、制御電極6cが形成され、制御電極6と容量線3bとの間に第2の副補助容量C2が形成されている。TFT30のドレイン領域には、ドレイン電極6dを介して第1の副画素P1(第1の副液晶容量L1)を形成するための第1の副画素電極91が電気的に接続され、この第1の副画素電極91の一部は制御電極6cと平面的に重なって第1の副補助容量C1を形成している。また、画素Pには、第2の副画素P2(第2の副液晶容量L2)を形成するための第2の副画素電極92が形成され、第2の副画素電極92は、制御電極6cにコンタクトホール42bを介して接続している。
本形態では、容量線3bの一部を櫛歯状に形成し、櫛歯状の共通電極3fが形成されている。また、第1の副画素電極91および第2の副画素電極92は、櫛歯状の共通電極3fと横方向で対向するように、櫛歯状の共通電極3fの間に向けて櫛歯状に形成されている。従って、第1の副画素電極91と共通電極3fとの間に第1の副液晶容量L1(第1の副画素P2)が構成され、第2の副画素電極92と共通電極3fとの間に第2の副液晶容量L2(第1の副画素P2)が構成されている。なお、本形態では、第1の副画素電極91には、制御電極6cと平面的に重なって第1の副補助容量C1を形成するための矩形部分が櫛歯部分の先端に形成されている。
このように構成したIPSモードの液晶表示装置1でも、画素分割を行うにあたって、液晶容量Lに並列に電気的に接続される補助容量Cを複数の副補助容量C1、C2に分割し、複数の副補助容量C1、C2によって容量分割された電圧が複数の副液晶容量L1、L2に印加されるように構成してあるため、補助容量Cの他に制御容量を追加する必要がない。従って、画素分割によって視角特性を改善した場合でも、画素開口率の低下を抑えることができるなど、実施の形態1と同様な効果を奏する。
また、本形態ではIPSモードを用いたが、それに限る必要は無く、同じく横電界を用いるFFS(Fringe Field Switching)などでも同様に用いることができる。
[電子機器への搭載例]
本発明を適用した電気光学装置は、携帯電話機やモバイル型のパーソナルコンピュータの他、マルチメディア対応のパーソナルコンピュータ(PC)、エンジニアリング・ワークステーション(EWS)、ページャ、ワードプロセッサ、テレビ、ビューファインダ型またはモニタ直視型のビデオテープレコーダ、電子手帳、電子卓上計算機、カーナビゲーション装置、POS端末、タッチパネルなどの電子機器に適用できる他、30インチを越えるような大画面を備えた電子機器を構成するのに用いることもできる。
本発明を適用した電気光学装置は、携帯電話機やモバイル型のパーソナルコンピュータの他、マルチメディア対応のパーソナルコンピュータ(PC)、エンジニアリング・ワークステーション(EWS)、ページャ、ワードプロセッサ、テレビ、ビューファインダ型またはモニタ直視型のビデオテープレコーダ、電子手帳、電子卓上計算機、カーナビゲーション装置、POS端末、タッチパネルなどの電子機器に適用できる他、30インチを越えるような大画面を備えた電子機器を構成するのに用いることもできる。
1・・液晶表示装置、2・・液晶層、3a・・走査線、3b・・容量線、3c・・ゲート電極、3f・・櫛歯状の共通電極、5・・半導体膜、6a・・データ線、6b・・ソース電極、6c、7c・・制御電極、6d・・ドレイン電極、9・・画素電極、10・・素子基板、20対向基板、21対向電極、30・・TFT、41・・ゲート絶縁膜、42、43・・層間絶縁膜、91、92、93・・副画素電極、C・・補助容量、C1、C2、C3・・副補助容量、L・・液晶容量、L1、L2、L3・・副液晶容量、P・・画素、P1、P2、P3・・副画素
Claims (5)
- 複数の走査線と複数のデータ線との交差に対応して設けられた複数の画素を備え、当該画素は、画素スイッチング用の薄膜トランジスタを介して前記データ線に電気的に接続する液晶容量と、該液晶容量に並列に電気的に接続された補助容量とを備えた液晶表示装置において、
前記補助容量は、直列に接続された複数の副補助容量に分割され、
前記液晶容量は、前記複数の副補助容量によって容量分割された電圧が印加される複数の副液晶容量に分割され、
前記画素は、前記複数の副補助容量の各々に対応する複数の副画素に分割されていることを特徴とする液晶表示装置。 - 液晶層を挟んで対向配置された素子基板および対向基板を有し、
前記素子基板には、前記走査線、前記データ線、前記薄膜トランジスタ、前記複数の副補助容量、および前記複数の副画素に対応する複数の副画素電極が形成され、
前記対向基板には、前記複数の副画素電極の各々との間に前記複数の副液晶容量を構成する対向電極が形成されていることを特徴とする請求項1に記載の液晶表示装置。 - 液晶層を挟んで対向配置された素子基板および対向基板を有し、
前記素子基板には、前記走査線、前記データ線、前記薄膜トランジスタ、前記複数の副補助容量、前記複数の副画素に対応する複数の副画素電極、および当該複数の副画素電極の各々との間に前記複数の副液晶容量を構成する共通電極が形成されていることを特徴とする請求項1に記載の液晶表示装置。 - 前記素子基板上には複数の絶縁層が積層されているとともに、当該複数の絶縁層の下層、層間および上層の各々に導電層が形成され、
前記複数の副補助容量はいずれも、前記複数の導電層のうち、絶縁層を挟んで対向する2つの導電層を下電極および上電極として構成され、
前記複数の副補助容量のうち、下層側に形成された下層側副補助容量の上電極と、当該下層側副補助容量の上層に形成された上層側副補助容量の下電極とは、共通の導電層からなることを特徴とする請求項2または3に記載の液晶表示装置。 - 前記複数の副補助容量を構成する複数の導電層には、前記薄膜トランジスタのゲート電極と同層位置に形成された導電層、前記薄膜トランジスタのソース電極と同層位置に形成された導電層、および前記複数の副画素電極の全てが含まれていることを特徴とする請求項4に記載の液晶表示装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005097193A JP2006276582A (ja) | 2005-03-30 | 2005-03-30 | 液晶表示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005097193A JP2006276582A (ja) | 2005-03-30 | 2005-03-30 | 液晶表示装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2006276582A true JP2006276582A (ja) | 2006-10-12 |
Family
ID=37211394
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005097193A Withdrawn JP2006276582A (ja) | 2005-03-30 | 2005-03-30 | 液晶表示装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2006276582A (ja) |
Cited By (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2010100790A1 (ja) * | 2009-03-05 | 2010-09-10 | シャープ株式会社 | アクティブマトリクス基板、アクティブマトリクス基板の製造方法、液晶パネル、液晶パネルの製造方法、液晶表示装置、液晶表示ユニット、テレビジョン受像機 |
WO2010100788A1 (ja) * | 2009-03-05 | 2010-09-10 | シャープ株式会社 | アクティブマトリクス基板、液晶パネル、液晶表示装置、液晶表示ユニット、テレビジョン受像機 |
US7952651B2 (en) | 2007-05-17 | 2011-05-31 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Liquid crystal display device |
US7978277B2 (en) | 2007-05-17 | 2011-07-12 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Liquid crystal display device |
CN102298227A (zh) * | 2010-06-23 | 2011-12-28 | 瀚宇彩晶股份有限公司 | 内嵌式触控显示面板的像素结构及其形成方法 |
US8253911B2 (en) | 2007-05-18 | 2012-08-28 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Liquid crystal display device |
US8619011B2 (en) | 2007-05-17 | 2013-12-31 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Liquid crystal display device |
US8976209B2 (en) | 2009-03-05 | 2015-03-10 | Sharp Kabushiki Kaisha | Active matrix substrate, method for producing active matrix substrate, liquid crystal panel, method for producing liquid crystal panel, liquid crystal display device, liquid crystal display unit, and television receiver |
JP2018124593A (ja) * | 2018-05-16 | 2018-08-09 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置 |
JP2018169630A (ja) * | 2018-07-30 | 2018-11-01 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 液晶表示装置 |
JP2019152886A (ja) * | 2019-06-11 | 2019-09-12 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置 |
JP2019191609A (ja) * | 2019-07-25 | 2019-10-31 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 液晶表示装置 |
JP2021006915A (ja) * | 2019-07-25 | 2021-01-21 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置 |
-
2005
- 2005-03-30 JP JP2005097193A patent/JP2006276582A/ja not_active Withdrawn
Cited By (42)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9740070B2 (en) | 2007-05-17 | 2017-08-22 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Liquid crystal display device |
US11754881B2 (en) | 2007-05-17 | 2023-09-12 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Liquid crystal display device |
US10962838B2 (en) | 2007-05-17 | 2021-03-30 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Liquid crystal display device |
US7978277B2 (en) | 2007-05-17 | 2011-07-12 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Liquid crystal display device |
US12019335B2 (en) | 2007-05-17 | 2024-06-25 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Liquid crystal display device |
US8120721B2 (en) | 2007-05-17 | 2012-02-21 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Liquid crystal display device |
US8199267B2 (en) | 2007-05-17 | 2012-06-12 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Liquid crystal display device |
US9977286B2 (en) | 2007-05-17 | 2018-05-22 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Liquid crystal display device |
US8395718B2 (en) | 2007-05-17 | 2013-03-12 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Liquid crystal display device |
US8542330B2 (en) | 2007-05-17 | 2013-09-24 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Liquid crystal display device |
US8619011B2 (en) | 2007-05-17 | 2013-12-31 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Liquid crystal display device |
US10831064B2 (en) | 2007-05-17 | 2020-11-10 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Liquid crystal display device |
US11803092B2 (en) | 2007-05-17 | 2023-10-31 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Liquid crystal display device |
US10989974B2 (en) | 2007-05-17 | 2021-04-27 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Liquid crystal display device |
US8896776B2 (en) | 2007-05-17 | 2014-11-25 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Liquid crystal display device |
US10948794B2 (en) | 2007-05-17 | 2021-03-16 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Liquid crystal display device |
US9341908B2 (en) | 2007-05-17 | 2016-05-17 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Liquid crystal display device |
US10451924B2 (en) | 2007-05-17 | 2019-10-22 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Liquid crystal display device |
US9377660B2 (en) | 2007-05-17 | 2016-06-28 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Liquid crystal display device |
US10281788B2 (en) | 2007-05-17 | 2019-05-07 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Liquid crystal display device |
US8711314B2 (en) | 2007-05-17 | 2014-04-29 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Liquid crystal display device |
US10222653B2 (en) | 2007-05-17 | 2019-03-05 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Liquid crystal display device |
US7952651B2 (en) | 2007-05-17 | 2011-05-31 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Liquid crystal display device |
US11520185B2 (en) | 2007-05-17 | 2022-12-06 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Liquid crystal display device |
US11493816B2 (en) | 2007-05-17 | 2022-11-08 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Liquid crystal display device |
US8253911B2 (en) | 2007-05-18 | 2012-08-28 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Liquid crystal display device |
US9645461B2 (en) | 2007-05-18 | 2017-05-09 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Liquid crystal display device |
US11300841B2 (en) | 2007-05-18 | 2022-04-12 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Liquid crystal display device |
US9360722B2 (en) | 2007-05-18 | 2016-06-07 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Liquid crystal display device |
US8767159B2 (en) | 2007-05-18 | 2014-07-01 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Liquid crystal display device |
US11940697B2 (en) | 2007-05-18 | 2024-03-26 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Liquid crystal display device |
US10012880B2 (en) | 2007-05-18 | 2018-07-03 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Liquid crystal display device |
US8698969B2 (en) | 2009-03-05 | 2014-04-15 | Sharp Kabushiki Kaisha | Active matrix substrate, method for producing active matrix substrate, liquid crystal panel, method for producing liquid crystal panel, liquid crystal display device, liquid crystal display unit, and television receiver |
US8976209B2 (en) | 2009-03-05 | 2015-03-10 | Sharp Kabushiki Kaisha | Active matrix substrate, method for producing active matrix substrate, liquid crystal panel, method for producing liquid crystal panel, liquid crystal display device, liquid crystal display unit, and television receiver |
WO2010100790A1 (ja) * | 2009-03-05 | 2010-09-10 | シャープ株式会社 | アクティブマトリクス基板、アクティブマトリクス基板の製造方法、液晶パネル、液晶パネルの製造方法、液晶表示装置、液晶表示ユニット、テレビジョン受像機 |
WO2010100788A1 (ja) * | 2009-03-05 | 2010-09-10 | シャープ株式会社 | アクティブマトリクス基板、液晶パネル、液晶表示装置、液晶表示ユニット、テレビジョン受像機 |
CN102298227A (zh) * | 2010-06-23 | 2011-12-28 | 瀚宇彩晶股份有限公司 | 内嵌式触控显示面板的像素结构及其形成方法 |
JP2018124593A (ja) * | 2018-05-16 | 2018-08-09 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置 |
JP2018169630A (ja) * | 2018-07-30 | 2018-11-01 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 液晶表示装置 |
JP2019152886A (ja) * | 2019-06-11 | 2019-09-12 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置 |
JP2021006915A (ja) * | 2019-07-25 | 2021-01-21 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置 |
JP2019191609A (ja) * | 2019-07-25 | 2019-10-31 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 液晶表示装置 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US9995976B2 (en) | Array substrate and manufacturing method thereof, display panel and display device | |
JP2006276582A (ja) | 液晶表示装置 | |
US11392002B2 (en) | Array substrate, display panel and display device | |
JP4678031B2 (ja) | 液晶装置および電子機器 | |
US8947472B2 (en) | Pixel array | |
JP2009237541A (ja) | 液晶装置および電子機器 | |
JP2009103952A (ja) | 液晶装置及びそれを備えた電子機器 | |
JP2008003118A (ja) | 電気光学装置、電子機器、および電気光学装置の製造方法 | |
US8355090B2 (en) | Liquid crystal display having reduced kickback effect | |
US10367008B2 (en) | Array substrate, display panel and display device | |
US8115878B2 (en) | Thin film transistor array substrate and liquid crystal display | |
JP2008209437A (ja) | 液晶装置 | |
JP5106991B2 (ja) | 液晶装置および電子機器 | |
US9091889B2 (en) | Liquid crystal display device having columnar spacers | |
JP2008262006A (ja) | アクティブマトリクス基板及び液晶パネル | |
WO2016021319A1 (ja) | アクティブマトリクス基板、液晶パネル、および、アクティブマトリクス基板の製造方法 | |
US10031378B2 (en) | Array substrate, display panel and display device | |
KR20040047400A (ko) | 횡전계방식의 액정표시장치 및 그 제조방법 | |
JP2010096796A (ja) | 液晶表示装置及び電子機器 | |
JP2006276583A (ja) | 液晶表示装置 | |
KR20130044097A (ko) | 액정표시장치용 어레이기판 및 이의 제조방법 | |
JP5306765B2 (ja) | 液晶表示装置及び電子機器 | |
KR20150002254A (ko) | 액정표시장치용 어레이 기판 | |
JP5397982B2 (ja) | 液晶表示装置及び電子機器 | |
KR102056687B1 (ko) | 액정표시장치 및 그 제조방법 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20070403 |
|
A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20080603 |