JP2005292397A - 液晶表示装置 - Google Patents

Abstract

【課題】白茶けを防止できて表示品質が良好であり、開口率が高くて明るい表示が可能であるとともに、製造が容易な液晶表示装置を提供する。
【解決手段】画素電極を、斜め方向に延びるスリット１１７ａにより副画素電極１１６ａ〜１１６ｄに分割する。また、補助容量バスライン１１２の上方に制御電極１１３を形成する。副画素電極１１６ｂ，１１６ｃは制御電極１１３と重なり、制御電極１１３と容量結合する。制御電極１１３とＴＦＴ１４１のソース電極１１４ｓとは接続配線１１５ａを介して接続する。副画素電極１１６ａは接続配線１１５ａに電気的に接続する。また副画素電極１１６ｄは、制御電極１１３から延びる接続配線１１５ｂに電気的に接続する。
【選択図】図１１

Description

本発明は、液晶分子の配向方向が相互に異なる複数の領域（ドメイン）を有するＭＶＡ（Multi-domain Vertical Alignment ）型液晶表示装置に関し、特に画素電極が複数の副画素電極に分割されている液晶表示装置に関する。

液晶表示装置は、ＣＲＴ（Cathode Ray Tube）に比べて薄くて軽量であり、低電圧で駆動できて消費電力が小さいという利点がある。そのため、液晶表示装置は、テレビ、ノート型ＰＣ（パーソナルコンピュータ）、ディスクトップ型ＰＣ、ＰＤＡ（携帯端末）及び携帯電話など、種々の電子機器に使用されている。特に、各画素（サブピクセル）毎にスイッチング素子としてＴＦＴ（Thin Film Transistor：薄膜トランジスタ）を設けたアクティブマトリクス型液晶表示装置は、その駆動能力の高さからＣＲＴにも匹敵する優れた表示特性を示し、ディスクトップ型ＰＣやテレビなど従来ＣＲＴが使用されていた分野にも広く使用されるようになった。

一般的に、液晶表示装置は、図１に示すように、スペーサ３１を挟んで配置されてシール材３２により接合された２枚の透明基板１０，２０と、これらの基板１０，２０間に封入された液晶３０とにより構成されている。一方の基板１０には、画素毎に画素電極及びＴＦＴ等が形成され、他方の基板２０には画素電極に対向するカラーフィルタと、各画素共通のコモン（共通）電極とが形成されている。カラーフィルタには赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）及び青色（Ｂ）の３種類があり、画素毎にいずれか１色のカラーフィルタが配置されている。隣接して配置された赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）及び青色（Ｂ）の３つの画素で１つのピクセル（Pixel ）を構成する。

以下、画素電極及びＴＦＴが形成された基板をＴＦＴ基板と呼び、ＴＦＴ基板に対向して配置される基板を対向基板と呼ぶ。また、ＴＦＴ基板と対向基板との間に液晶を封入してなる構造物を液晶パネルという。

ＴＦＴ基板１０は、接続端子の分だけ対向基板２０よりも大きく形成されている。ＴＦＴ基板１０及び対向基板２０により構成される液晶パネル４０の両側には、それぞれ偏光板４１，４２が配置されている。また、液晶パネル４０の下方にはバックライト（図示せず）が配置されている。

従来は、２枚の基板１０，２０間に水平配向型液晶（誘電率異方性が正の液晶）を封入し、液晶分子をツイスト配向させるＴＮ（Twisted Nematic ）型液晶表示装置が広く使用されていた。しかし、ＴＮ型液晶表示装置には視野角特性が悪く、画面を斜め方向から見たときにコントラストや色調が大きく変化するという欠点がある。このため、視野角特性が良好なＶＡ（Vertical Alignment）型液晶表示装置及びＭＶＡ（Multi-domain Vertical Alignment ）型液晶表示装置が開発され、実用化されている。

図２（ａ），（ｂ）は、ＭＶＡ型液晶表示装置の一例を示す模式断面図である。ＴＦＴ基板１０及び対向基板２０はスペーサ（図示せず）を挟んで配置されており、これらの基板１０，２０の間には垂直配向型液晶（誘電率異方性が負の液晶）３０が封入されている。対向基板１０の画素電極１２の上には、ドメイン規制用構造物として複数の土手状の突起１３が形成されている。画素電極１２及び突起１３の表面は、例えばポリイミドからなる垂直配向膜１４に覆われている。

対向基板２０のコモン電極２２の下にも、ドメイン規制用構造物として複数の土手状の突起２３が形成されている。これらの突起２３は、基板１０側の突起１３に対し斜め方向にずれた位置に配置されている。コモン電極２２及び突起２３の表面も、例えばポリイミドからなる垂直配向膜２４に覆われている。

ＭＶＡ型液晶表示装置においては、画素電極１２とコモン電極２２との間に電圧を印加しない状態では、図２（ａ）に示すように、殆どの液晶分子３０ａは基板面に対し垂直に配向する。但し、突起１３，２３の近傍の液晶分子３０ａは、突起１３，２３の傾斜面に垂直な方向に配向する。

画素電極１２とコモン電極２２との間に所定の電圧を印加すると、電界の影響により液晶分子３０ａは基板面に対し斜めに配向する。この場合に、図２（ｂ）に示すように、突起１３，２３の両側では液晶分子３０ａの傾斜方向が異なり、いわゆる配向分割（マルチドメイン）が達成される。

この図２（ｂ）に示すように、ＭＶＡ型液晶表示装置では電圧を印加したときの液晶分子３０ａの傾斜方向が突起１３，２３の両側で異なるので、斜め方向への光の漏れが抑制され、優れた視野角特性が得られる。

上記の例ではドメイン規制用構造物が突起の場合について説明したが、電極に設けたスリットや、基板表面の窪み（溝）をドメイン規制用構造物とすることもある。また、図２（ａ），（ｂ）ではＴＦＴ基板１０及び対向基板２０の両方にドメイン規制用構造物を設けた例について説明したが、ＴＦＴ基板１０及び対向基板２０のうちのいずれか一方のみにドメイン規制用構造物を形成してもよい。

図３は、ＴＦＴ基板１０側の画素電極１２に、ドメイン規制用構造物としてスリット１２ａを形成した例を示している。スリット１２ａの縁部付近では電気力線が斜め方向に発生するので、スリット１２ａの両側で液晶分子３０ａの傾斜方向が異なる。これにより配向分割が達成され、視野角特性が向上する。

図４は実際のＭＶＡ型液晶表示装置の１画素を示す平面図、図５は同じくその液晶表示装置のＴＦＴ基板の模式断面図である。

ＴＦＴ基板５０には、水平方向に延びる複数のゲートバスライン５１と、垂直方向に延びる複数のデータバスライン５５とがそれぞれ所定のピッチで配置されている。これらのゲートバスライン５１及びデータバスライン５５により区画される矩形の領域がそれぞれ画素領域である。また、ＴＦＴ基板５０には、ゲートバスライン５１と平行に配置されて画素領域の中央を横断する補助容量バスライン５２が形成されている。ゲートバスライン５１及び補助容量バスライン５２とデータバスライン５５との間には第１の絶縁膜６１が形成されており、この第１の絶縁膜６１によりゲートバスライン５１とデータバスライン５５との間、及び補助容量バスライン５２とデータバスライン５５との間が電気的に分離されている。

各画素領域毎に、ＴＦＴ５４、画素電極５６及び補助容量電極５３が形成されている。ＴＦＴ５４は、ゲートバスライン５１の一部をゲート電極としている。また、ＴＦＴ５４のドレイン電極５４ｄはデータバスライン５５に接続しており、ソース電極５４ｓはゲートバスライン５１を挟んでドレイン電極５４ｄに対向する位置に形成されている。更に、補助容量電極５３は、第１の絶縁膜６１を挟んで補助容量バスライン５２に対向する位置に形成されている。

補助容量電極５３、ＴＦＴ５４及びデータバスライン５５は第２の絶縁膜６２に覆われており、画素電極５６はこの第２の絶縁膜６２の上に配置される。画素電極５６はＩＴＯ（Indium-Tin Oxide）等の透明導電体からなり、第２の絶縁膜６２に形成されたコンタクトホール６２ａ，６２ｂを介してＴＦＴ５４のソース電極５４ｓ及び補助容量電極５３に電気的に接続している。また、画素電極５６には、斜め方向に延びる２本のスリット５６ａが上下対称に形成されている。この画素電極５６の表面は、例えばポリイミドからなる垂直配向膜（図示せず）により覆われている。

ＴＦＴ基板５０に対向して配置される対向基板には、ブラックマトリクス（遮光膜）、カラーフィルタ及びコモン電極が形成されている。コモン電極の上には、図４に一点鎖線で示すように、ゲートバスライン５１及び補助容量バスライン５２の上方で屈曲する複数の土手状の突起７１が形成されている。画素電極５６のスリット５６ａは、これらの突起７１の列間に配置されている。

このように形成された液晶表示装置において、画素電極５６とコモン電極との間に所定の電圧を印加すると、図６に示すように、液晶分子３０の配向方向が相互に異なる４つのドメインＡ１，Ａ２，Ａ３，Ａ４が形成される。これらのドメインＡ１，Ａ２，Ａ３，Ａ４は突起７１及びスリット５６ａを境界としている。これらのドメインＡ１，Ａ２，Ａ３，Ａ４の面積がほぼ等しくなるようにスリット５６ａ及び突起７１を形成すると、視野角特性の方向依存性が小さくなる。

ところで、従来のＭＶＡ型液晶表示装置では、画面を斜め方向から見たときに白っぽくなる現象が発生する。図７は、横軸に印加電圧（Ｖ）をとり、縦軸に透過率をとって、画面を正面から見たときのＴ−Ｖ（透過率−電圧）特性と上６０°の方向から見たときのＴ−Ｖ特性とを示す図である。この図７に示すように、しきい値電圧よりも若干高い電圧を画素電極に印加したとき（図中丸で囲んだ部分）には、斜め方向から見たときの透過率が正面から見たときの透過率よりも高くなる。また、印加電圧がある程度高くなると、斜め方向から見たときの透過率は、正面から見たときの透過率よりも低くなる。このため、斜め方向から見たときには赤色画素、緑色画素及び青色画素の輝度差が小さくなり、その結果前述したように画面が白っぽくなる現象が発生する。この現象は、白茶け（discolor）と呼ばれている。白茶けは、ＭＶＡ型液晶表示装置だけでなく、ＴＮ型液晶表示装置でも発生する。

米国特許第４８４０４６０号の明細書には、１つの画素を複数の副画素に分割して、それらの副画素を容量結合することが提案されている。このような液晶表示装置では、各副画素の容量比によって電位が分割されるため、各副画素に相互に異なる電圧を印加することができる。従って、見かけ上、１つの画素にＴ−Ｖ特性のしきい値が異なる複数の領域が存在することになる。このように１つの画素にＴ−Ｖ特性のしきい値が異なる複数の領域が存在すると、図７に示すように正面から見たときの透過率よりも斜め方向から見たときの透過率が高くなる現象が抑制され、その結果画面が白っぽくなる現象（白茶け）も抑制される。このように１つの画素を容量結合した複数の副画素に分割して表示特性を改善する方法は、容量結合によるＨＴ（ハーフトーングレースケール）法と呼ばれる。

特許第３０７６９３８号の明細書（特開平５−６６４１２号公報）には、図８に示すように、画素電極を複数（図８では４つ）の副画素電極８１ａ〜８１ｄに分割し、各副画素電極８１ａ〜８１ｄの下方に絶縁膜を介して制御電極８２ａ〜８２ｄをそれぞれ配置した液晶表示装置が開示されている。この液晶表示装置では、制御電極８２ａ〜８２ｄの大きさがそれぞれ異なっており、ＴＦＴ８０を介して制御電極８２ａ〜８２ｄに表示電圧が印加されるようになっている。また、副画素電極８１ａ〜８１ｄの間から光が漏れることを防止するために、副画素電極８１ａ〜８１ｄの間にも制御電極８３を配置している。

特許第３４０１０４９号の明細書（特開平６−３３２００９号公報）にも、１つの画素を複数の副画素に分割した液晶表示装置が開示されている。この液晶表示装置では、例えば副画素毎にラビング処理条件を変化させて、副画素の表面の液晶分子のプレチルト角を相互に異なるものとしている。

これらの従来の技術は、いずれもＴＮ型液晶表示装置に関するものである。
米国特許第４８４０４６０号の明細書 特許第３０７６９３８号の明細書（特開平５−６６４１２号公報） 特許第３４０１０４９号の明細書（特開平６−３３２００９号公報）

ところで、容量結合によるＨＴ法では、１つの画素を複数の副画素に分割することで副画素間に隙間が発生し、開口率が大きく減少する。一般的なノーマリーホワイトモードのＴＮ型液晶表示装置では、副画素間の隙間は透過率が高い部分となる。従って、対向基板には、副画素間の隙間を遮光するブラックマトリクスを形成することが必要となる。しかしながら、ＴＦＴ基板と対向基板との貼合わせずれや斜め方向への光の漏れを防止することを考慮すると、ブラックマトリクスの幅を副画素間の隙間の幅よりも２０μｍ程度（片側１０μｍ程度）大きくする必要があり、開口率の著しい減少を招く。

特許第３０７６９３８号の明細書に記載されているように、副画素間の隙間にも制御電極を形成して透過率を制御することも可能ではある。しかし、この場合は制御電極及び副画素電極をいずれもＩＴＯ等の透明導電体で形成することが必要であり、透明導電体膜の成膜工程及びフォトリソグラフィ工程がそれぞれ２回必要となって製造コストの上昇を招く。

特許第３４０１０４９号の明細書に記載された液晶表示装置では、例えば副画素毎にラビング処理条件を変えて副画素毎に液晶分子のプレチルト角を相互に異なるものとしている。しかしながら、ラビング処理により発生した塵が液晶に混入して表示品質を低下させることがあり、ラビング処理が不要であるというＭＶＡ型液晶表示装置の利点を失うことになる。

また、ＭＶＡ型液晶表示装置では、配向分割を実現するために液晶分子のプレチルト角を約８８〜８９°の極めて狭い範囲に安定して配向させることが必要である。例えば液晶分子のプレチルト角が８６°以下になると電圧無印加時に光が透過してコントラストが低下し、プレチルト角が８９．５°以上になると電圧を印加したときに液晶分子が所定の方向に倒れにくくなる。しかしながら、ラビング処理により液晶分子のプレチルト角を約８８〜８９°の範囲で高精度に制御することは極めて困難である。また、垂直配向膜へのラビング処理後の液晶分子のプレチルト角は極めて安定性が悪く、水洗処理やその後の加熱処理で容易に変化してしまう。

以上から、本発明の目的は、白茶けを防止できて表示品質が良好であり、開口率が高くて明るい表示が可能であるとともに、製造が容易な液晶表示装置を提供することにある。

本願第１発明の液晶表示装置は、相互に対向して配置された第１基板及び第２の基板と、前記第１の基板及び前記第２の基板の間に封入された垂直配向型液晶と、前記第１の基板に設けられて走査信号が供給されるゲートバスラインと、前記第１の基板に設けられて表示信号が供給されるデータバスラインと、前記ゲートバスライン及び前記データバスラインにより画定される画素領域毎に形成されたスイッチング素子及び画素電極と、前記第１の基板の画素領域に設けられて前記スイッチング素子と接続された制御電極と、前記第２の基板に設けられたコモン電極とを有し、前記画素電極が複数の副画素電極に分割され、前記複数の副画素電極のうちの少なくとも一部の副画素電極が前記制御電極と容量結合し、前記制御電極に電圧が印加されると、前記制御電極に容量結合した副画素電極に、前記制御電極との間で形成される容量と前記液晶を介して前記コモン電極との間で形成される容量との比に応じた電圧が印加される。

本発明の液晶表示装置は、垂直配向型液晶（誘電率異方性が負の液晶）を使用するＶＡモードの液晶表示装置（ＶＡ型液晶表示装置及びＭＶＡ型液晶表示装置）と容量結合構造とを組み合わせることで、単独では得られない高い性能を得ることができる。

図９（ａ）は画素電極が分割されていない液晶表示装置の１画素を示す模式図、図９（ｂ）は画素電極が２つに分割された液晶表示装置の１画素を示す模式図、図９（ｃ）は画素電極が３つに分割された液晶表示装置の１画素を示す模式図、図９（ｄ）は画素電極が４つに分割された液晶表示装置の１画素を示す模式図である。また、図１０は、横軸に画素ピッチをとり、縦軸に開口率比をとって、ＴＮ型液晶表示装置及びＶＡ型液晶表示装置における画素電極の分割数と画素ピッチ及び開口率比との関係を示す図である。なお、開口率比は、画素電極が分割されていない液晶表示装置の開口率と、画素電極が分割されている液晶表示装置の開口率との比を示している。

ＴＮ型液晶表示装置では、画素電極の周囲の領域では光を透過するため、ブラックマトリクス（遮光膜）を形成する必要がある。通常、ブラックマトリクスは対向基板側に形成されるため、ＴＦＴ基板と対向基板との貼り合わせ精度が問題となる。そのため、貼り合せずれに対するマージンが設計上必須となる。つまり、図９（ａ）〜（ｄ）に破線で示すように、ブラックマトリクスを画素電極の内側まで形成することが必要となる。一般的に、貼り合せずれに対するマージンは５〜７μｍである。図１０では、貼り合せずれに対するマージンを５μｍとして開口率比を計算している。

図１０からわかるように、分割数が増えるにしたがって副画素電極間のギャップの影響及び貼り合せずれに対するマージンの影響が大きくなるが、ｎ分割のときに副画素電極間のギャップは（ｎ−１）箇所なのに対し、貼り合せずれに対するマージンは（ｎ＋１）×２箇所と多いために、開口率に大きな影響を与えてしまう。また、副画素電極間のギャップと貼り合せずれに対するマージンとは製造ラインの実力などを反映した固定値であるため、ＴＮ型液晶表示装置では画素ピッチが小さくなると開口率比が急激に低くなる。

一方、ＶＡモードの液晶表示装置の場合は、画素電極の周囲の領域は光を通さないため、遮光が不要である。従って、画素電極を分割しても、貼り合せずれに対するマージンは不要であり、開口率の低下が少ない。図１０からわかるように、ＴＮ型液晶表示装置では画素ピッチが小さくなるにしたがって画素電極を分割したときの開口率は急激に低下する。また、分割数が多いほどその傾向は大きくなる。一方、ＶＡモードの液晶表示装置では、画素ピッチが小さくなっても、ＴＮ型液晶表示装置に比べて開口率の低下が少ない。

しかも、後述するように、画素電極を分割するスリットを、ＭＶＡ型液晶表示装置のドメイン規制用構造物として使用することにより、開口率の低下を実質的にゼロとすることが可能である。すなわち、容量結合とＭＶＡ型液晶表示装置との組み合わせは相性が極めてよく、容量結合の輝度低下を最小限にしながら視野角特性を改善することができる。

本願第２発明の液晶表示装置は、相互に対向して配置された第１の基板及び第２の基板と、前記第１の基板及び前記第２の基板の間に封入された液晶と、前記第１の基板に設けられて走査信号が供給されるゲートバスラインと、前記第１の基板に設けられて表示信号が供給されるデータバスラインと、前記ゲートバスライン及び前記データバスラインにより画定される画素領域内に配置され、スリットにより複数の副画素電極に分割された画素電極と、前記ゲートバスライン及び前記データバスラインに接続されたスイッチング素子と、前記スイッチング素子に接続されて前記複数の副画素電極の少なくとも１つと容量結合する制御電極と、前記第２の基板に設けられたコモン電極とを有しており、前記画素電極を分割するスリットの少なくとも一部が、電圧印加時の液晶分子の配向方向を規定するドメイン規制用構造物を構成する。

すなわち、本発明においては、副画素電極を分離するスリットを用いて液晶分子の配向方向を規定するので、副画素電極を分離するスリットと液晶分子の配向方向を規定するスリットとを別個に設ける場合に比べて、配向が乱れる部分が少なく、明るい表示が可能になる。

また、本発明においては、例えば複数の副画素電極の一部を制御電極と容量結合し、他の副画素電極をスイッチング素子と接続することにより、表示電圧を供給したときに、副画素電極の一部に印加される電圧と他の副画素電極に印加される電圧とが異なり、見かけ上、１画素内にＴ−Ｖ特性のしきい値が異なる複数の領域が存在することになる。これにより、斜め方向から見たときに画面が白っぽくなる現象（白茶け）が抑制され、表示品質が向上する。

他の副画素電極をスイッチング素子に接続する替わりに、制御電極と容量結合させてもよい。この場合、副画素電極の大きさと制御電極との重なり量とを調整することにより、表示電圧供給時における副画素電極の電圧を制御することができる。

液晶分子の配向方向をより確実に制御するために、第２の基板にもドメイン規制用構造物（第２のドメイン規制用構造物）を形成することが好ましい。この場合、スイッチング素子と制御電極との間を接続する配線を第２の基板のドメイン規制用構造物に沿って形成することにより、透過率の減少を抑制することができる。

また、制御電極を補助容量バスラインの上に絶縁膜を介して形成すると、制御電極と補助容量バスラインとの間の容量により、スイッチング素子を介して供給された表示電圧をより確実に保持することができる上、平面的に同一領域で容量を形成できるため、開口率のロスがない。更に、制御電極と容量結合する副画素電極が複数ある場合に、一方の副画素電極に容量結合する部分と他方の副画素電極に容量結合する部分との間を、補助容量バスラインよりも狭い幅の配線で接続すると、制御電極とスリットとの交差部における透過率の減少を抑制することができる。

また、スイッチング素子と制御電極との間を接続する配線の下方に補助容量バスラインと接続した導電パターンを形成することにより、配線とスリットとの交差部における透過率の減少を抑制することができる。更に、スリットの下方に補助容量バスラインと接続した導電パターンを形成することにより、スリットの部分における光の漏れをより確実に防止することができる。

以下に、本発明の実施形態を図面に基づいて説明する。

（第１の実施形態）
図１１は本発明の第１の実施形態の液晶表示装置を示す平面図、図１２は同じくその模式断面図である。

本実施形態の液晶表示装置は、図１２に示すように、ガラス板等の透明薄板からなる２枚の基板１１０，１２０と、これらの基板１１０，１２０間に封入された垂直配向型液晶（誘電率異方性が負の液晶）１３０とにより構成されている。基板１１０には、図１１に示すように水平方向に延びる複数のゲートバスライン１１１と、垂直方向に延びる複数のデータバスライン１１５とが形成されている。ゲートバスライン１１１のピッチは例えば約３００μｍ、データバスライン１１５のピッチは例えば約１００μｍである。ゲートバスライン１１１とデータバスライン１１５とにより区画される矩形の領域がそれぞれ画素領域である。

基板１１０には、ゲートバスライン１１１と平行に配置されて画素領域の中央を横断する補助容量バスライン１１２が形成されている。ゲートバスライン１１１及び補助容量バスライン１１２とデータバスライン１１５との間には第１の絶縁膜１３１が形成されており、この第１の絶縁膜１３１によりゲートバスライン１１１とデータバスライン１１５との間、及び補助容量バスライン１１２とデータバスライン１１５との間が電気的に分離されている。

基板１１０には各画素領域毎に、ＴＦＴ１１４、制御電極１１３及び画素電極が形成されている。本実施形態においては、図１１に示すように、画素電極が、斜め方向に延びる上下対称のスリット１１７ａにより４つの副画素電極１１６ａ〜１１６ｄに分割されている。

ＴＦＴ１１４は、ゲートバスライン１１１の一部をゲート電極としている。また、ＴＦＴ１１４のドレイン電極１１４ｄはデータバスライン１１５に接続され、ソース電極１１４ｓはゲートバスライン１１１を挟んでドレイン電極１１４ｄに対向する位置に配置されている。

制御電極１１３は、第１の絶縁膜１３１を挟んで補助容量バスライン１１２と対向する位置に配置されている。この制御電極１１３は、接続配線１１５ａを介してＴＦＴ１１４のソース電極１１４ｓと接続されている。

副画素電極１１６ａ〜１１６ｄはＩＴＯ等の透明導電体からなる。これらの副画素電極１１６ａ〜１１６ｄを分離するスリット１１７ａの幅は例えば１０μｍである。

副画素電極１１６ａは、コンタクトホール１３２ａを介して接続配線１１５ａと電気的に接続されており、副画素電極１１６ｄはコンタクトホール１３２ｂを介して制御電極１１３から延びる接続配線１１５ｂと電気的に接続されている。副画素電極１１６ｂ，１１６ｃは、それぞれ第２の絶縁膜１３２を介して制御電極１１３と容量結合している。これらの副画素電極１１６ａ〜１１６ｄは、例えばポリイミドからなる垂直配向膜１１８に覆われている。

一方、対向基板１２０の面上（図１２では下側）には、ブラックマトリクス（遮光膜）１２１及びカラーフィルタ１２２が形成されている。ブラックマトリクス１２１は例えばＣｒ（クロム）等の金属からなり、ＴＦＴ基板１１０側のゲートバスライン１１１、補助容量バスライン１１２、データバスライン１１５及びＴＦＴ１１４に対向する位置に配置されている。

カラーフィルタ１２２には赤色、緑色及び青色の３種類があり、各画素毎に赤色、緑色及び青色のいずれか一色のカラーフィルタが配置される。

カラーフィルタ１２２の下側には、ＩＴＯ等の透明導電体からなるコモン電極（共通電極）１２３が形成されている。このコモン電極１２３の下側にはドメイン規制用の土手状の突起１２４が形成されている。この突起１２４は、図１１に示すように、ゲートバスライン１１１及び補助容量バスライン１１２の上で屈曲しており、ＴＦＴ基板１１０のスリット１１７ａに対し水平方向にずれた位置に配置される。コモン電極１２３及び突起１２４の表面は、例えばポリイミドからなる垂直配向膜１２５に覆われている。

以下、上述のように構成された本実施形態の液晶表示装置の動作について説明する。

データバスライン１１５に所定の表示電圧を供給し、ゲートバスライン１１１に走査信号を供給すると、ＴＦＴ１１４がオンになってソース電極１４５ｓに接続している副画素電極１１６ａ，１１６ｄ及び制御電極１１３に表示電圧が書き込まれる。また、副画素電極１１６ｂ，１１６ｃは制御電極１１３と容量結合しているので、副画素電極１１６ｂ，１１６ｃにも電圧が印加される。

但し、本実施形態では、図１１に示すように、副画素電極１１６ｃが副画素電極１１６ｂよりも面積が小さく、且つ制御電極１１３との重なり量が大きいので、副画素電極１１６ｃの電圧のほうが副画素電極１１６ｂの電圧よりも高くなる。副画素電極１１６ａの電圧をＡ、副画素電極１１６ｂの電圧をＢ、副画素電極１１６ｃの電圧をＣ、副画素電極１１６ｄの電圧をＤとすると、Ａ＝Ｄ＞Ｃ＞Ｂとなる。

このようにして副画素電極１１６ａ〜１１６ｄに電圧が印加されると、液晶分子は突起１２４及びスリット１１７ａの延びる方向に対し直角な方向に傾斜する。このとき、液晶分子の傾斜方向は突起１２４及びスリット１１７ａの両側で反対方向となる。本実施形態においても、図４に示す従来の液晶表示装置と同様に、液晶分子の配向方向が相互に異なる４つのドメインが形成される。

ところで、ドメインの境界部分では液晶分子の乱れが生じるため、透過率が低くなる。また、画素電極をスリットにより複数の副画素電極に分割した場合、スリットの部分には電圧が印加されないため、スリット部分の透過率が低くなる。

図１３は、副画素電極８１ａ〜８１ｄを分離するスリット８９とは別に、ドメイン規制用構造物としてスリット８４及び突起８５を設けたＭＶＡ型液晶表示装置の例を示す模式図である。この図１３において、スリット８４は副画素電極８１ａ〜８１ｄにそれぞれ形成されており、突起８５は対向基板側に形成されている。また、副画素電極８１ａ〜８１ｄの下方には、ＴＦＴ８０と接続された制御電極８２ａ〜８２ｄがそれぞれ形成されている。

図１１，図１２に示す本実施形態の液晶表示装置では、各副画素電極１１６ａ〜１１６ｄを分離するスリット１１７ａがドメイン規制用構造物として機能するので、図１３に示すように副画素電極８１ａ〜８１ｄを分離するスリット８９と配向規制用スリット８４とを個別に形成する場合に比べて透過率の低下が少なく、明るい表示が可能となる。

また、本実施形態においては、副画素電極１１６ａ，１１６ｄ、副画素電極１１６ｂ及び副画素電極１１６ｃにそれぞれ異なる電圧が印加されるので、見かけ上、１つの画素内にＴ−Ｖ特性のしきい値が相互に異なる３つの領域が存在することになる。これにより、画面を斜め方向から見たときに画面が白っぽくなる現象（白茶け）が抑制され、良好な表示品質が得られる。

次に、本実施形態の液晶表示装置の製造方法について説明する。まず、ＴＦＴ基板の製造方法について、図１２を参照して説明する。

まず、ガラス板等からなる基板１１０の上に、例えばＰＶＤ（Physical Vapor Deposition ）法によりＣｒ（クロム）からなる金属膜、又はＡｌ（アルミニウム）とＴｉ（チタン）との積層構造を有する金属膜を形成する。その後、この金属膜をフォトリソグラフィによりパターニングして、ゲートバスライン１１１及び補助容量バスライン１１２を形成する。なお、基板１１０からの不純物の拡散を防止するために、基板１１０の表面を絶縁膜で覆ってから金属膜を形成してもよい。

次に、基板１１０の上に、例えばＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition ）法により酸化シリコン又は窒化シリコンを堆積させて、ゲートバスライン１１１及び補助容量バスライン１１２を覆う第１の絶縁膜１３１を形成する。

次に、第１の絶縁膜１３１の上に、例えばＣＶＤ法により厚さが２０〜１００ｎｍのアモルファスシリコン膜（又はポリシリコン膜）と、窒化シリコン膜とを順次形成する。その後、フォトリソグラフィ法により窒化シリコン膜をパターニングすることにより、ＴＦＴ１１４のチャネルを保護するチャネル保護膜１３４を形成する。

次に、基板１１０の上側全面に、不純物が高濃度に導入されたアモルファスシリコンからなるオーミックコンタクト層を形成し、その上にＴｉ−Ａｌ−Ｔｉの積層構造を有する金属膜を形成する。そして、フォトリソグラフィ法により金属膜、オーミックコンタクト層及びアモルファスシリコン膜をパターニングして、ＴＦＴ１１４の活性層となる半導体層１１１の形状を確定するとともに、データバスライン１１５、ソース電極１１４ｓ、ドレイン電極１１４ｄ、制御電極１１３及び接続配線１１５ａ，１１５ｂを形成する。

次に、基板１１０の上側全面に、例えばＣＶＤ法により窒化シリコンを堆積させて第２の絶縁膜１３２を形成する。そして、フォトリソグラフィ法により第２の絶縁膜１３２の所定位置に、接続配線１１５ａに通じるコンタクトホール１３２ａと、接続配線１１５ｂに通じるコンタクトホール１３２ｂとを形成する。

次いで、基板１１０の上側全面に、スパッタ法等によりＩＴＯ膜を形成する。このＩＴＯ膜は、コンタクトホール１３２ａ，１３２ｂを介して接続配線１１５ａ，１１５ｂに電気的に接続される。その後、フォトリソグラフィ法によりＩＴＯ膜をパターニングして、副画素電極１１６ａ〜１１６ｄを形成する。次に、副画素電極１１６ａ〜１１６ｄの表面にポリイミドを塗布して垂直配向膜１１８を形成する。このようにしてＴＦＴ基板が完成する。

次に、対向基板の製造方法について、図１２を参照して説明する。

まず、基板１２０の上に、例えばＣｒ等の金属膜を形成し、この金属膜をパターニングして、ＴＦＴ基板１１０側のゲートバスライン１１１、補助容量バスライン１１２、データバスライン１１５及びＴＦＴ１１４に対向する位置にブラックマトリクス１２１を形成する。

次に、基板１２０の上に、例えば赤色感光樹脂、緑色感光樹脂及び青色感光樹脂を使用して、赤色、緑色及び青色のカラーフィルタ１２２を形成する。各画素毎に赤色、緑色及び青色のいずれか１色のカラーフィルタが配置されるようにする。

次に、カラーフィルタ１２２の上にＩＴＯ膜をスパッタ法により形成してコモン電極１２３を形成する。そして、例えばフォトレジストを使用して、コモン電極１２３の上に誘電体からなる土手状の突起１２４を形成する。

次いで、コモン電極１２３及び突起１２４の表面にポリイミドを塗布して、垂直配向膜１２５を形成する。このようにして対向基板が完成する。

このようにして形成したＴＦＴ基板と対向基板とを、スペーサを挟んで貼合わせ、ＴＦＴ基板と対向基板との間に垂直配向型液晶（誘電率異方性が負の液晶）を封入する。このようにして、本実施形態の液晶表示装置が完成する。

本実施形態の液晶表示装置は、上述したように、制御電極１１３及び接続配線１１５ａ，１１５ｂをデータバスライン１１５、ソース電極１１４ｓ及びドレイン電極１１４ｄと同時に形成することができるので、従来に比べて製造工程が増加することなく、製造が容易である。

（第２の実施形態）
図１４は、本発明の第２の実施形態の液晶表示装置の１画素を示す平面図である。図１４において、図１１と同一物には同一符号を付してその詳しい説明は省略する。

本実施形態においては、図１４に示すように、制御電極１１３と副画素電極１１６ｃとが、第２の絶縁膜に形成されたコンタクトホール１３２ｃを介して電気的に接続されている。従って、ＴＦＴ１１４を介して表示電圧が供給されたときの副画素電極１１６ａの電圧をＡ、副画素電極１１６ｂの電圧をＢ、副画素電極１１６ｃの電圧をＣ、副画素電極１１６ｄの電圧をＤとすると、Ａ＝Ｃ＝Ｄ＞Ｂとなる。

図１１に示す第１の実施形態では、表示電圧として十分に高い電圧が印加されたときには、副画素電極１１６ａ〜１１６ｄにより規定される各副画素領域で液晶分子がそれぞれ所定の方向に配向し、液晶分子の配向方向が相互に異なる４つの領域（４ドメイン）が形成されて、良好な視野角特性が得られる。しかし、表示信号の電圧（表示電圧）が低い場合、例えば画素電極１１６ａ，１１６ｂにはＴ−Ｖ特性のしきい値よりも若干高い電圧が印加され、画素電極１１６ｂ，１１６ｃにはＴ−Ｖ特性のしきい値電圧よりも低い電圧しか印加されないときには、液晶分子の配向方向が２つ（２ドメイン）となって、視野角特性が悪くなることが考えられる。

一方、本実施の形態では、副画素電極１１６ｃには副画素電極１１６ａ，１１６ｄと同じ電圧が印加されるので、表示電圧が低い場合であっても液晶分子の配向方向が相互に異なる４つの領域（４ドメイン）が形成され、第１の実施形態に比べて、輝度が低いときの視野角特性の劣化が回避される。

また、図１１に示す第１の実施形態では、副画素電極１１６ａ，１１６ｃ，１１６ｄとデータバスライン１１５との間の寄生容量により副画素電極１１６ａ，１１６ｃ，１１６ｄの電圧が変化するという欠点があるのに対し、本実施形態ではそのような欠点が解消されるという利点がある。以下にその理由を説明する。

図１５は、第１の実施形態の液晶表示装置の画素部の等価回路図である。この図１５において、Ｃ₁ は副画素電極１１６ａ，１１６ｄとコモン電極とにより構成される容量、Ｃ₂ は制御電極１１３と副画素電極１１６ｂとにより構成される容量、Ｃ₃ は副画素電極１１６ｂとコモン電極とにより構成される容量、Ｃ₄ は制御電極１１３と副画素電極１１６ｃとにより構成される容量、Ｃ₅ は副画素電極１１６ｃとコモン電極とにより構成される容量を示している。また、Ｃ₁₁は左側のデータバスライン１１５と副画素電極１１６ａ，１１６ｄとの間の寄生容量、Ｃ₁₂は左側のデータバスライン１１５と副画素電極１１６ｂとの間の寄生容量、Ｃ₁₃は右側のデータバスライン１１５と副画素電極１１６ｃとの間の寄生容量、Ｃ₁₄は右側のデータバスライン１１５と副画素電極１１６ｂとの間の寄生容量を示している。

第１の実施形態の液晶表示装置では、副画素電極１１６ａ，１１６ｄの左側の辺が右側のデータバスライン１１５に対向しており、副画素電極１１６ａ，１１６ｄと右側のデータバスライン１１５との間に寄生容量Ｃ₁₁が発生する。また、副画素電極１１６ｃの右側の辺が左側のデータバスライン１１５に対向しており、副画素電極１１６ｃと左側のデータバスライン１１５との間に寄生容量Ｃ₁₃が発生する。

一般に、液晶表示装置では奇数番目のデータバスラインに供給する表示電圧の極性と偶数番目のデータバスラインに供給する表示電圧の極性とを逆にしている。また、１フレーム毎に各データバスラインに供給する表示電圧の極性を逆にしている。このようにして液晶表示装置を駆動した場合、第１の実施形態の液晶表示装置では、データバスライン１１５に供給された表示電圧が寄生容量Ｃ₁₁，Ｃ₁₃を介して副画素電極１１６ａ，１１６ｃ，１１６ｄの電圧に影響を与え、副画素電極１１６ａ，１１６ｄ，１１６ｃの電圧が変化してしまう。

なお、副画素電極１１６ｃは、左側のデータバスライン１１５に対向する辺の長さと右側のデータバスライン１１５に対向する辺の長さがほぼ等しいため、左側のデータバスライン１１５と右側のデータバスライン１１５とに相互に逆極性の表示電圧を印加した場合、左側のデータバスライン１１５の影響による電圧の変化が右側のデータバスラインの影響による電圧の変化によって相殺される。従って、副画素電極１１６ｃの電圧は殆ど変化しない。

図１６は、第２の実施形態の液晶表示装置の画素部の等価回路図である。この図１６において、Ｃ₁ は副画素電極１１６ａ，１１６ｄとコモン電極とにより構成される容量、Ｃ₂ は制御電極１１３と副画素電極１１６ｂとにより構成される容量、Ｃ₃ は副画素電極１１６ｂとコモン電極とにより構成される容量、Ｃ₅ は副画素電極１１６ｃとコモン電極とにより構成される容量を示している。また、Ｃ₁₁は左側のデータバスライン１１５と副画素電極１１６ａ，１１６ｄとの間の寄生容量、Ｃ₁₂は左側のデータバスライン１１５と副画素電極１１６ｂとの間の寄生容量、Ｃ₁₃は右側のデータバスライン１１５と副画素電極１１６ｃとの間の寄生容量、Ｃ₁₄は右側のデータバスライン１１５と副画素電極１１６ｂとの間の寄生容量を示している。

この図１６に示すように、本実施形態では副画素電極１１６ａ，１１６ｃ，１１６ｄが電気的に接続されており、図１４に示すように、左側のデータバスラインに対向する副画素電極１１６ａ，１１６ｄの右側の辺の長さと、右側のデータバスラインに対向する副画素電極１１６ｃの左側の辺の長さとがほぼ等しい。このため、左側のデータバスラインと右側のデータバスラインとに相互に逆極性の表示電圧を印加した場合、左側のデータバスラインの影響による副画素電極１１６ａ，１１６ｃ，１１６ｄの電圧の変化が右側のデータバスラインの影響による副画素電極１１６ａ，１１６ｃ，１１６ｄの電圧の変化によって相殺され、その結果、副画素電極１１６ａ，１１６ｃ，１１６ｄの電圧は殆ど変化しない。これにより、本実施形態の液晶表示装置は、第１の実施形態と同様の効果を得ることができるのに加えて、第１の実施形態に比べてより一層良好な表示品質が得られるという効果を奏する。

なお、本実施形態において、ＴＦＴ１１４に接続された副画素電極１１６ａ，１１６ｃ，１１６ｄの面積の総和（低しきい値領域の面積）をＳ１、これらの副画素電極１１６ａ，１１６ｃ，１１６ｄに印加される電圧をＶ１とし、制御電極１１３に容量結合した副画素電極１１６ｂの面積（高しきい値領域の面積）をＳ２、副画素電極１１６ｂに印加される電圧をＶ２としたときに、例えばＳ１：Ｓ２を、１：９〜６：４の範囲内とし、Ｖ２／Ｖ１を０．８〜０．５９の範囲内とすることが好ましい。例えば、Ｓ１：Ｓ２＝４：６とし、Ｖ２／Ｖ１＝０．７２とする。

（第３の実施形態）
図１７は、本発明の第３の実施形態の液晶表示装置の１画素を示す平面図である。本実施形態が第１の実施形態と異なる点は、スリットにより画定される副画素電極の形状が異なることになり、その他の構成は基本的に第１の実施形態と同様であるので、図１７において図１１と同一物には同一符号を付してその詳しい説明は省略する。

本実施形態においては、図１７に示すように、画素電極が、斜め方向に延在するスリット１５０ａと垂直方向に延在するスリット１５０ｂとにより４つの副画素電極１５１ａ，１５１ｂ，１５１ｃ，１５１ｄに分割されている。副画素電極１５１ａは上下対称形であり、電圧印加時に液晶分子の配向方向が相互に異なる４つの領域（４ドメイン）が形成されるように、且つそれらの領域がほぼ同じ大きさとなるように、形状及び突起１２４に対する位置が決められている。また、副画素電極１５１ａは、第２の絶縁膜を介して制御電極１１３と容量結合している。

副画素電極１５１ｂも上下対称形に形成されており、電圧印加時に液晶分子の配向方向が相互に異なる４つの領域（４ドメイン）が形成されるように、且つそれらの領域がほぼ同じ大きさとなるように、形状及び突起１２４に対する位置が決められている。また、副画素電極１５１ｂも、第２の絶縁膜を介して制御電極１１３と容量結合している。但し、本実施形態においては、制御電極１１３に電圧が印加されたときに、副画素電極１５１ｂの電圧のほうが副画素電極１５１ａの電圧よりも高くなるように、副画素電極１５１ａ，１５１ｂの大きさ及び制御電極１１３との重なり量が設定されている。

副画素電極１５１ｃ，１５１ｄは、補助容量バスライン１１２を挟んで上下対称に配置されている。これらの副画素電極１５１ｃ，１５１ｄの下方にはＴＦＴ１１４のソース電極１１４ｓ及び制御電極１１３に接続した接続配線１５３ａ，１５３ｂが形成されている。副画素電極１５１ｃはコンタクトホール１５４ａを介して接続配線１５３ａに接続され、副画素電極１５１ｄはコンタクトホール１５４ｂを介して接続配線１５３ｂに接続されている。これらの副画素電極１５１ｃ，１５１ｄも、電圧印加時に液晶分子の配向方向が相互に異なる４つの領域（副画素電極１５１ｃ，１５１ｄにそれぞれ２つの領域）となるように、且つそれらの領域がほぼ同じ大きさとなるように、形状及び突起１２４に対する位置が決められている。

本実施形態の液晶表示装置は、図１４に示す第２の実施形態の液晶表示装置に比べて以下に示す利点がある。すなわち、第２の実施形態では、表示電圧が供給されたときに、４つの副画素電極１１６ａ〜１１６ｄのうちの３つ（副画素電極１１６ａ，１１６ｃ，１１６ｄ）の電圧が同一となる。そのため、第２の実施形態の液晶表示装置では１画素内にＴ−Ｖ特性のしきい値が相互に異なる領域が２つしか存在しないことになり、第１の実施形態に比べて白茶けを抑制する効果が小さくなる。一方、本実施の形態では、表示電圧が供給されたときに、副画素電極１５１ａの電圧と、副画素電極１５１ｂの電圧と、副画素電極１５１ｃ，１５１ｄの電圧とが相互に異なる。すなわち、本実施形態においては、１画素内にＴ−Ｖ特性のしきい値が相互に異なる３つの領域が存在することになる。従って本実施形態の液晶表示装置は、第１の実施形態と同様に白茶けを抑制する効果が大きい。

また、本実施形態では、副画素電極１５１ａ、副画素電極１５１ｂ及び副画素電極１５１ｃ，１５１ｄのそれぞれにおいて、電圧印加時の液晶分子の配向方向が相互に異なる４つの領域が形成されるように副画素電極１５１ａ〜１５１ｄの形状及び突起１２４に対する位置が決められているので、表示電圧が低くても第１の実施形態のように視野角特性が劣化することがない。

なお、本実施形態においては、副画素電極１５１ｃ，１５１ｄの面積の総和（低しきい値領域の面積）をＳ１、副画素電極１５１ｂの面積（中しきい値領域の面積）をＳ２、副画素電極１５１ａの面積（高しきい値領域の面積）をＳ３としたときに、これらの面積比を例えば、Ｓ１：Ｓ２：Ｓ３＝１：２：７又は２：２：６等に設定することが好ましい。

（第４の実施形態）
図１８は、本発明の第４の実施形態の液晶表示装置の１画素を示す平面図である。本実施形態が図１７に示す第３の実施形態と異なる点は、スリットにより画定される副画素電極の形状が異なることにあり、その他の構成は基本的に第３の実施形態と同様であるので、図１８において図１７と同一物には同一符号を付してその詳しい説明は省略する。

本実施形態においては、図１８に示すように、斜め方向に延在するスリット１５０ａ，１５０ｃにより画素電極が４つの副画素電極１６１ａ，１６１ｂ，１６１ｃ，１６１ｄに分割されている。副画素電極１６１ａ及び副画素電極１６１ｂはいずれも上下対称形であり、電圧印加時に液晶分子の配向方向が相互に異なる４つの領域（４ドメイン）が形成されるように、且つそれらの領域がほぼ同じ大きさとなるように、形状及び突起１２４に対する位置が決められている。また、これらの副画素電極１６１ａ，１６１ｂは、第２の絶縁膜を介して制御電極１１３と容量結合している。

副画素電極１６１ｃ、１６１ｄは、補助容量バスライン１１２を挟んで上下対称に配置されている。これらの副画素電極１６１ｃ，１６１ｄの下方にはＴＦＴ１１４のソース電極１１４ｓ及び制御電極１１３に接続した接続配線１５３ａ，１５３ｂが形成されている。副画素電極１６１ｃはコンタクトホール１５４ａを介して接続配線１５３ａに接続され、副画素電極１６１ｄはコンタクトホール１５４ｂを介して接続配線１５３ｂに接続されている。これらの副画素電極１６１ｃ，１６１ｄも、電圧印加時に液晶分子の配向方向が相互に異なる４つの領域（副画素電極１６１ｃ，１６１ｄにそれぞれ２つの領域）が形成されるように、且つそれらの領域がほぼ同じ大きさとなるように、形状及び突起１２４に対する位置が決められている。

本実施形態は、図１７に示す第３の実施形態の液晶表示装置に比べて以下に示す利点がある。すなわち、第３の実施形態の液晶表示装置では、スリット１５０ｂがドメイン規制用構造物であるスリット１５０ａ及び突起１２４に対しほぼ４５°の角度で交差している。このようなスリットがあると液晶分子の配向の乱れが生じ、図１９（ａ）の光の透過図に示すように透過率が低い部分が発生する。

一方、本実施形態では、ドメイン規制用構造物であるスリット１５０ａ及び突起１２４に対しほぼ４５°の角度に交差するスリットをなくし、スリット１５０ａに対しほぼ垂直にスリット１５０ｃを形成している。この場合、図１９（ｂ）の光の透過図に示すように、液晶分子の乱れが小さくなって透過率の減少が抑制される。これにより、本実施形態の液晶表示装置は、第３の実施形態と同様の効果が得られるのに加えて、第３の実施形態の液晶表示装置に比べてより一層明るい表示が可能になるという効果を奏する。

（第５の実施形態）
図２０は、本発明の第５の実施形態の液晶表示装置の１画素を示す平面図である。本実施形態が図１８に示す第４の実施形態と異なる点は、接続配線のパターン形状が異なることにあり、その他の構成は基本的に第４の実施形態と同様であるので、図２０において図１８と同一物には同一符号を付して、その詳しい説明は省略する。

接続配線１６３ａは、ソース電極１１４ｓから突起１２４に向って斜め方向（突起１２４に対しほぼ垂直な方向）に延びる部分と、突起１２４に沿って延びる部分と、制御電極１１３に向ってデータバスライン１１５と平行に延びる部分とにより構成されている。そして、接続配線１６３ａは、突起１２４に沿って延びる部分でコンタクトホール１５４ａを介して副画素電極１６１ｃに電気的に接続している。また、接続配線１６３ｂは、制御電極１１３から突起１２４に向ってデータバスライン１１５と平行に延びる部分と、突起１２４に沿って延びる部分とにより構成されている。そして、突起１２４に沿って延びる部分の先端でコンタクトホール１５４ｂを介して副画素電極１６１ｄと電気的に接続している。

図１８に示す第４の実施形態の液晶表示装置では、スリット１５０ａ，１５０ｂから接続配線１５３ａ，１５３ｂが露出する部分で、接続配線１５３ａ，１５３ｂから発生する電気力線の影響により液晶分子の配向の乱れが発生して、透過率の低い部分が発生する。

一方、本実施形態においては、上述したように接続配線１６３ａ，１６３ｂを突起１２４に沿って配置している。突起１２４はドメインの境界となり、もともと透過率が低い部分である。従って、図２０に示すように、接続配線１６３ａ，１６３ｂを突起１２４に沿って配置することにより、接続配線１６３ａ，１６３ｂがスリット１５０ｃから露出する部分での透過率の低下が回避される。これにより、本実施形態の液晶表示装置は、第４の実施形態と同様の効果を得ることができるのに加えて、第４の実施形態に比べてより一層明るい表示が可能になるという効果を奏する。

（第６の実施形態）
図２１は本発明の第６の実施形態の液晶表示装置の１画素を示す平面図、図２２は図２１中に破線の円Ａで囲んだ部分を拡大して示す模式図、図２３は図２１中に破線の円Ｂで囲んだ部分を拡大して示す模式図である。なお、図２１において、図２０と同一物には同一符号を付して、その詳しい説明は省略する。

本実施形態においては、図２２に示すように、スリット１５０ａと接続配線１６３ａとが交差する部分に、接続配線１６３ａを覆うＩＴＯ膜１７０が形成されている。このＩＴＯ膜１７０は副画素電極１６１ａの一部を構成するものである。このように、接続配線１６３ａの露出部をＩＴＯ膜１７０で覆うことにより、接続配線１６３ａから発生する電気力線を遮蔽して液晶分子の乱れを防止することができる。図２４（ａ）に第５の実施形態の液晶表示装置（ＩＴＯ膜１７０がないとき）のスリット１５０ａと接続配線１６３ａとの交差部の光の透過図を示し、図２４（ｂ）に本実施形態（ＩＴＯ膜１７０があるとき）のスリット１５０ａと接続配線１６３ａとの交差部の光の透過図を示す。この図２４（ａ），（ｂ）から、本実施形態では第５の実施形態に比べて、スリット１５０ａと接続配線１６３ａとの交差部の光の透過率が向上することがわかる。

また、本実施形態では、図２３に示すように、副画素電極１６１ａと容量結合する制御電極１１３ａと、副画素電極１６１ｂと容量結合する制御電極１１３ｂとの間を補助容量バスライン１１２よりも細い配線１１３ｃにより接続している。図２０に示すような制御電極１１３では、スリット１５０ａから制御電極１１３が露出しているため、制御電極１１３から発生する電気力線が液晶分子の配向を乱し、図２５（ａ）の光の透過図に示すように、透過率が減少してしまう。

一方、本実施形態では、制御電極１１３ａ，１１３ｂを接続する配線１１３ｃのエッジが補助容量バスライン１１２の上に配置されている。補助容量バスライン１１２は、通常接地電位に保持されるので、配線１１３ｃから発生する電気力線が補助容量バスライン１１２に吸収され、液晶分子の配向の乱れが抑制される。図２５（ｂ）に、本実施形態における制御電極１１３とスリット１５０ａとの交差部の光の透過図を示す。この図２５（ａ），（ｂ）から、本実施形態では第５の実施形態に比べて制御電極１１３の近傍の光の透過率が向上することがわかる。

（第７の実施形態）
図２６は本発明の第７の実施形態の液晶表示装置の１画素を示す平面図である。本実施形態が図１１に示す第１の実施形態と異なる点は、スリットにより画定される副画素電極の形状と対向基板側に形成される突起のパターン形状とが異なることにあり、その他の構成は基本的に第１の実施形態と同様であるので、図２６において図１１と同一物には同一符号を付してその詳しい説明は省略する。

本実施形態においては、画素電極が、斜め方向に延びるスリット１８０ａにより、５つの副画素電極１８１ａ〜１８１ｅに分割されている。副画素電極１８１ａ，１８１ｅは、補助容量バスライン１１２を挟んで上下対称に配置されている。副画素電極１８１ａの下方には第２の絶縁膜を介して矩形の制御電極１８３ａが形成されており、副画素電極１８１ａは制御電極１８３ａと容量結合している。この制御電極１８３ａは、ソース電極１１４ｓから制御電極１１３まで延びる接続配線１８５ａと電気的に接続されている。

また、副画素電極１８１ｅの下方には第２の絶縁膜を介して矩形の制御電極１８３ｂが形成されており、副画素電極１８１ｅは制御電極１８３ｂと容量結合している。この制御電極１８３ｂは、制御電極１１３から延びる接続配線１８５ｂと電気的に接続されている。これらの副画素電極１８１ａ，１８１ｅは、電圧印加時に液晶分子の配向方向が相互に異なる４つの領域（副画素電極１８１ａ，１８１ｅにそれぞれ２つの領域）が形成されるように、且つそれらの領域がほぼ同じ大きさとなるように、形状及び突起１８７の位置が決められている。

副画素電極１８１ｂ，１８１ｄも、補助容量バスライン１１２を挟んで上下対称に配置されている。副画素電極１８１ｂは、コンタクトホール１８２ｂを介して接続配線１８５ａと電気的に接続されている。また、副画素電極１８１ｄは、コンタクトホール１８２ｃを介して接続配線１８５ｂと電気的に接続されている。これらの副画素電極１８１，１８１ｄも、電圧印加時に液晶分子の配向方向が相互に異なる４つの領域（副画素電極１８１ｂ，１８１ｄにそれぞれ２つの領域）が形成されるように、且つそれらの領域がほぼ同じ大きさとなるように、形状及び突起１８７の位置が決められている。

副画素電極１８１ｃは制御電極１１３と容量結合している。この副画素電極１８１ｃも、電圧印加時に液晶分子の配向方向が相互に異なる４つの領域が形成されるように、且つそれらの領域がほぼ同じ大きさとなるように、形状及び突起１８７の位置が決められている。

本実施形態において、表示電圧を供給したときの副画素電極１８１ａの電圧をＡ、副画素電極１８１ｂの電圧をＢ、副画素電極１８１ｃの電圧をＣ、副画素電極１８１ｄの電圧をＤ、副画素電極１８１ｅの電圧をＥとすると、Ｂ＝Ｄ＞Ａ＝Ｅ＞Ｃとなる。

本実施形態においては、Ｔ−Ｖ特性のしきい値が異なる３つの領域の面積比を容易に最適化することができる。例えば図２７に示すように、副画素電極１８１ｂと副画素電極１８１ｄとの合計の面積をＭ１、副画素電極１８１ａと副画素電極１８１ｅとの合計の面積をＭ２、副画素電極１８１ｃの面積をＭ３とする。ある大きさの液晶表示装置では、これらの面積比Ｍ１：Ｍ２：Ｍ３が１：２：７（Ｍ１：Ｍ２：Ｍ３＝１：２：７）のときに白茶けが最も少なくなることが実験から判明している。この場合、突起１８７の幅を１０μｍ、スリット１８０ａの幅を１０μｍとし、突起とスリットの間隔を、副画素電極１８１ｂ，１８１ｄでは３μｍ、副画素電極１８１ａ，１８１ｅでは７μｍ、副画素電極１８１ｃでは２５μｍとすると、面積比Ｍ１：Ｍ２：Ｍ３が概ね１：２：７となる。このように、本実施形態では、突起１８７とスリット１８０ａとの間隔を設定するだけで、副画素電極１８１ａ〜１８１ｅの面積比を容易に所望の値とすることができる。

図２８は第７の実施形態の変形例１の液晶表示装置の１画素を示す平面図である。この変形例１においては、接続配線１８５ａ，１８５ｂの下方に、補助容量バスライン１１２から延びる導電パターン１１２ａ，１１２ｂを設けている。この導電パターン１１２ａ，１１２ｂにより接続配線１１２ａ，１１２ｂから発生する電気力線が吸収され、スリット１８０ａから接続配線１１２ａ，１１２ｂが露出する部分での液晶分子の配向の乱れを抑制することができる。

図２９は第７の実施形態の変形例２の液晶表示装置の１画素を示す平面図である。この変形例２においては、更にスリット１８０ａの下方に、補助容量バスライン１１２と接続した導電パターン１１２ｃを形成している。この導電パターン１１２ｃによりスリット１８０ａの下方の部分が接地電位に保持されるので、スリット１８０ａの部分での光の透過をより確実に防止することができる。

（その他の実施形態）
図３０に示すように、赤色（Ｒ）画素、緑色（Ｇ）画素及び青色（Ｂ）画素のセルギャップが相互に異なるマルチギャップ構造の液晶表示装置では、画素電極とコモン電極との間の容量（液晶容量）が各色画素毎に異なる。例えば図３０に示すように、青色画素Ｂのセルギャップが３．６μｍ、緑色画素Ｇのセルギャップが４．６μｍ、赤色画素Ｒのセルギャップが５．６μｍであるとすると、青色画素Ｂの液晶容量は緑色画素Ｇの液晶容量の（４．６／３．６）倍となる。第１〜第７の実施形態に示したように、容量結合による電圧降下を赤色画素、緑色画素及び青色画素で等しくするためには、液晶容量と制御電極との容量比が一定であることが必要である。従って、制御電極と副画素電極の重なり量をセルギャップの逆比にすることが必要である。すなわち、図３１に示すように、緑色画素Ｇの制御電極１１３Ｇの面積を赤色画素Ｒの制御電極１１３Ｒの（５．６／４．６）倍とする。また、青色画素Ｂの制御電極１１３Ｂを緑色画素Ｇの制御電極１１３Ｇの（４．６／３．６）倍とする。

このように赤色画素Ｒ、緑色画素Ｇ及び青色画素Ｂで制御電極の大きさを変えることにより、容量結合による電圧降下が等しくなり、良好な表示品質が得られる。なお、制御電極の面積を変える替わりに、制御電極と副画素電極との間の絶縁膜の厚さを各色画素毎に変化させてもよい。しかしながら、制御電極と副画素電極との間の絶縁膜の厚さを各色画素毎に変化させる場合は製造工程が増加するため、上述の如く制御電極の面積を変えたほうが簡単である。

図３２は、第１〜第７の実施形態において、Ｔ−Ｖ特性のしきい値が最も低い副画素の部分に散乱層１９０を設けた例を示している。なお、図３２において、１９５ａ，１９５ｂは液晶パネルの両面にそれぞれ配置された偏光板を示している。

表示電圧が低い場合は、１画素内の一部の副画素のみが光を透過し、他の副画素の部分では光を透過しない。このため、画素サイズが大きい場合は画面がざらついた印象を与えてしまう。そこで、図３２に示すように、Ｔ−Ｖ特性のしきい値が最も低い副画素の部分に散乱層１９０を形成する。この散乱層１９０は、例えば基板１２０の表面をエッチングで荒らすなどの方法により形成される。これにより、光が散乱されて、輝度が低いときの画面のざらつきが抑制される。また、散乱によって輝度が低いときの視野角特性が改善されるという効果もある。

なお、偏光板１９５ａと偏光板１９５ｂとの間に光を散乱させる層を配置すると、偏光が乱れるため、コントラストが低下する。しかし、この図３２に示す例のように、画素の一部のみに散乱層１９０を配置した場合はコントラストの低下が少なく、実用上問題は発生しない。

上記第１〜第７の実施形態においてはいずれも本発明を透過型液晶表示装置に適用した場合について説明したが、本発明は反射型液晶表示装置及び半透過型液晶表示装置に適用することもできる。

（面積比及び電圧比）
本願発明のように容量結合とＶＡモードの液晶表示装置とを組み合わせた場合、副画素電極の面積の比率と電圧の比率には最適な値の範囲が存在する。図３３〜図３５はそのパラメータの組み合わせについて調べた結果を示す図である。これらの図３３〜図３５において、横軸は副画素電極の面積比を示している。すなわち、ＴＦＴに直結した副画素電極の面積（低しきい値領域の面積）と、制御電極に容量結合した副画素電極の面積（高しきい値領域の面積）との比を示している。また、縦軸は電圧比、すなわち制御電極に容量結合された副画素電極の電圧／ＴＦＴに直結した副画素電極の電圧を示す。容量結合された副画素電極の電圧は、容量の分圧で決定される。

この組み合わせに対して、ＶＡモードの液晶表示装置において白茶けの影響を受けやすい代表的な画像を選び、そのピーク階調におけるγ係数をもって等高線グラフを作成した。なお、グラフにはγ係数が高い組み合わせ、すなわち白茶けの改善効果がより大きな組み合わせの方向を矢印で示している。

図３３（ａ），（ｂ），（ｃ）はいずれも人肌の画像の階調値である。人肌は人間が記憶している色であり、画像の人物に対する印象を色で判断する場合が多く且つ重要であるため、白茶け改善が重要である代表的画像といえる。また、図３４は食材である肉の画像の階調値である。食欲を引き出せるかという点で画像の再現性が重要であり、人肌よりも暗い低階調側の画像である。

図３３（ａ）〜（ｃ）及び図３４から、電圧比が０．８以上では白茶けを改善する効果が殆どなく、電圧比は０．８以下でなければならないことは明らかである。

また、面積比は、低階調の肉の画像は面積比が１：９などの比率のときに白茶け改善の効果が良好であるが、人肌の画像では面積比が２：８〜５：５のときに白茶け改善の効果が良好であり、面積比が６：４では効果が落ち始める。また、面積比が６：４では低階調の肉の画像では白茶けの改善効果が全く得られない。

図３５は容量結合のパラメータと透過率との関係を示す図である。高しきい値領域の副画素電極には十分な電圧が印加されないため透過率は低下する傾向にあるが、高しきい値領域の副画素電極の面積割合が小さいほど、また電圧比が大きくしきい値のずれが小さいほど、透過率の低下は小さく抑えられる。図中矢印の方向が透過率が高い良好なパラメータの方向性となる。

図３３（ａ）〜（ｃ）及び図３４と図３５とを比較すると、互いにパラメータは反する方向に最適解があることがわかる。肌、肉、透過率でバランスが取れる条件としては４：６分割で電圧比０．７２付近が理想的である。

なお、３分割については更に組み合わせが複雑になるが、傾向は２分割と同様である。しかしながら、実験から低しきい値領域、中しきい値領域及び高しきい値領域の３つの画素において（低しきい値領域＋中しきい値領域）と高しきい値領域、又は低しきい値領域と（中しきい値領域＋高しきい値領域）との二つに組み合わせた場合の条件が２分割の条件範囲に入ってくれば大きな差はなくなることがわかっている。なお、画素電極を低しきい値領域、中しきい値領域及び高しきい値領域の３つに分割する場合、１：２：７、１：３：６、２：２：６等が理想的な条件となる。

以下、本発明の諸態様を、付記としてまとめて記載する。

（付記１） 相互に対向して配置された第１基板及び第２の基板と、
前記第１の基板及び前記第２の基板の間に封入された垂直配向型液晶と、
前記第１の基板に設けられて走査信号が供給されるゲートバスラインと、
前記第１の基板に設けられて表示信号が供給されるデータバスラインと、
前記ゲートバスライン及び前記データバスラインにより画定される画素領域毎に形成されたスイッチング素子及び画素電極と、
前記第１の基板の画素領域に設けられて前記スイッチング素子と接続された制御電極と、
前記第２の基板に設けられたコモン電極とを有し、
前記画素電極が複数の副画素電極に分割され、前記複数の副画素電極のうちの少なくとも一部の副画素電極が前記制御電極と容量結合し、前記制御電極に電圧が印加されると、前記制御電極に容量結合した副画素電極に、前記制御電極との間で形成される容量と前記液晶を介して前記コモン電極との間で形成される容量との比に応じた電圧が印加されることを特徴とする液晶表示装置。

（付記２） 前記複数の副画素電極のうち前記スイッチング素子に接続された副画素電極の面積の総和Ｓ１と、前記制御電極との間に形成された容量を介して駆動される副画素電極の面積の総和Ｓ２との比（Ｓ１：Ｓ２）が、１：９乃至６：４の範囲内であることを特徴とする付記１に記載の液晶表示装置。

（付記３） 前記複数の副画素電極のうち前記スイッチング素子に接続された副画素電極の電圧Ｖ１と、前記制御電極との間に形成された容量を介して駆動される副画素電極の電圧Ｖ２との比（Ｖ２／Ｖ１）が、０．８乃至０．５９の範囲内であることを特徴とする付記１に記載の液晶表示装置。

（付記４） 相互に対向して配置された第１の基板及び第２の基板と、
前記第１の基板及び前記第２の基板の間に封入された液晶と、
前記第１の基板に設けられて走査信号が供給されるゲートバスラインと、
前記第１の基板に設けられて表示信号が供給されるデータバスラインと、
前記ゲートバスライン及び前記データバスラインにより画定される画素領域内に配置され、スリットにより複数の副画素電極に分割された画素電極と、
前記ゲートバスライン及び前記データバスラインに接続されたスイッチング素子と、
前記スイッチング素子に接続されて前記複数の副画素電極の少なくとも１つと容量結合する制御電極と、
前記第２の基板に設けられたコモン電極とを有し、
前記画素電極を分割するスリットの少なくとも一部が、電圧印加時の液晶分子の配向方向を規定するドメイン規制用構造物を構成することを特徴とする液晶表示装置。

（付記５） 前記データバスラインに前記表示信号を供給し、前記ゲートバスラインに前記走査信号を供給したときに、前記複数の副画素電極の一部に第１の電圧が印加され、残りの副画素電極には前記第１の電圧と異なる第２の電圧が印加されることを特徴とする付記４に記載の液晶表示装置。

（付記６） 前記制御電極と容量結合をしている副画素電極以外の副画素電極が、前記スイッチング素子と接続していることを特徴とする付記４に記載の液晶表示装置。

（付記７） 前記第１の基板には、前記スリット以外のドメイン規制用構造物を有しないことを特徴とする付記４に記載の液晶表示装置。

（付記８） 前記第２の基板に、電圧印加時の液晶分子の配向方向を規定する第２のドメイン規制用構造物が形成されていることを特徴とする付記４に記載の液晶表示装置。

（付記９） 前記スリットと前記第２のドメイン規制用構造物との間隔が、各副画素電極毎に設定されていることを特徴とする付記８に記載の液晶表示装置。

（付記１０） 前記スイッチング素子と前記制御電極との間を接続する配線が、前記第２の基板の第２のドメイン規制用構造物に沿って配置されていることを特徴とする付記８に記載の液晶表示装置。

（付記１１） 前記ドメイン規制用構造物を構成するスリット以外のスリットが、前記ドメイン規制用構造物を構成するスリットに対しほぼ垂直に配置されていることを特徴とする付記４に記載の液晶表示装置。

（付記１２） 前記画素領域に隣接する２つのデータバスラインのうちの一方のデータバスラインとの間に第１の寄生容量が発生する副画素電極と、他方のデータバスラインとの間に前記第１の寄生容量とほぼ同じ大きさの第２の寄生容量が発生する副画素電極とが、相互に電気的に接続されていることを特徴とする付記４に記載の液晶表示装置。

（付記１３） 前記スイッチング素子と前記制御電極とを接続する配線と前記スリットとが交差する部分に、前記配線を覆う導電体膜が形成されていることを特徴とする付記４に記載の液晶表示装置。

（付記１４） 前記制御電極が、前記画素領域の中央を横断する補助容量バスラインの上に絶縁膜を介して形成されていることを特徴とする付記４に記載の液晶表示装置。

（付記１５） 前記複数の副画素電極のうち前記制御電極と容量結合する第１の副画素電極及び第２の副画素電極を有し、
前記制御電極のうち前記第１の副画素電極に容量結合する部分と前記第２の副画素電極に容量結合する部分との間が、前記補助容量バスラインよりも細い配線で接続されていることを特徴とする付記１４に記載の液晶表示装置。

（付記１６） 前記スイッチング素子と前記制御電極とを接続する配線の下方に、前記補助容量バスラインに接続した導体パターンが形成されていることを特徴とする付記１４に記載の液晶表示装置。

（付記１７） 前記スリットの下方に、前記補助容量バスラインに接続した導体パターンが形成されていることを特徴とする付記１４に記載の液晶表示装置。

（付記１８） 前記第１の基板及び前記第２の基板のいずれか一方に設けられたカラーフィルタを有し、カラーフィルタの色毎に前記第１の基板と前記第２の基板との間の液晶層の厚さが異なることを特徴とする付記４に記載の液晶表示装置。

（付記１９） 前記液晶層の厚さが厚い画素ほど前記制御電極の大きさが小さいことを特徴とする付記１８に記載の液晶表示装置。

（付記２０） 前記第１の基板及び第２の基板のうちの少なくとも一方の基板の前記複数の副画素電極の一部に対向する部分に、光を散乱する散乱層が形成されていることを特徴とする付記４に記載の液晶表示装置。

従来の液晶表示装置の構造を示す模式断面図である。 図２（ａ），（ｂ）は、従来のＭＶＡ型液晶表示装置の一例を示す模式断面図である。 図３は、ＴＦＴ基板側の画素電極にドメイン規制用構造物としてスリットを形成した従来のＭＶＡ型液晶表示装置を示す模式断面図である。 図４は実際のＭＶＡ型液晶表示装置の１画素を示す平面図である。 図５は同じくその液晶表示装置のＴＦＴ基板の模式断面図である。 図６は、従来のＭＶＡ型液晶表示装置における４つのドメインを示す模式図である。 図７は、画面を正面から見たときのＴ−Ｖ特性と上６０°の方向から見たときのＴ−Ｖ特性とを示す図である。 図８は、容量結合によるＨＴ（ハーフトーングレースケール）法を使用した従来の液晶表示装置の１画素を示す平面図である。 図９（ａ）は画素電極が分割されていない液晶表示装置の１画素を示す模式図、図９（ｂ）は画素電極が２つに分割された液晶表示装置の１画素を示す模式図、図９（ｃ）は画素電極が３つに分割された液晶表示装置の１画素を示す模式図、図９（ｄ）は画素電極が４つに分割された液晶表示装置の１画素を示す模式図である。 図１０は、ＴＮ型液晶表示装置及びＶＡ型液晶表示装置における画素電極の分割数と画素ピッチ及び開口率比との関係を示す図である。 図１１は、本発明の第１の実施形態の液晶表示装置を示す平面図である。 図１２は、同じくその模式断面図である。 図１３は、副画素電極を分離するスリットとは別に、ドメイン規制用構造物としてスリット及び突起を設けたＭＶＡ型液晶表示装置の例を示す模式図である。 図１４は、本発明の第２の実施形態の液晶表示装置の１画素を示す平面図である。 図１５は、第１の実施形態の液晶表示装置の画素部の等価回路図である。 図１６は、第２の実施形態の液晶表示装置の画素部の等価回路図である。 図１７は、本発明の第３の実施形態の液晶表示装置の１画素を示す平面図である。 図１８は、本発明の第４の実施形態の液晶表示装置の１画素を示す平面図である。 図１９（ａ）は第３の実施形態の液晶表示装置の一部分の光の透過状態を示す光透過図、図１９（ｂ）は第４の実施形態の液晶表示装置の図１９（ａ）に対応する部分の光の透過状態を示す光透過図である。 図２０は、本発明の第５の実施形態の液晶表示装置の１画素を示す平面図である。 図２１は、本発明の第６の実施形態の液晶表示装置の１画素を示す平面図である。 図２２は、図２１中に破線の円Ａで囲んだ部分を拡大して示す模式図である。 図２３は、図２１中に破線の円Ｂで囲んだ部分を拡大して示す模式図である。 図２４（ａ）は第５の実施形態の液晶表示装置の一部分の光の透過状態を示す光透過図、図２４（ｂ）は第６の本実施形態の図２４（ａ）に対応する部分の光の透過状態を示す光透過図である。 図２５（ａ）は第５の実施形態の液晶表示装置の他の部分の光の透過状態を示す光透過図、図２５（ｂ）は第６の本実施形態の図２５（ａ）に対応する部分の光の透過状態を示す光透過図である。 図２６は、本発明の第７の実施形態の液晶表示装置の１画素を示す平面図である。 図２７は、副画素電極の面積比を説明する平面図である。 図２８は、第７の実施形態の変形例１の液晶表示装置の１画素を示す平面図である。 図２９は、第７の実施形態の変形例２の液晶表示装置の１画素を示す平面図である。 図３０は、赤色（Ｒ）画素、緑色（Ｇ）画素及び青色（Ｂ）画素のセルギャップが相互に異なるマルチギャップ構造の液晶表示装置を示す模式図である。 図３１は、セルギャップに応じて制御電極の大きさを設定した液晶表示装置を示す模式図である。 図３２は、Ｔ−Ｖ特性のしきい値が最も低い副画素の部分に散乱層を設けた液晶表示装置の例を示す模式図である。 図３３（ａ），（ｂ），（ｃ）はいずれも人肌の画像における面積比及び電圧比の最適範囲を示す図である。 図３４は肉の画像における面積比及び電圧比の最適範囲を示す図である。 図３５は容量結合のパラメータと透過率との関係を示す図である。

符号の説明

１０，２０，５０，１１０，１２０…基板、
１２，５６…画素電極、
１２ａ，５６ａ，８４，１１７ａ，１５０ａ，１５０ｂ，１５０ｃ，１８０ａ…スリット、
１３，２３，７１，８５，１２４，１８７…突起、
１４，２４，１１８，１２５…配向膜、
２２、１２３…コモン電極
３０，１３０…液晶
４０…液晶パネル、
４１，４２…偏光板、
５１，１１１…ゲートバスライン、
５２，１１２…補助容量バスライン、
５３…補助容量電極、
５４，１１４…ＴＦＴ
５５，１１５…データバスライン、
６１，６２，１３１，１３２…絶縁膜、
８１ａ〜８１ｄ，１１６ａ〜１１６ｄ，１５１ａ〜１５１ｄ，１６１ａ〜１６１ｄ，１８１ａ〜１８１ｅ…副画素電極、
８２ａ〜８２ｄ，８３，１１３，１８３ａ，１８３ｂ，１１３Ｒ，１１３Ｇ，１１３Ｂ…制御電極、
１１５ａ，１１５ｂ，１５３ａ，１５３ｂ，１６３ａ，１６３ｂ，１８５ａ，１８５ｂ…接続配線、
１２１…ブラックマトリクス、
１２２…カラーフィルタ、
１７０…ＩＴＯ膜、
１９０…散乱層。

Claims (9)

1. 相互に対向して配置された第１基板及び第２の基板と、
   前記第１の基板及び前記第２の基板の間に封入された垂直配向型液晶と、
   前記第１の基板に設けられて走査信号が供給されるゲートバスラインと、
   前記第１の基板に設けられて表示信号が供給されるデータバスラインと、
   前記ゲートバスライン及び前記データバスラインにより画定される画素領域毎に形成されたスイッチング素子及び画素電極と、
   前記第１の基板の画素領域に設けられて前記スイッチング素子と接続された制御電極と、
   前記第２の基板に設けられたコモン電極とを有し、
   前記画素電極が複数の副画素電極に分割され、前記複数の副画素電極のうちの少なくとも一部の副画素電極が前記制御電極と容量結合し、前記制御電極に電圧が印加されると、前記制御電極に容量結合した副画素電極に、前記制御電極との間で形成される容量と前記液晶を介して前記コモン電極との間で形成される容量との比に応じた電圧が印加されることを特徴とする液晶表示装置。
2. 前記複数の副画素電極のうち前記スイッチング素子に接続された副画素電極の面積の総和Ｓ１と、前記制御電極との間に形成された容量を介して駆動される副画素電極の面積の総和Ｓ２との比（Ｓ１：Ｓ２）が、１：９乃至６：４の範囲内であることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
3. 前記複数の副画素電極のうち前記スイッチング素子に接続された副画素電極の電圧Ｖ１と、前記制御電極との間に形成された容量を介して駆動される副画素電極の電圧Ｖ２との比（Ｖ２／Ｖ１）が、０．８乃至０．５９の範囲内であることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
4. 相互に対向して配置された第１の基板及び第２の基板と、
   前記第１の基板及び前記第２の基板の間に封入された液晶と、
   前記第１の基板に設けられて走査信号が供給されるゲートバスラインと、
   前記第１の基板に設けられて表示信号が供給されるデータバスラインと、
   前記ゲートバスライン及び前記データバスラインにより画定される画素領域内に配置され、スリットにより複数の副画素電極に分割された画素電極と、
   前記ゲートバスライン及び前記データバスラインに接続されたスイッチング素子と、
   前記スイッチング素子に接続されて前記複数の副画素電極の少なくとも１つと容量結合する制御電極と、
   前記第２の基板に設けられたコモン電極とを有し、
   前記画素電極を分割するスリットの少なくとも一部が、電圧印加時の液晶分子の配向方向を規定するドメイン規制用構造物を構成することを特徴とする液晶表示装置。
5. 前記データバスラインに前記表示信号を供給し、前記ゲートバスラインに前記走査信号を供給したときに、前記複数の副画素電極の一部に第１の電圧が印加され、残りの副画素電極には前記第１の電圧と異なる第２の電圧が印加されることを特徴とする請求項４に記載の液晶表示装置。
6. 前記制御電極と容量結合をしている副画素電極以外の副画素電極が、前記スイッチング素子と接続していることを特徴とする請求項４に記載の液晶表示装置。
7. 前記第２の基板に、電圧印加時の液晶分子の配向方向を規定する第２のドメイン規制用構造物が形成されていることを特徴とする請求項４に記載の液晶表示装置。
8. 前記スリットと前記第２のドメイン規制用構造物との間隔が、各副画素電極毎に設定されていることを特徴とする請求項７に記載の液晶表示装置。
9. 前記スイッチング素子と前記制御電極との間を接続する配線が、前記第２の基板の第２のドメイン規制用構造物に沿って配置されていることを特徴とする請求項７に記載の液晶表示装置。

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