JP2011142143A - 液体噴射ヘッドの製造方法、圧電素子の製造方法、液体噴射ヘッド、液体噴射装置及び圧電素子 - Google Patents
液体噴射ヘッドの製造方法、圧電素子の製造方法、液体噴射ヘッド、液体噴射装置及び圧電素子 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2011142143A JP2011142143A JP2010000828A JP2010000828A JP2011142143A JP 2011142143 A JP2011142143 A JP 2011142143A JP 2010000828 A JP2010000828 A JP 2010000828A JP 2010000828 A JP2010000828 A JP 2010000828A JP 2011142143 A JP2011142143 A JP 2011142143A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- piezoelectric
- film
- platinum
- layer
- titanium oxide
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 29
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 144
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 claims abstract description 72
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 56
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 56
- 239000002243 precursor Substances 0.000 claims abstract description 36
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 31
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 29
- 239000011572 manganese Substances 0.000 claims abstract description 20
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 claims abstract description 19
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 claims abstract description 18
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 claims abstract description 17
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 claims abstract description 16
- 229910052746 lanthanum Inorganic materials 0.000 claims abstract description 16
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 claims abstract description 15
- JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N bismuth atom Chemical compound [Bi] JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 12
- FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N lanthanum atom Chemical compound [La] FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 12
- PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N Manganese Chemical compound [Mn] PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 11
- 238000010304 firing Methods 0.000 claims abstract description 7
- 239000010936 titanium Substances 0.000 claims description 66
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 63
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 63
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 48
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 13
- 239000002131 composite material Substances 0.000 claims description 6
- 238000000634 powder X-ray diffraction Methods 0.000 claims description 6
- JFFICVRMZXJORZ-UHFFFAOYSA-N [Mn](=O)(=O)([O-])[O-].[Fe+2].[La+3].[Bi+3].[Mn](=O)(=O)([O-])[O-].[Mn](=O)(=O)([O-])[O-].[Mn](=O)(=O)([O-])[O-] Chemical compound [Mn](=O)(=O)([O-])[O-].[Fe+2].[La+3].[Bi+3].[Mn](=O)(=O)([O-])[O-].[Mn](=O)(=O)([O-])[O-].[Mn](=O)(=O)([O-])[O-] JFFICVRMZXJORZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 238000009413 insulation Methods 0.000 abstract description 14
- 238000004891 communication Methods 0.000 abstract description 13
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 60
- 239000012071 phase Substances 0.000 description 47
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 36
- 239000000463 material Substances 0.000 description 33
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 17
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 16
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 14
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 13
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 12
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 12
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 11
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 11
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 11
- 238000004151 rapid thermal annealing Methods 0.000 description 11
- 238000005238 degreasing Methods 0.000 description 10
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 10
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 9
- 150000002902 organometallic compounds Chemical class 0.000 description 9
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 9
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 8
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 7
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 7
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 6
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 6
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 6
- RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);zirconium(4+) Chemical compound [O-2].[O-2].[Zr+4] RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 6
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 6
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 6
- 229910001928 zirconium oxide Inorganic materials 0.000 description 6
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 4
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 4
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 3
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 3
- 230000005620 antiferroelectricity Effects 0.000 description 3
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 3
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 3
- 230000005621 ferroelectricity Effects 0.000 description 3
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 3
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 description 3
- GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N iridium atom Chemical compound [Ir] GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 3
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 3
- SMSVUYQRWYTTLI-UHFFFAOYSA-L 2-ethylhexanoate;iron(2+) Chemical compound [Fe+2].CCCCC(CC)C([O-])=O.CCCCC(CC)C([O-])=O SMSVUYQRWYTTLI-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- PPNFILUQDVDXDA-UHFFFAOYSA-K 2-ethylhexanoate;lanthanum(3+) Chemical compound [La+3].CCCCC(CC)C([O-])=O.CCCCC(CC)C([O-])=O.CCCCC(CC)C([O-])=O PPNFILUQDVDXDA-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 2
- FHRAKXJVEOBCBQ-UHFFFAOYSA-L 2-ethylhexanoate;manganese(2+) Chemical compound [Mn+2].CCCCC(CC)C([O-])=O.CCCCC(CC)C([O-])=O FHRAKXJVEOBCBQ-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 description 2
- NUMHJBONQMZPBW-UHFFFAOYSA-K bis(2-ethylhexanoyloxy)bismuthanyl 2-ethylhexanoate Chemical compound [Bi+3].CCCCC(CC)C([O-])=O.CCCCC(CC)C([O-])=O.CCCCC(CC)C([O-])=O NUMHJBONQMZPBW-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 2
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 2
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052451 lead zirconate titanate Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 2
- 231100000989 no adverse effect Toxicity 0.000 description 2
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 2
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 2
- 238000000018 DNA microarray Methods 0.000 description 1
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N O-Xylene Chemical compound CC1=CC=CC=C1C CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 239000000443 aerosol Substances 0.000 description 1
- 239000012670 alkaline solution Substances 0.000 description 1
- 150000004703 alkoxides Chemical class 0.000 description 1
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- RZEADQZDBXGRSM-UHFFFAOYSA-N bismuth lanthanum Chemical compound [La].[Bi] RZEADQZDBXGRSM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 230000008602 contraction Effects 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 1
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 1
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 1
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 1
- 239000002241 glass-ceramic Substances 0.000 description 1
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 1
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 1
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000608 laser ablation Methods 0.000 description 1
- HFGPZNIAWCZYJU-UHFFFAOYSA-N lead zirconate titanate Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ti+4].[Zr+4].[Pb+2] HFGPZNIAWCZYJU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 description 1
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 1
- WPBNNNQJVZRUHP-UHFFFAOYSA-L manganese(2+);methyl n-[[2-(methoxycarbonylcarbamothioylamino)phenyl]carbamothioyl]carbamate;n-[2-(sulfidocarbothioylamino)ethyl]carbamodithioate Chemical compound [Mn+2].[S-]C(=S)NCCNC([S-])=S.COC(=O)NC(=S)NC1=CC=CC=C1NC(=S)NC(=O)OC WPBNNNQJVZRUHP-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- TVMXDCGIABBOFY-UHFFFAOYSA-N octane Chemical compound CCCCCCCC TVMXDCGIABBOFY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- -1 organic acid salts Chemical class 0.000 description 1
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 238000001552 radio frequency sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 238000005546 reactive sputtering Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 238000003980 solgel method Methods 0.000 description 1
- 238000010532 solid phase synthesis reaction Methods 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 230000002269 spontaneous effect Effects 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 1
- 239000008096 xylene Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B41—PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
- B41J—TYPEWRITERS; SELECTIVE PRINTING MECHANISMS, i.e. MECHANISMS PRINTING OTHERWISE THAN FROM A FORME; CORRECTION OF TYPOGRAPHICAL ERRORS
- B41J2/00—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed
- B41J2/005—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed characterised by bringing liquid or particles selectively into contact with a printing material
- B41J2/01—Ink jet
- B41J2/135—Nozzles
- B41J2/16—Production of nozzles
- B41J2/1607—Production of print heads with piezoelectric elements
- B41J2/161—Production of print heads with piezoelectric elements of film type, deformed by bending and disposed on a diaphragm
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B41—PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
- B41J—TYPEWRITERS; SELECTIVE PRINTING MECHANISMS, i.e. MECHANISMS PRINTING OTHERWISE THAN FROM A FORME; CORRECTION OF TYPOGRAPHICAL ERRORS
- B41J2/00—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed
- B41J2/005—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed characterised by bringing liquid or particles selectively into contact with a printing material
- B41J2/01—Ink jet
- B41J2/135—Nozzles
- B41J2/16—Production of nozzles
- B41J2/1621—Manufacturing processes
- B41J2/1626—Manufacturing processes etching
- B41J2/1629—Manufacturing processes etching wet etching
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B41—PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
- B41J—TYPEWRITERS; SELECTIVE PRINTING MECHANISMS, i.e. MECHANISMS PRINTING OTHERWISE THAN FROM A FORME; CORRECTION OF TYPOGRAPHICAL ERRORS
- B41J2/00—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed
- B41J2/005—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed characterised by bringing liquid or particles selectively into contact with a printing material
- B41J2/01—Ink jet
- B41J2/135—Nozzles
- B41J2/16—Production of nozzles
- B41J2/1621—Manufacturing processes
- B41J2/1631—Manufacturing processes photolithography
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N30/00—Piezoelectric or electrostrictive devices
- H10N30/01—Manufacture or treatment
- H10N30/07—Forming of piezoelectric or electrostrictive parts or bodies on an electrical element or another base
- H10N30/074—Forming of piezoelectric or electrostrictive parts or bodies on an electrical element or another base by depositing piezoelectric or electrostrictive layers, e.g. aerosol or screen printing
- H10N30/077—Forming of piezoelectric or electrostrictive parts or bodies on an electrical element or another base by depositing piezoelectric or electrostrictive layers, e.g. aerosol or screen printing by liquid phase deposition
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N30/00—Piezoelectric or electrostrictive devices
- H10N30/20—Piezoelectric or electrostrictive devices with electrical input and mechanical output, e.g. functioning as actuators or vibrators
- H10N30/204—Piezoelectric or electrostrictive devices with electrical input and mechanical output, e.g. functioning as actuators or vibrators using bending displacement, e.g. unimorph, bimorph or multimorph cantilever or membrane benders
- H10N30/2047—Membrane type
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N30/00—Piezoelectric or electrostrictive devices
- H10N30/80—Constructional details
- H10N30/85—Piezoelectric or electrostrictive active materials
- H10N30/853—Ceramic compositions
- H10N30/8561—Bismuth-based oxides
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T29/00—Metal working
- Y10T29/42—Piezoelectric device making
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T29/00—Metal working
- Y10T29/49—Method of mechanical manufacture
- Y10T29/49401—Fluid pattern dispersing device making, e.g., ink jet
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Particle Formation And Scattering Control In Inkjet Printers (AREA)
- Coating Apparatus (AREA)
- Piezo-Electric Or Mechanical Vibrators, Or Delay Or Filter Circuits (AREA)
Abstract
【解決手段】ノズル開口21に連通する圧力発生室12と、圧力発生室12に圧力変化を生じさせる圧電素子300と、を有する液体噴射ヘッドの製造方法であって、酸化チタン膜61を形成する工程と、酸化チタン膜61上に白金膜62を形成する工程と、白金膜62上にビスマス、ランタン、鉄及びマンガンを含む圧電体前駆体膜を形成する工程と、圧電体前駆体膜を不活性ガス雰囲気中で焼成し結晶化することにより圧電体層70を形成する工程と、圧電体層70上に電極80を形成する工程とを有する。
【選択図】図3
Description
かかる態様では、絶縁性が高くリーク電流の発生を抑制することができ且つ鉛を含有しない圧電素子を有する液体噴射ヘッドを製造することができる。また、圧電体層の歪み量も大きくなり、さらに、結晶を(100)面に優先配向させることができる。
(Bi1-x,Lax)(Fe1-y,Mny)O3 (1)
(0.10≦x≦0.20,0.01≦y≦0.09)
図1は、本発明の実施形態1に係る製造方法によって製造される液体噴射ヘッドの一例であるインクジェット式記録ヘッドの概略構成を示す分解斜視図であり、図2は、図1の平面図であり、図3は図2のA−A′断面図(図3(a))及び要部拡大図(図3(b))である。
(Bi1-x,Lax)(Fe1-y,Mny)O3 (1)
(0.10≦x≦0.20,0.01≦y≦0.09)
まず、シリコン基板の表面に熱酸化により二酸化シリコン膜を形成した。次に、二酸化シリコン膜上にRFスパッタ法により膜厚400nmの酸化ジルコニウム膜を形成した。次いで、酸化ジルコニウム膜上に、DCスパッタ法により膜厚20nmのチタン膜を形成した。次に、チタン膜上にDCスパッタ法により膜厚130nmの白金膜を形成した。
加熱装置内を500cc/分の流量の窒素でフローしたRTAのかわりに、加熱装置内を500cc/分の流量の酸素でフローしたRTAを行った以外は、実施例1と同様の操作を行った。
酸化ジルコニウム膜上に、チタン膜のかわりに酸化チタン膜を形成し、この酸化チタン膜の上に圧電体層を形成した以外は、実施例1と同様の操作を行った。
白金膜上に、DCスパッタ法により膜厚20nmのイリジウム膜を形成し、このイリジウム膜の上に圧電体層を形成した以外は、実施例1と同様の操作を行った。
加熱装置内を500cc/分の流量の窒素でフローしたRTAのかわりに、加熱装置内を500cc/分の流量の酸素でフローしたRTAを行い、また、酸化ジルコニウム膜上に、チタン膜のかわりに酸化チタン膜を形成しこの酸化チタン膜の上に圧電体層を形成した以外は、実施例1と同様の操作を行った。
実施例1及び比較例1〜3の各圧電素子について、東陽テクニカ社製「FCE−1A」で、φ=400μmの電極パターンを使用し、周波数1kHzの三角波を印加して、分極量と電圧の関係(P−V曲線)を求めた。結果を図24〜図26に示す。なお、実施例1については比較のため、結果を図24〜図26の全てに記載した。
実施例1、比較例1及び3の各圧電素子について、アグザクト社製の変位測定装置(DBLI)を用い室温で、φ=500μmの電極パターンを使用し、周波数1kHzの電圧を印加して、電界誘起歪―電界強度の関係(S−V曲線)を求めた。結果を図27及び図28に示す。なお、実施例1については比較のため、図27及び図28の両方に記載した。
実施例1及び比較例1の各圧電素子について、第2電極を剥がした状態で圧電体層70から厚さ方向に亘って二次イオン質量分析装置(SIMS)により測定した。結果を図29に示す。図の左側が第2電極側、右側が基板側である。この結果、窒素雰囲気で圧電体前駆体膜を結晶化させた実施例1では、下地であるチタン膜からチタンが拡散していることが分かる。なお拡散したチタンは白金層及び圧電体層に偏析しており、圧電体層中まで拡散していることがわかる。このことと試験例1の結果とから、Tiが拡散することで、圧電素子の絶縁性が向上したといえる。また、実施例1においては、白金を含む白金層と、圧電体層との間に図29において矢印で示すようにチタンのピークが存在しており、この領域に酸化チタンを含む第2酸化チタン層が形成されていることが分かる。なお、この第2酸化チタン層の厚さを透過型電子顕微鏡(TEM)で測定したところ、1nmであった。
実施例1及び比較例2の各圧電素子について、第2電極を剥がした状態で圧電体層70から厚さ方向に亘って二次イオン質量分析装置(SIMS)により測定した。実施例1の結果を図30に、比較例2の結果を図31に示す。なお、図の左側が第2電極側、右側が基板側である。この結果、実施例1では、試験例3と同様に、白金膜の下地であるチタン膜からチタンが拡散していることが分かる。なお拡散したチタンは白金層及び圧電体層に偏析しており、圧電体層中まで拡散していることがわかる。
実施例1及び比較例1〜4の圧電素子について、Bruker AXS社製の「D8 Discover」を用い、X線源にCuKα線を使用し、室温で、圧電体層の粉末X線回折パターンをφ=ψ=0°で求めた。実施例1、比較例1〜2及び4の結果を図32に、また、比較例3の結果を実施例1及び比較例2と共に記載した図を図33に示す。
実施例1及び比較例1の各圧電素子について、J−Eプロットを取得することにより伝導機構の調査を行った。トンネル放出機構の結果を図34に示す。この結果、窒素雰囲気中で結晶化させた実施例1では、トンネル電流はほとんど生じず、リーク電流を抑制できることが分かる。一方、酸素雰囲気中で結晶化させた比較例1では、高電界側でトンネル電流が放出しており、酸素フローによる酸素がドナーとなってトンネル電流を発生させているため、酸素雰囲気中で結晶化したものは、リーク電流が増加すると考えられる。
実施例1及び比較例1の各圧電素子について、±60Vの電圧を印加して、電流密度と電圧との関係(I−V曲線)を求めた。結果を図35に示す。この結果、窒素雰囲気で圧電体前駆体膜を過熱して結晶化させた実施例1は、酸素雰囲気で結晶化させた比較例1よりも絶縁性が向上し、耐圧も向上することが分かる。
以上、本発明の一実施形態を説明したが、本発明の基本的構成は上述したものに限定されるものではない。例えば、上述した実施形態では、圧電体層の基本組成として、金属元素として、Bi、La、Fe及びMnのみを含有するABO3型の複合酸化物について記載したが、Bi、La、Fe及びMnを含むABO3型の複合酸化物であればよく、他の金属を添加し特性の調整を行ってもよい。
14 インク供給路、 20 ノズルプレート、 21 ノズル開口、 30 保護基板、 31 リザーバー部、 32 圧電素子保持部、 40 コンプライアンス基板、
56 チタン膜、 57 白金膜、 60 第1電極、 61 第1酸化チタン層、 62 白金層、 63 第2酸化チタン層、 70 圧電体層、 80 第2電極、 90 リード電極、 100 リザーバー、 120 駆動回路、 300 圧電素子
Claims (9)
- ノズル開口に連通する圧力発生室と、前記圧力発生室に圧力変化を生じさせる圧電素子と、を有する液体噴射ヘッドの製造方法であって、
チタンからなるチタン膜を形成する工程と、
前記チタン膜上に白金からなる白金膜を形成する工程と、
前記白金膜上にビスマス、ランタン、鉄及びマンガンを含む圧電体前駆体膜を形成する工程と、
前記圧電体前駆体膜を不活性ガス雰囲気中で焼成し、結晶化することにより圧電体層を形成する工程と、
前記圧電体層上に電極を形成する工程と、を有することを特徴とする液体噴射ヘッドの製造方法。 - 前記不活性ガスが窒素ガスであることを特徴とする請求項1に記載の液体噴射ヘッドの製造方法。
- 請求項1又は2に記載の製造方法により製造された液体噴射ヘッドを具備することを特徴とする液体噴射装置。
- チタンからなるチタン膜を形成する工程と、
前記チタン膜上に白金からなる白金膜を形成する工程と、
前記白金膜上にビスマス、ランタン、鉄及びマンガンを含む圧電体前駆体膜を形成する工程と、
前記圧電体前駆体膜を不活性ガス雰囲気中で焼成し、結晶化することにより圧電体層を形成する工程と、
前記圧電体層上に電極を形成する工程と、を有することを特徴とする圧電素子の製造方法。 - ノズル開口に連通する圧力発生室と、前記圧力発生室に圧力変化を生じさせる圧電素子と、を有する液体噴射ヘッドであって、
前記圧電素子は、酸化チタンを含む第1酸化チタン層と、第1酸化チタン層上に形成され白金を含む白金層と、前記白金層上に形成され酸化チタンを含む第2酸化チタン層と、からなる第1電極と、
前記第2酸化チタン層上に形成された鉄マンガン酸ビスマスランタンを含む圧電体層と、
前記圧電体層上に形成された第2電極と、を有することを特徴とする液体噴射ヘッド。 - 前記圧電体層は、下記一般式で表される複合酸化物を含むことを特徴とする請求項5に記載の液体噴射ヘッド。
(Bi1-x,Lax)(Fe1-y,Mny)O3 (1)
(0.10≦x≦0.20,0.01≦y≦0.09) - 前記圧電体層は、粉末X線回折パターンにおいて、φ=ψ=0°で測定したときの20°<2θ<25°に観測されるABO3型構造由来の回折ピークの面積強度が、20°<2θ<50°に観測されるABO3型構造由来の回折ピークの面積強度の総和の90%以上であることを特徴とする請求項5又は6に記載の液体噴射ヘッド。
- 請求項5〜7のいずれか一項に記載する液体噴射ヘッドを具備することを特徴とする液体噴射装置。
- 酸化チタンを含む第1酸化チタン層と、第1酸化チタン層上に形成され白金を含む白金層と、前記白金層上に形成され酸化チタンを含む第2酸化チタン層と、からなる第1電極と、
前記第2酸化チタン層上に形成された鉄マンガン酸ビスマスランタンを含む圧電体層と、
前記圧電体層上に形成された第2電極と、を有することを特徴とする圧電素子。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010000828A JP5660274B2 (ja) | 2010-01-05 | 2010-01-05 | 液体噴射ヘッドの製造方法、圧電素子の製造方法、液体噴射ヘッド、液体噴射装置及び圧電素子 |
US12/983,833 US8573754B2 (en) | 2010-01-05 | 2011-01-03 | Methods for manufacturing liquid ejecting head and piezoelectric element, liquid ejecting head, liquid ejecting apparatus, and piezoelectric element |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010000828A JP5660274B2 (ja) | 2010-01-05 | 2010-01-05 | 液体噴射ヘッドの製造方法、圧電素子の製造方法、液体噴射ヘッド、液体噴射装置及び圧電素子 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2011142143A true JP2011142143A (ja) | 2011-07-21 |
JP5660274B2 JP5660274B2 (ja) | 2015-01-28 |
Family
ID=44224489
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010000828A Expired - Fee Related JP5660274B2 (ja) | 2010-01-05 | 2010-01-05 | 液体噴射ヘッドの製造方法、圧電素子の製造方法、液体噴射ヘッド、液体噴射装置及び圧電素子 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8573754B2 (ja) |
JP (1) | JP5660274B2 (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2013191681A (ja) * | 2012-03-13 | 2013-09-26 | Ricoh Co Ltd | 電気−機械変換素子、液滴吐出ヘッド及び液滴吐出装置 |
JP2013197522A (ja) * | 2012-03-22 | 2013-09-30 | Ricoh Co Ltd | 圧電体薄膜素子とその製造方法、該圧電体薄膜素子を用いた液滴吐出ヘッドおよびインクジェット記録装置 |
JP2013226818A (ja) * | 2012-03-26 | 2013-11-07 | Seiko Epson Corp | 液体噴射ヘッド、液体噴射装置並びに圧電素子及びその製造方法 |
US9385299B2 (en) | 2013-11-22 | 2016-07-05 | Seiko Epson Corporation | Liquid ejecting head, liquid ejecting apparatus, and piezoelectric element |
Families Citing this family (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5641185B2 (ja) * | 2010-01-05 | 2014-12-17 | セイコーエプソン株式会社 | 液体噴射ヘッド及び液体噴射装置並びに圧電素子 |
JP5660288B2 (ja) | 2010-01-05 | 2015-01-28 | セイコーエプソン株式会社 | 液体噴射ヘッド、液体噴射装置及び圧電素子並びに液体噴射ヘッドの製造方法 |
JP5660274B2 (ja) | 2010-01-05 | 2015-01-28 | セイコーエプソン株式会社 | 液体噴射ヘッドの製造方法、圧電素子の製造方法、液体噴射ヘッド、液体噴射装置及び圧電素子 |
JP5556182B2 (ja) | 2010-01-05 | 2014-07-23 | セイコーエプソン株式会社 | 液体噴射ヘッド及び液体噴射装置並びに圧電素子 |
JP2011211143A (ja) * | 2010-03-12 | 2011-10-20 | Seiko Epson Corp | 液体噴射ヘッド及び液体噴射装置並びに圧電素子 |
JP2012139920A (ja) * | 2010-12-28 | 2012-07-26 | Seiko Epson Corp | 液体噴射ヘッド及び液体噴射装置、並びに圧電素子 |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH11191646A (ja) * | 1997-03-25 | 1999-07-13 | Seiko Epson Corp | 圧電体薄膜素子、これを用いたインクジェット式記録ヘッド、並びに圧電体薄膜素子の製造方法 |
JP2006176366A (ja) * | 2004-12-22 | 2006-07-06 | Fujitsu Ltd | 強誘電体材料、その製造方法及び強誘電体メモリ |
JP2007281238A (ja) * | 2006-04-07 | 2007-10-25 | Fujifilm Corp | 圧電素子とその製造方法、及びインクジェット式記録ヘッド |
JP2008091877A (ja) * | 2006-09-08 | 2008-04-17 | Seiko Epson Corp | 圧電素子、アクチュエータ装置、液体噴射ヘッド及び液体噴射装置 |
JP2010017984A (ja) * | 2008-07-14 | 2010-01-28 | Seiko Epson Corp | 液体噴射ヘッド及び液体噴射装置並びに圧電素子 |
JP2011142144A (ja) * | 2010-01-05 | 2011-07-21 | Seiko Epson Corp | 液体噴射ヘッド及び液体噴射装置並びに圧電素子 |
Family Cites Families (37)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5453262A (en) * | 1988-12-09 | 1995-09-26 | Battelle Memorial Institute | Continuous process for production of ceramic powders with controlled morphology |
US5264403A (en) * | 1991-09-27 | 1993-11-23 | Ngk Insulators, Ltd. | Dielectric ceramic composition containing ZnO-B2 O3 -SiO2 glass |
JP4051654B2 (ja) | 2000-02-08 | 2008-02-27 | セイコーエプソン株式会社 | 圧電体素子、インクジェット式記録ヘッド及びこれらの製造方法並びにインクジェットプリンタ |
JP4015820B2 (ja) * | 2001-04-11 | 2007-11-28 | 日本碍子株式会社 | 配線基板及びその製造方法 |
US6969157B2 (en) | 2002-05-31 | 2005-11-29 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Piezoelectric element, ink jet head, angular velocity sensor, method for manufacturing the same, and ink jet recording apparatus |
US7530676B2 (en) * | 2004-03-05 | 2009-05-12 | Panasonic Corporation | Piezoelectric element, inkjet head, angular velocity sensor, methods for manufacturing them and inkjet recording device |
JP3806127B2 (ja) * | 2004-04-06 | 2006-08-09 | 株式会社東芝 | 半導体装置およびその製造方法 |
JP4793568B2 (ja) * | 2005-07-08 | 2011-10-12 | セイコーエプソン株式会社 | アクチュエータ装置、液体噴射ヘッド及び液体噴射装置 |
JP5041121B2 (ja) * | 2006-04-12 | 2012-10-03 | セイコーエプソン株式会社 | インクジェット式記録ヘッドおよびインクジェットプリンタ |
US7498725B2 (en) * | 2006-11-30 | 2009-03-03 | Tdk Corporation | Piezoelectric ceramic composition and laminated piezoelectric element |
EP1986245B1 (en) * | 2007-04-26 | 2015-08-26 | FUJIFILM Corporation | Piezoelectric body, piezoelectrc device, and liquid discharge apparatus |
JP5307986B2 (ja) * | 2007-05-07 | 2013-10-02 | 富士フイルム株式会社 | 圧電素子とその製造方法、及び液体吐出装置 |
US20080302658A1 (en) * | 2007-06-08 | 2008-12-11 | Tsutomu Sasaki | Oxide body, piezoelectric device, and liquid discharge device |
JP5253894B2 (ja) | 2007-06-08 | 2013-07-31 | 富士フイルム株式会社 | 強誘電体膜、圧電素子、及び液体吐出装置 |
JP5253895B2 (ja) | 2007-06-08 | 2013-07-31 | 富士フイルム株式会社 | 強誘電体膜、圧電素子、及び液体吐出装置 |
JP2009070926A (ja) | 2007-09-11 | 2009-04-02 | Tokyo Institute Of Technology | ペロブスカイト型酸化物薄膜の成膜方法および積層体 |
JP2009071144A (ja) | 2007-09-14 | 2009-04-02 | Seiko Epson Corp | 強誘電体メモリの製造方法 |
JP2009113419A (ja) * | 2007-11-08 | 2009-05-28 | Seiko Epson Corp | 液体噴射ヘッドの製造方法及び圧電素子の製造方法 |
JP5507097B2 (ja) * | 2008-03-12 | 2014-05-28 | 富士フイルム株式会社 | ペロブスカイト型酸化物とその製造方法、圧電体、圧電素子、液体吐出装置 |
JP5267971B2 (ja) | 2008-03-21 | 2013-08-21 | 国立大学法人金沢大学 | 強誘電体材料及び圧電体 |
JP4775772B2 (ja) | 2008-04-01 | 2011-09-21 | セイコーエプソン株式会社 | 圧電材料および圧電素子 |
JP5248168B2 (ja) | 2008-04-01 | 2013-07-31 | セイコーエプソン株式会社 | 圧電材料および圧電素子 |
US7896479B2 (en) * | 2008-04-30 | 2011-03-01 | Seiko Epson Corporation | Liquid jet head and a piezoelectric element |
JP5313792B2 (ja) | 2008-07-17 | 2013-10-09 | 富士フイルム株式会社 | ペロブスカイト型酸化物、酸化物組成物、酸化物体、圧電素子、及び液体吐出装置 |
JP2010067756A (ja) | 2008-09-10 | 2010-03-25 | Fujifilm Corp | 圧電体膜、圧電素子、及び液体吐出装置 |
JP5010565B2 (ja) | 2008-09-26 | 2012-08-29 | 株式会社東芝 | 磁気抵抗素子及び磁気メモリ |
JP5435206B2 (ja) * | 2009-02-25 | 2014-03-05 | セイコーエプソン株式会社 | 液体噴射ヘッド及び液体噴射装置 |
US20110160495A1 (en) * | 2009-10-26 | 2011-06-30 | S&S Chemical, LLC | Synthesis of high molecular weight primary alcohols |
JP2011207202A (ja) * | 2009-11-02 | 2011-10-20 | Seiko Epson Corp | 液体噴射ヘッド、液体噴射装置及び圧電素子並びに圧電材料 |
JP5577844B2 (ja) * | 2009-11-02 | 2014-08-27 | セイコーエプソン株式会社 | 液体噴射装置 |
JP5621964B2 (ja) * | 2009-11-02 | 2014-11-12 | セイコーエプソン株式会社 | 液体噴射ヘッド、液体噴射装置及び圧電素子並びに超音波デバイス |
JP5445755B2 (ja) * | 2009-11-11 | 2014-03-19 | セイコーエプソン株式会社 | 液滴噴射ヘッドおよびその製造方法、並びに液滴噴射装置 |
JP5660288B2 (ja) * | 2010-01-05 | 2015-01-28 | セイコーエプソン株式会社 | 液体噴射ヘッド、液体噴射装置及び圧電素子並びに液体噴射ヘッドの製造方法 |
JP5660274B2 (ja) | 2010-01-05 | 2015-01-28 | セイコーエプソン株式会社 | 液体噴射ヘッドの製造方法、圧電素子の製造方法、液体噴射ヘッド、液体噴射装置及び圧電素子 |
JP5556182B2 (ja) * | 2010-01-05 | 2014-07-23 | セイコーエプソン株式会社 | 液体噴射ヘッド及び液体噴射装置並びに圧電素子 |
JP5725272B2 (ja) * | 2010-03-08 | 2015-05-27 | セイコーエプソン株式会社 | 液体噴射ヘッド及び液体噴射装置並びに圧電素子 |
JP2011211143A (ja) * | 2010-03-12 | 2011-10-20 | Seiko Epson Corp | 液体噴射ヘッド及び液体噴射装置並びに圧電素子 |
-
2010
- 2010-01-05 JP JP2010000828A patent/JP5660274B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2011
- 2011-01-03 US US12/983,833 patent/US8573754B2/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH11191646A (ja) * | 1997-03-25 | 1999-07-13 | Seiko Epson Corp | 圧電体薄膜素子、これを用いたインクジェット式記録ヘッド、並びに圧電体薄膜素子の製造方法 |
JP2006176366A (ja) * | 2004-12-22 | 2006-07-06 | Fujitsu Ltd | 強誘電体材料、その製造方法及び強誘電体メモリ |
JP2007281238A (ja) * | 2006-04-07 | 2007-10-25 | Fujifilm Corp | 圧電素子とその製造方法、及びインクジェット式記録ヘッド |
JP2008091877A (ja) * | 2006-09-08 | 2008-04-17 | Seiko Epson Corp | 圧電素子、アクチュエータ装置、液体噴射ヘッド及び液体噴射装置 |
JP2010017984A (ja) * | 2008-07-14 | 2010-01-28 | Seiko Epson Corp | 液体噴射ヘッド及び液体噴射装置並びに圧電素子 |
JP2011142144A (ja) * | 2010-01-05 | 2011-07-21 | Seiko Epson Corp | 液体噴射ヘッド及び液体噴射装置並びに圧電素子 |
Non-Patent Citations (3)
Title |
---|
JPN6013055248; 'High-Frequency Dielectric Study Of MultiferroicBi0.9La0.1Fe0.9Mn0.1O3 Thin Films' APPLICATIONS OF FERROELECTRICS, 2009. ISAF 2009. 18TH IEEE INTERNATIONAL SYMPOSIUM ON THE , 20090823, p.1-4, The Institute of Electrical and Electronics Engine * |
JPN6014013174; Jiagang Wu(他1名): 'Effects of SrRuO3 buffer layer thickness on multiferroic (Bi 0.90 La 0.10) (Fe 0.95 Mn0.05) O3 thin' Journal of Applied Physics 106, 054115, 20090915, p.1-5, American Institute of Physics * |
JPN6014013175; G. Kartopu(他5名): 'Observation of structural transitions and Jahn-Teller distortion in LaMnO3-doped BiFeO3 thin films' Applied Physics Letters 92, 151910, 20080423, p.1-3, American Institute of Physics * |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2013191681A (ja) * | 2012-03-13 | 2013-09-26 | Ricoh Co Ltd | 電気−機械変換素子、液滴吐出ヘッド及び液滴吐出装置 |
JP2013197522A (ja) * | 2012-03-22 | 2013-09-30 | Ricoh Co Ltd | 圧電体薄膜素子とその製造方法、該圧電体薄膜素子を用いた液滴吐出ヘッドおよびインクジェット記録装置 |
JP2013226818A (ja) * | 2012-03-26 | 2013-11-07 | Seiko Epson Corp | 液体噴射ヘッド、液体噴射装置並びに圧電素子及びその製造方法 |
US9385299B2 (en) | 2013-11-22 | 2016-07-05 | Seiko Epson Corporation | Liquid ejecting head, liquid ejecting apparatus, and piezoelectric element |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20110164095A1 (en) | 2011-07-07 |
JP5660274B2 (ja) | 2015-01-28 |
US8573754B2 (en) | 2013-11-05 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5660288B2 (ja) | 液体噴射ヘッド、液体噴射装置及び圧電素子並びに液体噴射ヘッドの製造方法 | |
JP5660274B2 (ja) | 液体噴射ヘッドの製造方法、圧電素子の製造方法、液体噴射ヘッド、液体噴射装置及び圧電素子 | |
JP5641185B2 (ja) | 液体噴射ヘッド及び液体噴射装置並びに圧電素子 | |
JP5527527B2 (ja) | 液体噴射ヘッド及び液体噴射装置 | |
JP5556182B2 (ja) | 液体噴射ヘッド及び液体噴射装置並びに圧電素子 | |
JP5672433B2 (ja) | 液体噴射ヘッド、液体噴射装置、圧電素子、焦電素子及びirセンサー | |
JP5668473B2 (ja) | 圧電素子及びその製造方法、液体噴射ヘッド、液体噴射装置、超音波センサー、並びに赤外線センサー | |
JP2013098370A (ja) | 液体噴射ヘッド及び液体噴射装置並びに圧電素子 | |
JP2011211143A (ja) | 液体噴射ヘッド及び液体噴射装置並びに圧電素子 | |
JP5812243B2 (ja) | 液体噴射ヘッド、液体噴射装置、圧電素子、超音波デバイス及びirセンサー | |
JP2013128075A (ja) | 液体噴射ヘッド及び液体噴射装置並びに圧電素子 | |
JP2012018995A (ja) | 液体噴射ヘッドの製造方法、液体噴射装置及び圧電素子の製造方法並びに圧電体膜形成用組成物の製造方法 | |
JP2011238708A (ja) | 液体噴射ヘッドの製造方法、液体噴射装置、及び圧電素子の製造方法 | |
JP5585197B2 (ja) | 液体噴射ヘッド及び液体噴射装置並びに圧電素子 | |
JP5884959B2 (ja) | 圧電体膜の製造方法、圧電素子及び液体噴射ヘッド並びに液体噴射装置 | |
JP2014116625A (ja) | 圧電素子、およびその製造方法 | |
JP5729507B2 (ja) | 圧電素子及び超音波デバイス | |
JP2013098441A (ja) | 液体噴射ヘッド、液体噴射装置、及び圧電素子 | |
JP2013098442A (ja) | 液体噴射ヘッド、液体噴射装置、及び圧電素子 | |
JP5915848B2 (ja) | 圧電素子の製造方法、液体噴射ヘッドの製造方法、液体噴射装置の製造方法、超音波デバイスの製造方法及びセンサーの製造方法 | |
JP5773127B2 (ja) | 液体噴射ヘッド、液体噴射装置、圧電素子、超音波デバイス及びirセンサー | |
JP2012015422A (ja) | 液体噴射ヘッドの製造方法、液体噴射装置及び圧電素子の製造方法並びに圧電体膜形成用組成物 | |
JP2012018994A (ja) | 液体噴射ヘッドの製造方法、液体噴射装置及び圧電素子の製造方法並びに圧電体膜形成用組成物の製造方法 | |
JP5991457B2 (ja) | 液体噴射ヘッド、液体噴射装置及び圧電素子並びに圧電材料 | |
JP5765525B2 (ja) | 液体噴射ヘッド、液体噴射装置、圧電素子、超音波デバイス及びirセンサー |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20121214 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20140402 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20140602 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20140806 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20141001 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20141105 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20141118 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5660274 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |