JP5253894B2 - 強誘電体膜、圧電素子、及び液体吐出装置 - Google Patents
強誘電体膜、圧電素子、及び液体吐出装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5253894B2 JP5253894B2 JP2008149103A JP2008149103A JP5253894B2 JP 5253894 B2 JP5253894 B2 JP 5253894B2 JP 2008149103 A JP2008149103 A JP 2008149103A JP 2008149103 A JP2008149103 A JP 2008149103A JP 5253894 B2 JP5253894 B2 JP 5253894B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electric field
- polarization
- ferroelectric
- ferroelectric film
- curve
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Images
Landscapes
- Particle Formation And Scattering Control In Inkjet Printers (AREA)
- Formation Of Insulating Films (AREA)
- Semiconductor Memories (AREA)
Description
Mn及びNb、あるいはMn単独をドープすることによって、強誘電ドメイン内に移動性の点欠陥が生じる。エージング処理を施すと、移動性の点欠陥が安定な位置に移動して酸素欠陥とペアを作り、その短距離秩序の対称性が強誘電ドメインの結晶対称性に一致するようになる。これによって、強誘電ドメイン内に、その自発分極方向と一致した方向に分極した欠陥分極(defect dipole)が生じる。電界を印加すると、強誘電ドメインの90°ドメイン回転が起こるが、上記欠陥分極の分極方向は変化しない。強誘電ドメインの分極方向と欠陥分極の分極方向が一致した状態が安定であるため、電界を取り除くと、強誘電ドメインは元の安定な分極方向の状態に戻る。欠陥分極の存在によって強誘電ドメインが初期状態に戻ることで、電界を繰り返し増減させても大きな変位が得られ、対称ダブルヒステリシス分極−電界特性を示す。
sensor and actuators A 107 (2003)68-74 I.Kanno et al. J.J.A.P.vol.40 (2001) p5507 H.Maiwa et al. APPLIED PHSICS LETTERS 89, 172908(2006)Wenfeng Liu, Xiaobing Ren et al. PHSICAL REVIEW B71,174108(2005)L. X. Zhang and X. Ren
一般式ABO3・・・(P)
(式中、A:Aサイトの元素であり、Pb,Ba,Sr,Bi,Li,Na,Ca,Cd,Mg,K,及びランタニド元素からなる群より選ばれた少なくとも1種の元素、
B:Bサイトの元素であり、Ti,Zr,V,Nb,Ta,Cr,Mo,W,Mn,Mg,Sc,Co,Cu,In,Sn,Ga,Zn,Cd,Fe,Ni,Hf,及びAlからなる群より選ばれた少なくとも1種の元素、
O:酸素元素、
Aサイト元素とBサイト元素と酸素元素のモル比は1:1:3が標準であるが、これらのモル比はペロブスカイト構造を取り得る範囲内で基準モル比からずれてもよい。)
本明細書において、「Aサイト(あるいはBサイト)の主成分」はAサイト(あるいはBサイト)中80モル%以上の成分と定義する。
本発明の強誘電体膜は、一般式xBiFeO3−(1−x)BaTiO3(式中、0<x<1.0)で表されるペロブスカイト型酸化物(P4)を含む構成も好ましい。
本明細書において、「結晶配向性を有する」とは、Lotgerling法により測定される配向率Fが、80%以上であることと定義する。
配向率Fは、下記式(i)で表される。
F(%)=(P−P0)/(1−P0)×100・・・(i)
式(i)中、Pは、配向面からの反射強度の合計と全反射強度の合計の比である。(001)配向の場合、Pは、(00l)面からの反射強度I(00l)の合計ΣI(00l)と、各結晶面(hkl)からの反射強度I(hkl)の合計ΣI(hkl)との比({ΣI(00l)/ΣI(hkl)})である。例えば、ペロブスカイト結晶において(001)配向の場合、P=I(001)/[I(001)+I(100)+I(101)+I(110)+I(111)]である。
P0は、完全にランダムな配向をしている試料のPである。
完全にランダムな配向をしている場合(P=P0)にはF=0%であり、完全に配向をしている場合(P=1)にはF=100%である。
本発明の強誘電体膜は、(100)配向の正方晶相及び/又は(111)配向の菱面体晶相を含むことができる。
「MPB又はその近傍」とは、電界をかけた時に相転移する領域のことである。
自発分極軸方向とは異なる方向に結晶配向性を有する前記強誘電体相は、略<100>方向に結晶配向性を有する菱面体晶相、略<110>方向に結晶配向性を有する菱面体晶相、略<110>方向に結晶配向性を有する正方晶相、略<111>方向に結晶配向性を有する正方晶相、略<100>方向に結晶配向性を有する斜方晶相、及び略<111>方向に結晶配向性を有する斜方晶相からなる群より選択された少なくとも1つの強誘電体相であることが好ましい。
本明細書において、「略<abc>方向に結晶配向性を有する」とは、その方向の結晶配向率Fが80%以上であると定義する。
本発明の液体吐出装置は、上記の本発明の圧電素子と、
液体が貯留される液体貯留室及び該液体貯留室から外部に前記液体が吐出される液体吐出口を有する液体貯留吐出部材とを備えたことを特徴とするものである。
<分極−電界特性>
本発明の強誘電体膜は、最大印加電界Emaxと最小印加電界Eminの絶対値とを同一に設定して(Emax=|Emin|)測定されるバイポーラ分極−電界曲線が、少なくとも5個の変曲点を有し、かつ、最大分極値Pmaxと最小分極値Pminの絶対値とが略等しい(Pmax≒|Pmin|)ダブルヒステリシス性を有する膜である。
「背景技術」の項において、反強誘電体は、電界無印加時にはナノスケールで見て1つ1つの結晶格子の分極方向が交互に反転した状態にあるため、全体として残留分極を示さない(残留分極Pr≒0)ことを述べた。図1に示す分極−電界特性を有する本発明の強誘電体は、電界無印加時において反強誘電体ライクの状態にあると推察される。
本発明の強誘電体膜の組成は、特に制限されない。
本発明の強誘電体膜は、1種又は2種以上のペロブスカイト型酸化物からなる(不可避不純物を含んでいてもよい)ことが好ましい。本発明の強誘電体膜は、下記一般式(P)で表される1種又は2種以上のペロブスカイト型酸化物からなる(不可避不純物を含んでいてもよい)ことがより好ましい。
一般式ABO3・・・(P)
(式中、A:Aサイトの元素であり、Pb,Ba,Sr,Bi,Li,Na,Ca,Cd,Mg,K,及びランタニド元素からなる群より選ばれた少なくとも1種の元素、
B:Bサイトの元素であり、Ti,Zr,V,Nb,Ta,Cr,Mo,W,Mn,Mg,Sc,Co,Cu,In,Sn,Ga,Zn,Cd,Fe,Ni,Hf,及びAlからなる群より選ばれた少なくとも1種の元素、
O:酸素元素、
Aサイト元素とBサイト元素と酸素元素のモル比は1:1:3が標準であるが、これらのモル比はペロブスカイト構造を取り得る範囲内で基準モル比からずれてもよい。)
チタン酸鉛、チタン酸ジルコン酸鉛(PZT)、ジルコニウム酸鉛、チタン酸鉛ランタン、ジルコン酸チタン酸鉛ランタン、マグネシウムニオブ酸ジルコニウムチタン酸鉛、ニッケルニオブ酸ジルコニウムチタン酸鉛、亜鉛ニオブ酸ジルコニウムチタン酸鉛等の鉛含有化合物、及びこれらの混晶系;
チタン酸バリウム、チタン酸ストロンチウムバリウム、チタン酸ビスマスナトリウム、チタン酸ビスマスカリウム、ニオブ酸ナトリウム、ニオブ酸カリウム、ニオブ酸リチウム等の非鉛含有化合物、及びこれらの混晶系が挙げられる。
本発明の強誘電体膜は、結晶配向性を有する強誘電体相を含むことが好ましい。
(1)自発分極軸のベクトル成分と電界印加方向とが一致したときに、電界印加強度の増減によって電界印加方向に伸縮する通常の圧電歪(電界誘起歪)、
(2)電界印加強度の増減によって分極軸が可逆的に非180°回転することで生じる圧電歪、
(3)電界印加強度の増減によって結晶を相転移させ、相転移による体積変化を利用する圧電歪、
(4)電界印加により相転移する特性を有する材料を用い、自発分極軸方向とは異なる方向に結晶配向性を有する強誘電体相を含む結晶配向構造とすることで、より大きな歪が得られるエンジニアードドメイン効果を利用する圧電歪(エンジニアードドメイン効果を利用する場合には、相転移が起こる条件で駆動してもよいし、相転移が起こらない範囲で駆動してもよい)などが挙げられる。
本発明の強誘電体膜は、モルフォトロピック相境界(MPB)又はその近傍の組成を有することができる。
Es<E1<Ee・・・(X)、
Es<E1≦E2<Ee・・・(Y)
自発分極軸方向とは異なる方向に結晶配向性を有する強誘電体相は、強誘電体相の自発分極軸方向とは異なる方向の電界印加により、強誘電体相の少なくとも一部が相転移する性質を有するものであることが好ましい。
図面を参照して、本発明に係る実施形態の圧電素子、及びこれを備えたインクジェット式記録ヘッド(液体吐出装置)の構造について説明する。図7はインクジェット式記録ヘッドの要部断面図(圧電素子の厚み方向の断面図)である。視認しやすくするため、構成要素の縮尺は実際のものとは適宜異ならせてある。
インクジェット式記録ヘッド3では、圧電素子1に印加する電界強度を増減させて圧電素子1を伸縮させ、これによってインク室21からのインクの吐出や吐出量の制御が行われる。
図8及び図9を参照して、上記実施形態のインクジェット式記録ヘッド3を備えたインクジェット式記録装置の構成例について説明する。図8は装置全体図であり、図9は部分上面図である。
ロール紙を使用する装置では、図8のように、デカール処理部120の後段に裁断用のカッター128が設けられ、このカッターによってロール紙は所望のサイズにカットされる。カッター128は、記録紙116の搬送路幅以上の長さを有する固定刃128Aと、該固定刃128Aに沿って移動する丸刃128Bとから構成されており、印字裏面側に固定刃128Aが設けられ、搬送路を挟んで印字面側に丸刃128Bが配置される。カット紙を使用する装置では、カッター128は不要である。
吸着ベルト搬送部122により形成される用紙搬送路上において印字部102の上流側に、加熱ファン140が設けられている。加熱ファン140は、印字前の記録紙116に加熱空気を吹き付け、記録紙116を加熱する。印字直前に記録紙116を加熱しておくことにより、インクが着弾後に乾きやすくなる。
印字検出部124の後段には、印字された画像面を乾燥させる加熱ファン等からなる後乾燥部142が設けられている。印字後のインクが乾燥するまでは印字面と接触することは避けた方が好ましいので、熱風を吹き付ける方式が好ましい。
大きめの用紙に本画像とテスト印字とを同時に並列にプリントする場合には、カッター148を設けて、テスト印字の部分を切り離す構成とすればよい。
インクジェット記記録装置100は、以上のように構成されている。
(100)SrTiO3単結晶基板表面に、PLD法にて0.2μm厚の(100)SrRuO3下部電極を形成した。
次いで、PLD法にて、(Bi0.95,La0.05)(Fe0.9,Al0.1)O3で表される組成の強誘電体膜(600nm厚)を成膜した。成膜条件は以下の通りとした。
ターゲット組成:(Bi0.95,La0.05)(Fe0.9,Al0.1)O3、
レーザ強度:350mJ、
レーザパルス周波数:5Hz、
酸素分圧:6.67Pa(50mTorr)、
基板―ターゲット間距離50mm、
ターゲット回転数:9.7rpm、
基板温度585℃、
成膜時間:100分間、
成膜後の降温過程:585℃から2時間かけて常温(=25℃程度)まで降温するようにプログラムを設定、成膜と同じ雰囲気(酸素分圧:6.67Pa(50mTorr))。
最後に、上記強誘電体膜上に、150nm厚のPt上部電極を蒸着して、本発明の圧電素子を得た。
本発明者は、測定周波数=20kHzの条件においても、P−Eヒステリシス曲線が対称ダブルヒステリシス性を示すことを確認している。
(100)SrTiO3単結晶基板表面に、PLD法にて0.2μm厚の(100)SrRuO3下部電極を形成した。
次いで、PLD法にて、xBiFeO3−(1−x)BaTiO3(式中、x=0.7)で表される組成の強誘電体膜(600nm厚)を成膜した。成膜条件は以下の通りとした。
ターゲット組成:xBiFeO3−(1−x)BaTiO3(式中、x=0.7)、
レーザ強度:300mJ、
レーザパルス周波数:10Hz、
酸素分圧:6.67Pa(50mTorr)、
基板―ターゲット間距離50mm、
ターゲット回転数:9.7rpm、
基板温度585℃、
成膜時間:100分間、
成膜後の降温過程:585℃から2時間かけて常温(=25℃程度)まで降温するようにプログラムを設定、成膜と同じ雰囲気(酸素分圧:6.67Pa(50mTorr))。
最後に、上記強誘電体膜上に、150nm厚のPt上部電極を蒸着して、本発明の圧電素子を得た。
本発明者は、測定周波数=20kHzの条件においても、P−Eヒステリシス曲線が非対称ダブルヒステリシス性を示すことを確認している。
本発明者はまた、一般式xBiFeO3−(1−x)BaTiO3で表される強誘電体膜において、xの値を0.8等に変えても、P−Eヒステリシス曲線が非対称ダブルヒステリシス性を示すことを確認している。
強誘電体膜の成膜後の降温過程を585℃から約30分で急冷却するようにプログラムを設定した以外は、実施例1と同様にして、圧電素子を得た。
本比較例においても、(100)優先配向のペロブスカイト単相膜が得られた。本比較例における強誘電体膜のXRDパターンを図12Aに示す。
実施例1と同様に、得られた圧電素子の強誘電体膜のPEヒステリシス特性を測定した。P−Eヒステリシス曲線を図12Bに示す。本比較例では、角形性の良好なPEヒステリシス特性が得られた。残留分極値Pr=43μC/cm2、比誘電率ε=109であった。
3,3K,3C,3M,3Y インクジェット式記録ヘッド(液体吐出装置)
12、14 電極
13 強誘電体膜(圧電体膜)
20 インクノズル(液体貯留吐出部材)
21 インク室(液体貯留室)
22 インク吐出口(液体吐出口)
100 インクジェット式記録装置
Claims (5)
- BiFeO 3 で表わされる組成と、下記一般式(P)で表され、AサイトがBa,Bi,Laのいずれか1種の金属元素からなり、BサイトがTi,Fe,及びAlからなる群より選ばれた少なくとも1種の金属元素からなり、BiFeO 3 とは異なる少なくとも1種の組成とを含むペロブスカイト型酸化物からなる(100)優先配向の単層膜であり、
一般式ABO 3 ・・・(P)
(式中O:酸素元素であり、Aサイト元素とBサイト元素と酸素元素のモル比は1:1:3が標準であるが、これらのモル比はペロブスカイト構造を取り得る範囲内で基準モル比からずれてもよい。)
最大印加電界Emaxと最小印加電界Eminの絶対値とを同一に設定して(Emax=|Emin|)測定されるバイポーラ分極−電界曲線が、少なくとも5個の変曲点を有し、かつ、最大分極値Pmaxと最小分極値Pminの絶対値とが略等しい(Pmax≒|Pmin|)ダブルヒステリシス性を有することを特徴とする強誘電体膜。 - 前記ペロブスカイト型酸化物が(Bi,La)(Fe,Al)O 3 であることを特徴とする請求項1に記載の強誘電体膜。
- 前記ペロブスカイト型酸化物が一般式xBiFeO3−(1−x)BaTiO3(式中、0<x<1.0)であることを特徴とする請求項1に記載の強誘電体膜。
- 請求項1〜3のいずれかに記載の強誘電体膜と、該強誘電体膜に対して電界を印加する電極とを備えたことを特徴とする圧電素子。
- 請求項4に記載の圧電素子と、
液体が貯留される液体貯留室及び該液体貯留室から外部に前記液体が吐出される液体吐出口を有する液体貯留吐出部材とを備えたことを特徴とする液体吐出装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008149103A JP5253894B2 (ja) | 2007-06-08 | 2008-06-06 | 強誘電体膜、圧電素子、及び液体吐出装置 |
Applications Claiming Priority (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007152383 | 2007-06-08 | ||
JP2007152383 | 2007-06-08 | ||
JP2008145323 | 2008-06-03 | ||
JP2008145323 | 2008-06-03 | ||
JP2008149103A JP5253894B2 (ja) | 2007-06-08 | 2008-06-06 | 強誘電体膜、圧電素子、及び液体吐出装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2010016010A JP2010016010A (ja) | 2010-01-21 |
JP5253894B2 true JP5253894B2 (ja) | 2013-07-31 |
Family
ID=41701892
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008149103A Active JP5253894B2 (ja) | 2007-06-08 | 2008-06-06 | 強誘電体膜、圧電素子、及び液体吐出装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5253894B2 (ja) |
Families Citing this family (18)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5641185B2 (ja) | 2010-01-05 | 2014-12-17 | セイコーエプソン株式会社 | 液体噴射ヘッド及び液体噴射装置並びに圧電素子 |
JP5556182B2 (ja) | 2010-01-05 | 2014-07-23 | セイコーエプソン株式会社 | 液体噴射ヘッド及び液体噴射装置並びに圧電素子 |
JP5660274B2 (ja) | 2010-01-05 | 2015-01-28 | セイコーエプソン株式会社 | 液体噴射ヘッドの製造方法、圧電素子の製造方法、液体噴射ヘッド、液体噴射装置及び圧電素子 |
JP5660288B2 (ja) | 2010-01-05 | 2015-01-28 | セイコーエプソン株式会社 | 液体噴射ヘッド、液体噴射装置及び圧電素子並びに液体噴射ヘッドの製造方法 |
JP2011211143A (ja) | 2010-03-12 | 2011-10-20 | Seiko Epson Corp | 液体噴射ヘッド及び液体噴射装置並びに圧電素子 |
JP5585768B2 (ja) * | 2010-04-14 | 2014-09-10 | セイコーエプソン株式会社 | 液体噴射ヘッド、液体噴射装置および圧電素子 |
JP5623134B2 (ja) * | 2010-05-27 | 2014-11-12 | 富士フイルム株式会社 | ペロブスカイト型酸化物、酸化物組成物、酸化物体、圧電素子、及び液体吐出装置 |
JP5740951B2 (ja) * | 2010-12-09 | 2015-07-01 | セイコーエプソン株式会社 | 液体噴射ヘッド、液体噴射装置、圧電素子、赤外線センサー及び超音波センサー |
JP5743059B2 (ja) * | 2011-01-19 | 2015-07-01 | セイコーエプソン株式会社 | 液体噴射ヘッド、液体噴射装置、圧電素子、超音波センサー及び赤外線センサー |
JP5743060B2 (ja) * | 2011-01-19 | 2015-07-01 | セイコーエプソン株式会社 | 液体噴射ヘッド、液体噴射装置、圧電素子、超音波センサー及び赤外線センサー |
US9689748B2 (en) | 2011-08-08 | 2017-06-27 | Panasonic Corporation | Infrared detection element |
WO2013021614A1 (ja) * | 2011-08-08 | 2013-02-14 | パナソニック株式会社 | 圧電体素子 |
JP5703170B2 (ja) * | 2011-08-16 | 2015-04-15 | 株式会社アルバック | 強誘電体膜の作製方法 |
JP2013080801A (ja) * | 2011-10-03 | 2013-05-02 | Seiko Epson Corp | 液体噴射ヘッド及び液体噴射装置並びに圧電素子 |
JP5880821B2 (ja) | 2011-10-05 | 2016-03-09 | セイコーエプソン株式会社 | 液体噴射ヘッド、液体噴射装置、及び圧電素子 |
JP6060485B2 (ja) * | 2012-01-19 | 2017-01-18 | セイコーエプソン株式会社 | 圧電素子、液体噴射ヘッド、液体噴射装置、強誘電体デバイス、焦電体デバイス、及び、圧電体デバイス |
JP6266987B2 (ja) * | 2013-03-19 | 2018-01-24 | 住友化学株式会社 | 圧電薄膜素子、圧電センサ及び振動発電機 |
JP6372644B2 (ja) * | 2014-01-20 | 2018-08-15 | セイコーエプソン株式会社 | 圧電素子、液体噴射ヘッド及びセンサー |
Family Cites Families (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4698161B2 (ja) * | 2003-05-13 | 2011-06-08 | 独立行政法人科学技術振興機構 | 圧電材料とその製造方法 |
JP4237208B2 (ja) * | 2005-09-26 | 2009-03-11 | 富士フイルム株式会社 | 圧電素子及びその駆動方法、圧電装置、液体吐出装置 |
-
2008
- 2008-06-06 JP JP2008149103A patent/JP5253894B2/ja active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2010016010A (ja) | 2010-01-21 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5253894B2 (ja) | 強誘電体膜、圧電素子、及び液体吐出装置 | |
JP5253895B2 (ja) | 強誘電体膜、圧電素子、及び液体吐出装置 | |
JP4266036B2 (ja) | 圧電体、圧電素子、及び液体吐出装置 | |
JP4237208B2 (ja) | 圧電素子及びその駆動方法、圧電装置、液体吐出装置 | |
JP5507097B2 (ja) | ペロブスカイト型酸化物とその製造方法、圧電体、圧電素子、液体吐出装置 | |
JP5307986B2 (ja) | 圧電素子とその製造方法、及び液体吐出装置 | |
JP5313792B2 (ja) | ペロブスカイト型酸化物、酸化物組成物、酸化物体、圧電素子、及び液体吐出装置 | |
JP5290551B2 (ja) | ペロブスカイト型酸化物とその製造方法、圧電体、圧電素子、液体吐出装置 | |
JP5546105B2 (ja) | ペロブスカイト型酸化物とその製造方法、圧電体膜、圧電素子、液体吐出装置 | |
JP5616126B2 (ja) | ペロブスカイト型酸化物、酸化物組成物、酸化物体、圧電素子、及び液体吐出装置 | |
US20080302658A1 (en) | Oxide body, piezoelectric device, and liquid discharge device | |
JP5681398B2 (ja) | ペロブスカイト型酸化物、強誘電体組成物、圧電体、圧電素子、及び液体吐出装置 | |
US8434856B2 (en) | Perovskite oxide, process for producing the perovskite oxide, piezoelectric body, piezoelectric device, and liquid discharge device | |
JP2008311634A (ja) | 圧電素子及びその駆動方法、圧電装置、液体吐出装置 | |
US7786656B2 (en) | Piezoelectric body, piezoelectric device, and liquid discharge apparatus | |
JP4505492B2 (ja) | ペロブスカイト型酸化物、強誘電体膜、強誘電体素子、及び液体吐出装置 | |
JP5623134B2 (ja) | ペロブスカイト型酸化物、酸化物組成物、酸化物体、圧電素子、及び液体吐出装置 | |
JP2010067756A (ja) | 圧電体膜、圧電素子、及び液体吐出装置 | |
JP2008218547A (ja) | 圧電体とその駆動方法、圧電素子、及び液体吐出装置 | |
JP5394765B2 (ja) | ペロブスカイト型酸化物膜、強誘電体、圧電素子、液体吐出装置 | |
JP2008192868A (ja) | 圧電体膜及びそれを用いた圧電素子、液体吐出装置 | |
JP6392469B2 (ja) | 圧電体膜、圧電素子、および液体吐出装置 | |
WO2016084365A1 (ja) | 圧電体膜及びそれを備えた圧電素子、及び液体吐出装置 | |
JP2008004781A (ja) | 圧電膜、圧電素子、インクジェット式記録ヘッド、及びインクジェット式記録装置 | |
JP5345868B2 (ja) | ペロブスカイト型酸化物膜、強誘電体、圧電素子、液体吐出装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20110125 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20130117 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20130129 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20130401 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20130416 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20130417 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5253894 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20160426 Year of fee payment: 3 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |