JP2011102960A - 有機発光表示装置及びその製造方法 - Google Patents
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 20
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 12
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 54
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims abstract description 31
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 27
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims abstract description 26
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 19
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 106
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 61
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 claims description 24
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 8
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 claims description 8
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 8
- JBQYATWDVHIOAR-UHFFFAOYSA-N tellanylidenegermanium Chemical compound [Te]=[Ge] JBQYATWDVHIOAR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 6
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 claims description 6
- VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N hafnium atom Chemical compound [Hf] VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 4
- 239000007769 metal material Substances 0.000 claims description 4
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 claims description 2
- 238000012905 input function Methods 0.000 abstract description 8
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 8
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 7
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 7
- 230000006870 function Effects 0.000 description 6
- 230000008569 process Effects 0.000 description 5
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 4
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 3
- -1 or Mo Inorganic materials 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N Tetraethyl orthosilicate Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)OCC BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 2
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 2
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 2
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 2
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 2
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 2
- 229910005265 GaInZnO Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910005555 GaZnO Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910004205 SiNX Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 206010047571 Visual impairment Diseases 0.000 description 1
- 229910007717 ZnSnO Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000008595 infiltration Effects 0.000 description 1
- 238000001764 infiltration Methods 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 1
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 1
- 229920001690 polydopamine Polymers 0.000 description 1
- 230000036632 reaction speed Effects 0.000 description 1
- 239000000565 sealant Substances 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/13—Active-matrix OLED [AMOLED] displays comprising photosensors that control luminance
-
- G—PHYSICS
- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
- G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
- G09G3/00—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes
- G09G3/20—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters
- G09G3/22—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources
- G09G3/30—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels
- G09G3/32—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED]
- G09G3/3208—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED] organic, e.g. using organic light-emitting diodes [OLED]
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
- H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
- H01L27/1259—Multistep manufacturing methods
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
- H01L29/772—Field effect transistors
- H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
- H01L29/786—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film
- H01L29/78684—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film having a semiconductor body comprising semiconductor materials of Group IV not being silicon, or alloys including an element of the group IV, e.g. Ge, SiN alloys, SiC alloys
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/122—Pixel-defining structures or layers, e.g. banks
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/131—Interconnections, e.g. wiring lines or terminals
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
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- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/20—Changing the shape of the active layer in the devices, e.g. patterning
- H10K71/231—Changing the shape of the active layer in the devices, e.g. patterning by etching of existing layers
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- G09G2300/0426—Layout of electrodes and connections
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- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
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Abstract
【解決手段】本発明による有機発光表示装置は、複数の画素領域を含む基板111本体、有機発光素子70、及び複数の発光用薄膜トランジスター20を含んで前記複数の画素領域毎に各々形成された発光部(SP)、フォトセンサー60、及び複数のセンサー用薄膜トランジスター30を含み、前記複数の画素領域のうちの少なくとも一部の画素領域に形成されたセンサー部(SP)を含む。また、前記複数の発光用薄膜トランジスター20及び前記複数のセンサー用薄膜トランジスター30、そして前記フォトセンサー60は、各々同一層に同一素材から形成された酸化物半導体層152,153及び酸化物光電変換層156を含む。
【選択図】図3
Description
前記発光駆動部を制御する発光制御部、前記センサー駆動部を制御するセンサー制御部、そして前記発光制御部及び前記センサー制御部と接続されたメイン制御部をさらに含むことができる。
111 基板本体、
10、20 発光用薄膜トランジスター(発光用TFT)、
30、40、50 センサー用薄膜トランジスター(センサー用TFT)、
60 フォトセンサー、
70 有機発光素子、
80 発光用蓄電素子、
231 ゲートライン、
232 データライン、
233 発光電源ライン、
236 リセットライン、
237 出力ライン、
238 センサー電源ライン、
900 メイン制御部、
910 発光制御部、
911、912 発光駆動部、
920 センサー制御部、
921、922 センサー駆動部。
Claims (25)
- 複数の画素領域を含む基板本体と、
有機発光素子及び複数の発光用薄膜トランジスターを含む、前記複数の画素領域毎に各々形成された発光部と、
フォトセンサー及び複数のセンサー用薄膜トランジスターを含む、前記複数の画素領域のうちの少なくとも一部の画素領域に形成されたセンサー部と、を含み、
前記複数の発光用薄膜トランジスター及び前記複数のセンサー用薄膜トランジスターならびに前記フォトセンサーは、各々同一層に同一素材で形成された酸化物半導体層及び酸化物光電変換層を含むことを特徴とする、有機発光表示装置。 - 前記酸化物半導体層及び前記酸化物光電変換層は、ガリウム(Ga)、インジウム(In)、亜鉛(Zn)、ハフニウム(Hf)、及び錫(Sn)のうち一つ以上の元素と、酸素(O)とを含むことを特徴とする、請求項1に記載の有機発光表示装置。
- 前記基板本体は、透明な絶縁性物質から形成され、
前記有機発光素子から放出された光は、前記基板本体を透過することを特徴とする、請求項1または2に記載の有機発光表示装置。 - 前記複数の発光用薄膜トランジスターと各々電気的に接続されたゲートライン、データライン、及び発光電源ラインをさらに含み、
前記複数の発光用薄膜トランジスターは、前記酸化物半導体層下に配置されたゲート電極を含み、
前記ゲート電極は、前記ゲートライン、前記データライン、及び前記発光電源ラインと同一層に同一素材から共に形成されることを特徴とする、請求項1〜3のいずれか一項に記載の有機発光表示装置。 - 前記ゲートラインは、前記データライン及び前記発光電源ラインと交差する方向に配列され、
前記ゲートライン、前記データライン、及び前記発光電源ラインは、交差領域で断線部を有し、
前記断線部は、他の層に形成された接続部材を介して互いに接続されることを特徴とする、請求項4に記載の有機発光表示装置。 - 前記複数のセンサー用薄膜トランジスターと各々電気的に接続されたリセットライン、出力ライン、及びセンサー電源ラインをさらに含み、
前記複数のセンサー用薄膜トランジスターは、前記酸化物半導体層下に配置されたゲート電極を含み、
前記ゲート電極は、前記リセットライン、前記出力ライン、及び前記センサー電源ラインと同一層に同一素材から共に形成されることを特徴とする、請求項4または5に記載の有機発光表示装置。 - 前記発光用トランジスターのゲート電極及び前記センサー用トランジスターのゲート電極は、同一層に同一素材から共に形成されることを特徴とする、請求項6に記載の有機発光表示装置。
- 前記発光部と接続された発光駆動部、及び前記センサー部と接続されたセンサー駆動部をさらに含むことを特徴とする、請求項1〜7のいずれか一項に記載の有機発光表示装置。
- 前記発光駆動部を制御する発光制御部と、
前記センサー駆動部を制御するセンサー制御部と、
前記発光制御部及び前記センサー制御部と接続されたメイン制御部と、をさらに含むことを特徴とする、請求項8に記載の有機発光表示装置。 - 前記センサー制御部は、前記センサー駆動部から伝送された検出信号を前記メイン制御部に伝送し、
前記メイン制御部は、前記検出信号によって前記発光制御部を制御して、前記発光駆動部を通して画像を表示することを特徴とする、請求項9に記載の有機発光表示装置。 - 基板本体と、
前記基板本体上に形成されたゲート電極と、
前記ゲート電極上に形成されたゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜上に前記ゲート電極と重畳するように形成された酸化物半導体層と、
前記ゲート絶縁膜上に前記酸化物半導体層と同一素材から形成された酸化物光電変換層と、
前記酸化物半導体層及び前記酸化物光電変換層上に形成された層間絶縁膜と、
前記酸化物半導体層と接触するように前記層間絶縁膜上に形成されたソース電極及びドレイン電極と、
前記酸化物光電変換層と接触するように前記層間絶縁膜上に形成された一対のセンサー電極と、を含むことを特徴とする有機発光表示装置。 - 前記酸化物半導体層は、ガリウム(Ga)、インジウム(In)、亜鉛(Zn)、ハフニウム(Hf)、及び錫(Sn)のうちの一つ以上の元素と、酸素(O)とを含むことを特徴とする、請求項11に記載の有機発光表示装置。
- 前記ゲート電極と同一層に同一素材から形成されたゲートライン、データライン、及び発光電源ラインをさらに含むことを特徴とする、請求項11または12に記載の有機発光表示装置。
- 前記ゲートラインは、前記データライン及び前記発光電源ラインと交差する方向に配列され、
前記ゲートライン、前記データライン、及び前記発光電源ラインは、交差領域で断線部を有し、
前記断線部は、前記ソース電極、前記ドレイン電極、及び前記一対のセンサー電極と同一層に同一素材から形成された接続部材を介して互いに接続されることを特徴とする、請求項13に記載の有機発光表示装置。 - 前記ソース電極は、前記データライン及び前記発光電源ラインのうちのいずれか一つと接触することを特徴とする、請求項13または14に記載の有機発光表示装置。
- 前記ゲート電極は、金属物質から形成され、
前記ソース電極、前記ドレイン電極、及び前記一対のセンサー電極は、透明な導電性物質から形成されることを特徴とする、請求項11〜15のいずれか一項に記載の有機発光表示装置。 - 前記層間絶縁膜は、平坦化層を含むことを特徴とする、請求項11〜16のいずれか一項に記載の有機発光表示装置。
- 前記ドレイン電極の一部の領域上に順次に形成された有機発光層及び共通電極をさらに含むことを特徴とする、請求項11〜17のいずれか一項に記載の有機発光表示装置。
- 基板本体上にゲート電極、ゲートライン、データライン、及び発光電源ラインを含む第1導電配線を形成する段階と、
前記第1導電配線上にゲート絶縁膜を形成する段階と、
前記ゲート絶縁膜上に酸化物半導体層及び酸化物光電変換層を含む酸化物半導体パターンを形成する段階と、
前記酸化物半導体パターン上に層間絶縁膜を形成する段階と、
前記層間絶縁膜を単独でエッチングするか、または、前記層間絶縁膜及び前記ゲート絶縁膜を共にエッチングして、複数の接触孔を形成する段階と、
前記複数の接触孔を通して前記酸化物半導体パターンや前記第1導電配線と接触するソース電極、ドレイン電極、及び一対のセンサー電極を含む第2導電配線を形成する段階と、を含むことを特徴とする有機発光表示装置の製造方法。 - 前記酸化物半導体層は、ガリウム(Ga)、インジウム(In)、亜鉛(Zn)、ハフニウム(Hf)、及び錫(Sn)のうちの一つ以上の元素と、酸素(O)とを含むことを特徴とする、請求項19に記載の有機発光表示装置の製造方法。
- 前記ソース電極は、前記データライン及び前記発光電源ラインのうちのいずれか一つと接触することを特徴とする、請求項19または20に記載の有機発光表示装置の製造方法。
- 前記ゲートラインは、前記データライン及び前記発光電源ラインと交差する方向に配列され、
前記ゲートライン、前記データライン、及び前記発光電源ラインは、交差領域で断線部を有することを特徴とする、請求項19〜21のいずれか一項に記載の有機発光表示装置の製造方法。 - 前記第2導電配線は、接続部材をさらに含み、
前記接続部材は、前記ゲートライン、前記データライン、及び前記発光電源ラインの断線部を互いに接続することを特徴とする、請求項19〜22のいずれか一項に記載の有機発光表示装置の製造方法。 - 前記ドレイン電極の一部の領域上に有機発光層及び共通電極を順次に形成して有機発光素子を形成する段階をさらに含むことを特徴とする、請求項19〜23のいずれか一項に記載の有機発光表示装置の製造方法。
- 前記第1導電配線は、金属物質から形成され、
前記第2導電配線は、透明な導電性物質から形成されることを特徴とする、請求項19〜24のいずれか一項に記載の有機発光表示装置の製造方法。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR20090108266A KR101333783B1 (ko) | 2009-11-10 | 2009-11-10 | 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법 |
KR10-2009-0108266 | 2009-11-10 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2011102960A true JP2011102960A (ja) | 2011-05-26 |
JP5241040B2 JP5241040B2 (ja) | 2013-07-17 |
Family
ID=43875239
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010163179A Active JP5241040B2 (ja) | 2009-11-10 | 2010-07-20 | 有機発光表示装置及びその製造方法 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US8933868B2 (ja) |
EP (1) | EP2328178B1 (ja) |
JP (1) | JP5241040B2 (ja) |
KR (1) | KR101333783B1 (ja) |
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Publication number | Publication date |
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US20150125973A1 (en) | 2015-05-07 |
KR20110051610A (ko) | 2011-05-18 |
US20110109532A1 (en) | 2011-05-12 |
KR101333783B1 (ko) | 2013-11-29 |
EP2328178A3 (en) | 2011-09-07 |
EP2328178A2 (en) | 2011-06-01 |
US8933868B2 (en) | 2015-01-13 |
US9257495B2 (en) | 2016-02-09 |
JP5241040B2 (ja) | 2013-07-17 |
EP2328178B1 (en) | 2013-01-23 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20120424 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20120723 |
|
A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A712 Effective date: 20120912 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20121107 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20121127 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20130221 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
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