KR102403194B1 - 표시 장치 - Google Patents

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Abstract

본 기재는, 기판, 기판 상에 형성되는 제1 신호선, 기판 및 제1 신호선 상에 형성되는 제1 절연막, 제1 절연막 위에 형성되며, 제1 신호선과 중첩하는 중첩 영역을 포함하는 제2 신호선, 제2 신호선 상에 형성되어 있으며, 중첩 영역의 적어도 일부분을 노출하는 비아홀을 가지는 제2 절연막 및 비아홀을 덮고, 비아홀을 통해 중첩 영역과 연결되는 보조 배선층을 포함하는 표시 장치에 관한 것으로, 단선 불량이 개선될 수 있는 표시 장치를 제공한다.

Description

표시 장치 {DISPLAY APPARATUS}
본 발명은 표시 장치에 관한 것으로, 보다 구체적으로는, 단선 불량이 개선될 수 있는 표시 장치에 관한 것이다.
액정 표시 장치(liquid crystal display: LCD), 플라즈마 표시 장치(plasma display panel: PDP), 유기 발광 표시 장치(organic light emitting diode device: OLED device), 전계 효과 표시 장치(field effect display: FED), 전기 영동 표시 장치(electrophoretic display device) 등과 같은 다양한 표시 장치들이 개발되어 현대 사회에 많은 영향을 주고 있다.
근래에 들어서는 이들 표시 장치들의 해상도를 향상시키기 위한 다양한 노력들이 증대되고 있다. 고해상도의 표시 장치를 제공하기 위해서는 표시 장치 내에서 신호를 전달하는 신호선들의 선폭이 점차 얇아져야 한다.
이와 같이 점차 얇아지는 신호선의 선폭에 의해, 표시 장치 내에서 신호선의 단선으로 인한 제품의 불량이 발생되는 빈도가 증가되고 있다. 따라서 신호선의 단선 불량을 방지할 수 있는 표시 장치의 필요성이 증대되고 있다.
본 발명은, 단선 불량이 개선될 수 있는 표시 장치를 제공하고자 한다.
또한, 본 발명이 해결하고자 하는 기술적 과제는 이상에서 언급한 기술적 과제로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 기술적 과제들은 아래의 기재로부터 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치는, 기판, 기판 상에 형성되는 제1 신호선, 기판 및 제1 신호선 상에 형성되는 제1 절연막, 제1 절연막 위에 형성되며, 제1 신호선과 중첩하는 중첩 영역을 포함하는 제2 신호선, 제2 신호선 상에 형성되어 있으며, 중첩 영역의 적어도 일부분을 노출하는 비아홀을 가지는 제2 절연막 및 비아홀을 덮고, 비아홀을 통해 중첩 영역과 연결되는 보조 배선층을 포함한다.
이때, 제1 신호선의 폭은 제2 신호선의 폭보다 넓을 수 있다.
기판은 복수의 화소를 포함하여 화상을 표시하는 표시 영역 및 표시 영역을 둘러싸는 주변 영역을 포함하고, 비아홀은 주변 영역에 형성될 수 있다.
한편, 표시 영역은 화소 전극을 더 포함하며, 보조 배선층은 화소 전극과 동일한 재질로 이루어질 수 있다.
그러므로, 보조 배선층은 투명한 도전체를 포함할 수 있거나 혹은, 보조 배선층은 복수의 층을 포함할 수 있다.
보조 배선층은 비아홀 내에 전도성 물질이 충진된 형태를 가질 수 있다.
제1 신호선은 몰리브덴을 포함할 수 있다.
제2 신호선은 티타늄을 포함하는 제1층, 알루미늄을 포함하는 제2층, 티타늄을 포함하는 제3층을 포함할 수 있다.
제2 절연막의 표면으로부터 제2 신호선의 표면을 향하는 방향을 따라 비아홀의 단면적이 점차 감소될 수 있다.
본 발명에 의하면 단선이 발생하더라도, 보조 배선층에 의해 전기적 신호의 우회로가 제공될 수 있으므로, 제품의 단선 불량이 개선될 수 있는 표시 장치가 제공될 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 제1 신호선, 제2 신호선 및 보조 배선층의 배치 관계를 도시한 분해 사시도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 단면도이다.
도 4는 도 3에 표시된 부분을 다른 방향에서 바라본 모습을 단면도이다.
도 5는 도 4의 평면도이다.
도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 제1 신호선 및 단선이 발생된 제2 신호선을 도시한 평면도이다.
도 7는 도 6의 제1 신호선 및 제2 신호선의 단면도이다.
도 8은 도 6의 제2 신호선 상에 보조 배선층이 형성된 모습을 도시한 단면도이다.
도 9는 도 7의 제2 신호선 상에 보조 배선층이 형성된 모습을 도시한 평면도이다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들을 상세하게 설명하면 다음과 같다. 다만, 본 발명을 설명함에 있어서, 이미 공지된 기능 혹은 구성에 대한 설명은, 본 발명의 요지를 명료하게 하기 위하여 생략하기로 한다.
본 발명을 명확하게 설명하기 위해서 설명과 관계없는 부분을 생략하였으며, 명세서 전체를 통하여 동일 또는 유사한 구성요소에 대해서는 동일한 참조 부호를 붙이도록 한다. 또한, 도면에서 나타난 각 구성의 크기 및 두께는 설명의 편의를 위해 임의로 나타내었으므로 본 발명이 반드시 도시된 바에 한정되지 않는다.
도면에서 여러 층 및 영역을 명확하게 표현하기 위하여 두께를 확대하여 나타내었다. 그리고 도면에서 설명의 편의를 위해 일부 층 및 영역의 두께를 과장되게 나타내었다. 층, 막, 영역, 판 등의 부분이 다른 부분 "위에" 또는 "상에" 있다고 할 때, 이는 다른 부분 "바로 위에" 있는 경우뿐 아니라 그 중간에 또 다른 부분이 있는 경우도 포함한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 제1 신호선, 제2 신호선 및 보조 배선층의 배치 관계를 도시한 분해 사시도이며, 도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치이고, 도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 단면도이다. 도 4는 도 3에 표시된 부분을 다른 방향에서 바라본 모습을 단면도이며, 도 5는 도 4의 평면도이다. 도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 제1 신호선 및 단선이 발생된 제2 신호선을 도시한 평면도이며, 도 7는 도 6의 제1 신호선 및 제2 신호선의 단면도이다. 도 8은 도 6의 제2 신호선 상에 보조 배선층이 형성된 모습을 도시한 단면도이며, 도 9는 도 7의 제2 신호선 상에 보조 배선층이 형성된 모습을 도시한 평면도이다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 기판(10), 제1 신호선(32), 제1 절연막(28), 제2 신호선(35), 제2 절연막(40), 비아홀(42) 및 보조 배선층(44)을 포함하는 표시 장치가 제공된다.
본 실시예에 따른 기판(10)은 투명한 절연 물질로 이루어질 수 있으며, 구체적으로 유리(glass) 및 경화성 플라스틱과 같은 강성(rigid)의 재질로 이루어지거나 혹은 폴리이미드(PI, polyimide) 및 폴리에스테르(PE, polyester)와 같은 연성(flexible)의 재질로 이루어질 수 있다.
도 2에는 표시 영역(DA, Display Area)과 주변 영역(PA, Peripheral Area)을 포함하는 본 실시예의 기판(10)이 도시되어 있다. 도 2에 도시된 것과 같이, 본 실시예의 기판(10)은 표시 영역(DA) 및 주변 영역(PA)을 포함한다.
표시 영역(DA)은 복수의 화소를 포함하여 전기적 신호를 빛으로 전환시키는 영역이며, 주변 영역(PA)은 표시 영역(DA)의 주변에 형성되어 외부로부터 전달되는 전원을 표시 영역(DA)에 전달하거나, 표시 영역(DA)을 통해 입력되는 전기적 신호를 구동부로 전달하는 영역이다.
도 3에는 본 발명의 일 실시예에 따라, 유기 발광 소자를 포함하는 표시 장치의 단면도가 도시되어 있다. 다만, 이는 일 예에 불과하며, 본 발명의 실시 범위는 유기 발광 소자를 포함하는 표시 장치뿐만 아니라, 액정 표시 장치(liquid crystal display: LCD), 플라즈마 표시 장치(plasma display panel: PDP), 전계 효과 표시 장치(field effect display: FED), 전기 영동 표시 장치(electrophoretic display device) 등과 같은 다양한 표시 장치들에까지 확대될 수 있을 것이다.
본 실시예에 따르면 기판(10) 상에는 기판(10)을 보호하기 위한 버퍼층(22)이 형성될 수 있다. 버퍼층(22)은, 복수의 유기막 또는 무기막으로 구성되어, 표시 영역(DA)의 발광 소자층에 형성될 화소 회로를 형성하기 위한 평탄면을 제공하고, 화소 회로와 발광 소자에 수분과 이물질이 침투되는 것을 방지할 수 있다.
도 3에 도시된 것과 같이, 본 실시예에 따르면, 표시 영역(DA)에 대응되는 영역의 버퍼층(22) 상에는 박막 트랜지스터와 커패시터(미도시)가 형성될 수 있다. 박막 트랜지스터는 반도체층(31)과 게이트 전극(322), 소스/드레인 전극(33, 34)을 포함한다. 도 3에 도시된 박막 트랜지스터는 구동 박막 트랜지스터이며, 표시 영역(DA)의 화소 회로는 스위칭 박막 트랜지스터(미도시)를 더 포함할 수 있다. 스위칭 박막 트랜지스터는 발광시키고자 하는 화소를 선택하는 스위칭 소자로 사용되고, 구동 박막 트랜지스터는 선택된 화소를 발광시키기 위한 전원을 해당 화소로 인가한다.
도 3에서는 탑 게이트 구조의 박막 트랜지스터를 예로 들어 도시하였으나, 박막 트랜지스터의 구조는 도시한 예로 한정되지 않는다. 또한, 화소 회로는 세 개 이상의 박막 트랜지스터와 두 개 이상의 커패시터를 구비할 수도 있다.
반도체층(31)은 폴리실리콘 또는 산화물 반도체로 형성될 수 있으며, 불순물이 도핑되지 않은 채널 영역(311)과 채널 영역(311)의 양 옆으로 불순물이 도핑된 소스 영역(312) 및 드레인 영역(313)을 포함한다.
제1 게이트 절연막(24)은 반도체층(31) 상에 형성되며, 제1 게이트 절연막(24) 상에 형성되는 게이트 전극(322)을 포함하는 제1 신호선(32)과 반도체층(31)을 전기적으로 절연시킬 수 있다.
반도체층(31)과 제1 게이트 절연막(24)이 형성된 본 실시예의 기판(10) 상에는 제1 신호선(32)이 형성될 수 있다. 본 실시예에 따른 제1 신호선(32)은 복수의 게이트 부재 및 구동 전압선(321)을 포함한다. 본 실시예의 게이트 부재는 게이트 신호를 전달하는 게이트선(미도시), 게이트선의 단부에 연결되는 게이트 패드(미도시) 및 게이트선과 연결되는 게이트 전극(322)을 포함한다. 본 실시예의 구동 전압선(321)은 표시 영역(DA)의 화소에 구동 전압(ELVDD)을 전달하기 위해 전도성 물질로 형성될 수 있다. 본 실시예에 따른 제1 신호선(32)은 몰리브덴(Mo)를 포함하는 금속 재질로 형성될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
제1 신호선(32) 상에는 제1 절연막(28)이 형성된다. 제1 절연막(28)은 실리콘 산화물(SiO2), 실리콘 질화물(SiNx)과 같은 무기 절연 물질로 형성될 수 있다. 본 실시예에 따른 제1 절연막(28)은 단일막 또는 다중막으로 형성될 수 있다. 본 실시예의 제1 절연막(28)은 기판(10) 상에 형성되는 제1 신호선(32)을 보호하고, 제1 절연막(28) 상에 형성되는 제1 신호선(32)과 제2 신호선(35)이 전기적으로 서로 분리될 수 있도록 한다. 이때, 제1 신호선(32)과 제1 절연막(28) 사이에는 제2 게이트 절연막(26)이 더 형성되어, 복수의 게이트 부재를 포함하는 제1 신호선(32)을 보다 효과적으로 보호할 수 있다.
한편, 제1 절연막(28) 상에는 제2 신호선(35)이 형성될 수 있다. 본 실시예의 제2 신호선(35)은 제1 신호선(32)과 중첩하는 중첩 영역을 포함한다. 본 실시예에 따르면, 제1 절연막(28)에는 제1 신호선(32)의 두께에 의해 단차가 형성되기 때문에, 중첩 영역은 제1 신호선(32)에 의해 제1 절연막(28) 상에 형성된 단차 위에 배치되는 제2 신호선(35)에 형성될 수 있다.
본 실시예에 따른 제2 신호선(35)은 복수의 데이터 부재, 복수의 소스 전극(33) 및 복수의 드레인 전극(34)을 포함한다. 본 실시예의 데이터 부재는 데이터 신호를 전달하며 게이트선과 교차하는 복수의 데이터선(미도시), 데이터선의 단부에 연결되는 데이터 패드(미도시), 각각의 데이터선과 연결되는 복수의 소스 전극(33) 및 반도체층(31)을 사이에 두고 복수의 소스 전극(33) 각각과 쌍을 이루는 복수의 드레인 전극(34)을 포함한다.
본 실시예에 따른 제2 신호선(35)은 기계적, 화학적 강도 및 전기 전도성을 향상시키기 위하여 티타늄(Ti)을 포함하는 제1층, 알루미늄(Al)을 포함하는 제2층 및 티타늄(Ti)을 포함하는 제3층을 포함하는 복수의 층으로 이루어질 수 있다.
제2 절연막(40)은 제2 신호선(35) 상에 형성되며, 제1 절연막(28)과 마찬가지로, 실리콘 산화물(SiO2), 실리콘 질화물(SiNx)과 같은 무기 절연 물질로 형성될 수 있으며, 따라서 제2 신호선(35)을 보호할 수 있다.
이때 본 실시예에 따른 제2 절연막(40)은 제1 신호선(32)과 제2 신호선(35)이 중첩하는 중첩 영역의 일부 또는 전부를 노출시키는 비아홀(42)을 포함한다.
본 실시예에 따라 제2 신호선(35)의 중첩 영역의 일부 또는 전부를 외부로 노출시키는 비아홀(42)은 보조 배선층(44)에 의해 덮일 수 있다. 보조 배선층(44)은 비아홀(42)을 덮고 비아홀(42)을 통해 중첩 영역과 연결된다. 따라서 보조 배선층(44)은 제2 신호선(35)과 전기적으로 연결된다.
본 실시예의 비아홀(42)은 제2 절연막(40)의 표면으로부터 제2 신호선(35)의 표면에 노출되는 중첩 영역을 향하는 방향을 따라 점차 단면적이 감소될 수 있다. 따라서 도 4에 도시된 것과 같이 측면이 경사지도록 형성될 수 있으며, 도 5에 도시된 것과 같은 단면을 가질 수 있다. 도 4 및 도 5에 도시된 것과 같이, 본 실시예에 따른 비아홀(42)은 제2 신호선(35)의 중첩 영역의 적어도 일부를 노출시킬 수 있으며, 따라서 도시되지는 않았지만 중첩 영역의 전부를 노출시켜도 무방하다.
한편, 본 실시예의 보조 배선층(44)은 비아홀(42) 내에 전도성 물질이 충진된 형태를 가진다. 비아홀(42) 내에 충진되는 전도성 물질은 비아홀(42)의 일부 또는 전부를 충진시킬 수 있다. 따라서 도면에 도시되지는 않았으나, 비아홀(42)의 내부가 전도성 물질에 의해 완전히 충진되어 형성되는 보조 배선층(44) 역시 본 발명의 실시 범위에 포함될 수 있다.
본 실시예에 따른 제2 신호선(35)의 폭은 제1 신호선(32)의 폭보다 작다. 따라서, 도 6 및 도 7에 도시된 것과 같이, 제1 신호선(32)의 두께에 의해 제1 절연막(28) 상에 형성된 단차에 의해 제2 신호선(35)은 단선되기 쉽다. 제2 신호선(35)이 단선되는 경우에는, 표시 영역(DA)의 화소에 전기적 신호가 전달될 수 없어, 표시 장치 전체의 제품 불량이 발생될 수 있다.
제2 신호선(35)의 단선에 의한 제품 불량을 개선하기 위하여, 본 실시예에 따른 표시 장치는 제2 신호선(35)의 중첩 영역과 연결되는 보조 배선층(44)을 포함한다. 도 8 및 도 9에 도시된 것과 같이, 제2 신호선(35)이 단선되었다 하더라도, 제2 신호선(35)에 의해 전달되는 전기적 신호가 보조 배선층(44)으로 우회될 수 있다.
본 실시예의 보조 배선층(44)은 중첩 영역에서 제2 신호선(35)과 전기적으로 연결되는 것 이외에는 다른 구성들과 직접 전기적으로 연결되지 않는다. 즉, 제2 절연막(40) 상에 형성되는 다른 구성들과 보조 배선층(44)은 전기적으로 연결되지 않으며, 독립적으로 형성된다. 따라서, 본 실시예의 비아홀(42) 및 보조 배선층(44)은 제2 신호선(35) 이외의 구성과는 독립적으로 형성될 수 있는 기판(10)의 주변 영역(PA)에 형성되어, 제2 신호선(35)이 단선된 경우 전기적 신호의 우회로를 제공한다.
한편, 유기 발광 소자를 포함하는 본 실시예에 따른 표시 영역(DA)은 도 3에 도시된 것과 같이, 반도체층(31), 제2 절연막(40), 화소 정의막(36), 유기 발광 소자(37) 및 박막 봉지층(50)을 포함한다.
반도체층(31) 및 제2 절연막(40)에 관한 구체적인 설명은 전술한 것과 중복되므로 생략한다. 다만, 표시 영역(DA)의 제2 절연막(40)은 드레인 전극(34)의 일부를 노출시키는 드레인 전극 접촉용 비아홀을 더 포함할 수 있다.
제2 절연막(40) 상에는 화소 영역에 대응되는 영역을 개방하는 화소 정의막(36)이 형성되며, 개방된 화소 정의막(36) 영역에는 유기 발광 소자(37)가 형성될 수 있다.
유기 발광 소자(37)는 화소 전극(371)과 유기 발광층(372) 및 공통 전극(373)을 포함한다. 화소 전극(371)은 화소마다 개별로 형성되고, 드레인 전극(34) 접촉용 비아홀(42)을 통해 박막 트랜지스터의 드레인 전극(34)과 연결된다. 공통 전극(373)은 기판(10)(10)의 표시 영역(DA)(DA) 전체에 형성된다. 화소 전극(371)은 화소 영역을 구획하는 화소 정의막(36)으로 둘러싸이며, 유기 발광층(372)은 화소 전극(371) 위에 형성된다.
이때, 본 실시예에 따른 보조 배선층(44)은 화소 전극(371)과 동일한 공정에 의해 형성될 수 있다. 보다 상세히 설명하자면, 제2 절연막(40)에 형성되는 비아홀(42) 및 드레인 전극 접촉용 비아홀은 각각 보조 배선층(44) 및 화소 전극(371)에 의해 덮혀진다. 따라서, 공정의 단순화 및 비용과 시간의 절감을 위하여 보조 배선층(44)과 화소 전극은 동일한 재질로 동일한 공정에 의해 형성될 수 있다.
따라서, 본 실시예의 보조 배선층(44)은 화소 전극(371)과 동일하게, 투명한 도전체를 포함하여 형성될 수 있다. 또한, 투명 도전체 및 금속 물질을 포함하여 복수의 층으로 이루어지는 화소 전극(371)과 마찬가지로, 본 실시예의 보조 배선층(44) 역시 복수의 층을 포함할 수 있다. 일 예로, 본 실시예의 보조 배선층(44) 및 화소 전극(371)은 ITO-Ag-ITO의 삼층 구조를 가지는 전극 물질일 수 있다. 다만, 이는 일 예에 불과하며, 이 외에도 다양한 조합의 전극 물질이 보조 배선층(44) 및 화소 전극(371)으로 사용될 수 있을 것이다.
유기 발광층(372)은 적색 발광층, 녹색 발광층 및 청색 발광층 가운데 어느 하나일 수 있다. 한편, 본 실시예의 변형예로, 유기 발광층(372)은 백색 발광층 단독 또는 적색 발광층과 녹색 발광층 및 청색 발광층의 적층막으로 형성되어 백색을 구현할 수 있다. 백색 발광층을 포함하거나 백색을 구현하는 유기 발광층(372)이 형성되는 경우에는 다양한 색의 빛을 방출하기 위하여 색 필터(미도시)를 더 포함할 수 있다.
화소 전극(371)과 공통 전극(373) 중 어느 하나는 정공 주입 전극(애노드)이고, 다른 하나는 전자 주입 전극(캐소드)이다. 애노드로부터 주입된 정공과 캐소드로부터 주입된 전자가 유기 발광층(372)에서 결합하여 여기자(exiton)을 생성하며, 여기자가 에너지를 방출하면서 발광이 이루어진다.
정공 주입층과 정공 수송층 가운데 적어도 한 층이 애노드와 유기 발광층(372) 사이에 위치할 수 있고, 전자 주입층과 전자 수송층 가운데 적어도 한 층이 유기 발광층(372)과 캐소드 사이에 위치할 수 있다. 정공 주입층, 정공 수송층, 전자 수송층 및 전자 주입층은 기판(10)의 표시 영역(DA) 전체에 형성될 수 있다.
화소 전극(371)과 공통 전극(373) 중 어느 하나는 금속 반사막으로 형성될 수 있고, 다른 하나는 반투과막 또는 투명 도전막으로 형성될 수 있다. 유기 발광층(372)에서 방출된 빛은 금속 반사막에서 반사되고, 반투과막 또는 투명 전도막을 투과하여 외부로 방출된다. 반투과막의 경우 유기 발광층(372)에서 방출된 빛의 일부가 금속 반사막으로 재반사되면서 공진 구조를 이룬다.
박막 봉지층(50)은 수분과 산소를 포함하는 외부 환경으로부터 유기 발광 소자(37)를 밀봉시켜 수분과 산소에 의해 열화되어 손상되는 것을 방지한다. 박막 봉지층(50)은 복수의 유기막과 복수의 무기막이 하나씩 교대로 적층된 구성으로 이루어질 수 있다.
이상에서는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치에 대해 설명하였다. 본 실시예에 따르면, 제2 신호선(35)에 단선이 발생하더라도, 보조 배선층(44)에 의해 전기적 신호의 우회로가 제공될 수 있으므로, 제품의 단선 불량이 개선될 수 있는 표시 장치가 제공될 수 있다.
앞에서, 본 발명의 특정한 실시예가 설명되고 도시되었지만 본 발명은 기재된 실시예에 한정되는 것이 아니고, 본 발명의 사상 및 범위를 벗어나지 않고 다양하게 수정 및 변형할 수 있음은 이 기술의 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 자명한 일이다. 따라서, 그러한 수정예 또는 변형예들은 본 발명의 기술적 사상이나 관점으로부터 개별적으로 이해되어서는 안되며, 변형된 실시예들은 본 발명의 특허청구범위에 속한다 하여야 할 것이다.
10: 기판 20: 절연막
22: 버퍼층 24: 제1 게이트 절연막
26: 제2 게이트 절연막 28: 제1 절연막
31: 반도체층 311: 채널 영역
312: 소스 영역 313: 드레인 영역
32: 제1 신호선 321: 구동 전압선
322: 게이트 전극 33: 소스 전극
34: 드레인 전극 35: 데이터선
36: 화소 정의막 37: 유기 발광 소자
371: 화소 전극 372: 유기 발광층
373: 공통 전극 40: 제2 절연막
42: 비아홀 44: 보조 배선층
50: 박막 봉지층 DA: 표시 영역
PA: 주변 영역

Claims (10)

  1. 기판;
    상기 기판 상에 위치하며 제1 방향으로 연장하는 제1 신호선;
    상기 기판 및 상기 제1 신호선 상에 위치하는 제1 절연막;
    상기 제1 절연막 위에 위치하고 상기 제1 방향과 교차하는 제2 방향으로 연장하며 상기 제1 신호선과 중첩하는 중첩 영역을 포함하는 제2 신호선;
    상기 제2 신호선 상에 위치하며 상기 중첩 영역의 적어도 일부와 중첩하는 비아홀을 가지는 제2 절연막; 및
    상기 비아홀을 통해 상기 중첩 영역과 연결되는 보조 배선층
    을 포함하는, 표시 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 제1 신호선의 폭은 상기 제2 신호선의 폭보다 넓은, 표시 장치.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 기판은 복수의 화소를 포함하여 화상을 표시하는 표시 영역 및 상기 표시 영역을 둘러싸는 주변 영역을 포함하며,
    상기 비아홀은 상기 주변 영역에 형성되는, 표시 장치.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 표시 영역은 화소 전극을 더 포함하며,
    상기 보조 배선층은 상기 화소 전극과 동일한 재질로 이루어지는, 표시 장치.
  5. 제4항에 있어서,
    상기 보조 배선층은 투명한 도전체를 포함하는, 표시 장치.
  6. 제4항에 있어서,
    상기 보조 배선층은 복수의 층을 포함하는, 표시 장치.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 보조 배선층은 상기 비아홀 내에 전도성 물질이 충진된 형태를 가지는 표시 장치.
  8. 제1항에 있어서,
    상기 제1 신호선은 몰리브덴을 포함하는 표시 장치.
  9. 제1항에 있어서,
    상기 제2 신호선은 티타늄을 포함하는 제1층, 알루미늄을 포함하는 제2층, 티타늄을 포함하는 제3층을 포함하는, 표시 장치.
  10. 제1항에 있어서,
    상기 제2 절연막의 표면으로부터 상기 제2 신호선의 표면을 향하는 방향을 따라 상기 비아홀의 단면적이 점차 감소되는, 표시 장치.
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