JP2011091171A - 荷電粒子ビーム描画方法および荷電粒子ビーム描画装置システム - Google Patents
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Abstract
【解決手段】第1の荷電粒子ビーム描画装置において、反射率の異なる2層の膜が形成された較正用基板の上を荷電粒子ビームで走査し、較正用基板からの反射信号を検出して照射位置の誤差を求める。第2の荷電粒子ビーム描画装置においても、同様の方法で照射位置の誤差を求める。第1の荷電粒子ビーム描画装置における照射位置の誤差と、第2の荷電粒子ビーム描画装置における照射位置の誤差との差分を求め、この差分を用いて、第2の荷電粒子ビーム描画装置における荷電粒子ビームの照射位置の誤差を較正する。
【選択図】図6
Description
d(nm)=λ(nm)/2(n−1)
第1の荷電粒子ビーム描画装置において、反射率の異なる2層の膜が形成された較正用基板の上を荷電粒子ビームで走査し、較正用基板からの反射信号を検出して照射位置の誤差を求める工程と、
第2の荷電粒子ビーム描画装置において、較正用基板の上を荷電粒子ビームで走査し、較正用基板からの反射信号を検出して照射位置の誤差を求める工程と、
第1の荷電粒子ビーム描画装置における照射位置の誤差と、第2の荷電粒子ビーム描画装置における照射位置の誤差との差分を求める工程と、
差分を用いて、第2の荷電粒子ビーム描画装置における荷電粒子ビームの照射位置の誤差を較正する工程とを有することを特徴とするものである。
第1の荷電粒子ビーム描画装置に基板を搬入し、位置合わせマークを荷電粒子ビームで走査して基板の位置合わせを行う工程と、
第2の荷電粒子ビーム描画装置に基板を搬入し、位置合わせマークを荷電粒子ビームで走査して基板の位置合わせを行う工程とを有することができる。
基板本体の上に設けられた第1の導電膜と、
第1の導電膜の上に選択的に配置され、第1の導電膜よりも反射率の大きい第2の導電膜とを有することが好ましい。
第2の導電膜は、タンタル(Ta)、タングステン(W)およびプラチナ(Pt)よりなる群から選ばれるいずれか1つを含むことが好ましい。
第2の荷電粒子ビーム描画装置とを有し、
第2の荷電粒子ビーム描画装置は、第1の荷電粒子ビーム描画装置における照射位置の誤差と、第2の荷電粒子ビーム描画装置における照射位置の誤差との差分を用いて、第2の荷電粒子ビーム描画装置における荷電粒子ビームの照射位置の誤差を較正するように構成されており、
差分は、第1の荷電粒子ビーム描画装置において、反射率の異なる2層の膜が形成された較正用基板の上を荷電粒子ビームで走査し、較正用基板からの反射信号を検出して得られた照射位置の誤差と、第2の荷電粒子ビーム描画装置において、較正用基板の上を荷電粒子ビームで走査し、較正用基板からの反射信号を検出して得られた照射位置の誤差との差分であることを特徴とする荷電粒子ビーム描画装置システムに関する。
(1) ΔXij=A0+A1・Xij+A2・Yij+A3・Xij 2
+A4・Xij・Yij+A5・Yij 2+A6・Xij 3
+A7・Xij 2・Yij+A8・Xij・Yij 2+A9・Yij 3
(2) ΔYij=B0+B1・Xij+B2・Yij+B3・Xij 2
+B4・Xij・Yij+B5・Yij 2+B6・Xij 3
+B7・Xij 2・Yij+B8・Xij・Yij 2+B9・Yij 3
(3) ΔXij’=A0’+A1’・Xij+A2’・Yij+A3’・Xij 2
+A4’・Xij・Yij+A5’・Yij 2+A6’・Xij 3
+A7’・Xij 2・Yij+A8’・Xij・Yij 2+A9’・Yij 3
(4) ΔYij’=B0’+B1’・Xij+B2’・Yij+B3’・Xij 2
+B4’・Xij・Yij+B5’・Yij 2+B6’・Xij 3
+B7’・Xij 2・Yij+B8’・Xij・Yij 2+B9’・Yij 3
1…描画室
2…電子鏡筒(ビーム照射手段)
3…搬送室
4…アライメント室(アライメント部)
5…ステージ
5a、5b…ステージミラー
6…搬送ロボット
6a…回転軸
6b…ロボットアーム
6c…ロボットハンド
7…照射制御部
8…ステージ制御部
9…ロボット制御部
10…全体制御部
111…第1メモリ
112…第2メモリ
12…ステージ位置測定器
12a、12b…レーザ測長計
13…高さ測定器
13a…投光部
13b…受光部
13c…高さ信号処理部
101…第1のマーク部
102…第2のマーク部
103…ガラス基板
104…遮光膜
x1、x2、y1、y2…測定位置
110…較正用基板
112…基板本体
114、116…導電膜
120…開口部
Claims (5)
- 第1の荷電粒子ビーム描画装置によって基板に第1のパターンを描画した後、第2の荷電粒子ビーム描画装置によって前記基板に第2のパターンを描画する荷電粒子ビーム描画方法であって、
第1の荷電粒子ビーム描画装置において、反射率の異なる2層の膜が形成された較正用基板の上を荷電粒子ビームで走査し、前記較正用基板からの反射信号を検出して照射位置の誤差を求める工程と、
第2の荷電粒子ビーム描画装置において、前記較正用基板の上を荷電粒子ビームで走査し、前記較正用基板からの反射信号を検出して照射位置の誤差を求める工程と、
前記第1の荷電粒子ビーム描画装置における照射位置の誤差と、前記第2の荷電粒子ビーム描画装置における照射位置の誤差との差分を求める工程と、
前記差分を用いて、前記第2の荷電粒子ビーム描画装置における荷電粒子ビームの照射位置の誤差を較正する工程とを有することを特徴とする荷電粒子ビーム描画方法。 - 前記基板には位置合わせマークが設けられており、
前記第1の荷電粒子ビーム描画装置に前記基板を搬入し、前記位置合わせマークを荷電粒子ビームで走査して前記基板の位置合わせを行う工程と、
前記第2の荷電粒子ビーム描画装置に前記基板を搬入し、前記位置合わせマークを荷電粒子ビームで走査して前記基板の位置合わせを行う工程とを有することを特徴とする請求項1に記載の荷電粒子ビーム描画方法。 - 前記較正用基板は、酸化シリコン(SiO2)よりも低い熱膨張係数の材料を用いた基板本体と、
前記基板本体の上に設けられた第1の導電膜と、
前記第1の導電膜の上に選択的に配置され、前記第1の導電膜よりも反射率の大きい第2の導電膜とを有することを特徴とする請求項1または2に記載の荷電粒子ビーム描画方法。 - 前記第1の導電膜は、クロム(Cr)、チタン(Ti)およびバナジウム(V)よりなる群から選ばれるいずれか1つを含み、
前記第2の導電膜は、タンタル(Ta)、タングステン(W)およびプラチナ(Pt)よりなる群から選ばれるいずれか1つを含むことを特徴とする請求項3に記載の荷電粒子ビーム描画方法。 - 第1の荷電粒子ビーム描画装置と、
第2の荷電粒子ビーム描画装置とを有し、
前記第2の荷電粒子ビーム描画装置は、前記第1の荷電粒子ビーム描画装置における照射位置の誤差と、前記第2の荷電粒子ビーム描画装置における照射位置の誤差との差分を用いて、前記第2の荷電粒子ビーム描画装置における荷電粒子ビームの照射位置の誤差を較正するように構成されており、
前記差分は、前記第1の荷電粒子ビーム描画装置において、反射率の異なる2層の膜が形成された較正用基板の上を荷電粒子ビームで走査し、前記較正用基板からの反射信号を検出して得られた照射位置の誤差と、前記第2の荷電粒子ビーム描画装置において、前記較正用基板の上を荷電粒子ビームで走査し、前記較正用基板からの反射信号を検出して得られた照射位置の誤差との差分であることを特徴とする荷電粒子ビーム描画装置システム。
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