JP2011082470A - ウェーハ処理方法およびウェーハ処理装置 - Google Patents
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- 238000000034 method Methods 0.000 title description 31
- 238000005498 polishing Methods 0.000 claims abstract description 52
- 230000002950 deficient Effects 0.000 claims abstract description 5
- 230000007547 defect Effects 0.000 claims description 43
- 238000003672 processing method Methods 0.000 claims description 9
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 abstract description 32
- 238000005247 gettering Methods 0.000 abstract description 31
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 15
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 abstract description 4
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 146
- 239000006061 abrasive grain Substances 0.000 description 14
- 238000007517 polishing process Methods 0.000 description 14
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 13
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 8
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 4
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 3
- 229920005830 Polyurethane Foam Polymers 0.000 description 2
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 2
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 2
- 229910001385 heavy metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 239000004745 nonwoven fabric Substances 0.000 description 2
- 239000011496 polyurethane foam Substances 0.000 description 2
- JOYRKODLDBILNP-UHFFFAOYSA-N Ethyl urethane Chemical compound CCOC(N)=O JOYRKODLDBILNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002925 chemical effect Effects 0.000 description 1
- 239000004744 fabric Substances 0.000 description 1
- 230000005283 ground state Effects 0.000 description 1
- 230000007257 malfunction Effects 0.000 description 1
- 229910021645 metal ion Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 230000000644 propagated effect Effects 0.000 description 1
- 238000005096 rolling process Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 230000000087 stabilizing effect Effects 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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- Grinding Of Cylindrical And Plane Surfaces (AREA)
- Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
Abstract
【解決手段】ウェーハ処理装置(10)は、表面(21)にデバイスが形成されたウェーハの裏面(22)が露出するようにウェーハ(20)を保持する保持部(12a)と、ウェーハの裏面全体を研削する研削部(31、32)と、研削部により研削されたウェーハの研削面全体を研磨する研磨部(33)と、研磨部により研磨されたウェーハの研磨面全体にダメージ層を形成するダメージ層形成部(34)とを具備する。研削部によって、ウェーハの欠陥層が概ね除去されるようにするのが好ましい。
【選択図】図3
Description
パッド:発泡ポリウレタン
または、ウレタン含浸不織布TP300V4など(東京精密社製)
研磨スラリー:シリカスラリー砥粒径50nm〜70nm
パッド回転数:200rpm、圧力:20.68kPa(3psi)程度
言い換えれば、50μm〜70μm以下の厚みまでウェーハを研磨(または研削)した後で無欠陥層51にゲッタリング層を新たに形成する場合には、前述したようにストレスを完全に除去できることは極めて有利である。
スラリー:GC砥粒(1μm〜3μm)、溶媒:水
パッド:発泡ポリウレタン、TP300V4(東京精密社製)
パッド回転数:60rpm、ウェーハ回転数
圧力:20〜100g/cm2
10 ウェーハ処理装置
11a、11b カセット
12a〜12d チャック部
13 ターンテーブル
14 洗浄ユニット
15 搬送ロボット
19 半導体素子
20 ウェーハ
21 表面
22 裏面
31 粗研削ユニット
32 仕上研削ユニット
33 研磨ユニット
34 テクスチャリングユニット(ダメージ層形成部)
41 アーム
42 モータ
42a 出力軸
43 テクスチャリングヘッド
51 無欠陥層
52 バルク欠陥層
53 EG層
55 ダメージ層
Z 脆性破壊層
Claims (8)
- 表面にデバイスが形成されたウェーハの裏面が露出するようにウェーハを保持し、
前記ウェーハの前記裏面全体を研削部により研削し、
前記研削部により研削された前記ウェーハの研削面全体を研磨部により研磨し、
前記研磨部により研磨された前記ウェーハの研磨面全体にダメージ層を形成するようにした、ウェーハ処理方法。 - 前記ウェーハは前記表面側に形成された無欠陥層と該無欠陥層よりも内側に位置する欠陥層とを含んでおり、
前記研削部によって、前記ウェーハの前記欠陥層が概ね除去されるようにした請求項1に記載のウェーハ処理方法。 - 前記ウェーハは前記表面側に形成された無欠陥層と該無欠陥層よりも内側に位置する欠陥層とを含んでおり、
前記研削部によって、前記ウェーハの前記無欠陥層のみが残るようにした請求項1に記載のウェーハ処理方法。 - 前記ウェーハは前記表面側に形成された無欠陥層と該無欠陥層よりも内側に位置する欠陥層とを含んでおり、
前記研磨部によって、前記ウェーハの前記無欠陥層のみが残るようにした請求項1に記載のウェーハ処理方法。 - 表面にデバイスが形成されたウェーハの裏面が露出するようにウェーハを保持する保持部と、
前記ウェーハの前記裏面全体を研削する研削部と、
前記研削部により研削された前記ウェーハの研削面全体を研磨する研磨部と、
前記研磨部により研磨された前記ウェーハの研磨面全体にダメージ層を形成するダメージ層形成部とを具備する、ウェーハ処理装置。 - 前記ウェーハは前記表面側に形成された無欠陥層と該無欠陥層よりも内側に位置する欠陥層とを含んでおり、
前記研削部によって、前記ウェーハの前記欠陥層が概ね除去されるようにした請求項5に記載のウェーハ処理装置。 - 前記ウェーハは前記表面側に形成された無欠陥層と該無欠陥層よりも内側に位置する欠陥層とを含んでおり、
前記研削部によって、前記ウェーハの前記無欠陥層のみが残るようにした請求項5に記載のウェーハ処理装置。 - 前記ウェーハは前記表面側に形成された無欠陥層と該無欠陥層よりも内側に位置する欠陥層とを含んでおり、
前記研磨部によって、前記ウェーハの前記無欠陥層のみが残るようにした請求項5に記載のウェーハ処理装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009259095A JP5588151B2 (ja) | 2009-09-11 | 2009-11-12 | ウェーハ処理方法およびウェーハ処理装置 |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009210906 | 2009-09-11 | ||
JP2009210906 | 2009-09-11 | ||
JP2009259095A JP5588151B2 (ja) | 2009-09-11 | 2009-11-12 | ウェーハ処理方法およびウェーハ処理装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2011082470A true JP2011082470A (ja) | 2011-04-21 |
JP5588151B2 JP5588151B2 (ja) | 2014-09-10 |
Family
ID=44076191
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009259095A Active JP5588151B2 (ja) | 2009-09-11 | 2009-11-12 | ウェーハ処理方法およびウェーハ処理装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5588151B2 (ja) |
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