JP2011061064A - 電力用半導体装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】この発明に係る半導体装置は、第1導電型の半導体基板の第1の主面に形成された第1導電型のドリフト層の表層の一部に形成された第2導電型の第1ウェル領域の境界の形状が凹形状である箇所に、上部から見て第1ウェル領域の境界の形状が直線状である箇所より、第1ウェル領域の周りの境界の単位長さ当たりにウェルコンタクトホールを多く配置しているので、第1ウェル領域の境界の形状が凹形状である箇所におけるソースパッドと第1ウェル領域との間の抵抗を低減でき、スイッチング時に変位電流が流れることによって発生する電圧を低下させることができる。
【選択図】 図5
Description
特許文献1に示されるような電力用半導体装置の場合、その従来例の説明に記載されているようにソース電極とフィールドプレートとは電気的に接続されているので、例えば図2(C)に示される断面において、ゲートパッド下のPウェルに内に流れ込んだ変位電流は、ゲートパッド下のPウェル内をMOSFETセル方向からフィールドプレートに接続されているコンタクトホールに向けて流れ、フィールドプレートを介してソース電極に流入する。
この電位は、変位電流が大きくなる程大きくなり、上記ドレイン電圧Vの時間tに対する変動dV/dtが大きくなる程大きくなる。
前記第1ウェル領域および前記第2ウェル領域の表面上に形成されたゲート絶縁膜と、
前記第1ウェル領域の表面上の一部に形成された、前記ゲート絶縁膜より膜厚の大きなフィールド酸化膜と、前記ゲート絶縁膜および前記フィールド酸化膜に接して前記ドリフト層の反対側の上部に形成され、前記第1ウェル領域との間に前記ゲート絶縁膜を挟んだ箇所を有するゲート電極と、前記第2ウェル領域および前記ソース領域の上部に設けられたソースコンタクトホールと、前記第1ウェル領域の周辺部の上部に前記ゲート絶縁膜を貫通して設けられ、前記第1ウェル領域を上部から見てその境界が凹形状である箇所に、上部から見て境界が直線状である箇所より、前記第1ウェル領域の周りの境界の単位長さ当たりに多く配置された、ウェルコンタクトホールと、前記ソースコンタクトホールおよび前記ウェルコンタクトホールを介して前記第1ウェル領域と前記第2ウェル領域とを電気的に接続するソースパッドと、前記ゲート電極に電気的に接続されたゲートパッドと、前記半導体基板の第2の主面に設けられたドレイン電極とを備えたものである。
本発明の実施の形態1においては、電力用半導体装置100の一例として縦型のn型チャネル炭化珪素MOSFETを主としたものを用いて説明する。また、第1導電型をn型、第2導電型をp型として説明する。
図3〜図6を用いて、本実施の形態における電力用半導体装置100について詳細に説明する。
図6において、n型で低抵抗の炭化珪素で構成される基板20の表面上に、n型の炭化珪素で構成されるドリフト層70が形成されている。ゲートパッド11(ゲート配線12)が設けられている領域にほぼ対応する領域のドリフト層70の表層部には、p型の炭化珪素で構成される第1ウェル領域41が設けられている。
また、ソースコンタクトホール61が設けられている領域の下部のドリフト層70の表層部を中心とする領域には、それぞれのソースコンタクトホール61に対して、その中心部分には、炭化珪素で構成されるp型の第2ウェル領域42が、また、その第2ウェル領域42を取り囲むように、炭化珪素で構成される低抵抗でn型のソース領域80が、さらにその外周側には、p型の第2ウェル領域42が設けられている。
第2ウェル領域42がゲート絶縁膜32に接している箇所のゲート絶縁膜32の上部にはゲート電極23が設けられており、フィールド酸化膜33上に設けられたゲート電極21と電気的に接続されている。
また、基板20の裏面側には裏面オーミック電極65を介してドレイン電極13が形成されている。
まず、n型で低抵抗の炭化珪素の基板20上の表面(第1の主面)上に化学気相堆積(Chemical Vapor Deposition:CVD)法により1×1013cm-3〜1×1018cm-3のn型の不純物濃度、4〜200μmの厚さの炭化珪素で構成されるドリフト層70をエピタキシャル成長する。つづいて、ドリフト層70の表面の所定の位置に、イオン注入により、p型の第1ウェル領域41、p型の第2ウェル領域42、p型のJTE領域40、n型のソース領域80を形成する。イオン注入するp型不純物としては、Al(アルミニューム)またはB(硼素)が好適であり、イオン注入するn型不純物として、N(窒素)またはP(燐)が好適である。炭化珪素半導体の基板20は、第1の主面の面方位が(0001)面で4Hのポリタイプを有しc軸方向に対して8°以下に傾斜されているものを用いたが、他の面方位、ポリタイプ、傾斜角度であってもよい。
ソース領域80の深さについては、その底面が第2ウェル領域42の底面を越えないように設定し、そのn型不純物濃度は、第2ウェル領域42のp型不純物濃度より高く、かつ、1×1017cm-3〜1×1021cm-3の範囲内に設定される。
ただし、ドリフト層70の最表面近傍に限っては、炭化珪素MOSFETのチャネル領域における導電性を高めるために、第1ウェル領域41および第2ウェル領域42の各々のp型不純物濃度がドリフト層70のn型不純物濃度より低くなってもよい。
ゲート絶縁膜32の膜厚として30nm以上300nm以下であれば良く、より好ましくは50nm以上150nm以下であればよい。なお、この膜厚値は、どの程度のゲート電圧及びゲート電界でMOSFETを駆動(スイッチング動作)させるかに依存し、好ましくはゲート電界として3MV/cm以下の大きさであればよい。
なお、ゲート電極21〜23の最外端面は、フィールド酸化膜33上にあるように配置してもよい。このようにすることで、ドライエッチング処理による端面のオーバーエッチングによって端面でむき出しになるゲート絶縁膜32の品質劣化を防ぐことができる。
次に、スパッタ法などによるNiを主成分とする金属膜の形成につづいて600〜1100℃の温度の熱処理を行ない、Niを主成分とする金属膜と炭化珪素層とを反応させて、炭化珪素層と金属膜との間にシリサイドを形成する。つづいて、反応してできたシリサイド以外の層間絶縁膜35上に残留した金属膜を、硫酸、硝酸、塩酸のいずれか、またはこれらと過酸化水素水との混合液などによるウェットエッチングにより除去する。
このようにしてウェルコンタクトホール60、ソースコンタクトホール61内に形成されたシリサイドは、図6に示すようにオーミック電極63、64となり、ソース領域80などのn型の炭化珪素領域と、第1ウェル領域41などのp型の炭化珪素領域の両方に対してオーミック接続する。
その後、基板の表面にAl等の配線金属をスパッタ法または蒸着法により形成し、フォトリソグラフィー技術により所定の形状に加工することで、ソースパッド10、ゲートパッド11、ゲート配線12を形成する。さらに、基板の裏面の裏面オーミック電極65の表面上に金属膜を形成することによりドレイン電極13を形成し、図6にその断面図を示した電力用半導体装置100が製造できる。
本発明の電力用半導体装置100においては、図7に示すように、MOSFETを構成するユニットセルが複数並列に形成されたセル領域14の周囲に、pnダイオード(図7のウェルコンタクトホール60の位置に対応)が複数並列に設けられている。ここで、MOSFET(本実施の形態ではn型MOSFET)のソースがpnダイオードの第2導電型(本実施の形態ではp型)の電極と、また、MOSFET(本実施の形態ではn型MOSFET)のドレインがpnダイオードの第1導電型(本実施の形態ではn型)の電極と一体になっている。
加えて、ゲートパッド11の下部に対応する位置には面積の大きな第1ウェル領域41が存在するために、発生する変位電流の値も大きくなる。
このように、本発明の本実施の形態の電力用半導体装置100によれば、高速でスイッチングした場合にもゲート絶縁膜32の絶縁不良が発生せず、高い信頼性の半導体装置を得ることができる。
さらに、ゲートパッド11の位置、個数およびソースパッド10の形状等も多種多様のケースが有り得るが、これらも、上記の電流センサー用電極等の有無と同様に、本実施の形態の電力用半導装置100の効果に何ら影響を及ぼすものではない。
図9は、本発明の実施の形態2の電力用半導体装置100の一部の深さ方向の一断面を上面から模式的見た平面図で、主にゲート絶縁膜32およびフィールド酸化膜33より下層の炭化珪素層で構成される領域を説明した図である。図9において、セル領域14が上部から見て凸形状、すなわち、第1ウェル領域41が上部から見て凹形状になっているコーナー部で、コーナー部の交わる二辺に対してコーナー部に新たな辺である橋渡し境界を設け、もとの辺と交わる角度を小さく、角度を緩やかにしている点が、本実施の形態の電力用半導体装置100の特徴である。その他の点については実施の形態1と同様であるので、詳しい説明は省略する。
ユニットセルの配置方法が図9のようでも図10のようでも無い場合は、コーナー部の直交する二辺に対してコーナー部に設けた新たな辺がもとの二辺の内の一辺と交わる角度θは、tan-10.5以上tan-11.0以下とすればよい。
さらに、ユニットセルが長方形である場合は、ユニットセルの短辺の長さをa、ユニットセルの長辺の長さをbとして、θは、tan-1(b/2a)以上tan-11.0以下などとすればよい。
図11は、本発明の実施の形態3の電力用半導体装置100の一部の深さ方向の一断面を上面から模式的見た平面図である。図11において、ゲートパッド11の下方の第1ウェル領域41の周囲に配置されているウェルコンタクトホール60の第1ウェル領域41の周りの境界の単位長さ当たりの数が、ゲートパッド10の下方以外の第1ウェル領域41の周囲に配置されているウェルコンタクトホール60の第1ウェル領域41の周りの境界の単位長さ当たりの数より多いことを特徴としており、その他の詳細な事項は実施の形態1と同様であるので、詳しい説明は省略する。
さらに、図17〜18の例では、フィールド酸化膜33のエッジ(ゲート絶縁膜フィールド酸化膜境界30)からの距離を等間隔となるようにウェルコンタクト領域47を形成することで、変位電流の分布のアンバランスを防ぐことができる。
図19は、本発明の実施の形態3の電力用半導体装置100の一部の深さ方向の一断面を上面から模式的見た平面図である。図19において、コーナー部のウェルコンタクトホール60の面積がコーナー部以外のウェルコンタクトホール60の面積、ソースコンタクトホール61の面積より大きいことが特徴であり、その他の詳細な事項は実施の形態1と同様であるので、詳しい説明は省略する。
Claims (9)
- 第1導電型の半導体基板と、
前記半導体基板の第1の主面に形成された第1導電型のドリフト層と、
前記ドリフト層の表層の一部に形成された第2導電型の第1ウェル領域と、
前記ドリフト層の表層の一部に前記第1ウェル領域と離間して設けられた前記第1ウェル領域より上面から見た面積の小さな第2導電型の第2ウェル領域と、
前記第2ウェル領域の表層の一部に形成された第1導電型のソース領域と、
前記第1ウェル領域および前記第2ウェル領域の表面上に形成されたゲート絶縁膜と、
前記第1ウェル領域の表面上の一部に形成された、前記ゲート絶縁膜より膜厚の大きなフィールド酸化膜と、
前記ゲート絶縁膜および前記フィールド酸化膜に接して前記ドリフト層の反対側の上部に形成され、前記第1ウェル領域との間に前記ゲート絶縁膜を挟んだ箇所を有するゲート電極と、
前記第2ウェル領域および前記ソース領域の上部に設けられたソースコンタクトホールと、
前記第1ウェル領域の周辺部の上部に前記ゲート絶縁膜を貫通して設けられ、前記第1ウェル領域を上部から見てその境界が凹形状である箇所に、上部から見て境界が直線状である箇所より、前記第1ウェル領域の周りの境界の単位長さ当たりに多く配置された、ウェルコンタクトホールと、
前記ソースコンタクトホールおよび前記ウェルコンタクトホールを介して前記第1ウェル領域と前記第2ウェル領域とを電気的に接続するソースパッドと、
前記ゲート電極に電気的に接続されたゲートパッドと、
前記半導体基板の第2の主面に設けられたドレイン電極と
を備えたことを特徴とする電力用半導体装置。 - 第1ウェル領域を上部から見てその境界が凹形状である箇所は、凹形状が緩やかになるように橋渡し境界を設けた形状であることを特徴とする請求項1に記載の電力用半導体装置。
- ゲートパッドの下部の第1ウェル領域の境界の単位長さ当たりのウェルコンタクトホールが前記ゲートパッドの下部以外の前記第1ウェル領域の境界の単位長さ当たりのウェルコンタクトホールより多いことを特徴とする請求項1または2に記載の電力用半導体装置。
- ゲートパッドの電圧を10V/nsec以上のスイッチング速度でスイッチオフするときに、第1ウェル領域とゲート電極との間に挟まれたゲート絶縁膜に誘起される電界が3MV/cm以下であることを特徴とする請求項1または2に記載の電力用半導体装置。
- 半導体基板が炭化珪素半導体基板であり、ドリフト層が炭化珪素材料で構成されていることを特徴とする請求項1または2に記載の電力用半導体装置。
- 橋渡し境界と境界とが成す角度は、tan−10.5以上、tan−11.0以下であることを特徴とする請求項2に記載の電力用半導体装置。
- ウェルコンタクトホールの下部の第1ウェル領域の表層に前記第1ウェル領域より抵抗率の低いウェルコンタクト領域を設けたことを特徴とする請求項1に記載の電力用半導体装置。
- ウェルコンタクト領域を上面から見た面積がウェルコンタクトホールを上面から見た面積より大きいことを特徴とする請求項7に記載の電力用半導体装置。
- 第1導電型の半導体基板と、
前記半導体基板の第1の主面に形成された第1導電型のドリフト層と、
前記ドリフト層の表層の一部に形成された第2導電型の第1ウェル領域と、
前記ドリフト層の表層の一部に前記第1ウェル領域と離間して設けられた前記第1ウェル領域より上面から見た面積の小さな第2導電型の第2ウェル領域と、
前記第2ウェル領域の表層の一部に形成された第1導電型のソース領域と、
前記第1ウェル領域および前記第2ウェル領域の表面上に形成されたゲート絶縁膜と、
前記第1ウェル領域の表面上の一部に形成された、前記ゲート絶縁膜より膜厚の大きなフィールド酸化膜と、
前記ゲート絶縁膜および前記フィールド酸化膜に接して前記ドリフト層の反対側の上部に形成され、前記第1ウェル領域との間に前記ゲート絶縁膜を挟んだ箇所を有するゲート電極と、
前記第2ウェル領域および前記ソース領域の上部に設けられたソースコンタクトホールと、
前記第1ウェル領域の周辺部の上部に前記ゲート絶縁膜を貫通して設けられ、前記第1ウェル領域を上部から見てその境界が凹形状である箇所に、上部から見て境界が直線状である箇所より、面積を大きくして配置された、ウェルコンタクトホールと、
前記ソースコンタクトホールおよび前記ウェルコンタクトホールを介して前記第1ウェル領域と前記第2ウェル領域とを電気的に接続するソースパッドと、
前記ゲート電極に電気的に接続されたゲートパッドと、
前記半導体基板の第2の主面に設けられたドレイン電極と
を備えたことを特徴とする電力用半導体装置。
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