JP2010532096A - ゲート構造体を形成する方法 - Google Patents
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Abstract
Description
C=所定の陽極酸化電圧に達するために必要な、単位面積当たり、1ボルト当たりの電荷量(mF/cm2)である。1つの実施形態において、アルミニウム(Al)の等価容量は約2mF/cm2である。
式Iの他のいくつかのパラメータは次の通りである。
λ=D/ASRC (II)
式IIのパラメータは以下を含む。
基材として、ポリエチレン−2,6−ナフタレン(PEN、100マイクロメートル(μm)、帝人デュポンフィルム(Dupont Teijin Films)、日本)の上にアルミニウム(Al)がスパッタリング及びパターン形成され、複数個の導電性エレメントが形成された。ウェブは、基材、基材の上に配置されている導電性エレメント並びに基材の第一エッジに対して平行な導電性陽極酸化バスを含む。ウェブを陽極酸化ステーションを通って動かすことにより、複数個の導電性エレメントが陽極酸化された。ウェブが陽極酸化ステーションを通って動かされた際に、パターン形成されたアルミニウム導電性エレメントは陽極酸化された。
実施例1の陽極酸化プロセスを使用して作製されたゲート構造体を用いて、薄膜トランジスタが製造された。基材はIR管ヒーターを用いて脱気が行われ、導電性金属蒸着と同じ条件下で同じ装置を用いて、3nmのSiOx及び200nmのAlがスパッタリングされた。ソース電極及びドレイン電極は、導電性金属と同様にして、DFPR(UGH−072、旭化成(Asahi Kasei)、日本)を用いてパターン形成された。フォトマスクアライナを用いて導電性金属がパターン形成され、100mJで照射された。DFPRは、分離層が除去され、スプレー圧力27.57kPa、温度21.1℃、ウェブ速度152.4m/minで、炭酸ナトリウム((Na2CO3)、シグマ・アルドリッチ(Sigma Aldrich)社、ミズーリ州セントルイス(St. Louis))溶液で現像が行われた。このDFPRに、ウェブ速度1.82m/min、100℃でベーキングが行われた。この導電性金属に、27.6℃で、45重量%の水酸化カリウム(KOH、シグマ・アルドリッチ(Sigma Aldrich)社、ミズーリ州セントルイス(St. Louis))を用いてエッチングが行われた。40℃で、4.61重量%のモノエタノールアミン(MEA、シグマ・アルドリッチ(Sigma Aldrich)社、ミズーリ州セントルイス(St. Louis))を用いてDFPRが除去され、このウェブは、32.2℃の脱イオン水ですすがれた。Al金属エッチング、DFPR除去及びすすぎ手順はすべて、ウェブ速度2.29m/minのライン上で行われた。このウェブは次にリキノックス(Liquinox)(2重量%、シグマ・アルドリッチ(Sigma Aldrich)社、ミズーリ州セントルイス(St. Louis))/クエン酸(2重量%、シグマ・アルドリッチ(Sigma Aldrich)社、ミズーリ州セントルイス(St. Louis))溶液を用いて、48.9℃、速度0.457m/minで、洗浄が行われた。
Claims (22)
- 複数個のゲート構造体を形成するプロセスであって、前記プロセスは、
(a)支持体、(b)前記支持体上に配置されている複数個の導電性エレメント並びに(c)前記支持体の第一エッジに対して平行な導電性陽極酸化バスであって、第一導電性エレメント及び少なくとも1つの第二導電性エレメントは、前記陽極酸化バスに電気的に接続している、導電性陽極酸化バス、を含む基材を供給する工程と、
前記基材を動かす工程であって、前記基材は、基材送り出しロールとともに搬送され、基材受け取りロールとともに受け取られ、前記基材は前記基材送り出しロールから前記基材受け取りロールまで延在し、前記基材は前記基材送り出しロールから前記基材受け取りロールまで通過する、工程と、
前記基材を陽極酸化ステーションを通過させる工程であって、前記陽極酸化ステーションは(a)前記基材のための入口箇所及び出口箇所を含む陽極酸化槽、(b)前記陽極酸化槽内に保持された電気化学溶液であって、前記電気化学溶液は、表面を有する、電気化学溶液、(c)前記電気化学溶液内に位置された陰極であって、前記複数個の導電性エレメントは前記支持体と前記陰極との間に配置される、陰極、(d)(i)前記陽極酸化バスであって、前記陽極酸化バスは、前記電気化学溶液の前記表面の上に配置される、前記陽極酸化バスと、(ii)前記複数個の導電性エレメントであって、前記複数個の導電性エレメントの少なくとも一部分は、前記電気化学溶液の前記表面の下に配置される、前記複数個の導電性エレメントと、(iii)複数個のクランプであって、少なくとも1つのクランプは、前記陽極酸化バスと電気的に接触している、複数個のクランプと、を含む、陽極並びに(e)前記陽極及び前記陰極に取り付けられている電源、を含む、工程と、
前記電気化学溶液に曝露された前記複数個の導電性エレメントの前記表面の少なくとも一部分を陽極酸化させて、複数個のゲート電極に隣接する複数個のゲート誘電体を含む複数個のゲート構造体を形成する工程であって、前記複数個のゲート電極は前記複数個のゲート誘電体と前記支持体との間に配置される、工程と、を含む、プロセス。 - 前記支持体が、金属、金属合金、ポリエステル、ポリイミド、ポリエーテルイミド、液晶ポリマー、ポリカーボネート又はこれらの組み合わせを含む、請求項1に記載のプロセス。
- 前記の複数個の導電性エレメントが、アルミニウム、タンタル、ニオビウム、ジルコニウム、タングステン、チタン、ハフニウム又はこれらの組み合わせを含む、請求項1に記載のプロセス。
- 前記陽極酸化ステーションを通過する前記基材を支えて、動かすための水平コンベヤであって、前記水平コンベヤは前記基材の上方に設置され、前記陽極酸化槽を通過する垂直面に向けられた基材に対し平行な面において移動し、前記複数個のクランプは、前記水平コンベヤと共に動くように設置されている、水平コンベヤを更に含む、請求項1に記載のプロセス。
- 前記の複数個のクランプが、前記基材と整列され、前記少なくとも1つのクランプは(a)前記入口箇所より前に前記基材の前記陽極酸化バスに取り付けられ、(b)前記基材を前記陽極酸化槽を通って動かし、(c)前記出口箇所の後で前記基材を放し、前記水平コンベヤは、前記少なくとも1つのクランプを独立に開閉するためのクランプカムを含む、請求項4に記載のプロセス。
- 複数個の電子デバイスを形成するプロセスであって、前記プロセスは、
(a)支持体、(b)前記支持体上に配置されている複数個の導電性エレメント並びに(c)前記支持体の第一エッジに対して平行な導電性陽極酸化バスであって、第一導電性エレメント及び少なくとも1つの第二導電性エレメントは、前記陽極酸化バスに電気的に接続している、導電性陽極酸化バス、を含む基材を供給する工程と、
前記基材を動かす工程であって、前記基材は、基材送り出しロールとともに搬送され、基材受け取りロールとともに受け取られ、前記基材は前記基材送り出しロールから前記基材受け取りロールまで延在し、前記基材は前記基材送り出しロールから前記基材受け取りロールまで通過する、工程と、
前記基材を陽極酸化ステーションを通過させる工程であって、前記陽極酸化ステーションは(a)前記基材のための入口箇所及び出口箇所を含む陽極酸化槽、(b)前記陽極酸化槽内に保持された電気化学溶液であって、前記電気化学溶液は、表面を有する、電気化学溶液、(c)前記電気化学溶液内に位置された陰極であって、前記複数個の導電性エレメントは前記支持体と前記陰極との間に配置される、陰極、(d)(i)前記陽極酸化バスであって、前記陽極酸化バスは、前記電気化学溶液の前記表面の上に配置される、前記陽極酸化バスと、(ii)前記複数個の導電性エレメントであって、前記複数個の導電性エレメントの少なくとも一部分は、前記電気化学溶液の前記表面の下に配置される、前記複数個の導電性エレメントと、(iii)複数個のクランプであって、少なくとも1つのクランプは、前記陽極酸化バスと電気的に接触している、複数個のクランプと、を含む陽極並びに(e)前記陽極及び前記陰極に取り付けられている電源、を含む、工程と、
前記電気化学溶液に曝露された前記複数個の導電性エレメントの前記表面の少なくとも一部分を陽極酸化させて、複数個のゲート電極に隣接する複数個のゲート誘電体を含む複数個のゲート構造体を形成する工程であって、前記複数個のゲート電極は前記複数個のゲート誘電体と前記支持体との間に配置される、工程と、
前記複数個のゲート誘電体に隣接する半導体を供給する工程と、
前記複数個のゲート構造体に対向する前記半導体の表面に隣接するソース電極及びドレイン電極の両方を供給する工程であって、前記ソース電極は前記ドレイン電極と接触していない、工程と、を含む、プロセス。 - 前記電子デバイスが、薄膜トランジスタである、請求項6に記載のプロセス。
- 前記電子デバイスが、アクティブマトリックスディスプレイバックプレーンである、請求項6に記載のプロセス。
- 前記半導体が、無機物である、請求項6に記載のプロセス。
- 前記の複数個のゲート誘電体に隣接する前記半導体をパターン形成する工程を更に含む、請求項6に記載のプロセス。
- 前記半導体が、酸化亜鉛、酸化インジウム亜鉛、酸化亜鉛スズ、酸化インジウムガリウム亜鉛又はこれらの組み合わせを含む、請求項6に記載のプロセス。
- 前記ソース電極と前記ドレイン電極の両方が、アルミニウム、金、銅、銀、チタン、クロム、酸化金属、ドーピングされた半導体又はこれらの組み合わせを含む、請求項6に記載のプロセス。
- 複数個の電子デバイスを形成するプロセスであって、前記プロセスは、
(a)支持体、(b)前記支持体上に配置されている複数個の導電性エレメント並びに(c)前記支持体の第一エッジに対して平行な導電性陽極酸化バスであって、第一導電性エレメント及び少なくとも1つの第二導電性エレメントは、前記陽極酸化バスに電気的に接続している、導電性陽極酸化バス、を含む基材を供給する工程と、
前記基材を動かす工程であって、前記基材は、基材送り出しロールとともに搬送され、基材受け取りロールとともに受け取られ、前記基材は前記基材送り出しロールから前記基材受け取りロールまで延在し、前記基材は前記基材送り出しロールから前記基材受け取りロールまで通過する、工程と、
前記基材を陽極酸化ステーションを通過させる工程であって、前記陽極酸化ステーションは(a)前記基材のための入口箇所及び出口箇所を含む陽極酸化槽、(b)前記陽極酸化槽内に保持された電気化学溶液であって、前記電気化学溶液は、表面を有する、電気化学溶液、(c)前記電気化学溶液内に位置された陰極であって、前記複数個の導電性エレメントは前記支持体と前記陰極との間に配置される、陰極、(d)(i)前記陽極酸化バスであって、前記陽極酸化バスは、前記電気化学溶液の前記表面の上に配置される、前記陽極酸化バスと、(ii)前記複数個の導電性エレメントであって、前記複数個の導電性エレメントの少なくとも一部分は、前記電気化学溶液の前記表面の下に配置される、前記複数個の導電性エレメントと、(iii)複数個のクランプであって、少なくとも1つのクランプは、前記陽極酸化バスと電気的に接触している、複数個のクランプと、を含む陽極並びに(e)前記陽極及び前記陰極に取り付けられている電源、を含む、工程と、
前記電気化学溶液に曝露された前記複数個の導電性エレメントの前記表面の少なくとも一部分を陽極酸化させて、複数個のゲート電極に隣接する複数個のゲート誘電体を含む複数個のゲート構造体を形成する工程であって、前記複数個のゲート電極は前記複数個のゲート誘電体と前記支持体との間に配置される、工程と、
前記複数個のゲート誘電体に隣接するソース電極及びドレイン電極の両方を供給する工程であって、前記ソース電極は前記ドレイン電極と接触していない、工程と、
前記ソース電極及び前記ドレイン電極の両方の表面に隣接する半導体を供給する工程であって、前記ソース電極及び前記ドレイン電極の両方は前記複数のゲートに対向する、工程と、を含む、プロセス。 - 前記電子デバイスが、薄膜トランジスタである、請求項13に記載のプロセス。
- 前記電子デバイスが、アクティブマトリックスディスプレイバックプレーンである、請求項13に記載のプロセス。
- 前記半導体が無機物である、請求項13に記載のプロセス。
- 前記ソース電極及び前記ドレイン電極に隣接する前記半導体をパターン形成する工程を更に含む、請求項13に記載のプロセス。
- 前記半導体が、酸化亜鉛、酸化インジウム亜鉛、酸化亜鉛スズ、酸化インジウムガリウム亜鉛又はこれらの組み合わせを含む、請求項13に記載のプロセス。
- 前記ソース電極及び前記ドレイン電極の両方が、アルミニウム、金、銅、銀、チタン、クロム、酸化金属、ドーピングされた半導体又はこれらの組み合わせを含む、請求項13に記載のプロセス。
- 複数個のゲート構造体を形成するプロセスであって、前記プロセスは、
(a)支持体、(b)前記支持体上に配置されている複数個の導電性エレメント並びに(c)前記支持体の第一エッジに対して平行な導電性陽極酸化バスであって、第一導電性エレメント及び少なくとも1つの第二導電性エレメントは、前記陽極酸化バスに電気的に接続している、導電性陽極酸化バス、を含む基材を供給する工程と、
前記基材を動かす工程であって、前記基材は、基材送り出しロールとともに搬送され、基材受け取りロールとともに受け取られ、前記基材は前記基材送り出しロールから前記基材受け取りロールまで延在し、前記基材は前記基材送り出しロールから前記基材受け取りロールまで通過する、工程と、
前記基材を陽極酸化ステーションを通過させる工程であって、前記陽極酸化ステーションは(a)前記基材のための入口箇所及び出口箇所を含む陽極酸化槽、(b)前記陽極酸化槽内に保持された電気化学溶液であって、前記電気化学溶液は表面を有する、電気化学溶液、(c)前記電気化学溶液内に位置された陰極であって、前記陰極は、前記入口箇所からある距離で位置され、前記距離は前記入口箇所での放電を防ぐのに十分な距離であり、前記複数個の導電性エレメントは、前記支持体と前記陰極との間に配置される、陰極、(d)(i)前記陽極酸化バスであって、前記陽極酸化バスは、前記電気化学溶液の前記表面の上に配置される、前記陽極酸化バスと、(ii)前記複数個の導電性エレメントであって、前記複数個の導電性エレメントの少なくとも一部分は、前記電気化学溶液の前記表面の下に配置される、前記複数個の導電性エレメントと、(iii)複数個のクランプであって、少なくとも1つのクランプは、前記陽極酸化バスと電気的に接触している、複数個のクランプと、を含む、陽極並びに(e)前記陽極及び前記陰極に取り付けられている電源、を含む、工程と、
前記電気化学溶液に曝露された前記複数個の導電性エレメントの前記表面の少なくとも一部分を陽極酸化させて、複数個のゲート電極に隣接する複数個のゲート誘電体を含む複数個のゲート構造を形成する工程であって、前記複数個のゲート電極は前記複数個のゲート誘電体と前記支持体との間に配置される、工程と、を含む、プロセス。 - 複数個の電子デバイスを形成するプロセスであって、前記プロセスは、
(a)支持体、(b)前記支持体上に配置されている複数個の導電性エレメント並びに(c)前記支持体の第一エッジに対して平行な導電性陽極酸化バスであって、第一導電性エレメント及び少なくとも1つの第二導電性エレメントは、前記陽極酸化バスに電気的に接続している、導電性陽極酸化バス、を含む基材を供給する工程と、
前記基材を動かす工程であって、前記基材は、基材送り出しロールとともに搬送され、基材受け取りロールとともに受け取られ、前記基材は前記基材送り出しロールから前記基材受け取りロールまで延在し、前記基材は前記基材送り出しロールから前記基材受け取りロールまで通過する、工程と、
前記基材を陽極酸化ステーションを通過させる工程であって、前記陽極酸化ステーションは(a)前記基材のための入口箇所及び出口箇所を含む陽極酸化槽、(b)前記陽極酸化槽内に保持された電気化学溶液であって、前記電気化学溶液は表面を有する、電気化学溶液、(c)前記電気化学溶液内に位置された陰極であって、前記陰極は、前記入口箇所からある距離で位置され、前記距離は前記入口箇所での放電を防ぐのに十分な距離であり、前記複数個の導電性エレメントは、前記支持体と前記陰極との間に配置される、陰極、(d)(i)前記陽極酸化バスであって、前記陽極酸化バスは、前記電気化学溶液の前記表面の上に配置される、前記陽極酸化バスと、(ii)前記複数個の導電性エレメントであって、前記複数個の導電性エレメントの少なくとも一部分は、前記電気化学溶液の前記表面の下に配置される、複数個の導電性エレメントと、(iii)複数個のクランプであって、少なくとも1つのクランプは、前記陽極酸化バスと電気的に接触している、複数個のクランプと、を含む陽極並びに(e)前記陽極及び前記陰極に取り付けられている電源、を含む、工程と、
前記電気化学溶液に曝露された前記複数個の導電性エレメントの前記表面の少なくとも一部分を陽極酸化させて、複数個のゲート電極に隣接する複数個のゲート誘電体を含む複数個のゲート構造を形成する工程であって、前記複数個のゲート電極は前記複数個のゲート誘電体と前記支持体との間に配置される、工程と、
前記複数個のゲート誘電体に隣接する半導体を供給する工程と、
前記複数個のゲート構造体に対向する前記半導体の表面に隣接するソース電極及びドレイン電極の両方を供給する工程であって、前記ソース電極は前記ドレイン電極と接触していない、工程と、を含む、プロセス。 - 複数個の電子デバイスを形成するプロセスであって、前記プロセスは、
(a)支持体、(b)前記支持体上に配置されている複数個の導電性エレメント並びに(c)前記支持体の第一エッジに対して平行な導電性陽極酸化バスであって、第一導電性エレメント及び少なくとも1つの第二導電性エレメントは、前記陽極酸化バスに電気的に接続している、導電性陽極酸化バス、を含む基材を供給する工程と、
前記基材を動かす工程であって、前記基材は、基材送り出しロールとともに搬送され、基材受け取りロールとともに受け取られ、前記基材は前記基材送り出しロールから前記基材受け取りロールまで延在し、前記基材は前記基材送り出しロールから前記基材受け取りロールまで通過する、工程と、
前記基材を陽極酸化ステーションを通過させる工程であって、前記陽極酸化ステーションは(a)前記基材のための入口箇所及び出口箇所を含む陽極酸化槽、(b)前記陽極酸化槽内に保持された電気化学溶液であって、前記電気化学溶液は表面を有する、電気化学溶液、(c)前記電気化学溶液内に位置された陰極であって、前記陰極は、前記入口箇所からある距離で位置され、前記距離は前記入口箇所での放電を防ぐのに十分な距離であり、前記複数個の導電性エレメントは、前記支持体と前記陰極との間に配置される、陰極、(d)(i)前記陽極酸化バスであって、前記陽極酸化バスは、前記電気化学溶液の前記表面の上に配置される、前記陽極酸化バスと、(ii)前記複数個の導電性エレメントであって、前記複数個の導電性エレメントの少なくとも一部分は、前記電気化学溶液の前記表面の下に配置される、複数個の導電性エレメントと、(iii)複数個のクランプであって、少なくとも1つのクランプは、前記陽極酸化バスと電気的に接触している、複数個のクランプと、を含む陽極並びに(e)前記陽極及び前記陰極に取り付けられている電源、を含む、工程と、
前記電気化学溶液に曝露された前記複数個の導電性エレメントの前記表面の少なくとも一部分を陽極酸化させて、複数個のゲート電極に隣接する複数個のゲート誘電体を含む複数個のゲート構造を形成する工程であって、前記複数個のゲート電極は前記複数個のゲート誘電体と前記支持体との間に配置される、工程と、
前記複数個のゲート誘電体に隣接するソース電極及びドレイン電極の両方を供給する工程であって、前記ソース電極は前記ドレイン電極と接触していない、工程と、
前記ソース電極及び前記ドレイン電極の両方の表面に隣接する半導体を供給する工程であって、前記ソース電極及び前記ドレイン電極の両方は前記複数のゲートと対向する、工程と、含む、プロセス。
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