JP2010509777A - メモリデバイス構造の洗浄製剤 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】シリコン含有層を、かかる層をその上に有するマイクロ電子デバイスから除去する除去組成物及び方法を開示する。除去組成物は、次のものに限定されないが、シリコン酸化物、プラズマエンハンスド・テトラエチルオルソシリケート(P−TEOS)、ボロホスホシリケートガラス(BPSG)、プラズマエンハンスド酸化物(PEOX)、高密度プラズマ酸化物(HDP)、ホスホシリケートガラス(PSG)、スピンオン誘電体(SOD)、熱酸化物、アップドープされたシリケートガラス、犠牲酸化物類、シリコン含有有機ポリマー類、シリコン含有ハイブリッド有機/無機材料類、有機シリケートガラス(OSG)、TEOS、フッ素化シリケートガラス(FSG)、半球状グレイン(HSQ)、炭素ドープされた酸化物(CDO)ガラス、及びこれらの組み合わせを含む総を、下部電極、デバイス基板、及び/又はエッチストップ層の材料に対して、選択的に除去する。
【選択図】図1E
Description
[0002] 半導体産業では、チップ形状の小型化、メモリデバイスの高速化及び電力の高効率化が進んでいる。半導体加工及びデバイス設計の進歩によって、何百万もの回路素子及び配線を有するチップがもたらされた。今日では、メモリデバイスは、単一の集積回路に何百メガビットものストレージを組み入れている。このようなデバイスには、揮発性メモリ(例えば、ダイナミックランダムアクセスメモリ(DRAM)及びスタティックランダムアクセスメモリ(SRAM))、不揮発性メモリ(例えば、電気的に消去可能なプログラム可能読出し専用メモリ(EEPROM)、フラッシュEEPROM、シャロー・トレンチ・アイソレーション(STI)、強誘電性RAM、及び相変化RAM)、及びこれらの組合せが含まれる。メモリ性能は、システムの性能全体を決定する際にますます重要となってきている。
[0010] 本発明は一般に、例えばTiNであるメモリデバイスの下部電極と例えばSiNであるエッチストップ材料に対して、例えばキャッピング層及び絶縁層であるシリコン含有層、並びに、シリコン含有有機ポリマー類、シリコン含有ハイブリッド有機/無機材料類、有機シリケートガラス(OSG)、TEOS、フッ素化シリケートガラス(FSG)、及び/又は炭素ドープされた酸化物(CDO)ガラスを、上述した材料をその上に有するマイクロ電子デバイスから選択的に除去する除去組成物に係る。
(I)水、
(II)少なくとも1つの界面活性剤、
(III)少なくとも1つのアミン、
(IV)水及び少なくとも1つのアミン、
(V)少なくとも1つのアミン及び少なくとも1つの界面活性剤、
(VI)水及び少なくとも1つの界面活性剤、
(VII)水、少なくとも1つのアミン、及び少なくとも1つの界面活性剤、又は、
(VIII)少なくとも1つの腐食防止剤。
かかる除去組成物は、シリコン含有材料を、かかる材料をその上に有するマイクロ電子デバイスから除去することに適している。
(I)水、
(II)少なくとも1つの界面活性剤、
(III)少なくとも1つのアミン、
(IV)水及び少なくとも1つのアミン、
(V)少なくとも1つのアミン及び少なくとも1つの界面活性剤、
(VI)水及び少なくとも1つの界面活性剤、
(VII)水、少なくとも1つのアミン、及び少なくとも1つの界面活性剤、又は、
(VIII)少なくとも1つの腐食防止剤。
(a)シリコン含有材料を除去すべく処方された除去組成物と接触させた後に、第1のリンス条件で第1のリンス組成物を用いてマイクロ電子デバイスをリンスすることと、
(b)第1のリンス組成物と接触させた後に、第2のリンス条件で第2のリンス組成物を用いてマイクロ電子デバイスをリンスすることと、
(c)第2のリンス組成物と接触させた後に、マイクロ電子デバイスを乾燥させることと、を含む。
[0027] 本発明は、一般に、例えば、キャッピング層及び絶縁層であるシリコン含有絶縁層を、かかる層をその上に有するマイクロ電子デバイスから除去する除去組成物に係る。
例A:ピリジン:HF(30%:70%):7.5重量%、スルホラン:10.3重量%、ブチルカルビトール:82.2重量%
例B:ピリジン:HF(30%:70%):7.5重量%、スルホラン:10.3重量%、ブチルカルビトール:57.2重量%、炭酸プロピレン:25.0重量%
例C:ピリジン:HF(30%:70%):7.5重量%、スルホラン:10.3重量%、炭酸プロピレン:82.2重量%
例D:ピリジン:HF(30%:70%):7.5重量%、スルホラン:10.3重量%、ブチルカルビトール:57.2重量%、メタノール:25.0重量%
例E:ピリジン:HF(30%:70%):7.5重量%、スルホラン:10.0重量%、酢酸:82.5重量%
例F:ピリジン:HF(30%:70%):7.5重量%、MeOH:25.0重量%、酢酸:67.5重量%
例G:ピリジン:HF(30%:70%):7.5重量%、MeOH:92.5重量%
例H:ピリジン:HF(30%:70%):7.5重量%、メタノール:92.0重量%、水:0.5重量%
例I:ピリジン:HF(30%:70%):7.5重量%、メタノール:89.5重量%、水:3.0重量%
例J:ピリジン:HF(30%:70%):5.0重量%、メタノール:95.0重量%
例K:HF:3.05重量%、炭酸プロピレン:79.90重量%、エチレングリコール:14.40重量%、水:2.55重量%、1,2,4−トリアゾール:0.10重量%
例L:HF:3.16重量%、炭酸プロピレン:82.35重量%、エチレングリコール:6.78重量%、水:3.00重量%、1−メチルイミダゾール:4.71重量%
例M:HF:2.88重量%、炭酸プロピレン:82.35重量%、エチレングリコール:7.06重量%、水:3.00重量%、1−メチルイミダゾール:4.71重量%
例N:HF:2.88重量%、炭酸プロピレン:85.11重量%、エチレングリコール:7.06重量%、水:3.00重量%、1−メチルイミダゾール:1.95重量%
例O:HF:2.88重量%、炭酸プロピレン:85.01重量%、エチレングリコール:7.06重量%、水:3.00重量%、1−メチルイミダゾール:1.95重量%、ZONYL FSO−100:0.1重量%
例P:HF:2.88重量%、炭酸プロピレン:85.01重量%、エチレングリコール:7.06重量%、水:3.00重量%、1−メチルイミダゾール:1.95重量%、ZONYL FSN−100:0.1重量%
例Q:HF:2.88重量%、炭酸プロピレン:92.17重量%、水:3.00重量%、1−メチルイミダゾール:1.95重量%
例R:HF:2.88重量%、炭酸プロピレン:85.11重量%、プロピレングリコール:7.06重量%、水:3.00重量%、1−メチルイミダゾール:1.95重量%
例S:HF:2.88重量%、炭酸プロピレン:87.06重量%、エチレングリコール:7.06重量%、水:3.00重量%
例T:HF:2.88重量%、炭酸プロピレン:87.06重量%、プロピレングリコール:7.06重量%、水:3.00重量%
例U:HF:2.88重量%、炭酸プロピレン:86.62重量%、水:10.00重量%、ZONYL FSO−100:0.50重量%
例V:HF:4.90重量%、メタノール:44.50重量%、炭酸プロピレン:45.00重量%、水:5.10重量%、ZONYL FSO−100:0.50重量%
例W:HF:2.45重量%、炭酸プロピレン:95.00重量%、水:2.55重量%
例AA:ピリジン:HF(30%:70%):5.00重量%、メタノール:94.90重量%、ZONYL FSO−100:0.10重量%
例BB:ピリジン:HF(30%:70%):5.00重量%、メタノール:94.50重量%、ZONYL FSO−100:0.50重量%
例CC:ピリジン:HF(30%:70%):5.00重量%、メタノール:94.00重量%、ZONYL FSO−100:1.00重量%
例DD:ピリジン:HF(30%:70%):5.00重量%、エチレングリコール:94.50重量%、ZONYL FSO−100:0.50重量%
例EE:ピリジン:HF(30%:70%):3.39重量%、エチレングリコール:HF(96%:4%):29.09重量%、炭酸プロピレン:65.91重量%、ZONYL FSO−100:1.61重量%
例FF:ピリジン:HF(30%:70%):2.50重量%、2,2,3,3,4,4,5,5−オクタフルオロ−1−ペンタノール:96.50重量%、1−メチルイミダゾール:1.01重量%
例GG:ピリジン:HF(30%:70%):5.00重量%、2,2,3,3,4,4,5,5−オクタフルオロ−1−ペンタノール:47.00重量%、メタノール:48:00重量%
例HH:ピリジン:HF(30%:70%):2.50重量%、2,2,3,3,4,4,5,5−オクタフルオロ−1−ペンタノール:95.75重量%、1−メチルイミダゾール:1.25重量%、ZONYL FSO−100:0.50重量%
例II:ピリジン:HF(30%:70%):1.00重量%、2,2,3,3,4,4,5,5−オクタフルオロ−1−ペンタノール:97.45重量%、1−メチルイミダゾール:0.55重量%、ZONYL FSO−100:1.00重量%
例JJ:ピリジン:HF(30%:70%):0.85重量%、2,2,3,3,4,4,5,5−オクタフルオロ−1−ペンタノール:98.60重量%、1−メチルイミダゾール:0.55重量%
例KK:ピリジン:HF(30%:70%):2.50重量%、2,2,3,3,4,4,5,5−オクタフルオロ−1−ペンタノール:48.00重量%、1−ブタノール:49.50重量%
例LL:ピリジン:HF(30%:70%):2.50重量%、2,2,3,3,4,4,5,5−オクタフルオロ−1−ペンタノール:48.00重量%、3−メチル−1−ブタノール:49.50重量%
例MM:ピリジン:HF(30%:70%):0.70重量%、2,2,3,3,4,4,5,5−オクタフルオロ−1−ペンタノール:98.75重量%、1−メチルイミダゾール:0.55重量%
例NN:ピリジン:HF(30%:70%):0.70重量%、2,2,3,3,4,4,5,5−オクタフルオロ−1−ペンタノール:98.85重量%、1−メチルイミダゾール:0.45重量%
[0099] ブランケット状のP−TEOS、BPSG、及びSiNウェーハを、力学系を用いて様々な圧力において1分間の間、約100mLの洗浄室において(SCCO2除去組成物を形成すべく)SCCO2中で2.5mL、5mL、又は9mLの製剤A〜Iを用いて様々な温度で処理した。この場合、力学系は洗浄室を示された圧力に加圧し、洗浄室内に、SCCO2除去組成物をその中で一定に攪拌しながら(960rpm)、示された製剤を続けて導入することを含む。後続の処理において、洗浄室は背圧レギュレータを介してゆっくりと圧抜きされた。続いて処理済みウェーハをメタノール及びイソプロパノールを用いてリンスし、その後、窒素下で乾燥させた。結果を以下の表1に示す。
[0101] ブランケット状のP−TEOS、BPSG、及びSiNウェーハを、静的ソーク系を用いて1分間の間、液体製剤I〜Rを用いて60℃で処理した。続いて処理済みウェーハをメタノール及びイソプロパノールを用いてリンスし、その後、窒素下で乾燥させた。結果を以下の表2に示す。
[0112] 60℃で1分間の間、製剤M〜R中に浸漬する前及びした後のTiNフィルムのシート抵抗を決定した。シート抵抗はCDE ResMap4点プローブステーションを用いて測定した。結果を以下の表3にまとめる。製剤によって下部電極材料の抵抗が実質的に変わらないことが分かる。このことは、TiNが製剤によって腐食されなかったことを示唆する。
[0113] ブランケット状のBPSG及びSiNウェーハを、静的ソーク系を用いて1分間の間、液体製剤S〜Wを用いて60℃で処理した。続いて処理済ウェーハをメタノール及びイソプロパノールを用いてリンスし、その後、窒素下で乾燥させた。エッチレートの結果を以下の表4に示す。更に、60℃で1分間の間、製剤S〜V中に浸漬する前及びした後のTiNフィルムのシート抵抗を決定した。シート抵抗はCDE ResMap4点プローブステーションを用いて測定した。シート抵抗の結果を以下の表5に示す。
[0115] 表面張力(単位dyne cm−1)を、製剤AA〜EE、II〜KK、及びMM〜NNについて20℃で、クリュス(Kruss)のDSA10L2E液滴形状分析系を用いて決定した。結果を以下の表6に示す。
[0116] 露出したP−TEOS(約9,000Å厚)、BPSG(約9,000Å厚)、SiN、及びTiNを有し、また、13:1のアスペクト比を有するパターン付きウェーハを、静的ソーク系を用いて13〜15.5分の間、液体製剤AAを用いて60℃で処理した。続けてウェーハをリンスした。
[0121] 露出したP−TEOS(約9,000Å厚)、BPSG(約9,000Å厚)、SiN、及びTiNを有し、また、15:1のアスペクト比を有するパターン付きウェーハを、静的ソーク系を用いて11〜12分の間、液体製剤CCを用いて60℃で処理した。続けてウェーハをリンスした。
[0124] 露出したP−TEOS(約9,000Å厚)、BPSG(約9,000Å厚)、SiN、及びTiNを有し、また、15:1のアスペクト比を有するパターン付きウェーハを、静的ソーク系を用いて11〜12分の間、液体製剤JJを用いて70℃で処理した。続けてウェーハをリンスした。
[0127] 露出したP−TEOS(約9,000Å厚)、BPSG(約9,000Å厚)、SiN、及びTiNを有し、また、15:1のアスペクト比を有するパターン付きウェーハを、静的ソーク系を用いて9〜10分の間、液体製剤KKを用いて70℃で処理した。続けてウェーハをリンスした。
[0130] ブランケット状のP−TEOS、BPSG、及びSiNウェーハを、28〜70℃の範囲の温度で静的ソーク手順を用いて製剤AA〜LL中で処理した。処理に続いて、ウェーハを室温において水及びIPAでリンスした後、N2を用いて乾燥させた。P−TEOS、BPSG、及びSiNのエッチレートは、以下の表7に示すように決定された。更に、50〜70℃の範囲の温度で1分間の間、製剤AA、CC、HH、JJ、KK、MM、及びNN中に浸漬する前及びした後のTiNフィルムのシート抵抗も決定した。シート抵抗はCDE ResMap4点プローブステーションを用いて測定した。シート抵抗結果を以下の表8にまとめる。
[0131] 露出したP−TEOS(約9,000Å厚)、BPSG(約9,000Å厚)、SiN、及びTiNを有し、また、15:1のアスペクト比を有するパターン付きウェーハを、静的ソーク系を用いて13〜14分の間、液体製剤NNを用いて70℃で処理した。続けてウェーハをリンスした。
Claims (37)
- 少なくとも1つの有機溶媒と、少なくとも1つのエッチャントと、任意選択的に少なくとも1つの界面活性剤と、任意選択的に少なくとも1つのアミンと、任意選択的に水と、任意選択的に少なくとも1つの腐食防止剤とを含む除去組成物であって、
該除去組成物は、シリコン含有材料を、該材料をその上に有するマイクロ電子デバイスから除去することに適している、
除去組成物。 - 少なくとも1つの有機溶媒と、少なくとも1つのエッチャントと、水、少なくとも1つのアミン、少なくとも界面活性剤、少なくとも1つの腐食防止剤、及びこれらの組み合わせから構成される群から選択される少なくとも1つの追加成分とを含む除去組成物であって、
該除去組成物は、シリコン含有材料を、該材料をその上に有するマイクロ電子デバイスから除去することに適している、
除去組成物。 - 前記シリコン含有材料は、シリコン酸化物、プラズマエンハンスド・テトラエチルオルソシリケート(P−TEOS)、ボロホスホシリケートガラス(BPSG)、プラズマエンハンスド酸化物(PEOX)、高密度プラズマ酸化物(HDP)、ホスホシリケートガラス(PSG)、スピンオン誘電体(SOD)、熱酸化物、アップドープされたシリケートガラス、犠牲酸化物類、シリコン含有有機ポリマー類、シリコン含有ハイブリッド有機/無機材料類、有機シリケートガラス(OSG)、TEOS、フッ素化シリケートガラス(FSG)、半球状グレイン(HSQ)、炭素ドープされた酸化物(CDO)ガラス、及びこれらの組み合わせから構成される群から選択されるシリコン酸化物含有材料を含む、
請求項1又は2に記載の除去組成物。 - 前記少なくとも1つのエッチャントは、フッ化物源を含む、
請求項1又は2に記載の除去組成物。 - 少なくとも1つのエッチャントは、フッ化水素、フルオロケイ酸(H2SiF6)、ホウフッ化水素酸、テトラブチルアンモニウムテトラフルオロボラート(TBA−BF4)、ケイフッ化アンモニウム((NH4)2SiF6)、テトラメチルアンモニウムヘキサフルオロホスファート、フッ化アンモニウム、テトラアルキルアンモニウムフルオリド、アルキルヒドロゲンフルオリド、アンモニウムヒドロゲンビフルオリド(NH5F2)、ジアルキルアンモニウムヒドロゲンフルオリド、トリアルキルアンモニウムヒドロゲンフルオリド、トリアルキルアンモニウムトリヒドロゲンフルオリド、ピリジン−HF錯体、ジメチルピリジン−HF錯体、2−エチルピリジン−HF錯体、2−メトキシピリドン−HF錯体、2−ピコリン−HF錯体、ピリジン誘導体−HF錯体、ピペリジン−HF錯体、ピペラジン−HF錯体、トリエチルアミン−HF錯体、トリエタノールアミン−HF錯体、PMDETA−HF錯体、ジグリコールアミン−HF錯体、モノエタノールアミン−HF錯体、ピロール−HF錯体、イソオキサゾール−HF錯体、1,2,4−トリアゾール−HF錯体、ビピリジン−HF錯体、ピリミジン−HF錯体、ピラジン−HF錯体、ピリダジン−HF錯体、キノリン−HF錯体、イソキノリン−HF錯体、インドール−HF錯体、イミダゾール−HF錯体、エチルアミン−HF錯体、メチルアミン−HF錯体、イソブチルアミン−HF錯体、tert−ブチルアミン−HF錯体、トリブチルアミン−HF錯体、ジプロピルアミン−HF錯体、ジメチルアミン−HF錯体、1−メチルイミダゾール−HF錯体、ジイソプロピルアミン−HF錯体、ジイソブチルアミン−HF錯体、アニリン−HF錯体、アニリン誘導体−HF錯体、N−メチルモルホリン−N−オキシド(NMMO)−HF錯体、トリエチルアミン−N−オキシド−HF錯体、トリエチルアミン−N−オキシド−HF錯体、ピリジン−N−オキシド−HF錯体、N−エチルモルホリン−N−オキシド−HF錯体、N−メチルピロリジン−N−オキシド−HF錯体、N−エチルピロリジン−N−オキシド−HF錯体、二フッ化キセノン(XeF2)、及びこれらの組み合わせから構成される群から選択される種を含む、
請求項1又は2に記載の除去組成物。 - 前記少なくとも1つのエッチャントは、フッ化水素又はピリジン−HF錯体を含む、
請求項1又は2に記載の除去組成物。 - 前記少なくとも1つの有機溶媒は、アルコール類、ジオール類、トリオール類、グリコールエーテル類、炭酸塩類、アミド類、アルカン類、ピロリジノン類、ギ酸塩類、酢酸塩類、ケトン類、グリコール類、及びこれらの組み合わせから構成される群から選択される種を含む、
請求項1又は2に記載の除去組成物。 - 前記少なくとも1つの有機溶媒は、トルエン、デカン、ヘキサン、ヘキサン類、オクタン、キシレン類、無臭ミネラルスピリット(石油ナフサ)、ミネラルスピリット(水素化精製重質ナフサ)、フェノキシ−2−プロパノール、プロプリオフェノン、シクロヘキサン、ペルフルオロ−1,2−ジメチルシクロブタン、ペルフルオロ−1,2−ジメチルシクロヘキサン、及びペルフルオロヘキサン(類)、メタノール、エタノール、1−プロパノール、イソプロパノール、1−ブタノール、2−ブタノール、3−メチル−1−ブタノール、アリルアルコール、ペンタノール、ジオール類、トリオール類、2,2,3,3,4,4,5,5−オクタフルオロ−1−ペンタノール、1H,1H,9H−ペルフルオロ−1−ノナノール、ペルフルオロヘプタン酸、1H,1H,7H−ドデカフルオロ−1−ヘプタノール、ペルフルオロペンタン酸、1H,1H,8H,8H−ドデカフルオロ−1,8−オクタンジオール、2,2,3,3,4,4,5,5−オクタフルオロ−1,6−ヘキサンジオール、5H−ペルフルオロペンタン酸、n−ブチルヘプタフルオロブチラート、テトラヒドロフラン(THF)、N−メチルピロリジノン(NMP)、N−オクチルピロリジノン、N−フェニルピロリジノン、ギ酸メチル、ギ酸エチル、ギ酸プロピル、ギ酸ブチル、2−ブタノン、3−ペンタノン、ジメチルホルムアミド(DMF)、ジメチルスルホキシド(DMSO)、硫化ジメチル、エタンチオール、テトラメチレンスルホン(スルホラン)、3−クロロ−1,2−プロパンジオール、3−クロロ−1−プロパンチオール、1−クロロ−2−プロパノール、2−クロロ−1−プロパノール、3−クロロ−1−プロパノール、3−ブロモ−1,2−プロパンジオール、1−ブロモ−2−プロパノール、3−ブロモ−1−プロパノール、3−ヨード−1−プロパノール、4−クロロ−1−ブタノール、2−クロロエタノール、ジエチルエーテル、乳酸エチル、酢酸エチル、酢酸プロピル、酢酸イソブチル、酪酸メチル、酪酸エチル、安息香酸エチル、アセトニトリル、メチルイソブチルケトン、メチルエチルケトン、メチルプロピルケトン、アセトン、エチレングリコール、プロピレングリコール、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、トリエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、トリエチレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールモノプロピルエーテル、エチレングリコールモノブチルエーテル、ジエチレングリコールモノブチルエーテル、トリエチレングリコールモノブチルエーテル、エチレングリコールモノヘキシルエーテル、ジエチレングリコールモノヘキシルエーテル、エチレングリコールフェニルエーテル、プロピレングリコールメチルエーテル、ジプロピレングリコールメチルエーテル、トリプロピレングリコールメチルエーテル、ジプロピレングリコールジメチルエーテル、ジプロピレングリコールエチルエーテル、プロピレングリコールn−プロピルエーテル、ジプロピレングリコールn−プロピルエーテル(DPGPE)、トリプロピレングリコールn−プロピルエーテル、プロピレングリコールn−ブチルエーテル、ジプロピレングリコールn−ブチルエーテル、トリプロピレングリコールn−ブチルエーテル、プロピレングリコールフェニルエーテル)、ジオキサン、ブチロラクトン、炭酸ブチレン、炭酸エチレン、炭酸プロピレン、酢酸、トリフルオロ酢酸、及びこれらの組合せから構成される群から選択される種を含む、
請求項1又は2に記載の除去組成物。 - 前記少なくとも1つの有機溶媒は、炭酸プロピレン又は2,2,3,3,4,4,5,5−オクタフルオロ−1−ペンタノールを含む、
請求項1又は2に記載の除去組成物。 - 炭酸プロピレンの量は、前記組成物の総重量に基づいて、約75重量%〜約95重量%の範囲にある、
請求項9に記載の除去組成物。 - 前記少なくとも1つの有機溶媒はフッ素化され、
前記フッ素化有機溶媒の量は、前記組成物の総重量に基づいて約85重量%未満である、
請求項1又は2に記載の除去組成物。 - 少なくとも1つのアミンを含み、該少なくとも1つのアミンは、ピリジン、2−エチルピリジン、2−メトキシピリジン、3−メトキシピリジン、2−ピコリン、ピリジン誘導体、ジメチルピリジン、ピペリジン、ピペラジン、トリエチルアミン、トリエタノールアミン、エチルアミン、メチルアミン、イソブチルアミン、tert−ブチルアミン、トリブチルアミン、ジプロピルアミン、ジメチルアミン、ジグリコールアミン、ペンタメチルジアミノトリアミン(PMDETA)、モノエタノールアミン、ピロール、イソオキサゾール、1,2,4−トリアゾール、ビピリジン、ピリミジン、ピラジン、ピリダジン、キノリン、イソキノリン、インドール、イミダゾール、N−メチルモルホリン−N−オキシド(NMMO)、トリメチルアミン−N−オキシド、トリエチルアミン−N−オキシド、ピリジン−N−オキシド、N−エチルモルホリン−N−オキシド、N−メチルピロリジン−N−オキシド、N−エチルピロリジン−N−オキシド、1−メチルイミダゾール、ジイソプロピルアミン、ジイソブチルアミン、アニリン、アニリン誘導体、及びこれらの組合せから構成される群から選択される、
請求項2に記載の除去組成物。 - 少なくとも1つの界面活性剤を含み、
該少なくとも1つの界面活性剤は、非イオン性界面活性剤、アニオン性界面活性剤、カチオン性界面活性剤、及び両性イオン性界面活性剤のうち少なくとも1つを含む、
請求項2に記載の除去組成物。 - 前記少なくとも1つの界面活性剤は、フルオロアルキル界面活性剤類、SURFONYL(R)104、TRITONTMCF−21、ZONYL(R)UR、ZONYL(R)FSO−100、ZONYL(R)FSN−100、3MTMFluoradTMフルオロ界面活性剤、MASURF(R)FS−710、MASURF(R)FS−780、ジオクチルスルホコハク酸塩、2,3−ジメルカプト−1−プロパンスルホン酸塩、ドデシルベンゼンスルホン酸、ポリエチレングリコール類、ポリプロピレングリコール類、ポリエチレングリコールエーテル類、ポリプロピレングリコールエーテル類、カルボン酸塩類、R1ベンゼンスルホン酸類(R1は直鎖型又は分岐型のC8〜C18アルキル基)、ポリアクリル酸ポリマー類、ジノニルフェニルポリオキシエチレン、シリコーンポリマー類、変性シリコーンポリマー類、アセチレンジオール類、変性アセチレンジオール類、両親媒性フルオロポリマー類、アルキルアンモニウム塩類、変性アルキルアンモニウム塩類、ドデシル硫酸ナトリウム、エアロゾル−OT(AOT)及びそのフッ素化類似体、アルキルアンモニウム、ペルフルオロポリエーテル界面活性剤類、2−スルホコハク酸塩類、リン酸ベース界面活性剤類、硫黄ベース界面活性剤類、及びアセト酢酸ベースポリマー類、並びに、上述した界面活性剤類のうち少なくとも1つを含む組合せから構成される群から選択される種を含む、
請求項13に記載の除去組成物。 - シリコン含有材料残留物をさらに含み、
該シリコン含有材料残留物は、シリコン酸化物、プラズマエンハンスド・テトラエチルオルソシリケート(P−TEOS)、ボロホスホシリケートガラス(BPSG)、プラズマエンハンスド酸化物(PEOX)、高密度プラズマ酸化物(HDP)、ホスホシリケートガラス(PSG)、スピンオン誘電体(SOD)、熱酸化物、アップドープされたシリケートガラス、犠牲酸化物類、シリコン含有有機ポリマー類、シリコン含有ハイブリッド有機/無機材料類、有機シリケートガラス(OSG)、TEOS、フッ素化シリケートガラス(FSG)、半球状グレイン(HSQ)、炭素ドープされた酸化物(CDO)ガラス、及びこれらの組み合わせから構成される群から選択される種を含む、
請求項1又は2に記載の除去組成物。 - (a)フッ化物、炭酸塩溶媒、及びグリコール溶媒、(b)フッ化物、炭酸塩溶媒、及び水、(c)フッ化物、炭酸塩溶媒、グリコール溶媒、及び水、(d)フッ化物、炭酸塩溶媒、グリコール溶媒、水、及びアミン、(e)少なくとも2つの有機溶媒及び少なくとも1つのエッチャント、ここで少なくとも1つの有機溶媒はフッ素化され、前記組成物には添加水が実質的になく、(f)アミン:HF錯体、少なくとも1つのフッ素化有機溶媒、及び少なくとも1つのC1〜C6アルコール、ここで前記組成物には添加水が実質的になく、(g)アミン:HF錯体、フッ素化有機溶媒、及びアミン、ここで前記組成物には添加水が実質的になく、又は、(h)アミン:HF錯体、C1〜C6アルコール、及び非イオン性界面活性剤、ここで前記除去組成物には添加水が実質的にない、から選択される成分の組み合わせを含む、
請求項1又は2に記載の組成物。 - (a)HF、炭酸プロピレン、及びエチレングリコール、(b)HF、炭酸プロピレン、及び水、(c)HF、炭酸プロピレン、エチレングリコール、及び水、(d)HF、炭酸プロピレン、エチレングリコール、水、及びイミダゾール、(e)ピリジン:HF、2,2,3,3,4,4,5,5−オクタフルオロ−1−ペンタノール、1−ブタノール、ここで前記組成物には添加水が実質的になく、(f)ピリジン:HF、2,2,3,3,4,4,5,5−オクタフルオロ−1−ペンタノール、3−メチル−1−ブタノール、ここで前記組成物には添加水が実質的になく、(g)2,2,3,3,4,4,5,5−オクタフルオロ−1−ペンタノール、ピリジン:HF、1−メチルイミダゾール、ここで前記組成物には添加水が実質的になく、又は(h)ピリジン:HF、メタノール、及びZONYL FSO−100、ここで前記除去組成物には添加水が実質的にない、から選択される成分の組み合わせを含む、
請求項1又は2に記載の組成物。 - SiNに対するP−TEOS材料の選択性は、60℃で約20:1〜約50:1の範囲にある、
請求項1又は2に記載の除去組成物。 - SiNに対するBPSG材料の選択性は、60℃で約10:1〜約25:1の範囲にある、
請求項1又は2に記載の除去組成物。 - 前記組成物の表面張力は、約16dyne・cm−1〜約25dyne・cm−1の範囲にある、
請求項1又は2に記載の除去組成物。 - 少なくとも1つの腐食防止剤をさらに含む、
請求項1又は2に記載の除去組成物。 - 前記腐食防止剤は、ホスホン酸類、リン酸類、これらの塩類、及びこれらの組み合わせから構成される群から選択される種を含む、
請求項21に記載の除去組成物。 - 前記腐食防止剤は、ニトリロトリス(メチレン)トリホスホン酸、1−ヒドロキシエチリデン−1,1−ジホスホン酸(HEDP)、エチレンジニトリロテトラ(メチレンホスホン)酸(EDTMP)、アスコルビン酸、DL−メチオニン、Korantin(R)PP、ジメチルグリオキシム、ピロリン酸、これらの塩類、L−システイン、及びこれらの組合せから構成される群から選択される種を含む、
請求項21に記載の除去組成物。 - 少なくとも1つの高密度流体をさらに含む、
請求項1又は2に記載の除去組成物。 - 前記少なくとも1つの高密度流体は、二酸化炭素を含む、
請求項24に記載の除去組成物。 - 1以上の容器中に、除去組成物を形成するための1以上の以下の試薬を含むキットであって、
前記1以上の試薬は、少なくとも1つの有機溶媒、少なくとも1つのエッチャント、任意選択的に少なくとも1つの界面活性剤、任意選択的に少なくとも1つのアミン、及び任意選択的に水から構成される群から選択され、
前記キットは、シリコン含有材料を、該材料をその上に有するマイクロ電子デバイスから除去することに適している除去組成物を形成するよう適応される、
キット。 - シリコン含有層を、該層をその上に有するマイクロ電子デバイスから除去する方法であって、
前記マイクロ電子デバイスを除去組成物と十分な時間の間接触させて、前記材料を前記マイクロ電子デバイスから少なくとも部分的に除去することを含み、
前記除去組成物は、少なくとも1つの有機溶媒、少なくとも1つのエッチャント、任意選択的に少なくとも1つの界面活性剤、任意選択的に少なくとも1つのアミン、及び任意選択的に水を含む、
方法。 - 前記シリコン含有材料は、シリコン酸化物、プラズマエンハンスド・テトラエチルオルソシリケート(P−TEOS)、ボロホスホシリケートガラス(BPSG)、プラズマエンハンスド酸化物(PEOX)、高密度プラズマ酸化物(HDP)、ホスホシリケートガラス(PSG)、スピンオン誘電体(SOD)、熱酸化物、アップドープされたシリケートガラス、犠牲酸化物類、シリコン含有有機ポリマー類、シリコン含有ハイブリッド有機/無機材料類、有機シリケートガラス(OSG)、TEOS、フッ素化シリケートガラス(FSG)、半球状グレイン(HSQ)、炭素ドープされた酸化物(CDO)ガラス、及びこれらの組み合わせから構成される群から選択される種を含む、
請求項27に記載の方法。 - 前記接触させることは、約1分〜約60分間の時間、約20℃〜約150℃の範囲の温度、及びこれらの組み合わせから構成される群から選択される複数の条件を含む、
請求項27に記載の方法。 - 前記除去組成物は少なくとも1つの高密度流体をさらに含む、
請求項27に記載の方法。 - 除去組成物と高密度流体との比は約1:100〜約1:3の範囲にある、
請求項30に記載の方法。 - 前記除去組成物と接触させた後に、第1のリンス条件で第1のリンス組成物を用いて前記マイクロ電子デバイスをリンスすることをさらに含む、
請求項27に記載の方法。 - 前記第1のリンス組成物は、水、メタノール、イソプロパノール、ZONYL(R)FSO−100、及びこれらの組み合わせから構成される群から選択される成分を含む、
請求項32に記載の方法。 - 前記第1のリンス組成物は、水及びZONYL(R)FSO−100を含む、
請求項32に記載の方法。 - 前記第1のリンス組成物と接触させた後に、第2のリンス条件で第2のリンス組成物を用いて前記マイクロ電子デバイスをリンスすることをさらに含む、
請求項32に記載の方法。 - 前記第2のリンス組成物は、イソプロパノールを含む、
請求項35に記載の方法。 - 前記第2のリンス組成物と接触させた後に、前記マイクロ電子デバイスを乾燥させることをさらに含む、
請求項35に記載の方法。
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