JP2010267925A - 半導体装置の製造方法及び基板処理装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 基板を収容した処理室内に原料を供給し排気する工程と、処理室内に第1酸化源を供給し排気する工程と、を交互に繰り返すことで、基板上に第1の高誘電率絶縁膜を形成する工程と、処理室内に原料を供給し排気する工程と、処理室内に第1酸化源とは異なる第2酸化源を供給し排気する工程と、を交互に繰り返すことで、第1の高誘電率絶縁膜上に第2の高誘電率絶縁膜を形成する工程と、を有する。
【選択図】図1
Description
基板を収容した処理室内に原料を供給し排気する工程と、前記処理室内に第1酸化源を供給し排気する工程と、を交互に繰り返すことで、前記基板上に第1の高誘電率絶縁膜を形成する工程と、
前記処理室内に前記原料を供給し排気する工程と、前記処理室内に前記第1酸化源とは異なる第2酸化源を供給し排気する工程と、を交互に繰り返すことで、前記第1の高誘電率絶縁膜上に第2の高誘電率絶縁膜を形成する工程と、を有する半導体装置の製造方法が提供される。
基板を収容した処理室内に原料を供給し排気する工程と、前記処理室内にH2Oを供給し排気する工程と、を交互に繰り返すことで、前記基板上に第1の高誘電率絶縁膜を形成する工程と、
前記処理室内に前記原料を供給し排気する工程と、前記処理室内にO3を供給し排気する工程と、を交互に繰り返すことで、前記第1の高誘電率絶縁膜上に第2の高誘電率絶縁膜を形成する工程と、を有する半導体装置の製造方法が提供される。
基板を処理する処理室と、
前記処理室内に原料を供給する原料供給系と、
前記処理室内に第1酸化源を供給する第1酸化源供給系と、
前記処理室内に前記第1酸化源とは異なる第2酸化源を供給する第2酸化源供給系と、
前記処理室内を排気する排気系と、
基板を収容した前記処理室内への原料の供給および排気と、前記処理室内への第1酸化源の供給および排気と、を交互に繰り返すことで、前記基板上に第1の高誘電率絶縁膜を形成し、
前記処理室内への前記原料の供給および排気と、前記処理室内への前記第2酸化源の供給および排気と、を交互に繰り返すことで、前記第1の高誘電率絶縁膜上に第2の高誘電率絶縁膜を形成するように、前記原料供給系、前記第1酸化源供給系、前記第2酸化源供給系、および、前記排気系を制御するコントローラと、を有する基板処理装置が提供される。
まず、本発明の一実施形態に係る基板処理装置について説明する。
図2に示されているように、クラスタ装置10は大気圧未満の圧力(負圧)に耐え得る構造に構成されたトランスファモジュール(搬送室)としての第1ウェハ移載室(以下、負圧移載室という)11を備えており、負圧移載室11の筐体(以下、負圧移載室筐体という)12は、平面視が七角形で上下両端が閉塞した箱形状に形成されている。負圧移載室筐体12は搬送容器(密閉容器)として構成されている。負圧移載室11の中央部には負圧下においてウェハ2を移載する搬送ロボットとしてのウェハ移載機(以下、負圧移載
機という)13が設置されている。
次に、本実施形態に係るクラスタ装置における第1処理ユニット31について説明する。第1処理ユニット31は、高誘電率絶縁膜形成ユニットであり、図3,4に示されているように、枚葉式コールドウォール型の基板処理装置として構成されており、機能的には
ALD(Atomic Layer Deposition)装置(以下、成膜装置という)40として構成されている。以下、成膜装置40の構成について、図3,4を参照しながら説明する。図3は、ウェハ処理時における成膜装置40の断面構成図であり、図4は、ウェハ搬送時における成膜装置40の断面構成図である。
図3,4に示すとおり、成膜装置40は、処理容器202を備えている。処理容器202は、例えば横断面が円形であり扁平な密閉容器として構成されている。また、処理容器202は、例えばアルミニウム(Al)やステンレス(SUS)など金属材料により構成されている。処理容器202内には、基板としてのウェハ2を処理する処理室201が形成されている。
処理室201内には、ウェハ2を支持する支持台203が設けられている。ウェハ2が直接触れる支持台203の上面には、例えば、石英(SiO2)、カーボン、セラミックス、炭化ケイ素(SiC)、酸化アルミニウム(Al2O3)、又は窒化アルミニウム(AlN)などから構成された支持板としてのサセプタ217が設けられている。また、支持台203には、ウェハ2を加熱する加熱手段(加熱源)としてのヒータ206が内蔵されている。なお、支持台203の下端部は、処理容器202の底部を貫通している。
処理室201(処理容器202)の内壁側面であって、ウェハ搬送口250の反対側には、処理室201内の雰囲気を排気する排気口260が設けられている。排気口260には、排気チャンバ260aを介して排気管261が接続されている。排気管261には、処理室201内を所定の圧力に制御するAPC(Auto Pressure Controller)等の圧力調整器262、原料回収トラップ263、及び真空ポンプ264が順に直列に接続されている。主に、排気口260、排気チャンバ260a、排気管261、圧力調整器262、原料回収トラップ263、真空ポンプ264により排気系(排気ライン)が構成される。
処理室201の上部に設けられる後述のシャワーヘッド240の上面(天井壁)には、処理室201内に各種ガスを供給するガス導入口210が設けられている。なお、ガス導入口210に接続されるガス供給系の構成については後述する。
ガス導入口210と、ウェハ処理位置におけるウェハ2との間には、ガス分散機構としてのシャワーヘッド240が設けられている。シャワーヘッド240は、ガス導入口210から導入されるガスを分散させる分散板240aと、分散板240aを通過したガスをさらに均一に分散させて支持台203上のウェハ2の表面に供給するシャワー板240bと、を備えている。分散板240aおよびシャワー板240bには、複数の通気孔が設けられている。分散板240aは、シャワーヘッド240の上面およびシャワー板240bと対向するように配置されており、シャワー板240bは、支持台203上のウェハ2と対向するように配置されている。なお、シャワーヘッド240の上面と分散板240aとの間、および分散板240aとシャワー板240bとの間には、それぞれ空間が設けられており、かかる空間は、ガス導入口210から供給されるガスを分散させる第1バッファ空間(分散室)240c、および分散板240aを通過したガスを拡散させる第2バッファ空間240dとしてそれぞれ機能する。
処理室201の内壁側面には、段差部201aが設けられている。そして、この段差部201aは、コンダクタンスプレート204をウェハ処理位置近傍に保持するように構成されている。コンダクタンスプレート204は、内周部にウェハ2を収容する穴が設けられた1枚のドーナツ状(リング状)をした円板として構成されている。コンダクタンスプレート204の外周部には、所定間隔を開けて周方向に配列された複数の排出口204aが設けられている。排出口204aは、コンダクタンスプレート204の外周部がコンダクタンスプレート204の内周部を支えることができるよう、不連続に形成される。
内部をガス流路領域とする排気ダクト259が形成されることとなる。このとき、排気ダクト259(コンダクタンスプレート204及びロワープレート205)及び支持台203によって、処理室201内が、排気ダクト259よりも上方の処理室上部と、排気ダクト259よりも下方の処理室下部と、に仕切られることとなる。なお、コンダクタンスプレート204およびロワープレート205は、排気ダクト259の内壁に堆積する反応生成物をエッチングする場合(セルフクリーニングする場合)を考慮して、高温保持が可能な材料、例えば、耐高温高負荷用石英で構成することが好ましい。
処理室201の外部には、液体原料としてのHf(ハフニウム)を含む有機金属液体原料(以下、Hf原料ともいう)を供給する液体原料供給源220hが設けられている。液体原料供給源220hは、内部に液体原料を収容(充填)可能なタンク(密閉容器)として構成されている。
原料供給系(液体原料供給ライン)が構成される。
処理室201の外部には、第1酸化源(酸化剤)としてのH2Oガスを供給するH2Oガス供給源230sが設けられている。H2Oガス供給源230sには、H2Oガス供給管213sの上流側端部が接続されている。H2Oガス供給管213sの下流側端部は、合流配管213に接続されている。すなわち、H2Oガス供給管213sは、H2Oガスを処理室201内に供給するように構成されている。なおH2Oガス供給管213sには、H2Oガスの供給流量を制御する流量制御器としての流量コントローラ221sと、処理室201内へのH2Oガスの供給を制御するバルブvs3が設けられている。主に、H2Oガス供給源230s、H2Oガス供給管213s、流量コントローラ221s、バルブvs3により第1酸化源供給系(H2O供給系)が構成される。
また、処理室201の外部には、第2酸化源(酸化剤)としてのオゾンガス(O3)のもととなる酸素ガス(O2)を供給するO2ガス供給源230oが設けられている。O2ガス供給源230oには、O2ガス供給管211oの上流側端部が接続されている。O2ガス供給管211oの下流側端部には、プラズマによりO2ガスから第2酸化源としてのO3ガスを生成させるオゾナイザ229oが接続されている。なお、O2ガス供給管211oには、O2ガスの供給流量を制御する流量制御器としての流量コントローラ221oが設けられている。
続されている。すなわち、O3ガス供給管213oは、O3ガスを処理室201内に供給するように構成されている。なおO3ガス供給管213oには、処理室201内へのO3ガスの供給を制御するバルブvo3が設けられている。
また、処理室201の外部には、パージガスとしてのN2ガスを供給するN2ガス供給源230pが設けられている。N2ガス供給源230pには、パージガス供給管214の上流側端部が接続されている。パージガス供給管214の下流側端部は、3本のライン、すなわち、パージガス供給管214h,214s,214oに分岐している。パージガス供給管214h,214s,214oの下流側端部は、原料ガス供給管213h、H2Oガス供給管213s、O3ガス供給管213oのバルブvh3,vs3,vo3の下流側にそれぞれ接続されている。なお、パージガス供給管214h,214s,214oには、N2ガスの供給流量を制御する流量制御器としての流量コントローラ224h,224s,224oと、N2ガスの供給を制御するバルブvh4,vs4,vo4とが、それぞれ設けられている。主に、N2ガス供給源230p、パージガス供給管214,214h,214s,214o、流量コントローラ224h,224s,224o、バルブvh4,vs4,vo4によりパージガス供給系(パージガス供給ライン)が構成される。
また、原料ガス供給管213h、H2Oガス供給管213s、O3ガス供給管213oのバルブvh3,vs3,vo3の上流側には、ベント管215h,215s,215oの上流側端部がそれぞれ接続されている。また、ベント管215h,215s,215oの下流側端部は合流するように一本化してベント管215となり、ベント管215は排気管261の原料回収トラップ263よりも上流側に接続されている。ベント管215h,215s,215oには、ガスの供給を制御するバルブvh5,vs5,vo5がそれぞれ設けられている。
216h,216s,216oの下流側端部は合流するように一本化してベント管216となり、ベント管216は排気管261の原料回収トラップ263よりも下流側であって真空ポンプ264よりも上流側に接続されている。ベント管216h,216s,216oには、ガスの供給を制御するバルブvh6,vs6,vo6がそれぞれ設けられている。
なお、成膜装置40は、成膜装置40の各部の動作を制御するコントローラ280を有している。コントローラ280は、メインコントローラ37により制御されることで、ゲートバルブ44、昇降機構207b、負圧移載機13、ヒータ206、圧力調整器262、気化器229h、オゾナイザ229o、真空ポンプ264、バルブvh1〜vh6,vs3〜vs6,vo3〜vo6、液体流量コントローラ221h、流量コントローラ225h,221s,221o,222o,224h,224s,224o等の動作を制御する。
次に、本実施形態に係るクラスタ装置における第2処理ユニット32について説明する。本実施の形態においては、第2処理ユニット32は熱処理ユニットであり、図5に示されているように、枚葉式コールドウォール型の基板処理装置として構成されており、機能的にはRTP(Rapid Thermal Processing)装置(以下、RTP装置という)110として構成されている。以下、RTP装置110の構成について、図5を参照しながら説明する。図5は、ウェハ処理時におけるRTP装置110の断面構成図である。
次に、前記構成に係るクラスタ装置10を使用して、半導体装置の製造工程の一工程として、ウェハ2を処理する方法(基板処理工程)について説明する。ここでは、キャパシタの下部電極としての窒化チタン膜(TiN膜)が表面に形成されたウェハ2に対して処理を施す例について説明する。なお、以下の説明において、クラスタ装置10を構成する各部の動作はメインコントローラ37により制御される。
次に、第1処理ユニット31としての成膜装置40を使用して、ウェハ2上に形成された下部電極上に、キャパシタ絶縁膜としての高誘電率絶縁膜を形成する成膜工程について、図6を参照しながら説明する。図6は、本発明の実施形態にかかる成膜工程のフロー図である。ここでは、原料としてHfプリカーサであるTDMAHf(Tetrakis−Dimethyl−Amino−Hafnium : Hf[N(CH3)2]4)を用い、第1酸化源としてH2Oを用い、第2酸化源としてO3を用い、高誘電率絶縁膜としての酸化ハフニウム膜(HfO2膜)をALD法によって成膜する場合について説明する。なお、以下の説明において、成膜装置40を構成する各部の動作はコントローラ280により制御される。また、コントローラ280の動作はメインコントローラ37により制御される。
まず、昇降機構207bを作動させ、支持台203を、図4に示すウェハ搬送位置まで下降させる。そして、上述のようにゲートバルブ44を開き、処理室201と負圧移載室11とを連通させる。そして、上述のように負圧移載機13により負圧移載室11内から処理室201内へウェハ2を搬送アーム13aで支持した状態でロードする(S1)。処理室201内に搬入したウェハ2は、支持台203の上面から突出しているリフトピン208b上に一時的に載置される。負圧移載機13の搬送アーム13aが処理室201内か
ら負圧移載室11内へ戻ると、ゲートバルブ44が閉じられる。
続いて、圧力調整器262により、処理室201内の圧力が所定の処理圧力となるように制御する。また、ヒータ206に供給する電力を調整し、ウェハ温度を昇温させ、ウェハ2の表面温度が所定の処理温度となるように制御する(S2)。
〔TDMAHf照射工程(S3a)〕
続いて、バルブvh4,vh5を閉じ、バルブvh3を開いて、処理室201内への原料ガスとしてのTDMAHfガスの供給、すなわち、ウェハ2へのTDMAHfガスの照射を開始する。原料ガスは、シャワーヘッド240により分散されて処理室201内のウェハ2上に均一に供給される。余剰な原料ガスは、排気ダクト259内を流れ、排気口260へと排気される。なお、処理室201内への原料ガスの供給時には、H2Oガス供給管213s、O3ガス供給管213o内への原料ガスの侵入を防止するように、また、処理室201内における原料ガスの拡散を促すように、バルブvs4,vo4は開いたままとし、処理室201内にN2ガスを常に流しておくことが好ましい。バルブvh3を開き、原料ガスの供給を開始した後、所定時間が経過したら、バルブvh3を閉じ、バルブvh4,vh5を開いて、処理室201内への原料ガスの供給を停止する。
バルブvh3を閉じ、処理室201内への原料ガスの供給を停止した後は、バルブvh4,vs4,vo4は開いたままとし、処理室201内へのN2ガスの供給を継続して行う。N2ガスは、シャワーヘッド240を介して処理室201内に供給され、排気ダクト259内を流れ、排気口260へと排気される。このようにして、処理室201内をN2ガスによりパージし、処理室201内に残留している原料ガスを除去する。
処理室201内のパージが完了したら、バルブvs4,vs5を閉じ、バルブvs3を開いて、処理室201内への第1酸化源としてのH2Oガスの供給、すなわち、ウェハ2へのH2Oガスの照射を開始する。H2Oガスは、シャワーヘッド240により分散されて処理室201内のウェハ2上に均一に供給される。余剰なH2Oガスは、排気ダクト259内を流れ、排気口260へと排気される。なお、処理室201内へのH2Oガスの供給時には、原料ガス供給管213h、O3ガス供給管213o内へのH2Oガスの侵入を防止するように、また、処理室201内におけるH2Oガスの拡散を促すように、バルブvh4,vo4は開いたままとし、処理室201内にN2ガスを常に流しておくことが好ましい。バルブvs3を開き、H2Oガスの供給を開始した後、所定時間が経過したら、バルブvs3を閉じ、バルブvs4,vs5を開いて、処理室201内へのH2Oガスの供給を停止する。
バルブvs3を閉じ、処理室201内へのH2Oガスの供給を停止した後は、バルブvh4,vs4,vo4は開いたままとし、処理室201内へのN2ガスの供給を継続して行う。N2ガスは、シャワーヘッド240を介して処理室201内に供給され、排気ダクト259内を流れ、排気口260へと排気される。このようにして、処理室201内をN2ガスによりパージし、処理室201内に残留しているH2Oガスや反応副生成物を除去する。
そして、工程S3a〜S3dまでを1サイクルとしてこのサイクルを所定回数繰り返すことにより、ウェハ2上(下部電極であるTiN膜上)に、所定膜厚の第1の高誘電率絶縁膜としての第1のHfO2膜が初期層として形成される。
えばキャパシタ容量の減少等を回避できる。
〔TDMAHf照射工程(S4a)〕
続いて、第1のHfO2膜形成工程(S3)におけるTDMAHf照射工程(S3a)と同様に、ウェハ2へのTDMAHfガスの照射を行う。
その後、第1のHfO2膜形成工程(S3)におけるパージ工程(S3b)と同様に、処理室201内のパージを行う。
処理室201内のパージが完了したら、バルブvo4,vo5を閉じ、バルブvo3を開いて、処理室201内への第2酸化源としてのO3ガスの供給を開始する。O3ガスは、シャワーヘッド240により分散されて処理室201内のウェハ2上に均一に供給される。余剰なO3ガスや反応副生成物は、排気ダクト259内を流れ、排気口260へと排気される。なお、処理室201内へのO3ガスの供給時には、原料ガス供給管213h、H2Oガス供給管213s内へのO3ガスの侵入を防止するように、また、処理室201内におけるO3ガスの拡散を促すように、バルブvh4,vs4は開いたままとし、処理室201内にN2ガスを常に流しておくことが好ましい。バルブvo3を開き、O3ガスの供給を開始した後、所定時間が経過したら、バルブvo3を閉じ、バルブvo4,vo5を開いて、処理室201内へのO3ガスの供給を停止する。
バルブvo3を閉じ、処理室201内へのO3ガスの供給を停止した後は、バルブvh4,vs4,vo4は開いたままとし、処理室201内へのN2ガスの供給を継続して行う。N2ガスは、シャワーヘッド240を介して処理室201内に供給され、排気ダクト259内を流れ、排気口260へと排気される。このようにして、処理室201内をN2ガスによりパージし、処理室201内に残留しているO3ガスや反応副生成物を除去する。
そして、工程S4a〜S4dまでを1サイクルとしてこのサイクルを所定回数繰り返すことにより、ウェハ2上に形成された第1のHfO2膜上に、所定膜厚の第2の高誘電率絶縁膜としての第2のHfO2膜が形成される。これにより、ウェハ2上(下部電極であ
るTiN膜上)に所定膜厚の高誘電率絶縁膜としてのHfO2膜が形成されることとなる。なお、所定膜厚のHfO2膜は、第1のHfO2膜と第2のHfO2膜とにより構成される。
所定膜厚のHfO2膜が形成されると、処理室201内が真空排気される。もしくは処理室201内に不活性ガスが供給されつつ処理室201内が真空排気されパージされる。その後、処理室201内の雰囲気が不活性ガスに置換される。
その後、上述したウェハロード工程(S1)に示した手順とは逆の手順により、所定膜厚のHfO2膜が形成された後のウェハ2を処理室201内から負圧移載室11内へ搬出する。
次に、第2処理ユニット32としてのRTP装置110を使用して、ウェハ2上に形成された所定膜厚のHfO2膜を熱処理する熱処理工程について説明する。すなわち、不活性ガス雰囲気下で、所定膜厚のHfO2膜を、アニールにより緻密化もしくは結晶化する工程について説明する。なお、以下の説明において、RTP装置110を構成する各部の動作はコントローラ150により制御され、コントローラ150はメインコントローラ37により制御される。
20が昇降駆動装置119によって下降されることにより、リフタピン122の上のウェハ2がサセプタ140の上に受け渡される。処理室111が気密に閉じられた状態で、処理室111内は1〜1000Paの範囲内の所定の圧力となるように排気口116を通じて排気される。
本実施形態によれば、以下に示す効果のうち1つ又は複数の効果を奏する。
上述の実施形態では、基板処理装置(成膜装置)として1度に1枚の基板を処理する枚葉式のALD装置を用いて成膜する例について説明したが、本発明は上述の実施形態に限定されない。例えば、基板処理装置として1度に複数枚の基板を処理するバッチ式の縦型ALD装置を用いて成膜するようにしてもよい。以下、この縦型ALD装置について説明する。
ている。排気管331には、圧力検出器としての圧力センサ345及び圧力調整器としてのAPC(Auto Pressure Controller)バルブ342を介して、真空排気装置としての真空ポンプ346が接続されており、圧力センサ345により検出された圧力情報に基づきAPCバルブ342を調整することで、処理室301内の圧力が所定の圧力(真空度)となるよう真空排気し得るように構成されている。なお、APCバルブ342は弁を開閉して処理室301内の真空排気・真空排気停止ができ、更に弁開度を調整して処理室301内の圧力を調整することができるよう構成されている開閉弁である。
以上、本発明の実施形態を具体的に説明したが、本発明は上述の実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能である。
からサイクルを開始する形態に限定されず、酸化剤の供給からサイクルを開始するようにしてもよい。すなわち、第1のHfO2膜形成工程(S3)において、H2O照射工程(S3c)→パージ工程(S3b)→TDMAHf照射工程(S3a)→パージ工程(S3d)を1サイクルとしてこのサイクルを所定回数繰り返すようにしてもよい。また、第2のHfO2膜形成工程(S4)において、O3照射工程(S4c)→パージ工程(S4b)→TDMAHf照射工程(S4a)→パージ工程(S4d)を1サイクルとしてこのサイクルを所定回数繰り返すようにしてもよい。
以下に、本発明の好ましい態様について付記する。
基板を収容した処理室内に原料を供給し排気する工程と、前記処理室内に第1酸化源を供給し排気する工程と、を交互に繰り返すことで、前記基板上に第1の高誘電率絶縁膜を形成する工程と、
前記処理室内に前記原料を供給し排気する工程と、前記処理室内に前記第1酸化源とは異なる第2酸化源を供給し排気する工程と、を交互に繰り返すことで、前記第1の高誘電率絶縁膜上に第2の高誘電率絶縁膜を形成する工程と、を有する
半導体装置の製造方法が提供される。
基板を収容した処理室内に原料を供給し排気する工程と、前記処理室内にH2Oを供給し排気する工程と、を交互に繰り返すことで、前記基板上に第1の高誘電率絶縁膜を形成する工程と、
前記処理室内に前記原料を供給し排気する工程と、前記処理室内にO3を供給し排気する工程と、を交互に繰り返すことで、前記第1の高誘電率絶縁膜上に第2の高誘電率絶縁膜を形成する工程と、を有する
半導体装置の製造方法が提供される。
基板を処理する処理室と、
前記処理室内に原料を供給する原料供給系と、
前記処理室内に第1酸化源を供給する第1酸化源供給系と、
前記処理室内に前記第1酸化源とは異なる第2酸化源を供給する第2酸化源供給系と、
前記処理室内を排気する排気系と、
基板を収容した前記処理室内への原料の供給および排気と、前記処理室内への第1酸化源の供給および排気と、を交互に繰り返すことで、前記基板上に第1の高誘電率絶縁膜を形成し、
前記処理室内への前記原料の供給および排気と、前記処理室内への前記第2酸化源の供給および排気と、を交互に繰り返すことで、前記第1の高誘電率絶縁膜上に第2の高誘電率絶縁膜を形成するように、前記原料供給系、前記第1酸化源供給系、前記第2酸化源供給系、および、前記排気系を制御するコントローラと、を有する
基板処理装置が提供される。
10 クラスタ装置(基板処理装置)
201 処理室
280 コントローラ
Claims (5)
- 基板を収容した処理室内に原料を供給し排気する工程と、前記処理室内に第1酸化源を供給し排気する工程と、を交互に繰り返すことで、前記基板上に第1の高誘電率絶縁膜を形成する工程と、
前記処理室内に前記原料を供給し排気する工程と、前記処理室内に前記第1酸化源とは異なる第2酸化源を供給し排気する工程と、を交互に繰り返すことで、前記第1の高誘電率絶縁膜上に第2の高誘電率絶縁膜を形成する工程と、を有する
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記第1酸化源は、前記第2酸化源よりも、エネルギーが小さい
ことを特徴とする請求項1に記載の半導体装置の製造方法。 - 前記第1酸化源がH2Oであり、前記第2酸化源がO3またはプラズマで活性化した酸素含有物質である
ことを特徴とする請求項1に記載の半導体装置の製造方法。 - 基板を収容した処理室内に原料を供給し排気する工程と、前記処理室内にH2Oを供給し排気する工程と、を交互に繰り返すことで、前記基板上に第1の高誘電率絶縁膜を形成する工程と、
前記処理室内に前記原料を供給し排気する工程と、前記処理室内にO3を供給し排気する工程と、を交互に繰り返すことで、前記第1の高誘電率絶縁膜上に第2の高誘電率絶縁膜を形成する工程と、
を有する
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 基板を処理する処理室と、
前記処理室内に原料を供給する原料供給系と、
前記処理室内に第1酸化源を供給する第1酸化源供給系と、
前記処理室内に前記第1酸化源とは異なる第2酸化源を供給する第2酸化源供給系と、
前記処理室内を排気する排気系と、
基板を収容した前記処理室内への原料の供給および排気と、前記処理室内への第1酸化源の供給および排気と、を交互に繰り返すことで、前記基板上に第1の高誘電率絶縁膜を形成し、前記処理室内への前記原料の供給および排気と、前記処理室内への前記第2酸化源の供給および排気と、を交互に繰り返すことで、前記第1の高誘電率絶縁膜上に第2の高誘電率絶縁膜を形成するように、前記原料供給系、前記第1酸化源供給系、前記第2酸化源供給系、および、前記排気系を制御するコントローラと、を有する
ことを特徴とする基板処理装置。
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Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2012104810A (ja) * | 2010-09-28 | 2012-05-31 | Imec | 半導体デバイスで使用する金属−絶縁体−金属キャパシタの製造方法 |
JP2012126976A (ja) * | 2010-12-16 | 2012-07-05 | Ulvac Japan Ltd | 真空成膜装置及び成膜方法 |
JP2013187324A (ja) * | 2012-03-07 | 2013-09-19 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 半導体装置の製造方法、基板処理方法および基板処理装置 |
WO2014010405A1 (ja) * | 2012-07-13 | 2014-01-16 | 株式会社村田製作所 | トランジスタおよびトランジスタの製造方法 |
JP2016082069A (ja) * | 2014-10-16 | 2016-05-16 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理方法及び基板処理装置 |
US10134586B2 (en) | 2014-09-08 | 2018-11-20 | Hitachi Kokusai Electric Inc. | Method of manufacturing semiconductor device, substrate processing apparatus, and recording medium |
Families Citing this family (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7883745B2 (en) | 2007-07-30 | 2011-02-08 | Micron Technology, Inc. | Chemical vaporizer for material deposition systems and associated methods |
JP5372353B2 (ja) * | 2007-09-25 | 2013-12-18 | 株式会社フジキン | 半導体製造装置用ガス供給装置 |
TWI352615B (en) * | 2009-06-09 | 2011-11-21 | Univ Nat Taiwan Science Tech | Fluid separation method and fluid seperation appar |
US20120255612A1 (en) * | 2011-04-08 | 2012-10-11 | Dieter Pierreux | Ald of metal oxide film using precursor pairs with different oxidants |
US10100407B2 (en) * | 2014-12-19 | 2018-10-16 | Lam Research Corporation | Hardware and process for film uniformity improvement |
JP2016134569A (ja) * | 2015-01-21 | 2016-07-25 | 株式会社東芝 | 半導体製造装置 |
KR102350588B1 (ko) * | 2015-07-07 | 2022-01-14 | 삼성전자 주식회사 | 인젝터를 갖는 박막 형성 장치 |
JP6573578B2 (ja) | 2016-05-31 | 2019-09-11 | 株式会社Kokusai Electric | 半導体装置の製造方法、基板処理装置、およびプログラム |
US10998205B2 (en) * | 2018-09-14 | 2021-05-04 | Kokusai Electric Corporation | Substrate processing apparatus and manufacturing method of semiconductor device |
JP7128078B2 (ja) * | 2018-10-12 | 2022-08-30 | 株式会社荏原製作所 | 除害装置、除害装置の配管部の交換方法及び除害装置の配管の洗浄方法 |
KR102329548B1 (ko) * | 2019-10-17 | 2021-11-24 | 무진전자 주식회사 | 챔버 배기량 자동 조절 시스템 |
JP7123100B2 (ja) | 2020-09-24 | 2022-08-22 | 株式会社Kokusai Electric | 半導体装置の製造方法、基板処理装置、およびプログラム |
Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH1041486A (ja) * | 1996-05-25 | 1998-02-13 | Samsung Electron Co Ltd | 半導体装置の強誘電体膜及びその形成方法 |
JP2005504432A (ja) * | 2001-03-20 | 2005-02-10 | マットソン テクノロジイ インコーポレイテッド | 比較的高い誘電定数を有する被膜を基板上に堆積するための方法 |
JP2005101529A (ja) * | 2003-08-29 | 2005-04-14 | Semiconductor Leading Edge Technologies Inc | 半導体装置の製造方法および半導体装置 |
JP2007005633A (ja) * | 2005-06-24 | 2007-01-11 | Toshiba Corp | 絶縁膜の形成方法、半導体装置の製造方法、半導体装置 |
JP2007081410A (ja) * | 2005-09-15 | 2007-03-29 | Samsung Electronics Co Ltd | 強誘電体膜及び強誘電体キャパシタ形成方法及び強誘電体キャパシタ |
WO2008011235A2 (en) * | 2006-07-21 | 2008-01-24 | Asm America, Inc. | Ald of metal silicate films |
JP2008135633A (ja) * | 2006-11-29 | 2008-06-12 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 半導体デバイスの製造方法 |
JP2008166563A (ja) * | 2006-12-28 | 2008-07-17 | Elpida Memory Inc | 半導体装置および半導体装置の製造方法 |
US20090047798A1 (en) * | 2007-08-16 | 2009-02-19 | Tokyo Electron Limited | Method of forming high dielectric constant films using a plurality of oxidation sources |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3863391B2 (ja) * | 2001-06-13 | 2006-12-27 | Necエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置 |
KR20050007496A (ko) * | 2003-07-08 | 2005-01-19 | 삼성전자주식회사 | 원자층 적층 방식의 복합막 형성방법 및 이를 이용한반도체 소자의 커패시터 형성방법 |
WO2007058120A1 (ja) * | 2005-11-18 | 2007-05-24 | Hitachi Kokusai Electric Inc. | 半導体装置の製造方法および基板処理装置 |
US7741202B2 (en) * | 2008-08-07 | 2010-06-22 | Tokyo Electron Limited | Method of controlling interface layer thickness in high dielectric constant film structures including growing and annealing a chemical oxide layer |
-
2009
- 2009-05-18 JP JP2009120224A patent/JP2010267925A/ja active Pending
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2010
- 2010-05-12 KR KR1020100044225A patent/KR101177366B1/ko active IP Right Grant
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Patent Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH1041486A (ja) * | 1996-05-25 | 1998-02-13 | Samsung Electron Co Ltd | 半導体装置の強誘電体膜及びその形成方法 |
JP2005504432A (ja) * | 2001-03-20 | 2005-02-10 | マットソン テクノロジイ インコーポレイテッド | 比較的高い誘電定数を有する被膜を基板上に堆積するための方法 |
JP2005101529A (ja) * | 2003-08-29 | 2005-04-14 | Semiconductor Leading Edge Technologies Inc | 半導体装置の製造方法および半導体装置 |
JP2007005633A (ja) * | 2005-06-24 | 2007-01-11 | Toshiba Corp | 絶縁膜の形成方法、半導体装置の製造方法、半導体装置 |
JP2007081410A (ja) * | 2005-09-15 | 2007-03-29 | Samsung Electronics Co Ltd | 強誘電体膜及び強誘電体キャパシタ形成方法及び強誘電体キャパシタ |
WO2008011235A2 (en) * | 2006-07-21 | 2008-01-24 | Asm America, Inc. | Ald of metal silicate films |
JP2008135633A (ja) * | 2006-11-29 | 2008-06-12 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 半導体デバイスの製造方法 |
JP2008166563A (ja) * | 2006-12-28 | 2008-07-17 | Elpida Memory Inc | 半導体装置および半導体装置の製造方法 |
US20090047798A1 (en) * | 2007-08-16 | 2009-02-19 | Tokyo Electron Limited | Method of forming high dielectric constant films using a plurality of oxidation sources |
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2012104810A (ja) * | 2010-09-28 | 2012-05-31 | Imec | 半導体デバイスで使用する金属−絶縁体−金属キャパシタの製造方法 |
JP2012126976A (ja) * | 2010-12-16 | 2012-07-05 | Ulvac Japan Ltd | 真空成膜装置及び成膜方法 |
JP2013187324A (ja) * | 2012-03-07 | 2013-09-19 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 半導体装置の製造方法、基板処理方法および基板処理装置 |
WO2014010405A1 (ja) * | 2012-07-13 | 2014-01-16 | 株式会社村田製作所 | トランジスタおよびトランジスタの製造方法 |
JPWO2014010405A1 (ja) * | 2012-07-13 | 2016-06-23 | 株式会社村田製作所 | トランジスタの製造方法 |
US10134586B2 (en) | 2014-09-08 | 2018-11-20 | Hitachi Kokusai Electric Inc. | Method of manufacturing semiconductor device, substrate processing apparatus, and recording medium |
JP2016082069A (ja) * | 2014-10-16 | 2016-05-16 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理方法及び基板処理装置 |
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