JP2010263180A - 発光デバイス、および平面導波体のインターフェース - Google Patents
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Abstract
【解決手段】発光デバイスは、高濃度ドープシリコン(Si)下部電極と、下部電極の上に配置された、Siナノ粒子が埋め込まれたSi含有誘電体層とによって構成されている。透明酸化インジウムスズ(ITO)上部電極がSi含有誘電体層の上に配置されており、光バンドギャップ(PBG)ブラッグ反射器がSi下部電極の下に配置されている。PBGブラッグ反射器は、異なる屈折率を有する2つの膜からなる周期的な二層膜を少なくとも1つ含んでいる。片面光バンドギャップ平面導波体のインターフェースは、平面導波体、および、平面導波体の下に配置されたPBG反射器によって構成されている。
【選択図】図1
Description
102 Si下部電極(下部電極)
104 Si含有誘電体(Si含有誘電体層、SiOx層)
106 Siナノ粒子
108 ITO上部電極(上部電極、ITO電極)
110 PBGブラック反射器
200a 二層(二層膜、二層の積層体、二層周期)
200n 二層(二層膜、二層の積層体、二層周期)
202 下部膜
204 上部膜
300 インターフェース
302 平面導波体
400 Siナノ粒子
402 Si下部電極(下部電極)
404 ITO上部電極(上部電極、ITO電極)
Claims (22)
- 片面光バンドギャップを備えた発光デバイスであって、
高濃度ドープシリコン(Si)下部電極と、
上記下部電極の上に配置された、Siナノ粒子が埋め込まれたシリコン(Si)含有誘電体層と、
上記Si含有誘電体層の上に配置された透明酸化インジウムスズ(ITO)上部電極と、
上記Si下部電極の下に配置された、異なる屈折率を有する2つの膜からなる周期的な二層膜を少なくとも1つ含む光バンドギャップ(PBG)ブラッグ反射器と、
を備えていることを特徴とする発光デバイス。 - 上記PBGブラッグ反射器の周期的な二層膜が、上部膜と、該上部膜の下に配置された下部膜とからなり、
上記下部膜がSiO2であり、上記上部膜がSiNx(x<2)であることを特徴とする請求項1に記載の発光デバイス。 - 上記PBGブラッグ反射器が、少なくとも二周期の二層膜を含んでいることを特徴とする請求項1に記載の発光デバイス。
- 上記PBGブラッグ反射器の周期的な二層膜が、上部膜と、該上部膜の下に配置された下部膜とからなり、
上記下部膜がSiであり、上記上部膜がSiO2であることを特徴とする請求項1に記載の発光デバイス。 - 上記Si含有誘電体層が、2〜7ナノメートル(nm)の範囲内の大きさのSiナノ粒子を含んでいることを特徴とする請求項1に記載の発光デバイス。
- 上記Si含有誘電体層が、10〜300nmの範囲内の厚さを有していることを特徴とする請求項1に記載の発光デバイス。
- 上記ITO上部電極が、20%を上回る出射効率で光を出射させることを特徴とする請求項1に記載の発光デバイス。
- 各周期的な二層膜におけるピーク光波長の反射率が、SiOxの層におけるSiナノ粒子によって放出された光のピーク波長の反射率とほぼ等しいことを特徴とする請求項1に記載の発光デバイス。
- 上記PBGブラッグ反射器の周期的な二層膜が、上部膜と、該上部膜の下に配置された下部膜とからなり、
上記下部膜の厚さをd2、上記下部膜の屈折率をn2、上記上部膜の厚さをd1、上記上部膜の屈折率をn1とすれば、d2×n2とd1×n1とを加算した値が、Siナノ粒子によって放出された光のピーク波長に0.5および0.25からなる群より選択される数を積算した値に等しいことを特徴とする請求項1に記載の発光デバイス。 - 上記PBGブラッグ反射器の周期的な二層膜が、第一屈折率(n1)を有する上部膜と、該上部膜の下に配置された第二屈折率(n2)を有する下部膜とからなり、
上記第一屈折率(n1)は、上記第二屈折率(n2)よりも小さいことを特徴とする請求項1に記載の発光デバイス。 - 上記Si含有誘電体層が、Siと、SiNx(x<2)およびSiOx(x<2)からなる群より選択される化合物とを含む材料であることを特徴とする請求項1に記載の発光デバイス。
- 片面光バンドギャップを有する平面導波体のインターフェースであって、
平面導波体と、
上記平面導波体の下に配置された、2つの膜からなる周期的な二層膜を少なくとも1つ含む光バンドギャップ(PBG)ブラッグ反射器と、
を備えており、
上記二層膜を構成する2つの膜の両方が、上記平面導波体の屈折率以下であり、かつ1より大きい屈折率を有していることを特徴とするインターフェース。 - 上記平面導波体は、Siナノ粒子が埋め込まれたシリコン(Si)含有誘導材料であり、
さらに、上記平面導波体と上記PBGブラッグ反射器との間に配置された高濃度ドープSi下部電極と、
上記平面導波体の上に配置された透明酸化インジウムスズ(ITO)上部電極と、
を備えていることを特徴とする請求項12に記載のインターフェース。 - 上記PBGブラッグ反射器の周期的な二層膜が、第一屈折率(n1)を有する上部膜と、該上部膜の下に配置された第二屈折率(n2)を有する下部膜とからなり、
上記第一屈折率(n1)は、上記第二屈折率よりも小さいことを特徴とする請求項12に記載のインターフェース。 - 上記上部膜がSiO2であり、上記下部膜がSiであることを特徴とする請求項14に記載のインターフェース。
- 上記PBGブラッグ反射器が、少なくとも二周期の二層膜を含んでいることを特徴とする請求項12に記載のインターフェース。
- 上記下部膜がSiNxであり、上記上部膜がSiO2(x<2)であることを特徴とする請求項14に記載のインターフェース。
- 上記Si含有誘電体材料が、2〜7ナノメートル(nm)の範囲内の大きさのSiナノ粒子を含んでいることを特徴とする請求項13に記載のインターフェース。
- 上記平面導波体が、150nmを上回る厚さを有していることを特徴とする請求項13に記載のインターフェース。
- 上記PBGブラッグ反射器の周期的な二層膜が、上部膜と、該上部膜の下に配置された下部膜とからなり、
上記下部膜の厚さをd2、上記下部膜の屈折率をn2、上記上部膜の厚さをd1、上記上部膜の屈折率をn1とすれば、d2×n2と、d1×n1とを加算した値が、Siナノ粒子によって放出された光のピーク波長に0.5および0.25からなる群より選択される数を積算した値に等しいことを特徴とする請求項13に記載のインターフェース。 - 上記平面導波体が、10%を上回る結合効率を有していることを特徴とする請求項13に記載のインターフェース。
- 上記平面導波体が、Siと、SiNx(x<2)およびSiOx(x<2)からなる群より選択される化合物とを含む材料であることを特徴とする請求項13に記載のインターフェース。
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