JP5130426B2 - 偏光発光ダイオード - Google Patents
偏光発光ダイオード Download PDFInfo
- Publication number
- JP5130426B2 JP5130426B2 JP2007143974A JP2007143974A JP5130426B2 JP 5130426 B2 JP5130426 B2 JP 5130426B2 JP 2007143974 A JP2007143974 A JP 2007143974A JP 2007143974 A JP2007143974 A JP 2007143974A JP 5130426 B2 JP5130426 B2 JP 5130426B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- polarization
- light
- emitting diode
- diode according
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 230000010287 polarization Effects 0.000 claims description 101
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 74
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 74
- 239000002070 nanowire Substances 0.000 claims description 70
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 50
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 230000028161 membrane depolarization Effects 0.000 claims description 10
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 8
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000010931 gold Substances 0.000 claims description 6
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 claims description 5
- 230000008033 biological extinction Effects 0.000 claims description 4
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 4
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims description 3
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000010408 film Substances 0.000 description 19
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 9
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 9
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 8
- 238000000034 method Methods 0.000 description 8
- 239000003574 free electron Substances 0.000 description 6
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 4
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 3
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 2
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 2
- 239000010944 silver (metal) Substances 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 1
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000035699 permeability Effects 0.000 description 1
- 239000012466 permeate Substances 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/44—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the coatings, e.g. passivation layer or anti-reflective coating
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Led Devices (AREA)
- Polarising Elements (AREA)
Description
110 支持層、
120 反射層、
130 多層膜、
132 P型半導体層、
134 発光層、
136 N型半導体層、
150 偏光制御層、
152 誘電体層、
154 メタルナノワイヤ。
Claims (21)
- 支持層と、
前記支持層上に形成され、発光層を有する半導体多層膜と、
前記半導体多層膜上に形成され、相互に平行に配列された複数のメタルナノワイヤ、および前記複数のメタルナノワイヤを内部に埋め込んだ透明電極材質を有し、前記発光層で生成されて放出される光の偏光を制御する偏光制御層と、を備え、
前記偏光制御層は、前記複数のメタルナノワイヤが配列された方向に偏光された光を放出することを特徴とする偏光発光ダイオード。 - 前記複数のメタルナノワイヤの断面形状は、多角形状または円形状であることを特徴とする請求項1に記載の偏光発光ダイオード。
- 前記複数のメタルナノワイヤの断面形状は、四角形状であることを特徴とする請求項1または2に記載の偏光発光ダイオード。
- 前記複数のメタルナノワイヤの厚さは、50nmよりも厚く、1000nmよりも薄いことを特徴とする請求項1から3のいずれか1項に記載の偏光発光ダイオード。
- 前記複数のメタルナノワイヤの幅は、前記複数のメタルナノワイヤ間のピッチの1/2倍より狭いことを特徴とする請求項1から4のいずれか1項に記載の偏光発光ダイオード。
- 前記支持層と前記半導体多層膜との間に反射層を備えることを特徴とする請求項1から5のいずれか1項に記載の偏光発光ダイオード。
- 隣接する前記複数のメタルナノワイヤ間のピッチは、前記発光層から放出する光の波長の1/2以下であることを特徴とする請求項1から6のいずれか1項に記載の偏光発光ダイオード。
- 前記複数のメタルナノワイヤは、アルミニウム(Al)、金(Au)、銀(Ag)、パラジウム(Pd)、または白金(Pt)のうちのいずれか一つで形成されることを特徴とする請求項1から7のいずれか1項に記載の偏光発光ダイオード。
- 前記複数のメタルナノワイヤは、前記半導体多層膜に電圧を印加する電極として使われることを特徴とする請求項1から8のいずれか1項に記載の偏光発光ダイオード。
- 前記偏光制御層によって反射された光の偏光を消滅させる偏光消滅層をさらに備えることを特徴とする請求項1から9のいずれか1項に記載の偏光発光ダイオード。
- 前記偏光消滅層は、光の偏光方向によって異なる屈折率を有する光学的異方性物質で形成されたことを特徴とする請求項10に記載の偏光発光ダイオード。
- 前記偏光消滅層は、散乱層であることを特徴とする請求項10に記載の偏光発光ダイオード。
- 前記支持層と前記半導体多層膜との間に反射層を備えることを特徴とする請求項10から12のいずれか1項に記載の偏光発光ダイオード。
- 前記偏光消滅層は、前記偏光制御層と前記半導体多層膜との間に形成されることを特徴とする請求項10から12のいずれか1項に記載の偏光発光ダイオード。
- 前記偏光消滅層は、前記半導体多層膜の内部に形成されることを特徴とする請求項10から12のいずれか1項に記載の偏光発光ダイオード。
- 前記偏光消滅層は、前記支持層と前記半導体多層膜との間に形成されることを特徴とする請求項10から12のいずれか1項に記載の偏光発光ダイオード。
- 前記偏光消滅層は、前記反射層と前記半導体多層膜との間に形成されることを特徴とする請求項13に記載の偏光発光ダイオード。
- 前記支持層、半導体多層膜及び偏光制御層の側面に反射層がさらに設けられることを特徴とする請求項1から6のいずれか1項に記載の偏光発光ダイオード。
- 前記支持層、前記半導体多層膜、及び前記偏光制御層の側面に反射層がさらに形成されたことを特徴とする請求項10に記載の偏光発光ダイオード。
- 前記透明電極材質は、ITO、ZnOのうち少なくとも一つを含むことを特徴とする請求項1から19のいずれか1項に記載の偏光発光ダイオード。
- 前記複数のメタルナノワイヤは、前記半導体多層膜と離隔配置されることを特徴とする請求項1から20のいずれか1項に記載の偏光発光ダイオード。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR10-2006-0082935 | 2006-08-30 | ||
KR1020060082935A KR100809236B1 (ko) | 2006-08-30 | 2006-08-30 | 편광 발광 다이오드 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2008060534A JP2008060534A (ja) | 2008-03-13 |
JP5130426B2 true JP5130426B2 (ja) | 2013-01-30 |
Family
ID=39150244
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007143974A Expired - Fee Related JP5130426B2 (ja) | 2006-08-30 | 2007-05-30 | 偏光発光ダイオード |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8004000B2 (ja) |
JP (1) | JP5130426B2 (ja) |
KR (1) | KR100809236B1 (ja) |
Families Citing this family (26)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2009053881A1 (en) * | 2007-10-25 | 2009-04-30 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Polarized light emitting device |
US8125579B2 (en) * | 2007-12-19 | 2012-02-28 | Texas Instruments Incorporated | Polarized light emitting diode and use thereof |
JP2009239217A (ja) * | 2008-03-28 | 2009-10-15 | Nikon Corp | 発光ダイオード素子 |
KR101471859B1 (ko) | 2008-11-27 | 2014-12-11 | 삼성전자주식회사 | 발광 다이오드 |
TWI398020B (zh) * | 2008-12-01 | 2013-06-01 | Ind Tech Res Inst | 發光裝置 |
JP5667195B2 (ja) * | 2009-09-29 | 2015-02-12 | 3533899 インコーポレーティッド | 有機電子デバイス、組成物、および方法 |
JP5582147B2 (ja) * | 2009-10-22 | 2014-09-03 | 日本電気株式会社 | 発光素子および該発光素子を用いた画像表示装置 |
US8866172B2 (en) | 2009-10-22 | 2014-10-21 | Nec Corporation | Light emitting element and image display apparatus using the light emitting element |
CN102576784B (zh) | 2009-10-23 | 2015-06-17 | 日本电气株式会社 | 发光元件和设置有该发光元件的投影显示装置 |
WO2011083803A1 (ja) * | 2010-01-07 | 2011-07-14 | 日本電気株式会社 | 発光素子および該発光素子を用いた画像表示装置 |
KR101667815B1 (ko) | 2010-02-18 | 2016-10-19 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광 소자, 발광 소자 제조방법 및 발광 소자 패키지 |
JPWO2011145504A1 (ja) * | 2010-05-21 | 2013-07-22 | 日本電気株式会社 | 光源ユニットおよび画像表示装置 |
US8939592B2 (en) | 2010-08-02 | 2015-01-27 | Nec Corporation | Polarizer and light-emitting device |
JP5468517B2 (ja) * | 2010-10-19 | 2014-04-09 | パナソニック株式会社 | 半導体発光デバイス |
WO2012067080A1 (ja) | 2010-11-18 | 2012-05-24 | 日本電気株式会社 | 光源ユニットおよびそれを備えた投射型表示装置 |
TW201225341A (en) * | 2010-12-13 | 2012-06-16 | Hon Hai Prec Ind Co Ltd | Light-emitting semiconductor chip and method for manufacturing the same |
DE102011017196A1 (de) | 2011-04-15 | 2012-10-18 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Polarisierte Strahlung emittierender Halbleiterchip |
JP2014049603A (ja) * | 2012-08-31 | 2014-03-17 | Toshiba Corp | 半導体発光装置 |
NL2010887C2 (en) * | 2013-05-29 | 2014-12-02 | Univ Delft Tech | Memristor. |
KR20150001528A (ko) * | 2013-06-27 | 2015-01-06 | 삼성전자주식회사 | 수직형 유기 발광 트랜지스터 및 이를 구비한 유기 엘이디 조명장치 |
TWI570965B (zh) * | 2015-02-26 | 2017-02-11 | 友達光電股份有限公司 | 發光裝置和顯示器 |
US11287563B2 (en) | 2016-12-01 | 2022-03-29 | Ostendo Technologies, Inc. | Polarized light emission from micro-pixel displays and methods of fabrication thereof |
US10777125B2 (en) * | 2017-11-27 | 2020-09-15 | Universal Display Corporation | Multi-mode OLED display |
CN112420949A (zh) * | 2020-11-17 | 2021-02-26 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 一种显示面板 |
JP2023035174A (ja) | 2021-08-31 | 2023-03-13 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置、およびディスプレイ |
JP2024110139A (ja) * | 2023-02-02 | 2024-08-15 | スタンレー電気株式会社 | 発光装置 |
Family Cites Families (21)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0990122A (ja) * | 1995-09-28 | 1997-04-04 | Kyocera Corp | グリッド型偏光子の製造方法 |
TW386609U (en) * | 1996-10-15 | 2000-04-01 | Koninkl Philips Electronics Nv | Electroluminescent illumination apparatus |
US6108131A (en) * | 1998-05-14 | 2000-08-22 | Moxtek | Polarizer apparatus for producing a generally polarized beam of light |
US6122103A (en) * | 1999-06-22 | 2000-09-19 | Moxtech | Broadband wire grid polarizer for the visible spectrum |
US6234634B1 (en) * | 1999-07-28 | 2001-05-22 | Moxtek | Image projection system with a polarizing beam splitter |
US20020017652A1 (en) * | 2000-08-08 | 2002-02-14 | Stefan Illek | Semiconductor chip for optoelectronics |
US6532111B2 (en) * | 2001-03-05 | 2003-03-11 | Eastman Kodak Company | Wire grid polarizer |
US6871982B2 (en) * | 2003-01-24 | 2005-03-29 | Digital Optics International Corporation | High-density illumination system |
KR20050070854A (ko) * | 2003-12-31 | 2005-07-07 | 엘지전자 주식회사 | 반도체 led 소자 |
KR100601945B1 (ko) * | 2004-03-10 | 2006-07-14 | 삼성전자주식회사 | 탑에미트형 질화물계 발광소자 및 그 제조방법 |
US7408201B2 (en) * | 2004-03-19 | 2008-08-05 | Philips Lumileds Lighting Company, Llc | Polarized semiconductor light emitting device |
US7808011B2 (en) * | 2004-03-19 | 2010-10-05 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Semiconductor light emitting devices including in-plane light emitting layers |
US7431463B2 (en) * | 2004-03-30 | 2008-10-07 | Goldeneye, Inc. | Light emitting diode projection display systems |
KR100568308B1 (ko) * | 2004-08-10 | 2006-04-05 | 삼성전기주식회사 | 질화 갈륨계 반도체 발광소자 및 그 제조 방법 |
JP2006058615A (ja) * | 2004-08-20 | 2006-03-02 | Sumitomo Chemical Co Ltd | 金属細線が埋め込まれた偏光分離素子 |
US20060043400A1 (en) * | 2004-08-31 | 2006-03-02 | Erchak Alexei A | Polarized light emitting device |
JP4833537B2 (ja) * | 2004-10-07 | 2011-12-07 | フィリップス ルミレッズ ライティング カンパニー リミテッド ライアビリティ カンパニー | 半導体発光素子 |
US20060091412A1 (en) * | 2004-10-29 | 2006-05-04 | Wheatley John A | Polarized LED |
KR20060042481A (ko) * | 2004-11-09 | 2006-05-15 | 엘지전자 주식회사 | 반사형 편광판을 포함하는 액정 디스플레이 |
JP4253302B2 (ja) * | 2005-01-06 | 2009-04-08 | 株式会社東芝 | 有機エレクトロルミネッセンス素子およびその製造方法 |
US7285791B2 (en) * | 2006-03-24 | 2007-10-23 | Goldeneye, Inc. | Wavelength conversion chip for use in solid-state lighting and method for making same |
-
2006
- 2006-08-30 KR KR1020060082935A patent/KR100809236B1/ko not_active IP Right Cessation
-
2007
- 2007-04-30 US US11/797,003 patent/US8004000B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2007-05-30 JP JP2007143974A patent/JP5130426B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2008060534A (ja) | 2008-03-13 |
US20080054283A1 (en) | 2008-03-06 |
US8004000B2 (en) | 2011-08-23 |
KR100809236B1 (ko) | 2008-03-05 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5130426B2 (ja) | 偏光発光ダイオード | |
US20200411725A1 (en) | Light emitting diode chip having distributed bragg reflector | |
US7800122B2 (en) | Light emitting diode device, and manufacture and use thereof | |
JP5074458B2 (ja) | 発光ダイオード及びその製造方法 | |
JP5294280B2 (ja) | 偏光性を有する半導体発光素子 | |
JP2008182110A (ja) | 窒化物半導体発光装置 | |
TWI590488B (zh) | 具有高效能反射結構之發光元件 | |
CN103052900A (zh) | 偏振器和发光装置 | |
KR101550922B1 (ko) | 발광 소자 | |
JP2012043893A (ja) | 半導体発光素子及びその製造方法 | |
JP2015031856A (ja) | 光学フィルター | |
US8441025B2 (en) | Light emitting device | |
US8697462B2 (en) | Manufacturing method of light emitting device having auto-cloning photonic crystal structures | |
JP6519464B2 (ja) | 発光素子及びその製造方法 | |
JP2005340625A5 (ja) | ||
JP2009540617A (ja) | 再発光半導体構造体及び反射体を有するled装置 | |
CN207743251U (zh) | 一种发光二极管芯片 | |
JP5745250B2 (ja) | 発光デバイス | |
US20100051971A1 (en) | High efficiency light emitting articles and methods of forming the same | |
TWI603498B (zh) | 側面發光雷射元件 | |
KR20150067958A (ko) | 발광 다이오드 | |
TW202213817A (zh) | 具有布拉格反射結構的半導體發光元件 | |
KR20140076665A (ko) | 편광성을 갖는 반도체 발광소자 패키지 | |
CN110854249A (zh) | 发光元件 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20100331 |
|
A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711 Effective date: 20100930 |
|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20101021 |
|
RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422 Effective date: 20101028 |
|
RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422 Effective date: 20101111 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20101116 |
|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20101116 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20120323 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20120327 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20120626 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20120724 |
|
A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A712 Effective date: 20120813 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20120807 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20151116 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |